主要半导体厂商赴陆设厂　韩国唯恐技术外流

陆续传出全球代表性半导体业者决定前往大陆设立生产基地，尽管有技术外流的风险，但面对全球*大的消费市场招手，业者仍决定冒险一试。由于每年大陆的半导体进口规模比进口石油还高，让大陆政府欲积极发展半导体产业以提高自给率。如今领导业者的建厂计划无疑是提升大陆自给率的*佳时机，长期而言还有机会取得技术。 据韩媒ET News报导，日前排名**的IC制造业者格罗方德(GlobalFoundries)决定与重庆市政府合作，在当地兴建12吋(300mm)晶圆厂。重庆市政府提供土地与建物，格罗方德负责设备与技术部分，但双方的持分比例与投资金额等资讯并未公布。预计2017年起投产130~40纳米逻辑、模拟、混合信号芯片等。业界认为，该工厂初期量产规模以每月投入晶圆为基准约1.5万片。格罗方德则计划将新加坡Fab 7工厂使用的技术移转到即将新建的大陆重庆工厂。先前台积电也曾发表到南京的建厂计划，规划兴建12吋晶圆厂，投产时间定在2018年，生产16纳米FinFET芯片。从台积电*新的技术地图(Roadmap)来看，2018年*新制程应为10纳米或7纳米技术，因此用于南京工厂的技术约落后两个世代左右，原因应是

英特尔非挥发性存储器突围 XPoint芯片将扮演关键武器

全球NAND Flash市场供过于求，各家存储器厂纷设法压低NAND Flash芯片生产成本，并兼顾芯片效能及耐久度，英特尔(Intel)、美光(Micron)虽号称能够生产出体积更小的3D NAND Flash芯片，然目前似乎已失去市场先机，反倒是两家厂商合作研发的XPoint存储器芯片，不仅技术**，亦不会有供应过量问题，有机会成为英特尔在非挥发性存储器市场关键武器。 近期英特尔NAND Flash业务表现不尽理想，单季营收出现下滑，英特尔MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash面对竞争对手TLC(Triple-Level Cell)产品竞争，陷入成本及价格两难困境，加上3D XPoint投资与3D NAND Flash大连厂支出等因素，整体营运表现不如预期。此外，目前英特尔与威腾(Western Digital)旗下昱科(HGST)共同开发SSD产品，约占英特尔NAND Flash总营收20~25%，然随着威腾买下SanDisk，将拥有NAND Flash生产设备，届时英特尔NAND Flash出货动能恐更疲弱。未来英特尔在非挥发性存储器业务重要武器，包括3

威刚：DRAM军备赛三星带头喊卡　2年半空头市场将走完

台存储器模组厂威刚董事长陈立白指出，观察国际龙头大厂动向，全球DRAM军备竞赛可望在韩系龙头三星电子(Samsung Electronics)节制资本支出的情况下停止，预计DRAM价格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景气将好转，为期两年半的DRAM空头市场将走完。 陈立白认为，三星在DRAM的资本支出上踩煞车，影响接近45%的供货，接下来就要看SK海力士的态度，如果海力士也认同避免军备竞赛的移动，开始节制资本支出，对产业来说就是美事一桩。据台存储器模组业者表示，SK海力士新董事长刚出任，信誓旦旦的表示要增加就业率，但据悉，某种程度上也可能只是口头上喊的比较积极，实质上在DRAM军备竞赛上，海力士应该会有所节制。而在三星踩煞车、观望海力士态度的情况下，如果国际大厂节制资本支出，全球DRAM两年半的空头市场大约走完，今年6~7月对于全球存储器市场来说可说是分水岭，到了9~10月因为产能节制，需求也增加，DRAM产业表现可望不错。台存储器模组业者认为，NAND、DRAM将前后有好转反应，DRAM预计落底，于第3季好转。而先前南亚科等业者也有营运转佳看法，对此南亚科总经理李培瑛先前已经

