总投资36亿美元！这一重大外资项目将落户无锡！

2月6日晚，省委常委、市委书记李小敏，市长汪泉，在南京会见了SK集团副会长、SK海力士（株）代表理事CEO朴星昱一行，双方就SK海力士下阶段战略发展、拓展合作领域进行了深入会谈。 李小敏对韩国SK集团、SK海力士为无锡经济社会发展作出的积极贡献表示感谢。他说，无锡与韩国经贸往来非常密切，去年双边贸易总额增长10%左右，体现出无锡与韩国扎实的经贸合作基础。自2015年市委市政府确立产业强市主导战略以来，推进产业强市已经成为无锡经济工作的主旋律。在此过程中，我们把发展高性能集成电路产业作为战略性新兴产业的优先选项之一，充分依托无锡集成电路产业发展基础扎实、技术积累丰富、市场占有率高的比较优势，加强产业资源整合，积极引进重大项目，推动无锡集成电路产业设计、制造、封装等环节不断向**发展。李小敏说，希望SK海力士尽快在锡启动**工厂建设，为SK海力士未来发展注入新的动力和活力。无锡市委市政府高度重视与SK海力士的合作，将一如既往地关心支持SK海力士后续项目建设，优化政务服务、强化政策扶持，切实为SK海力士在锡发展营造**的营商环境，共同推动SK海力士建设成为全球**的半导体生产企业。SK集团在

继鸿海后，传SK海力士加入战局送件投标东芝半导体业务

集微网消息 东芝半导体拟释出存储器业务股份，吸引各界觊觎。先前传鸿海已经投标，*新消息指出全球**大存储器厂SK海力士也想抢下这块肥肉，提升NAND Flash竞争力。DRAMeXchange数据显示，SK海力士在全球NAND Flash的市占率为12%。 路透社周一引述知情人士消息报导指出，海力士已默默送件参与竞价，但由于才刚起跑，海力士目前还未决定标购股份的规模。快闪存储器是数据储存的大势所趋，海力士与东芝在这方面原是竞争者关系，但若能联手则可增加竞争力，形成新阵线对抗共同强敌三星。对于上述报导，海力士暂时拒绝评论。东芝一月份曾透露将卖出存储器事业少数股份，约两成以内，希望换取两千多亿日圆（17.9亿美元）现金，于三月底完成出售股份交易，来打消核电事业数十亿美元的亏损。目前东芝已出售手中日本显示器（JDI）的所有股票，估计售价略低于40亿日圆（约3,560万美元），获利超过10亿日圆。据了解，有意投资入股的企业或基金超过10家，除了台韩双海之外，觊觎东芝存储器事业的还有私募基金、美国西部数据与日本政策投资银行（Development Bank of Japan）等。市调机构DRAM

车用市场商机可期 韩国半导体双雄争夺新蓝海

全球车用半导体2016-2020 年的复合年成长率预估将超过 7%，已成为三星电子与SK 海力士等韩国半导体双雄争夺的新蓝海。 据市调机构 Gartner *新估计，2020 年全球车用芯片产值将来到 424 亿美元，对照去年 323 亿美元，每年复合年成长率达7.1%，高于整体半导体平均水平3.7%。三星日前已先下一成，从 2018 年开始，三星旗下 Exynos 处理器将进驻德国奥迪汽车的资讯娱乐系统（Infotainment）。另外，三星去年11 月更以全现金交易买下车用电子大厂 Harman，估计花费约80 亿美元，展现对汽车领域的企图心。海力士也不在话下，去年9 月已成立独立部门致力于开发车用芯片，SK 海力士曾说先进辅助驾驶（ADAS）与自驾系统将是未来的成长引擎。

东芝*赚钱部门抢手,鸿海传竞标

集微网消息，据台湾媒体报道，东芝计划分拆半导体业务，已引起包括南韩SK海力士及鸿海集团、威腾多组人马抢亲，东芝的储存型闪存事业这么抢手，是因为他是该公司*赚钱的部门，占总营收仅15%，却贡献一半以上的获利，成为大家相中的目标。 但市场人士分析，不过因为东芝只开放入股近二成，不是直接买断，预料将以威腾出线的机会较高。由于东芝的储存型闪存（NAND Flash）加计合作伙伴威腾合计35%，仅次三星的36%，三星若参与，恐因市占过半涉及市场垄断，因而参与机率不高。日本东芝考虑分拆和出售旗下部分芯片事业的计划，目前不仅南韩SK海力士提出不具约束力的出价，美国威腾电子和台湾鸿海旗下的夏普等公司也表达收购兴趣。 不过，据悉，东芝希望由贝恩资本（Bain）出资购买股权，而非让SK海力士和威腾等同业收购。日经新闻报导，据悉，目前东芝仅收到威腾电子、美光和贝恩资本等的投资提案，而南韩SK海力士7日递交的监管文件显示，已对东芝的闪存事业提出不具约束力的出价。产经新闻报导指出，鸿海已参与东芝NAND闪存事业部分股权竞标提案，虽未揭露投标金额，但跨足半导体领域已被市场解读为「联日抗韩」，挑战三星在NAND闪存

传SK海力士拟入股东芝NAND Flash业务 已提初步报价

全球**大存储器制造商SK海力士(SK Hynix)传出有意入股东芝(Toshiba) NAND Flash业务，已提出初步报价。 根据路透(Reuters)及韩联社(Yonhapnews)报导，知情人士透露，由于这笔交易仍在早期阶段，SK海力士尚未决定要投资多少股权。SK海力士已于2月3日投标，预计交易成本介于2兆~3兆韩元(18亿~27亿美元)。东芝现为全球**大NAND Flash制造商。东芝于1月表示，因美国核电业务减损数十亿美元，将销售其NAND Flsah业务的约20%股份筹措资金。SK海力士则因全球NAND Flash需求大增，想借此进一步强化NAND Flash业务。SK海力士在1月亦表示将斥资2.2兆韩元在韩国兴建1座NAND Flash制造厂。

为什么说中国必须建设本土存储产业

在长江存储，晋华项目和合肥长鑫这三大存储国产存储基地开建之际，有很多人曾经质疑过中国为什么要投入那么多钱去做这个建设。现在我通过一个事实告诉你原因。现在在存储产业，基本是韩国厂商的天下，而随着设动设备的火热，各种设备的爆发，市场对存储的需求日增，于是带来了存储产品的缺货问题，进而导致了涨价。拜DRAM 价格因供给短缺而以高角度上扬之赐，部分分析师预测南韩两大存储厂三星与SK 海力士，今年半导体营业利润可能年增5 成，来到****的25 兆韩圆。存储市况从2016 年6 月触底反弹后，从*低每单位1.31 美元一路走升，年底攀底至1.94 美元，且在供给有限而需求增加的状况下，存储今年有望延续涨势。随着PC 大饼持续萎缩，分析师去年一度唱衰电脑用存储市况，但人算不如天算，下半年笔电用存储需求旺盛，让NAND 快闪存储呈现缺货状态。至于PC 用DRAM 报价，今年**季预估将再上涨三成。另外，即使三星Galaxy Note 7 2016 年因自燃事件被迫停产，但行动DRAM 需求仍旧不减反增，这主要归功于中国智能手机业者积极填补Note 7 **下的需求缺口。而当中应以中国作为*大的消耗国

