美光(Micron)*新在2017年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit 2017)上，发表旗下**代9200系列NVM Express(NVMe)固态硬碟(SSD)，借由美光3D NAND技术将这款SSD容量推升至超过10TB水准、*高达到11TB储存容量，虽然10TB以上容量在今日看似很高，但在未来却不一定如此，因借此高容量将有助大幅降低数据中心直接及间接成本开支，可创造显著效益。
根据科技网站EE Times报导，美光SBU(Storage Business Unit)部门SSD产品经理Dan Florence指出，这款全新SSD打破传统硬碟介面的枷锁进行重新设计，用于解决日益增长的资料需求、同时*大化数据中心效率，因而有助数据中心客户降低整体成本开支。
Florence指出，9200系列NVMe SSD传输速率可高达4.6GB/s，比现今*快速的SATA SSD还快上10倍，每秒读取输入输出量(IOPS)高达100万次，并减少大量延迟，有助高效能运算、资料库加速等需要高效能与高容量储存技术应用领域所需。
此次美光9200系列NVMe SSD提供PCIe扩充卡及U.2两种样式，均支援NVMe，其中U.2样式同样可提供每颗服务器更高的密度，另外基本上NVMe SSD也能够使用多数PCIe频宽。9200系列NVMe SSD容量是美光前一代NVMe SSD容量的3倍，Florence表示，这也是首度可见NVMe SSD容量超过10TB，借此有助消耗更低功耗，且让作业系统更易于管理。
值得注意的是，Florence表示，这批*新的SSD采用第三方的控制器，诸如Microsemi公司的控制器产品。此外，9200系列NVMe SSD也有搭载美光自有FlexCapacity固件，借此可提供先进的管理与优化工具，可让客户调整硬盘，因此能够完全利用9200系列NVMe SSD容量并延长其生命周期。
产业分析机构Moor Insights & Strategy服务器与储存**分析师Matthew Kimball指出，资料分析、人工智能(AI)及机器学习(ML)领域一直是NVMe的早期与显著采用者。
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