全球**！SK海力士追上三星、量产20纳米DRAM

SK海力士终于赶上三星电子，成为全球**家成功量产20奈米DRAM的厂商。该公司也力拼3D NAND Flash研发，期盼能在明年量产48层3D NAND。 BusinessKorea 15日报导，SK海力士人员受访表示，该公司引入20奈米DRAM制程，过程虽有困难，但已经稳定，开始寄送样品给客户、进入量产。据此而言，SK海力士是世界**家量产20奈米DRAM的业者。三星首开先例，去年3月就量产20奈米DRAM。SK海力士也宣布3D NAND研发计画，社长朴星昱(Park Sung-wook)表示，计画今年逐步发展36层3D NAND，明年**量产48层3D NAND，和三星较劲的意味浓厚。三星电子8月10日宣布，第三代V-NAND已正式量产，以48层3-bit MLC堆叠。据传该公司有意拓展系统半导体业务，Park说，这无法短时间内能办到，需要进一步提升能力，若不如此连并购都难以进行，将先发展内部实力，包括晶圆代工等，再来考虑下一步。韩媒etnews 4月7日报导，据了解SK海力士的清州(Cheongju)M8厂提供系统半导体的晶圆代工服务，SK海力士正在调整该厂产线，增加晶圆生产种

韩厂加快DDR4测试设备国产化

DDR4测试设备市场，目前实质上是处于日本爱德万(Advantest)独大态势，而南韩厂商正着手加速国产化的速度，继UniTest的DDR4测试设备商用化之后，Exicon也将在年底推出自家产品。据ET News报导，目前全球DDR4测试设备的*大供应商为爱德万，南韩国产设备一直以来只能充当外国进口设备的辅助角色，而2016年将有机会借着DDR4打开市场。DDR4测试设备属于所有测试设备中*昂贵的类别，每台价格高达40亿(约345.4万美元)~50亿韩元。而爱德万测试身为全球后段制程设备的龙头业者，初期就独占了DDR4测试设备市场。三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)也全都采用该公司的产品。不过*近继SK海力士采用了韩国产DDR4测试设备之后，三星也在考虑采购国产设备。由于DDR3预期会在2016年快速转换为DDR4，随着该领域的测试设备需求升高，南韩业者希望以价格低廉、性能良好的国产设备，来替代进口产品的期待也更加迫切。**家将DDR4测试设备国产化的南韩企业是UniTest。2014年以DDR4高速测试系统创下70亿韩元营收，2015年

DRAM获利差距大　三星笑、美光哭

存储器芯片市场三哥美光(Micron) 10月初公布2015会计年度6~8月业绩，营收为36亿美元、营业利益为4.27亿美元，营益率仅11.9%，季减4.5个百分点。尽管美光营益率较其他竞争企业明显下滑，市场预测(consensus)却小幅上扬。然这意味市场对美光的期待值已降低。据韩国Edaily报导，PC DRAM价格骤降，较晚转换20纳米制程的美光，受冲击相对较大。美光DRAM位元成长已是第3季度呈现负成长，市占率也下滑。美光2015年9~11月业绩指引(guidance)为33.5亿~36亿美元，营业利益为2.6亿~3.2亿美元，业绩恶化趋势明显。反观三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)则维持约30%营益率，持续强化获利性和市场主导权。三星第2季半导体事业营益率为30.1%。营益率从2014年第1季的20.8%一路上扬，攀升近10个百分点。三星对半导体每月约投资1兆韩元(约8.7亿美元)，2014年9月**业界首转换20纳米DRAM制程，同时达到节约成本并提升生产效益的效果。三星7日公开第3季财测，营收51兆韩元、营业利益7.3兆韩元