传SK海力士2017年下半量产72层堆叠3D NAND Flash

存储器大厂SK海力士(SK Hynix)正逐步将规模高达46兆韩元(约384亿美元)的中长期投资计划付诸实现，传闻2017年下半即将量产72层3D NAND Flash存储器，率先开启兆位元(TB)时代。 据韩国经济报导，26日外电及业界消息指出，SK海力士将在2017年1月正式量产48层3D NAND Flash存储器，72层产品也将在2017年上半完成研发，预定于2017年下半在京畿道利川工厂进行量产。从堆叠层数与储存容量来看，若48层NAND Flash存储器可储存128GB，相同面积下的64层产品可储存256GB。2016年8月三星电子(Samsung Electronics)宣布从第4季起量产64层3D NAND Flash存储器，东芝(Toshiba)也加速推动64层3D NAND Flash量产，全球半导体业界展开一场堆叠层数之战。市调机构的资料显示，2015年到2020年NAND Flash资料储存规模年复合成长率(CAGR)将达44%，业者纷纷增加存储器堆叠层数，兆位元的超高容量时代即将来临。SK海力士在产品策略上，选择跳过64层3D NAND Flash存储器，直接

SK海力士高层升迁 加速发展汽车事业

SK集团(SK Group)日前发布定期人事异动公告，SK海力士(SK Hynix)有多位高层获得升迁，社长朴星昱甚至晋升为副会长，显示SK海力士在集团内的地位大幅上升。业界普遍认为，这次人事调整意味SK集团将以SK海力士为中心，加速发展汽车事业。据报导，SK集团似乎有意将SK海力士调整为直属于集团的子公司，内部正准备将SK电信(SK Telecom;SKT)转换为中间持股公司进行结构调整。加上SK集团会长崔泰源先前已宣示过公司应尽快求新求变，跟上工业4.0(Industry 4.0)的潮流，SK海力士在集团内的重要性更是不可言喻。2012年崔泰源不顾集团内部反对声浪，独排众议坚持买下亏损中的海力士(Hynix)，之后崔泰源因故入狱，在狱中也经常听取SK海力士的业绩报告，给予特别关爱的眼神。SK集团日前公布年度人事派令，其中SK海力士社长朴星昱因确保半导体技术竞争力有功，将从社长升迁为副会长，并且担任SUPEX追求**协会的资通讯技术委员长。朴星昱担任SK海力士社长的这段期间，成功将公司由原本亏损2,200亿韩元(约1.83亿美元)，扭转为连续7个季度营业利益超过1兆韩元。另一位获得升

紫光布局／Flash军备竞赛再起 产能埋隐忧

储存型快闪存储器（NAND Flash）军备竞赛再起，南韩存储器大厂SK海力士和紫光集团旗下的长江存储都加入3D NAND Flash军备竞争，尤其长江存储武汉厂启动建厂，将在2018年投产，为届时市场出现供过于求情况埋下隐忧。 目前各市调机构均看好明年NAND Flash仍然供不应求，但南韩记存储器大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储器厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但为NAND Flash市场投下新变数。稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂，预定2017年上半年启用，**期投资额15.6兆韩元（134亿美元），估计12寸晶圆产量可达20万片，虽然三星还未敲定生产项目，但市场推测，因三星DRAM���占已接近50%门槛，有反托辣斯法要求分割疑虑，应仍会以发展3D NAND Flash 为主。另外，三星大陆西安厂NAND Flash首期生产规模也达每月10万片。美光并购尔必达后，将新加坡DRAM厂转为生产NAND Flash，同时也全力发展3D NAND Flash，其中新加坡10X厂已于今年9月正式投产

DRAM劲涨 台厂“绩”昂

DRAM和储存型快闪记忆体（NAND Flash）在淡季同时缺货，尤其DRAM涨势凶猛，让主要记忆体族群今年营运看旺。国内DRAM厂均已退出标准型供应正规战，转攻利基型市场，以利基型DRAM通常一季议价一次，因而未能享用如三星、SK海力士和美光营运直接受到产品飙涨挹注，但随着涨势愈猛，台厂包括南亚科、华邦电和力晶等，也同步沾光。 近期DRAM涨势主要由三星主导，且涨势仍未停歇，首季标准型DRAM涨幅逾三成，行动式DRAM约15~20%，伺服器用DRAM涨幅在25~30%。三大应用领域同飙，让主要供应商三星、SK海力士、美光去年营运翻身，股价也大爆发，尤其美光股价大涨1.3倍，格外受到瞩目。法人看好南亚科、华邦电、旺宏、力晶等拥有记忆体制造产能的公司，本季起业绩将明显提升，不过南亚科因部分产能转进20奈米，产出会减少，让涨价利益失色不少。旺宏因具备NAND Flash和NOR Flash两项记忆体制造实力，加上原来被视为包袱的12寸晶圆厂折旧几乎摊提完毕，让旺宏今年光是折旧短少，就可为公司带来可观利益，加上两项记忆体都相继切入车用及物联网等大厂，今年营运改观。至于模组厂中，则以拥有货源较

看清这20大半导体企业生态布局

IC Insights发布了2016年全球前20大半导体公司的排名预测。在这份榜单中，有8家总部在美国，3家在日本，3家在中国台湾地区，3家在欧洲，2家在韩国，1家在新加坡。英特尔2016年预估营收563.13亿美元，依旧稳居半导体业龙头。排名**的三星，营收预估至435.35亿美元。 前20大半导体企业中，有3家是纯代工厂（台积电、GlobalFoundries和UMC），5家IC设计公司（高通、博通、联发科、苹果、英伟达Nvidia）。如果不计3家纯代工厂，AMD（42.28亿美元，估测的2016年销售额）、海思（37.62亿美元）和夏普（37.06亿美元）将进入前20。 而联发科与Nvidia是其中成长表现*亮眼的两家厂商，后者2016年销售额成长率估计达35%，前者为29%。 Nvidia的GPU以及Tegra处理器需求激增，其*新一季（截止于2016年10月30日）的销售业绩，在游戏应用市场较去年成长了63%，在数据中心应用市场成长了193%，在车用市场则成长了61%。 台湾的联发科则是2016年全球前二十大半导体供货商中成长表现**高的，尽管全球智能型手机出货量预期今年仅有

DRAM三雄向跳槽大陆员工发出警告信,防范技术泄露

三星、SK海力士及美光相继寄出存证信函给相关人士，全力防堵DRAM技术流入中国大陆。 本报系资料库分享全球三大DRAM厂三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到**恫吓。半导体人士透露，三大DRAM厂强力防止中国大陆藉挖角剽窃技术，显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆全力抢进而打破，三大厂采取法律制约员工跳槽的行动，如果能奏效，将使DRAM供给缺口浮现问题再扩大，明年再现飙涨。中国大陆全力发展记忆体已列为政策目标，目前包括紫光集团、合肥长键及福建晋华都相继提出宏大发展计画，并且对外挖角行动再扩大。不过，力晶集团执行长黄崇仁透露，包括三星和SK海力士已寄存证信函给被合肥长鑫挖角的原三星和SK海力士员工，并且措词强硬，不惜倾所有资源提告。无独有偶，美光也发出存证信函给原担任美光台湾区总经理，后来跳槽到联电担任副总经理的陈正坤，而陈正坤正是联电和福建晋华合作切入生产DRAM

严防技术泄露 DRAM三大厂向跳槽大陆员工发出警告信

全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到**恫吓。半导体人士透露，三大DRAM厂强力防止中国大陆藉挖角剽窃技术，显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆全力抢进而打破，三大厂采取法律制约员工跳槽的行动，如果能奏效，将使DRAM供给缺口浮现问题再扩大，明年再现飙涨。中国大陆全力发展记忆体已列为政策目标，目前包括紫光集团、合肥长键及福建晋华都相继提出宏大发展计画，并且对外挖角行动再扩大。不过，力晶集团执行长黄崇仁透露，包括三星和SK海力士已寄存证信函给被合肥长鑫挖角的原三星和SK海力士员工，并且措词强硬，不惜倾所有资源提告。无独有偶，美光也发出存证信函给原担任美光台湾区总经理，后来跳槽到联电担任副总经理的陈正坤，而陈正坤正是联电和福建晋华合作切入生产DRAM的主要负责人，全力防止美光的技术流入中国大陆，在业界引起极大震撼。消息人士透露，三大DRAM厂寄出存证

