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6 2017年06月21日  星期三  

下一代同步整流控制技术增强电源运行参数

华强电子网

在当今的高性能的电源系统设计中,确保可靠性至关重要,因此高效的功能必须可以处理潜在的问题。同步整流电流反向就是这样一个问题。这发生在电容电流(寄生效应引起的)导致MOSFET在轻负载的情况下被过早激活时–然后反向电流从输出电容流回同步整流器。这不仅导致系统能效受到严重影响,还可能会导致运行故障。为了防止这种情况的发生,必须在系统处于轻载条件时采取措施增加延迟。自适应死区时间控制机制可以弥补寄生电感的存在,从而减轻体二极管导通的**影响。通过这种方法,可以调整同步整流器关断点,以保持一个恒定的死区时间,而不受当时输出负载的影响。从而持续保持高能效和对相应的热管理规定更少的要求(由于散热的减少)。得益于专有的自适应死区时间控制算法,安森美半导体的FAN6248双MOSFET驱动器控制器IC,能够充分解决上述挑战。同时,它可以帮助工程师*大化电源能效,并使系统尽可能紧凑、简单和具性价比。该器件优化用于现代LLC谐振转换器拓扑结构,*大限度地减少同步整流MOSFET的体二极管传导。它通过使用一个独特的控制方法,消除了电流反向的隐患,还可以避免同步整流误触发。通过两个感测输入,可以准确地确定MO

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