DRAM 10纳米竞争2016年即将开打

三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)等DRAM主要制造公司，皆将在2016年开始量产18纳米(1x) DRAM，18纳米制程也是目前已知DRAM生产制程的*高阶技术。据Digital Times报导，日前业界消息指出，如果预定进度不变的话，三星和SK海力士预计将在2016年下半开始正式量产18纳米DRAM。众所周知目前DRAM微缩制程的极限是18纳米，在达成18纳米DRAM量产之后，三星和SK海力士将使用ASML正在研发的极紫外光(EUV)设备，到2020年再进一步将制程推进至10纳米以内等级。DRAM市场的第三名美光为了对抗三星电子和SK海力士，也提出了大规模的投资计划。美光为了要量产超高速DRAM，表示将在日本广岛工厂一年内投资约8.36亿美元，计划中广岛工厂将进行比目前20纳米生产力更高出20~30%的16纳米制程DRAM的量产，使得三星和SK海力士进入紧张状态。但是业界却对于美光16纳米制程抱持着怀疑的看法，首先为了突破目前20纳米制程的界限，需要改变DRAM生产过程中介电层(dielectric film)设

研调：明年H1面板价格料续弱；太阳能业呈量升价跌

TrendForce今(15)日举办集邦拓墣2016年科技产业大预测研讨会，首度集结旗下DRAMeXchange、WitsView、LEDinside、EnergyTrend及拓墣产业研究所剖析明(2016)年光电半导体产业预测，包括预估明年半导体产业将面临转型及调整，物联网扮演整合关键角色；需求端恐未见起色，明年DRAM价格持续下跌；明年NAND Flash供需将面临挑战，需求位元成长率仅44%；LED市场产值年成长仅2%，明年产业将迈入整并潮；明年太阳能市场量升价跌，厂商策略成关键；面板产能供过于求，明年上半年前价格续弱。 今年半导体产业历经了量与质的变化，从去年的7.2%成长，迅速下滑至今年的仅2-3%微幅成长。拓墣表示，明年半导体将要面对物联网促成的产品特色与生产周期影响，厂商除了提供差异化的产品以推升竞争力外，更需藉自身的差异化转型以应对下一波的浪潮。物联网将改变产品生产周期，并使部分厂商的产品价值因使用情境的不同而受压缩，但也衍生出新的价值区块等候填补，包括新的策略地位、及生产工具等。转型与调整将是2016年半导体业的首要课题。DRAM产业进入寡占格局后，三星、SK海力士与

2014年全球半导体营收增长7.9%

信息技术研究和顾问公司Gartner1月8日发布初步统计结果，2014年全球半导体总营收为3398亿美元，与2013年的3150亿美元相比增长7.9%。前25大半导体厂商合并营收增长率为11.7%，优于该产业整体表现。前25大厂商占整体市场营收的72.1%，比2013年的69.7%更高。Gartner研究副总裁AndrewNorwood表示：“就群体来看，DRAM厂商的表现胜过半导体产业其他厂商。这股趋势始于2013年DRAM市场因供给减少及价格回稳双重因素而蓬勃发展并持续至今，2014年营收也因而增长31.7%。有别于2013年的一些重要类型的设备营收均出现下滑，例如：专用集成电路（ASIC）、离散元件与微元件等，2014年所有类型的设备均实现增长，但内存市场却尤为出色，在2014年增长了16.9%。若将内存营收排除，则该市场其余部分的增长率为5.4%，仍大幅优于2013年的0.8%。Norwood表示：“我们见到传统PC产量在2013年下滑10.1%之后，2014年重新开始增长。智能手机市场表现依然稳健，尽管市场趋势已明显从**机型转移至实用机型与基本款，但产量仍增长约34%，仅略

三星锁定存储器市场7成获利　SK海力士、东芝紧张

三星电子(Samsung Electronics)为取得存储器市场70%以上获利，加速研发新技术与扩大产量。SK海力士(SK Hynix)与东芝(Toshiba)为抵挡三星独霸而联手，但技术力差距牵制不易。同时，因智能型手机事业陷低潮的三星，能否借存储器事业翻身成为焦点。据韩媒E-Daily报导，三星为抢占2015年存储器半导体市场营业利益的70%正研拟策略。2015年合计DRAM与NAND Flash的整体存储器半导体营收规模预估为80兆~90兆韩元(约728亿~815亿美元)。更多以业界平均营益率25%计算，营业利益约在20兆韩元~23兆韩元。三星电子若想占有70%获利，等于每一季营利达3.5兆~4兆韩元就可达成。韩国证券业业预期，三星电子存储器事业部2015年每季营利在3兆韩元以上，只要业绩比市场预期稍微提高，就相当有可能达成目标。三星存储器技术目前仍处于**地位，DRAM部分以竞争业者尚未开发的20纳米制程技术为基础，成功量产8GB LPDDR4芯片，并推出伺服器用、PC用及移动装置用等所有类型产品。此外，三星也率先研发出V NAND制程TLC产品，也让初期未能量产的竞争业者更