存储器投资再加码 SK海力士明年投资上看50亿美元

韩国存储器厂SK海力士2017年投资布局逐渐成形，扩厂加增设新厂，总投资规模上看六万亿韩元(约50亿美元)。据台湾地区科技媒体ETnews.com报导，海力士今年估计砸下近50亿美元在设施投资上，明年预估只会更多。海力士目前正在对利川(Icheon)M14进行扩厂，将用以生产72层3D NAND快闪存储器。除此之外，SK海力士还将增加投资无锡厂附属设施，并将再增建一座新厂(暂称C2F)。无锡厂建于2006年，主要用于生产DRAM，近十年来对海力士营收成长做出不少贡献。另外，SK海力士周四已先行宣布新3D NAND存储器的设厂计划(推测代号M15)，规模约略与利川M14厂相当，占地达23.4万平方米，估计于明年八月动工，2019年六月完工，至于实际量产时间，将视当时市况而定。

SK海力士多位高层获得升迁　汽车事业或将成为发展重点

SK集团(SK Group)日前发布定期人事异动公告，SK海力士(SK Hynix)有多位高层获得升迁，社长朴星昱甚至晋升为副会长，显示SK海力士在集团内的地位大幅上升。业界普遍认为，这次人事调整意味SK集团将以SK海力士为中心，加速发展汽车事业。据朝鲜日报报导，SK集团似乎有意将SK海力士调整为直属于集团的子公司，内部正准备将SK电信(SK Telecom；SKT)转换为中间持股公司进行结构调整。加上SK集团会长崔泰源先前已宣示过公司应尽快求新求变，跟上工业4.0(Industry 4.0)的潮流，SK海力士在集团内的重要性更是不可言喻。 2012年崔泰源不顾集团内部反对声浪，独排众议坚持买下亏损中的海力士(Hynix)，之后崔泰源因故入狱，在狱中也经常听取SK海力士的业绩报告，给予特别关爱的眼神。SK集团日前公布年度人事派令，其中SK海力士社长朴星昱因确保半导体技术竞争力有功，将从社长升迁为副会长，并且担任SUPEX追求**协会的资通讯技术委员长。朴星昱担任SK海力士社长的这段期间，成功将公司由原本亏损2,200亿韩元(约1.83亿美元)，扭转为连续7个季度营业利益超过1兆韩元。另

SK海力士斥巨资建厂 推动移动芯片发展

北京时间12月23日消息，为了满足不断增���的手机和计算机存储需求，韩国**大存储芯片制造商SK海力士公司将花费31.6万亿韩元（约合1826.32亿人民币）提高存储芯片的产量。SK海力士SK海力士是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。作为苹果和索尼等国际知名大型企业的供应商，满足市场上日益增长的智能手机NAND闪存芯片需求，SK海力士于昨日宣布分别投资127.73亿和54.91亿元人民币在首尔清州和中国无锡建立新工厂，以提高芯片产量。截至今天上午，SK海力士在首尔的股价上涨了3.2%，至46450韩元。尽管SK海力士第三季度净收入下降43.1%，但芯片价格持续上涨，且需求大于供给。

预计2017年一季度DDR4 4GB模块价格垂直升至25美元

全球半导体市场出现严重供应不及的情况，年底、年初的淡季完全消失。智能手机需求稳健，DRAM短缺现象恐难解除，价格也持续上扬……DRAM内存芯片市场上的主要产品DDR4 4GB模块产品6月价格滑落至13美元，近来攀升到18美元，2017年第1季可能会垂直上升到25美元。据南韩每日经济报导，2017年DRAM市场可能会面临严重缺货情况。外电引用市调机构DRAMeXchange数据指出，2017年位成长率将首度无法达到20%。南韩半导体业界人士说明，过去位成长率若高于50%，表示供货过剩，成为内存芯片价格滑落的前导指针。2011年位成长率为51%，之后均维持在20~25%，2017年却可能降至约10%，意味着供货严重不足。事实上，DRAM市场2016年第1季曾因需求疲软而价格大跌。2015年11月底DDR4 4GBDRAM价格为18美元，2016年6月下滑到13美元。然年底因笔记本电脑需求回温，大陆业者智能手机销售量增加等，第3季开始DRAM市场需求攀升。11月甚至有部分DRAM价格在1个月期间急涨25%以上。三星证券公司分析师表示，三星电子(Samsung Electronics)和SK海

SK海力士27亿美元扩产投资计划曝光 中国厂投资54.8亿人民币

集微网消息，韩国存储器制造商SK海力士周四宣布3.16兆韩圜（27亿美元）的投资计划，希望同时在韩国与中国两地增加存储器产能，以满足移动与数据储存市场的需求。 海力士表示将在韩国盖一座全新NAND快闪存储器厂，预算达2.2兆韩圜，有望拉近与三星的差距。市调机构TrendForce指出，NAND供货仍然吃紧，明年报价预估将持续走扬。除此之外，随着智能手机对存储器容量要求越来越高，DRAM市况亦呈现供不应求。有鉴于此，海力士还将加码投资中国DRAM厂9,500亿韩圜，借以扩充产能。TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示，全球第三季DRAM营收季增15.8%，其中三星DRAM营收季增22.4%，市占率来到50.2%。海力士与美光市占率则各为24.8%与12.6%。

SK海力士在韩建新厂 扩Flash产能

需求回温、产能扩增有限，供需失衡下，DRAM价格在2016年下半逆势翻转，而原本看俏的NAND Flash在厂商间转进3D NAND良率还未提升下，同样面临缺货。集邦咨询(TrendForce)等调研机构先前都预估，明年内存价格下跌不易，且有一定的成长，现在厂商也开始蠢蠢欲动，先前扩产消息频传的SK海力士也正式宣布砸总计约3.15万亿韩元(约27亿美元)建新厂、扩产能。韩国大厂SK海力士在去年8月M14厂完工典礼上，表态要在十年内，于韩国利川、清洲等地加码建置三座半导体厂房。而22日SK海力士公布了*新的新厂投资计划，SK海力士表示，新厂将座落韩国清州市科技城，将于下个月展开设计、明年8月开始外壳结构与无尘室建构，并于2019年6月完工，而届时的设备机台安装将视公司的迁移计划而定，可以确定的是，新厂总投资金额将来到2.2万亿韩元，主要用于NAND Flash产能的布建。韩国清州自2008年以来，即为SK海力士NAND Flash生产的大本营，SK 海力士新建的利川M14厂虽将于明年转进3D NAND Flash量产，但官方进一步指出，为了顺应接下来3D NAND Flash渗透率持续攀

大陆韩国扩产竞赛 Flash后年产能恐过剩

储存型快闪存储(NAND Flash)军备竞赛再起，南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元)，在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂，也预定本月底正式动土，都为2018年供给过于求再现，埋下隐忧。目前各市调机构均看好明年NAND Flash仍处于供不应求局面，但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但也为NAND Flash市场投下新变数。稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂，预定2017年上半启用，**期投资额15.6兆韩元(134亿美元)，估计12寸晶圆产量可达20万片，虽然三星还未敲定生产项目，但市场推测，因三星DRAM市占已接近跨过50%门槛，有反托辣斯法要求分割疑虑，应仍会以发展3D NAND Flash 为主。半导体设备厂透露，目前六大NAND Flash芯片厂都有持续扩充NAND Flash芯片计划，不过在各家从2D转3D NAND芯片，因制程难度高，造成供应不足，使今年NAND芯片供应短缺，预料随3D NA

SK海力士开发出10奈米级DRAM　与三星拉近差距

传闻SK海力士(SK Hynix)即将在2017年上半启动10奈米级DRAM量产，这将是继三星电子(Samsung Electronics)之后，**家投产10奈米级DRAM的半导体业者。目前SK海力士已完成1x奈米技术研发，同时着手开发1y奈米，并组成1z奈米研发团队，持续追求更高的技术竞争力。 据韩媒ET News报导，14日业界消息指出，SK海力士以Alius作为计画名称的1x奈米DRAM即将正式量产。其目前已完成客户样品生产，正进行*后的可靠度检测，预定2017年第2季由M14新厂正式量产。业界表示，SK海力士与三星在2z奈米DRAM的技术差距约有1年半；三星已在2016年第1季启动1x奈米DRAM量产，若SK海力士能依照进度在2017年第2季量产1x奈米DRAM，技术差距可缩小为1年3个月。SK海力士以Davinci及Rigel分别作为1y与1z奈米DRAM的研发代号，加速追赶三星，并扩大与美光(Micron)的差距。据闻美光目前尚未进入2z产品量产。SK海力士对开发10奈米等级DRAM技术的期望反映在研发代号上，首先是1x奈米研发代号Alius。 Alius在拉丁文中代表新

3Q'16韩国存储器产值季增13.9% 4Q'16再战双位数季增率

2016年第3季韩国存储器产值已接近14兆韩元(约123亿美元)，较前季成长13.9%，DIGITIMES Research预测，在终端需求持续增加及单机搭载容量提升带动下，2016年第4季有望突破15兆韩元(约132亿美元)大关。 观察2016年第3季韩国存储器产业发展，因全球PC与智能型手机等终端装置出货增加，以及厂商因应旺季来临回补库存，DRAM与NAND Flash需求增加，价格出现翻扬，韩国存储器产值达13.95兆韩元，较前季成长13.9%，也较2015年同期微增0.6%。三星电子(Samsung Electronics) 2016年第3季DRAM营收季增18.0%，优于SK海力士(SK Hynix)的4.3%及全球的15.8%。三星先于2016年第1季量产18纳米制程DRAM，2016年第3季服务器用DRAM(Server DRAM)及移动DRAM(Mobile DRAM)也导入18纳米制程技术生产，亦使其DRAM成本竞争力持续提升。NAND Flash方面，2016年第3季三星与SK海力士营收合计达5.13兆韩元，季增15.3%，两公司NAND Flash营收季增率表现皆

SK海力士与东芝发布4Gbit STT-MRAM

韩国SK海力士与东芝试制出了4Gbit STT-MRAM，并在“IEDM 2016”上进行了发布（论文序号：27.1）。因为是Gbit级的大容量MRAM，关注度非常高，很多听众来到发布会场，甚至还有人站着听讲。 试制的STT-MRAM由8个512Mbit的存储体构成。单元面积仅为9F2（F为设计规则），与8F2左右的DRAM相当。SK海力士的演讲人表示，普通STT-MRAM为50F2。通过缩小单元面积实现高密度化，将MTJ元件的间隔缩减到了90nm。Vdd为1.1～1.7V，写入脉冲宽度为30ns左右。在演讲的*后，两公司还公开了1cm见方的4Gbit STT-MRAM芯片的照片。据介绍，利用该芯片读写时出现的错误bit，订正错误后仅为数bit。另外，还公开了利用FPGA读取保存于该芯片的24bit BPM格式图像的结果，表明在动作方面不存在问题。另外，如果实施ECC，图像会更加清晰。关于具体详情，将在2017年2月举办的ISSCC 2017上发布。关于实用化时间，发布人回答称“希望用2、3年的时间推出实用产品”。（记者：根津祯）

存储器市场再投震撼弹！传希捷与SK海力士结盟

存储器市场再投震撼弹!继硬盘龙头大厂西数(Western Digital，WD)与快闪存储器厂商SanDisk合并后，市占**的希捷也传出与存储器大厂SK海力士合作，共同开设合资公司，目的都瞄准SSD市场，抢占这块快速成长的大饼。硬盘大厂争相与Flash厂商结盟，全球存储器产业链供货、版图又将迎来什么样的变化?根据爆料消息，传统硬盘HDD**大厂商希捷(Seagate)与韩国存储器大厂SK海力士筹措新的合资公司，消息或将于近日公布。爆料人士指称，希捷将拥其中49%股份，而SK海力士股权则占51%，而双方*主要的目标就在于挥军固态硬盘SSD市场，初期将锁定企业级SSD，并逐步拓展至PC与笔电用消费型SSD市场。SSD比传统硬盘HDD速度更快且更为省电，被认为性价比已超越HDD，渗透率正逐步提高，传统硬盘厂商同样积极寻求契机，转型发展SSD。硬盘龙头厂商西数与现在的希捷，无不为此与握有SSD重要原料NAND Flash厂商SanDisk、SK海力士合作。以希捷而言，在今年**季HDD出货量大减20%跌破4000万台来到近年新低，并在今年**布重整、裁员1600人，希捷正面临衰退的转型之际，

SK 海力士计划明年**季量产 10 纳米 DRAM

继三星之后，SK 海力士计划明年开始量产10 纳米DRAM，在1x DRAM 开发完成后，SK 海力士将继续研发1y DRAM，并为发展 1z DRAM 铺路。 来自产业界的消息指出，SK 海力士1x DRAM 开发代号设为Alius，已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样，正要在进行可靠度认证。半导体认证通常需将过工程试样（Engineering sample）与客户端式样（Customer sample）两道程序，在通过客户测试后，产品开发才算完成。据报导，SK 海力士为将量产时程往前推，打算直接做客户测试，暗示 1x DRAM 已经开发成功。一般认为，SK 海力士技术落后三星约 1 年半时间，但从SK 海力士计划在明年**季量产10 纳米DRAM 推算，两者差距已经拉近至1 年3 个月左右。

发展存储芯片产业 中国是认真的

SK海力士本月底将量产48层3D NAND Flash

据韩国经济报导，传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证，*快将从11月底正式启动量产；以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片，3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。 业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外，其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技术瓶颈，SK海力士将是**家进入量产的业者。由于3D NAND Flash性能上的优点，业界普遍认为不久的未来将成为3D NAND Flash时代。市调机构IHS预估，存储器业者的3D NAND Flash生产比重将由2015年6.7%逐年提高，2016年为23.6%，2017年为57.8%。SK海力士表示，研发团队正顺利进行下一代72层3D NAND产品研发，预估可在2017年下半投产。为此，公司决定将2015年8月完工的利川M14工厂二楼作为3D NAND专用厂房，目前正进行无尘室施工，2017年产线稼动后，3D NAND的产量可望大幅提

DRAM价续扬 南亚科乐

集邦科技昨（17）日公布第3季全球DRAM业总营收季增15.8%，本季合约价涨幅大，业者营运持续看俏。法人指出，本季利基型DRAM价格跟着上扬，涨势明显，以利基型DRAM为主的南亚科（2408）、华邦等，营运同步吃补。 集邦旗下DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第3季适逢苹果iPhone 7与三星Note 7二大旗舰机备货潮，虽然Note 7后来因爆炸事件决定停产，但第3季手机品牌强劲备货仍大举消化记忆体产能，并推升报价，标准型DRAM因出货比预期更佳，加上笔电搭载高容量大幅提升至8GB，预料使第4季标准型DRAM合约价季涨幅逾30%。集邦指出，上季三大DRAM厂营收表现，三星依然稳坐龙头，营收季成长约22.4%，增幅远超过市占**的SK海力士，三星的市占率更来到50.2%，SK海力士为24.8%，合计二家韩厂囊括DRAM 75%市占，美光集团仍位居第三。