海力士前高层加入慧荣　SSD大战鸣枪

固态硬碟(SSD)战火正热，持续成为2015年产业焦点，NAND Flash控制芯片业者为了布局上游半导体大厂，使出浑身解数绑桩，传出慧荣将延揽前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division**副总Gi Hyun Bae担任公司高层。慧荣一向和SK海力士合作紧密，双方合作内嵌式存储器eMMC业务外，有机会延伸至SSD产品线上，2015年更是关键年，慧荣内部极度重视SSD产品线，立下通吃NAND Flash大厂和存储器模组两大族群的目标，看好公司营运可顺着SSD产品线起飞而大成长。业界日前也传出，慧荣延揽前SK海力士Solution Development Division**副总Gi Hyun Bae担任公司高层，将于2015年1月1日正式上任，为公司擘划下一个5~10年新格局，业界也期待此举有着布局存储器上游厂的策略。半导体业者分析，NAND Flash芯片应用从快闪记忆卡、随身碟走到内嵌式存储器eMMC，再走到SSD应用，范围从个人电脑(PC)扩大到消费性电子、工控存储器、军规、国防、伺服器、大型资料中心等领域，应用数量和容量倍数成长，

韩半导体投资扩大　设备厂新年度期待满满

韩系半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持续扩大**DRAM和NAND Flash产线，2014年受到半导体市场荣景带动对产线投资而荷包满满的设备业者，预期2015年也将迎来亮眼的业绩。据ET News报导，三星和SK海力士2015年可望为扩充DRAM、NAND Flash、系统芯片产线而执行投资。因转换微细制程，导致生产量减少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。三星17产线将于2015年启动DRAM设备投资。原本韩国设备业者预期可在2014年内执行，然仍延迟了1年。三星17产线为两层楼结构的厂房，2015年第3季可具备每年60万~75万片晶圆的生产规模。大陆西安的三星NAND Flash产线也将扩大，西安厂为可生产10纳米级V NAND的**产线。2015年第1季每月产能约20万~30万片，2015年底将扩充生产设备，到每月产能70万片的规模。三星为采*新14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程生产系统芯片，也有计划执行设备投资。除美国外，韩国厂房也将于2015年启动投资计划。SK

韩半导体厂2015年关键字　三星系统LSI、SK海力士NAND

三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)2015年半导体事业的关键字，各为系统LSI和NAND Flash。过去数年来，三星和SK海力士在系统LSI和NAND Flash领域，都各自面临营收和改善获利性的难题，2014年已奠定往上跨越的踏板，2015年可望创造出显著的成果。据ET News报导，三星半导体事业迎来���景，将超越智能型手机事业，在2015年成为三星的主力事业。三星零组件(DS)事业部中，原本较为弱势的晶圆代工和系统芯片事业，也因三星较其他竞争对手提前启动14纳米FinFET制程生产，业绩可望获得改善。三星14纳米FinFET制程产线启动后，生产苹果(Apple)新A9芯片等产品。除苹果外，三星也与移动芯片大厂高通(Qualcomm)等合作，以新制程生产多家企业产品。同时，三星也扩大28纳米制程业务，2015年晶圆代工事业业绩可望大幅改善。大陆IC设计业者迅速成长，三星为抓住晶圆代工服务客户，积极在大陆当地展开营运活动。三星可较大陆晶圆代工业者提供高品质**制程，具有竞争优势。在韩国，三星原本只对订单量达到一定规模的IC设计业者提供晶