TrendForce：第三季行动式内存产值季增16.8%

集微网消息，Nov. 24, 2016 ---- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）*新调查显示，受惠于全球智能手机进入传统备货旺季，加上各DRAM产品价格同步上扬，第三季行动式内存总产值达45.88亿美元，季成长约16.8%。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第三季有苹果iPhone 7与三星Note 7旗舰机型发布，让全球行动式内存出货大增，纵使Note 7受爆炸影响于第四季宣布停产，先前的备料动作已为第三季行动式内存的营收做出贡献。以三大DRAM厂行动式内存营收市占来看，三星半导体营收持续扩大到约64.5%，SK海力士约为22.8%，美光半导体为10.6%，三大主要DRAM厂的营收占比达97.9%，而排名第四的南亚科仅有1.3%。吴雅婷指出，第三季行动式内存占DRAM总营收比例上升至43.5%，在Note 7停产后各品牌厂纷纷抢占三星失去的市场，且行动式内存价格上涨趋势不变的情况下，预计今年第四季行动式内存在DRAM总营收占比仍将持续扩大。三星仍为技术***，获利能力为三大DRAM厂*高就三大DRAM厂竞争能力分析，

第三季全球DRAM总营收成长15.8%

在供应逐渐吃紧下，2016年第三季开始标准型记忆体价格呈上涨走势，同时带动其他类别记忆体的价格上扬。 TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，受惠于全球智慧型手机出货成长，及记忆体搭载量不断攀升，2016年**季开始DRAM原厂逐步降低标准型记忆体的产出，转为行动式记忆体与伺服器用记忆体；在供应逐渐吃紧下，2016年第三季开始标准型记忆体价格呈上涨走势，同时带动其他类别记忆体的价格上扬，第三季全球DRAM总体营收较上季大幅成长约15.8%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第三季适逢苹果(Apple) iPhone 7与三星(Samsung) Note7二大旗舰机备货潮，虽然Note 7后来于第四季停产，但第三季的备货仍有助记忆体消化量与价格的上扬，标准型记忆体也因出货比预期更佳，加上笔电搭载高容量8GB记忆体比重亦持续增加，更让第四季标准型记忆体合约价季涨幅逾30%。三星(Samsung)依然稳坐DRAM产业龙头，营收季成长约22.4%，成长幅度远超过市占**的SK海力士(Hynix)，两大韩厂的市占各为50.2%以及24.8%，合计二家韩厂已

中芯国际上海新12吋生产线开工 加速研发14nm工艺制程

1.中芯国际上海新12吋生产线开工 加速研发14nm工艺制程；2.展讯与IFAA 强强联手 合力布局国内虹膜支付认证;3.IPTV/OTT 迎来爆发年，瑞芯微RK3228系列助力大视频时代;4.湖南集成电路产业规模2020年将超400亿元;5.华为、vivo与OPPO拉高备货，昂宝满手接单;6.美光顺利迎娶华亚科　下一关DRAM结盟紫光 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.中芯国际上海新12吋生产线开工 加速研发14nm工艺制程；集微网消息／文 茅茅10月13日，中芯国际集成电路制造有限公司新12吋集成电路生产线厂房奠基仪式在其上海厂区隆重举行。中芯国际董事长周子学博士表示，新的12吋生产线项目预计总投资超过100亿美元，将通过合资方式建设未来每个月可容纳7万片的产能规模。这也是中芯国际的**条14nm生产线。中芯国际**执行官兼执行董事邱慈云博士 中芯国际**执行官兼执行董事邱慈云博士在仪式上致辞表示，上海新12吋集成电路生产线的开工，将标志中芯国际的发展翻开新的一页。

第四季DRAM合约价**上涨 南亚科行情升温

因市场供给吃紧，预期第四季DRAM合约价将出现**性上涨。南亚科即将于本周三(26日)召开法说会，股价先行走涨，反应第四季旺季预期。随着市场供需改善，第三季标准型DRAM率先止跌回稳。预期第四季除了标准型DRAM续涨20%超乎预期外，利基型存储器及Mobile DRAM报价也将较上季上涨5%，DRAM合约报价将出现**性上涨。市场供给吃紧，主要DRAM制造厂商包含三星、SK Hynix(SK 海力士)、美光，2017年三星将部分产能转进18纳米制程外，SK 海力士及美光将停留在20纳米制程，位元成长将放缓。需求端方面，由于PC ODM厂在第三季、第四季推出的新机种拉高DRAM容量，搭载8GB容量比重拉升，加上第四季PC、Server、智能手机整体需求不弱，因此推升DRAM需求。第四季利基型存储器报价看涨，亦将有利于相关厂商营运表现。美光合并华亚科已定案，大股东南亚科可望有售股利益入帐，加上将取得美光20纳米以下制程技术授权，有利于长期发展。南亚科下半年本业营运改善又有业外出售华亚科全数持股的大笔利益可期，法说行情持续暖身。DRAM市场预期2017年在供给成长趋缓、需求稳定成长下，供需结

存储器市场涨水，SK海力士价格一路飙升35%，三星将增产？

据海外媒体报道，存储器价格超夯，今年至今韩厂SK 海力士 （SK Hynix ）已经飙升35%，部分外资相当乐观，预言还有20%上行空间。巴伦（Barronˋs）14日报导，DRAM价格上涨，带动SK海力士一路攀高。DRAMeXchange预估，第三季DRAM价格将季增9%，第四季价格可能会再飙将近30%。有鉴于此，摩根士丹利（大摩）的Shawn Kim估计，SK海力士股价可望续涨20%。大摩报告称，时序迈向Q4，DRAM和NAND价格表现都优于预期，也胜过SK海力士的预估。DRAM投资应会维持紧缩，明年供给成长将低于20%。如今DRAM 库存来到低档，Q4供给成长将减缓，减缓客户预购的负面冲击。Q4 NAND供给也很吃紧；3D NAND产能开出，估计要到2017年下半才会出现影响。SK海力士14日走升1.47%收在41，550韩圜，年K线大涨35.12%。但是不是所有外资都同意此一看法，先前Bernstein Research警告，DRAM荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。巴伦（Barronˋs）9月23日报导，六月以来PC DRAM现货价大涨3

中芯国际上海建新12寸晶圆新厂

中国半导体业在政策的积极扶植下，大肆扩张晶圆厂产能，正兴建中及提出兴建计划就有八座十二寸晶圆工厂。中国*大晶圆代工中芯国际上海新十二寸厂本月动工，拟2018年初投产14纳米制程晶圆、月产能七万片，欲强压全球晶圆代工一哥台积电南京厂同年投产的十六纳米制程晶圆、月产能二万片。中芯上海新十二寸厂本月动工，月产能七万片，欲强压全球晶圆代工一哥台积电南京厂的二万片。2018年初投产中国“十三五(第十三个五年)”规划，把半导体列为实践“中国制造2025”的制造业强国战略发展产业，2020年芯片自给率将达到40%、2050年达到50%;配合中国国家集成电路产业投资基金，以六千亿人民币资金撒钱并购海内外企业，希望在全球IC(集成电路)市场占有一席之地。研究机构IC Insights指出，五年内全球晶圆产能都仍将延续以十二寸晶圆为主的趋势，预估2020年约占68%，将有22座新十二寸晶圆厂开始营运。中国则成为全球十二寸晶圆厂扩增产能的主要地点，国际半导体协会(SEMI)近期全球晶圆厂估算报告，今、明两年全球确定新建的六寸至十二寸晶圆厂有19座，其中10座将在中国。国际芯片大厂中，除了英特尔、三星、SK海