东芝拟砸10亿美元与南亚科结盟　**反击三星

全球存储器产业恐将再爆震撼弹，面对三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士在eMCP市场抢尽风头，东芝(Toshiba)为取得稳定的DRAM货源将大举反攻，业界传出其向南亚科提出10亿美元的策略联盟投资案，将再度开启台、日存储器结盟新里程碑，合作案是否会成局，2015年第1季底前可望确定。不过，南亚科未证实该项消息。全球存储器产业甫经历大**，全球三大DRAM厂版图底定，由于三星、SK海力士、美光(Micron)均拥有PC DRAM、Mobile RAM及NAND Flash三大产品线，东芝却仅有NAND Flash，尤其三星、SK海力士强力主导eMCP规格(由Mobile RAM、NAND Flash搭配控制芯片)，企图取代eMMC规格(NAND Flash加上控制芯片)，让东芝、新帝阵营面临极大压力。由于全球DRAM技术只剩下三星、SK海力士和美光三大阵营，而三星因为生产各式终端产品与客户竞争，很多品牌客户都担心未来DRAM或NAND Flash芯片会不易取得，纷急着想要绑住存储器货源。近期业界传出东芝为进一步掌握DRAM货源，有意与南亚科进行策略结盟，由于南

2015年DRAM产值估增16% 产业获利能力看升

TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange预估，全球2015年DRAM产值将达541亿美元，年增16%，为市场稳定、获利成长的一年。DRAMeXchange指出，受惠于全球智慧型手机持续热销，一线DRAM大厂纷纷转进行动式记忆体，预估2014年行动式记忆体将占整体DRAM产出的36%，2015年更有机会突破40%大关。DRAMeXchange研究协理郭祚荣表示，拜行动式记忆体需求畅旺所赐，标准型记忆体产出相对减少，反倒让模组价格始终维持在高价水位，2014年4GB模组均价约32美元，标准型记忆体毛利率平均达40%以上;各DRAM厂也将朝向**获利的状态，寡占市场格局与需求端市场变化都将牵动2015年DRAM产业未来发展。DRAMeXchange指出，DRAM产业转为寡占市场结构，仅存的三大DRAM厂皆以获利导向为优先，谨慎控制产出与产品类别的调整，加上全球智慧型手机持续维持高度成长，亦让产能转向行动式记忆体，挤压到标准型记忆体的产出，让标准型记忆体市场价格维持高价水位，俨然成为DRAM厂的金鸡母，因此在获利方面都交出亮眼的成绩单。而三星与SK 海力士不约而同在20

SK海力士与东芝诉讼和解　提升未来技术发展力

转自台湾digitimes的消息，东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权，取代相互耗损的**诉讼。 据ET News报导，东芝与SK海力士曾维持很长时间的合作关系。2007年缔结**授权合约，并自2011年开始共同开发下一代存储器STT-MRAM。2014年3月因存储器半导体技术外流，东芝向SK海力士提出告诉，要求1.1兆韩元规模的民事赔偿，双方关系因此破裂。 *后SK海力士以支付2.8亿美元，相当诉讼规模27%的和解金与东芝达成协议，撤销诉松。SK海力士半导体部门的**相互授权合约，与产品供应契约也获得延长。通过这次的全方位合作**，双方总算重修旧好。 SK海力士有关人士表示，与东芝进行全方位的合作，不但提升技术竞争力也获得稳定的订单，同时解除潜在经营不确定性。 SK海力士*近存储器业绩亮眼，对未来新技术的主导权也显得越来越有兴趣。目前与东芝共同开发的次世代纳米压印(Nanoimprint Lithography；N

SK海力士与东芝诉讼和解 合攻下代半导体制程技术

东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权，取代相互耗损的**诉讼。据ET News报导，东芝与SK海力士曾维持很长时间的合作关系。2007年缔结**授权合约，并自2011年开始共同开发下一代存储器STT-MRAM。2014年3月因存储器半导体技术外流，东芝向SK海力士提出告诉，要求1.1兆韩元规模的民事赔偿，双方关系因此破裂。*后SK海力士以支付2.8亿美元，相当诉讼规模27%的和解金与东芝达成协议，撤销诉松。SK海力士半导体部门的**相互授权合约，与产品供应契约也获得延长。通过这次的全方位合作**，双方总算重修旧好。SK海力士有关人士表示，与东芝进行全方位的合作，不但提升技术竞争力也获得稳定的订单，同时解除潜在经营不确定性。SK海力士*近存储器业绩亮眼，对未来新技术的主导权也显得越来越有兴趣。目前与东芝共同开发的次世代纳米压印(Nanoimprint Lithography；NIL)技术，是在国际半导体科技蓝图(ITR