3D NAND市场持续看俏　三星、SK海力士扩大投资

半导体业界普遍认为，3D NAND Flash市场开始迎接景气回春，荣景可望持续到2017年，3D NAND Flash也将成为整个存储器市场的领头羊。三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)两大韩厂已开始在相关领域进行大规模投资，以便抢得市场先机。 据朝鲜日报报导，尽管个人电脑(PC)市场需求持续衰退，对DRAM的需求也逐渐萎缩，但半导体业者对3D NAND Flash的市场景气却普遍表示乐观。受惠于固态硬碟(SSD)、伺服器、智能型手机市场扩大，3D NAND Flash的需求不但快速成长，也为业者带来丰厚利润。三星电子在2013年首先推出3D NAND Flash技术，以垂直堆叠方式取代原本的平面电路，开发出比平面NAND Flash写入速度增加1倍，电力耗损降低40%，且产品寿命增加10倍的产品。市调业者DRAM eXchange预估，2016年第4季嵌入式多芯片封装(eMCP)的平均售价可望比第3季上升10~15%；嵌入式多媒体卡(eMMC)的平均售价将延续先前趋势持续上升。南韩业界表示，3D NAND Flash的需求呈现激增走势，

朝鲜半岛史上*大强震，当地面板、半导体厂状况整理

虹吸效应已形成 中国大陆12英寸晶圆产线大幅增加

晶圆是集成电路器件的载体，其按照直径一般分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近年来12英寸逐渐开始成为国际大厂的主要技术产品。因为晶圆尺寸越大，同一圆片上可生产切割的芯片就越多，这可以极大的降低产品成本，但同时对材料技术和生产技术的要求也更高。近年来，中国大陆积极发展集成电路产业，而作为集成电路基础材料领域的晶圆制造也得到了国家的极大支持，且引进和自建了不少12英寸晶圆生产线。8条产线已开始量产从各家厂商公布的具体信息来看，目前中国大陆已经有包括三星、英特尔、SK海力士三家国际大厂和中芯国际、华力微电子、武汉新芯(已属于长江存储子公司)三家国内厂商的8条12英寸晶圆生产线开始量产。图片资料由 全球半导体观察 整理作为全球**的IDM厂商，三星、英特尔和SK海力士分别在西安、大连和无锡建设12英寸晶圆生产产线，主要用于生产包括3D NAND和DRAM在内的存储器产品，其工艺技术水平也*为先进。国内的中芯国际和华力微电子则主要以代工为主，产品主要集中在处理器、逻辑芯片、CMOS图像传感器等领域。其中中芯国际在北京和上海两地共有三条12英寸生产线，其业绩规模也已经跻身全球晶圆代工领域前

DRAM超夯！外资：小心三星扩产、重演2015年惨况

存储器供货吃紧，价格喷发，先前韩媒预估，厂商製程转换将使产能减少，明年下半可能还有一波新行情。对此外资警告，DRAM荣景能否持续，取决于记忆体龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。 巴伦(Barronˋs)23日报导，六月以来PC DRAM现货价大涨30%，光是过去两週就飙升9%；NAND Flash也供不应求，价格挺升，记忆体大厂SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)股价都因此一飞衝天。记忆体市场还能热多久？Bernstein Research的Mark Newman说，一切要看三星。Bernstein报告称，要是DRAM获利提高到诱人地步，三星可能会增产，一如该公司在2014、2015年所做。他们估计，三星DRAM毛利将拉高至58~59%的高点，类似2014/15年，届时三星应会在17号产线或新落成的平泽厂等閒置厂房增加产能，如此一来，市场将从供不应求，转为平衡，甚至在2017年中或年末时，演变为供给过剩。报告指出，未来几个月，DRAM类股仍会有好表现。不过供给紧俏、三星有巨大成本优势，又有閒置厂房可提升产能，预期三星可能会增加3D NAND和DRAM产出。与

3D IC跃进 助攻台积日月光

集微网综合报道，摩尔定律不断演进，让晶圆製程微缩，芯片堆叠技术也不断革新，从原先的2.5D堆叠，演变到目前3D IC。市调机构Researchmoz指出，近几年内3D IC市场大幅成长，台湾主要以日月光（2311）、硅品（2325）及台积电（2330）作为领导厂商，业界指出明年有望开始贡献营收。 三维立体堆叠积体电路（3D IC）是指单一芯片，并使用其芯片上的信号层相通，将多个晶片组合，不论晶片垂直或水平皆可。但与常见的3D封装又有所差异，该技术是将多层晶片堆叠，但并非以单一线路沟通，因此3D封装又可被称为SiP（系统级封装）及MCM（多芯片模组）。芯片到封装少量产出Researchmoz预测，未来物联网市场将会引导3D IC市场发展，物联网市场目前已开始有厂商跳入研发，甚至生产芯片到封装行业都正在少量产出，这股物联网趋势，将引导新物联网商机在不同的领域有所发展，如消费性电子、保健医疗及製造业等。好比製造工厂中，在机器设备嵌入3D MEMS（微机电芯片）及感测器，可帮助厂房在工业4.0设备中，即时获取生产数据，使产品製造流程能更加顺畅，增加产品良率，同时减少产品**率以降低成本。3D存

存储器市场还能热多久？外资：一切取决于三星

存储器供货吃紧，价格喷发，先前韩媒预估，厂商制程转换将使产能减少，明年下半可能还有一波新行情。对此外资警告，DRAM荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。巴伦(Barronˋs)23日报道，六月以来PC DRAM现货价大涨30%，光是过去两周就飙升9%;NAND Flash也供不应求，价格挺升，存储器大厂SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)股价都因此一飞冲天。存储器市场还能热多久?Bernstein Research的Mark Newman说，一切要看三星。Bernstein报告称，要是DRAM获利提高到诱人地步，三星可能会增产，一如该公司在2014、2015年所做。他们估计，三星DRAM毛利将拉高至58~59%的高点，类似2014/15年，届时三星应会在17号产线或新落成的平泽厂等闲置厂房增加产能，如此一来，市场将从供不应求，转为平衡，甚至在2017年中或年末时，演变为供给过剩。报告指出，未来几个月，DRAM类股仍会有好表现。不过供给紧俏、三星有巨大成本优势，又有闲置厂房可提升产能，预期三星可能会增加3D NAND和DRAM产出。与此

高通在上海成立半导体测试工厂;

DRAM看涨 华邦电利多

行动记忆体行情本来就看俏，三大供应商之一SK海力士传供货出现变数，三星、美光支援苹果之余，恐造成其他产能供应不及，不过，分析师指出，华邦电目前在行动记忆体上，主力产品等级和三星等大厂不同，虽不会分食到苹果订单，但可吃到一些二线厂商的订单，同时整体DRAM价格提高，大厂获利有机会改善。 记忆体大厂近期纷纷转进行动记忆体，不过据TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange统计，第2季全球行动记忆体营收市占中，三大DRAM厂三星、SK海力士和美光占比已来到98%，仅龙头三星就高达61.5%，排名第四的南亚科仅1.1%，排名第五的华邦电微幅下跌至0.8%。新闻辞典》行动记忆体行动记忆体（Mobile DRAM）是动态随机存取记忆体（DRAM，Dynamic Random Access Memory）的一大类别，主要应用在智慧手机与平板电脑，其他如穿戴装置、汽车电子应用、游戏设备等，也都内建有行动记忆体，相较于电脑用DRAM，行动记忆体有低耗电、轻薄等特性。和DRAM相同，行动记忆体主要作为常用程式或资料的暂存区，用来加快运作速度，当行动装置关闭，相关记忆内容也将遗失，以便下