三星2015年底DRAM 20纳米制程比重将过半

转自台湾digitimes的消息，三星电子(Samsung Electronics)正加速转换制程，2015年第4季整体DRAM产量中，将有5成以上采20纳米技术生产。三星预计以差别化制程技术，在伺服器和**移动装置用次世代DRAM市场上拉开与其他竞争对手的差距，维持市场独大地位。 据韩国首尔经济报导，三星计划在2015年底将DRAM产量中至少40%、*多50%以20纳米制程生产。 外电引用市调机构DRAMeXchange近期资料指出，三星20纳米DRAM生产比重在2015年第4季将提升到46%。韩国业者表示，目前20纳米伺服器用DRAM需求旺，三星全力转换制程，有余裕可达成目标。 三星2014年3月率先采20纳米制程生产PC DRAM，接着9月生产Mobile DRAM、10月生产伺服器用DRAM等，陆续扩大20纳米制程的制造产品，10月起正式投入20纳米制程加速生产(Ramp up)。 韩国科学技术院(KAIST)电子工程学科教授表示，20纳米芯片较25纳米等产品耗电量较低、减少发热情况、运算处理速度也较快。对使用高规格伺服器的企业，或准备推出次世代移动装置的制造厂而言，都是必需的

第三季DRAM产值120亿美元、成长11%

2015年新产能陆续开出，DRAM市场寡占架构面临挑战

今年以来DRAM市场一直呈现供货吃紧、价格持续走扬的市况来规划未来需求，DRAM厂纷纷决定自2014年第四季开始增加产能。全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，按照DRAM厂现有的规划，2015年制程微缩与新增产能贡献产出年增率将逼近30%，现有的DRAM产业的寡占架构将面临重大挑战，若明年总体经济状况不如预期，此举恐怕导致DRAM供过于求的情况再现，压缩DRAM厂现有的获利空间。从供给端分析，由于三大DRAM厂皆面临制程微缩至2Xnm后生产复杂度变高，让总投片量下修的问题，DRAM厂在寡占市场下的自律开始出现松动的情况。三星首先宣布位于韩国华城的新厂S3 (Line17)将要使用部分产能作为DRAM生产，目前正处于机台移入的阶段，*快将于今年年底开始投片，初步以标准型内存为**先生产，*大产能在明年下半年将达每月60K，以全球DRAM每月1,050K的基准来计算，预估将增加约5%的DRAM新增产能。面对三星来势汹汹的扩产计划，SK海力士与美光审慎对应。SK海力士在韩国利川的新厂M14将在明年落成，预计明年年中开始移入机台，根

2015年DRAM产业仍将朝向稳定获利前进

全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，虽然三星与SK海力士的新工厂仍将于2015年陆续完工，但明年度的投片计划正仍在进行调整，如三星Line17工厂原本预定**季大量投片的计划已经递延，自明年**季从每月10K开始增加，采随市场状况的渐进式增产，此举不光可以稳定获利结构，亦可随时调整产品类别与比重，预计明年年末投片暂定为40K。但此同时随着20nm制程的比重提升，该制程由于复杂度高，旧工厂在空间不足亦无法增添新设备下，投片会有减少的可能性，整体来看，三星即使有新工厂Line17的增产，但在旧工厂渐少投片，一消一长下，2015年三星的投片量应该与今年的投片量大致相同，年成长率仅仰赖技术转进。而SK海力士方面，在韩国利川的新厂M14也将于明年落成，机台移入时间点预计在明年年中左右，与三星状况一样，随着25nm甚至21nm的转进，生产复杂度变高下，旧工厂投片将会减少，即使新厂M14完工，根据SK海力士的规划，2015年总投片量将与今年相同。而在制程转进方面，明年主力制程仍是以25nm制程为主，新制程21nm*快也会在明年年中也会明朗化，2015年