DRAM报价连两个月回升，SK海力士有望登一年高

DRAM记忆体报价在第三季止跌回升，南韩三星、SK海力士等记忆体大厂营收有望受惠。 TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange*新报价显示，DDR3 4Gb颗粒现货均价八月涨2.99%，再前一个月更是弹升7.2%。DRAMeXchange指出，DRAM报价连两个月上涨，为近两年半来首见，让分析师进一步看好记忆体后市展望。DDR4 4GB均价八月同步上涨3.7%。据券商KTB Investment & Securities预测，DRAM报价第四季至少将再涨十趴。另外KTB还看好SK海力士第三季营业利润将较前季成长23.9%。（Koreherald.com）嘉实XQ全球赢家报价显示，截至下午1时35分(GMT+8)止，SK海力士于韩股盘中跳高1.85%、暂报38600韩圜。若以此收盘，将创2015年7月以来新高。

三星带头涨价 DRAM价格冲高

DRAM与NAND Flash大涨价，在三星、SK海力士两大韩国重量级业者主导下，第4季DRAM将再涨价逾一成，累计下半年大涨逾25%，涨幅*凶猛，NAND同步跟进，华邦、南亚科、群联等营运喊冲。存储器通路商表示，三星新款智能机Note 7惊传电池爆炸意外，集团营运压力大，肩负三星集团获利逾八成重担的半导体部门，决定拉升DRAM和NAND售价，希望借此抵销庞大手机回收造成获利下滑的压力;眼见三星大涨价，SK海力士也趁势调涨价格。三星和SK海力士先前已陆续于8月调涨DRAM报价，通路商透露，近期二大韩系厂再通知客户，9月和第4季涨势持续，显示二大存储器芯片厂已不乐见DRAM价格长期低迷，趁下半年手机厂、笔电厂和伺服器厂都为新产品布局，买气加温时，同步拉升DRAM和NAND售价，以DRAM涨势*为明显，继第3季合约价涨价15%之后，第4季会再调涨10%。存储器通路商分析，两大韩系业者持续涨价，除了三星希望能稳住获利，弥补Note 7大量回收的损失之外，各***手机为因应高解析影响处理和储存需求，新机搭载DRAM和NAND容量都大幅提升，也是“涨价有理”的关键。例如苹果iPhone 7新机的

制程微缩产能损失大 明年下半年DRAM将爆新行情？

明年下半年DRAM供给可能会供不应求，韩媒指出，存储器厂商转进20纳米制程的产能损失，或许会让DRAM陷入供给短缺，炒热行情。BusinessKorea 12日报道，半导体和投资银行的业界消息指出，2017年DRAM需求预料将年增19.3%，不过2017年DRAM每月产量将减少2万组，从当前的105万组、2017年降至103万组，主要是制程转换造成产能减少。不仅如此，产程转换的供给成长率以往大约是30%，2017年成长率可能减至10%，加剧供给不足问题。据了解，明年上半年是淡季，DRAM可能会略为供给过剩。不过随着美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)转进20纳米，产出减少；下半年传统旺季到来时，业者又未增加投资，DRAM将由供给过多变为供给不足。业界观察家预期，明年整体DRAM产品价格将下滑9.8%，DRAM成本减幅更大、约为18%，意味厂商仍有利润。有报道，DRAM存储器报价在今年第三季止跌回升，韩国三星、SK海力士等存储器大厂营收有望受惠。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange*新报价显示，DDR3 4Gb颗粒现货均价八月涨2.99%，

美光3D NAND将杀到！打破三星独霸、大战一触即发

记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子**量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点。 TechRadar、ComputerWorld报导，美光9日宣布开发出该公司**款3D NAND晶片，采48层堆叠，容量为32GB。这款3D NAND将用于中高阶智慧机，支援全新的储存标准UFS2.1。美光宣称，新品效能比前代提升40%，尺寸更是业界*小，美光的3D NAND晶粒(die)比相同效能的平面NAND晶粒，体积缩小30%。新品已送样给行动装置厂，预定今年底广泛出货。美光行动业务部门发言人Dan Bingham说，该公司**代3D NAND将为64层，研发时程尚未公布。为了支援虚拟实境和串流影片需求，行动装置的记忆体容量不断增加，美光预估，2020年智慧机的内建记忆体或许会有1TB，和电脑差不多。巴伦(Barronˋs)9日刊出Pacific Crest报告，内容预测3D NAND时代将要到来。报告称，英特尔、美光、SK海力士(SK Hynix)、东芝、W

紫光与武汉新芯携手 长江存储科技正式成立

据武汉新芯集成电路制造有限公司*新发布的消息，长江存储科技有限责任公司(以下简称长江存储)于7月26日正式成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称武汉新芯)的基础上建立长江存储。紫光集团董事长赵伟国任长江存储董事长，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总经理丁文武任副董事长，武汉新芯集成电路制造有限公司CEO杨士宁任总经理。武汉新芯将是长江存储的全资子公司。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。紫光+新芯，有利于整合产业资源目前，我国许多地方和企业发展存储器产业的热情很高。半导体专家莫大康曾归纳指出，目前存储器有三个方面的力量正在聚集，一个是政府主导的武汉新芯，它们与中科院微电子所等合作，据说己经有9层3DNAND样品。另一个是紫光，它的策略是先通过兼并，站在一定高度之后再

半导体产业景气度如何？ 10家半导体企业Q2财报汇总

*近，诸多半导体企业公布了**季度财报。数据显示，部分公司实现营收增长，也有些公司出现业绩下滑的迹象。有数据分析，全球半导体销售步调落后去年。下面，一起来看看其中十家半导体企业的**季度财务营收状况。全球半导体销售较前季增长1%*新消息，来自美国半导体产业协会（SIA）的数据。2016年**季全球半导体销售达791亿美元，较前季增长1%但较上年同期下滑5.8%；2016年6月全球销售达264亿美元，较前月的261亿增长1.1%，但较2015年6月下滑5.8% ；全球半导体销售步调仍落后于去年，很大程度是因为全球经济不确定性及需求迟滞。1、联发科营业利益季增60.55%联发科8月1日公布2016年第2季财报，在大陆和新兴市场需求助益下，第2季营收以新台币725.28亿元创下历史新高。联发科财报显示，2016年第2季营收达新台币725.2亿元、季增30%，营业利益70.69亿元季增60.55%，营业利益率9.74%，季增1.86个百分点，税前净利77.51亿元，季增47%，每股税前盈余为4.93元；2016年1~6月累计营收1，284亿元，年增35.79%，营业利益114.7亿元，年减21

大陆芯片行业雄心勃勃 摆脱海外“依赖症”

英国《经济学人》杂志撰文称，为了摆脱对海外企业的依赖，中国政府斥巨资扶持本土半导体行业的发展，并且从之前的光伏面板和LED照明行业中吸取了充分的教训。不过，由于时机问题和技术壁垒，这一计划仍将面临许多挑战。以下为文章主要内容：雄心勃勃自从1970年代以来，中国政府一直在断断续续地促进本土半导体行业的发展。但他们的雄心从未像现在这么高，投入的预算也从未像现在这么多。据摩根士丹利估计，在早期的发展计划中，中国政府1990年代后半期投入的资金不足10亿美元。但这一次，根据2014年制定的一项宏伟计划，政府将向公共和私营基金投入1000亿至1500亿美元。此举的目标是到2030年从技术上赶超****企业，包括各类芯片的设计、装配和封装公司，从而摆脱对国外供应商的依赖。2015年，中国政府还制定了新的目标：10年内将芯片内需市场自制率提升到70%。这显然是一个任重道远的目标。去年，中国的内资和外资厂商共计使用1450亿美元的各类芯片。但中国本土芯片行业的产出仅为这一需求的十分之一。某些高价值芯片领域，中国几乎完全依赖进口——包括号称计算机大脑的处理器，以及汽车内嵌入的坚固耐用的芯片。政府意识到，