11月上旬合约价跌幅逾3%，长达半年的DRAM合约价涨幅宣告终止

TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange*新报价显示，长达半年的DRAM合约价涨幅正式宣告终止，DDR3 4GB模块11月上旬合约价下跌3.1%，均价来到31.75美元，合约高价更从33.5美元下滑至32美元，跌幅高达4.5%。随着三星、SK海力士二大韩系厂商在25nm制程良率渐趋稳定，产出增加的同时亦希望PC-OEM拿下更多的货，部份DRAM厂策略从获利导向转为出货导向，PC-OEM厂趁势压低采购价，导致11月价格丕变，甚至回到今年第三季的合约价格原点31.5美元。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，随着DRAM颗粒产出大幅增加，加上第四季适逢传统手机淡季，产能暂不易转换至行动式内存下，后续价格下滑的可能性高，不排除明年**季会正式跌破30美元大关价位。韩系厂商25nm制程正式迈入高度成熟期，美光集团20nm制程挑战性极大吴雅婷表示，从30nm迈入20nm制程后，由于制程微缩逼近物理极限，各DRAM厂无不在此领域吃足苦头。三星**进入的28nm制程，由于良率无法有效提升，黯然宣告中止，部份产能转回35nm，部份产能直上25nm制程务求突破，经过超过一年的

全球半导体市场成长8% 日芯衰退3.7%

美国半导体产业协会(SIA)宣布，第3季半导体产业全球营收，与前年同期相比成长8.0%，以870亿美元创下史上单季*高纪录。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半导体贸易统计组织(WSTS)在7月预测的年度成长值6.5%。SIACEOBrianC.Toohey表示，第3季半导体营收增加速度比前年快速，未来也将持续强势。已连续7个月每月都更新销售纪录，不只DRAM，模拟半导体等几乎所有半导体产品群都持续景气。9月全球市场营收达285亿美元，比8月增加1.9%，也比前年同期成长8.0%。若依地区观察，9月南韩等亚太地区业者表现强势。与2013年同期相比，亚太成长12.0%、欧洲7.9%、美国3.7%，但日本衰退3.7%。若与2014年8月相比，美国成长2.8%、亚太成长2.5%，而欧洲与日本各减少0.1%与1.3%。亚太地区在台积电、三星电子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)的带动下表现优异。三星电子记忆半导体部门营收比前年同期成长24.5%，SK海力士也成长6%。而台积电受惠于iPhone应用处理器(AP)订单增加，营收激增29%。因三星电子与SK海力

SK海力士一季度营业利润猛增234% 无锡工厂功不可没

据韩联社4月24日消息，韩国SK海力士24日表示，公司**季度营业利润同比猛增233.6%，环比增加34.7%，达157266亿韩元(约合人民币9.4亿元)。销售额则同比增加34.6%，环比增加11.1%，达37426亿韩元。SK海力士表示，虽然全球移动终端市场进入季节性的需求淡季，但在无锡工厂恢复正常生产、DRAM销量增加等一系列利好因素的推动下，公司**季度销售额和营业利润均创佳绩。得益于无锡工厂恢复供货，SK海力士**季度DRAM出厂量环比增加20%。同期，由于消费者对DRAM的需求增加，其价格稳定地保持在现有水平。

sk海力士的nand flash制程将从20纳米转换到16纳米制程

海力士(sk hynix)为转换快闪存储器(nand flash)微细制程，积极执行资本支出，周星工程(jusung engineering)等协力厂商可望受惠。三星电子(samsung electronics)计划在2014年第2季投入nand制程转换，执行资本支出。据南韩mt news报导，eugene technology、tes、周星工程等南韩半导体设备厂进入2014年后，接下sk海力士等数百亿韩元规模的制程设备订单。未来kookje electric、psk等设备业者也将获得订单。截至目前，南韩设备厂接下的订单大多集中在半导体前段制程的蒸镀设备，其中有大部分是要供应到sk海力士的清州厂。sk海力士的nand flash制程将从20纳米转换到16纳米制程，资本支出将集中在2014年上半执行。纳米制程是将半导体电路线幅缩小到纳米水准的**制程技术。与20纳米制程相比，16纳米制程可将生产性提升30%以上。sk海力士2014年包含转换16纳米制程等，对nand flash的资本支出规模预估约1.3兆韩元(约12亿美元)。根据南韩金融监督院电子公告系统，eugene technolo