英特尔并购美光并非完全无可能

美光在7月份宣布裁减美国科罗拉多厂的70名员工，预计将裁减2400名员工，占其员工总数的7.5%，其今年上半年亏损3200万美元，去年同期则为盈利，业界相当担忧它的发展前景。美光处境不妙目前全球DRAM市场主要由三星、SK海力士和美光所垄断，三家企业占有超过九成的市场份额，不过份额正在往三星和SK海力士两家韩国企业集中，而美光的市场份额出现下降势头。据IHS的数据指，自2014年第三季度起，韩国的两个DRAM企业三星和SK海力士合计占有的市场份额呈现上升势头，至去年四季度连续六个季度上升，合计市场份额达到历史的高点74.5%。据TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange的报告，今年一季度三星稳坐DRAM份额**的位置，份额高达46.4%，与去年四季度一样;SK海力士的市场份额为27.1%，相比去年四季度下滑了0.8个百分点，两家韩国企业的市场份额合计占73.5%。美光的市场份额为18.5%，相比去年四季度的18.9%下滑0.4个百分点。在DRAM制造工艺方面，三星***，已开始量产18nm的DRAM芯片;SK海力士和美光在去年下半年引入20nm工艺，预计SK海力士在今年

2017年全球内存市场将止跌回升

全球内存市场经过18个月的价格下跌，进入第三季度后价格已经出现持稳上涨的局面。针对未来市场发展趋势，集邦科技股份有限公司研究协理郭祚荣指出，预计明年几家内存大厂将减缓资本支出，产能增长也会相应减缓，在供应端增长趋缓的情况下，供需之间将趋于平衡。因此，相对看好明年的内存市场价格变化。同时，这对中国内存厂来说，也是一个较好的切入时点。下修2016年全球内存供给增长率郭祚荣从供给与需要两个方面，对全球内存市场进行了分析。首先，从供给端来看，集邦预测2016年全球内存产业供给端将增长23.1%。这个预测是从今年年初的25.3%下修到23.1%，主要是因为**季度三星与SK海力士放慢了新工艺的调整，减少下半年新产能的扩张。在细分市场方面，集邦看好移动式内存与服务器内存两块市场。以前的内存市场以PC为主体，现在这个市场的比重正在下降，预计2016年将再度下降8%。同时，移动式内存受到智能手机出货量增长、手机内存量不断扩大的影响，占比将进一步增长，有望占到整个内存市场的42%。服务器内存占比也将加快增长，2016年在整个内存市场的占比将达到24%。由于近年来全球智能手机对内存需求都很高，内存厂纷纷将

SK海力士简化职务体系 导入成果主义强化竞争力

继韩国乐金集团(LG Group)子公司LG Innotek在2016年6月宣布废止生产职的年资阶级制，改采重视成果导向的人事薪资制度后，SK海力���(SK Hynix)也宣布类似的生产职务体系调整，以提升员工的技术能量，强化公司的技术竞争力。据韩媒ET News、 Money Today等媒体报导，SK海力士发布新的人事改革公告，表示为了公司长远发展，生产职体系必须进行**改革，除了简化职务阶级之外，也将改采注重能力、成果的叙薪制度，搭配培育**半导体人才的教育训练课程，希望全体员工一起配合。新制度上路后，生产职员将依照职务内容、熟练度、工作成果叙薪，减少对年资、阶级的重视程度。年资因素在薪资计算的比重降至30%，但包含职务困难度、危险性的职务因素占比提高至60%，剩余的10%为反映成果的绩效奖金。亦即表现良好的员工，不论年资与年龄，都有机会获得丰厚的薪资待遇，不但可激发员工努力工作的动机，在薪资报偿的分配上也更为公平。在阶级制度上，新制将原本细分为8个层级的职位阶级简化为5个层级，并且配合延后退休年限，调整不同职位的在位期间。同一职位的在职时间由平均3~4年延长至6~8年，确保让员工

苹果财报表现如何 先看看SK海力士营利吧

苹果的记忆芯片供应商SK海力士公布第2季获利下滑，反映智能手机和个人电脑需求疲弱，记忆芯片价格下跌。SK Hynix发布新闻稿说，第2季营业净利下滑67%至4529亿韩元(3.98亿美元)，和彭博调查分析师意见预估均值4,543亿韩元相去不远。基准DDR3 4GB动态随机存取记忆体(DRAM)第2季价格为1.58美元，较去年同期跌47%。美光本月公布亏损甚于预期并计划裁员。苹果是SK海力士*大客户，占SK海力士9%营收。苹果将于台北时间明天清晨发布财报。

SK海力士Q2获利大减 看好下半年复苏

SK海力士**季获利暴跌，但看好在移动设备用DRAM芯片需求转强带动下，下半年营运可望回温。因**季获利大减，周二韩国股市早盘海力士股价下挫3.38%。SK海力士表示，数家主要客户将推出新款智能手机，将提振因消费电子产品需求疲弱而受创的DARM芯片市场。该公司在声明中表示，主要客户需求将大幅成长，第三季业绩可望复苏。海力士**季营收年减15%，为3.9万亿韩元，高于分析师预测均值3.8万亿韩元。营业利益年减67.1%，为4528亿韩元(约3.97亿美元)，创下2013年首季以来新低，但符合分析师预期。净利年减74.2%，为2861亿韩元，不如分析师预估的3320亿韩元。海力士表示，**季DRAM芯片出货季增18%，平均出货价格较前季下跌11%。**季NAND芯片出货季增52%，惟平均出货价格下跌11%。苹果与三星电子等公司都将推出新款**手机，本季可望对芯片厂带来正面效益。集邦科技本月初表示，DRAM合约价已于6月持稳，第三季可望上涨4~8%。海力士预估，与**季相比，第三季DRAM出货量可望实现高个位数百分比增长，NAND出货成长估将略高于10%。

SK海力士营益荡2013年低，受PC/智能机需求疲软冲击

韩国芯片厂商SK海力士(SK Hynix Inc.)26日公布2016年第2季(截至6月30日为止)财报：营收年减15%(季增8%)至3.941兆韩圜；受产品均价持续下滑的影响，营益年减67%(季减19%)至4,530亿韩圜；营益率报11%，远低于一年前的30%以及第1季的15%；受汇兑损失的影响、纯益年减74%(季减36%)至2,860亿韩圜。SK Hynix指出，第2季产品均价季减11%、出货量季增18%。就NAND Flash而言，位元出货量因行动、SSD市场需求增加以及基期因素的激励而季增52%，均价季减11%。因应市场需求，SK Hynix下半年将增产2Znm DRAM、预估到今年底左右产量占比将升至40%。路透社报导，SK海力士第2季营益虽创2013年第1季以来新低、但符合Thomson Reuters StarMine SmartEstimate调查的市场平均预估值。韩联社报导，SK海力士第2季纯益大幅下滑主要是受到智慧型手机、电脑需求下挫的影响。IDC 7月11日公布，2016年第2季全球个人电脑(PC)出货量年减4.5%至6,236.3万台。知名人力资源机构Chall