SK海力士无锡厂机台故障DRAM现货价涨逾9%

市场17日传出，全球第三大DRAM厂韩国SK海力士无锡厂机台发生问题，导致对OEM厂商DRAM供货可能大减，昨天晚间DRAM现货价*高涨幅逾7%，24小时内涨逾9%，有助南科（2408）、华亚科等业者营运。SK海力士无锡厂机台出状况的相关消息尚未获得公司证实，业界评估相关传闻可能性低，但坦言近期DRAM供给确实出现吃紧，相关消息使得原本担心拿不到货的通路进场扫货，造成昨日晚间DRAM现货报价大涨。受市场供应吃紧影响，DRAM现货价格近期呈现盘坚格局，前天晚间约涨约2%，昨天受到SK海力士相关传闻影响，现货价格出现暴涨。根据集邦科技昨天晚间*新报价，DDR3 2Gb颗粒现货均价在*后一盘大涨4.84%至7.11%，价格为2.1美元至2.275美元，而DDR3 4Gb颗粒现货均价则上涨1.48%，来到3.762美元。换句话说，现货价**内*高涨幅超过9%。市场昨日于盘中传出，SK海力士因二台曝光机台设定参数有问题，近期对OEM客户出货可能减半供应，模块商有意因此调涨报价。法人分析，本周起DRAM现货价格呈现上涨，主要是受惠于大陆五一拉货潮，加上SK海力士传闻在短时间难以查证，导致昨日价格波

东芝起诉SK Hynix寻求11亿美元的赔偿

在今年早些时候，东芝针对SK Hynix所得的闪存技术提起诉讼，寻求11亿美元的**侵权赔偿。SK Hynix昨天在向监管机构提交文件中已经透露了这一消息。3月份的时候，东芝和SanDisk起诉韩国SK海力士,说该公司利用盗窃的闪存技术获得了利润。根据之前的报道,所谓的数据泄漏导致东芝的损失超过9.8亿美元。今年3月,东京警方逮捕了一名涉嫌人，他是前SanDisk工程师，这名工程师携带着闪存**信息在2008年的时候跳槽到了SK Hynix 。2004年,东芝起诉SK Hynix 涉嫌侵权内存信息**。三年后他们��解决争端。东芝和SK海力士代表没有立即对此事发表评论。

韩系存储器厂生产不顺致使供应链紧张

近期两大韩系存储器厂生产不顺，包括三星电子(Samsung Electronics)25纳米制程转换，以及SK海力士(SK Hynix)大陆无锡厂设备运作都出现小问题，导致DRAM市场在传统淡季仍出现供给吃紧情况，供应链业者认为，终端需求虽没有很强劲，然因整个供应链库存水位偏低，近期已传出美光(Micron)将调涨5月现货官价。 近期整个DRAM供应链库存都处于低水位，韩系存储器厂三星和SK海力士更传出生产不顺问题，其中，三星传出约有2万片产能转换至25纳米制程时，良率未达预期，虽仍可照常出货，但可能无法供应PC OEM合约市场客户。至于SK海力士在大陆无锡厂的设备亦发生出包意外，业界认为在祝融后复工，机台设备恢复生产过程难免有异常，但这种意外仍将让DRAM市场骚动，主要系因供应链库存水位太低所致。存储器下游业者透露，美光已宣布调涨5月现货官价，反映近期供给不顺所导致价格波动，在合约价方面，业者认为4GB存储器模组能维持在30美元以上，便是相当健康情况，不一定要再调涨，毕竟现在正处于传统淡季，没有强劲需求作支撑。事实上，这一波DRAM报价稳健，为上游存储器厂带来丰厚利润，是过去几年来少