重庆加速布局半导体产业链，拼2020年销售近千亿元

陆媒报导，大陆重庆市政府日前与全球积体电路制造大厂格罗方德(Global foundry)签署谅解备忘录，双方将在重庆合资组建晶圆厂，并于明(2017)年进行生产。据悉，格罗方德在重庆的产能项目，是将在中航 (重庆)微电子公司现有生产线上进行改造，将晶圆的生产规格从200mm提高至300mm，月产能初步定为1.5万片。重庆市市长黄奇帆表示，格罗方德落址重庆后，将进一步推动该市在电子资讯产业链上的布局。根据重庆规划，未来几年，重庆还将大力引进和培育一批半导体龙头企业，逐步形成芯片设计、晶圆制造、封装测试、应用开发全产业链，力争到2020年实现销售收入近千亿元(人民币,下同)。黄奇帆指出，重庆将利用全球产业重构契机，构建起「5+6+860」的电子资讯产业集群，为积体电路提供巨大市场需求。重庆市经信委主任郭坚说明，透过产业链上中下游一体化整合和同类企业聚集，形成「5家笔电品牌商+6家代工企业+860家配套企业」的笔电产业群。据悉，重庆把积体电路作为重点发展的十大战略性新兴产业之一，按照集群发展的思路，围绕原材料、单晶矽切片、芯片设计、芯片制造、封装测试、基座载板等六个关键环节，并已成功引进英

SK海力士装设FCE设备 消除有害气体并缩减作业时间

存储器大厂SK海力士(SK Hynix)在晶圆制造设备上加装可**有毒气体与粉尘的固定式腔体排气系统(Fixed Chamber Exhaust System；FCE)，不但可降低人员进行设备维护时的工安危害，同时也缩短设备清洁的作业时间。

 据ET News报导，业界表示SK海力士从2015年起，开始在晶圆制造设备上加装固定式腔体排气系统，总共已完成超过300台安装。实际测试效果良好，几乎达到零废气排放也无凝结粉尘，可让设备清洁的时间减至*少，未来计划在所有制程中导入这项系统。

腔体(Chamber)是半导体设备上用于进行晶圆加工的空间，晶圆投入后便成为真空状态，利用各种特殊气体进行镀膜或蚀刻。由于晶圆输送过程为全自动化，无须投入人工作业。

但时间一久，腔体内会累积有毒气体与粉尘，这部分就得交由人工清理，以确保机器能正常运作。通常是在机台腔体上方设置移动式排气系统，先将粉尘吸出后，才由穿戴防毒面具等防护设备的作业员进行清洁保养。SK海力士*近导入的排气系统为固定式，在腔体下方装设空气泵浦，形成能在作业中即时抽出废气与粉尘的结构。测试结果显示，该系统*多可减少96%的气体排放。


DRAM将止跌 南亚科受惠

南韩媒体报导，南韩两大记忆体厂三星与SK海力士，都可能大幅缩减资本支出，以因应产品跌价；其中，龙头三星可能大砍资本支出逾三成。两大厂大幅删减资本支出，有助市况趋于健康，华邦（2344）、南亚科、华亚科等台厂都可受惠。 全球三大记忆体厂商之一的美光日前公布上季财报，不但由盈转亏，而且预测本季还会持续亏损，让市场对于后市看法难以乐观。法人认为，记忆体价格持续滑落，让各大厂伤透脑筋，随着三星、SK海力士传出有意缩减资本支出，为记忆体报价露出止跌的曙光。华亚科董事长暨南亚科总经理李培瑛认为，记忆体市场下半年会有旺季需求，市况应会转好，相关厂商也规划减少资本支出，新增产能有限，因此下半年可望达供需平衡。南亚科将于下周举行法说会，公布首季财报，并提出后续营运展望。李培瑛日前估计，若大厂可理性发展，全年DRAM价格跌幅约介于20%至30%之间，与去年相当；如果大厂明显增加产能，相关跌幅可能扩大为25%至40%。外电报导，大环境的压力殃及半导体产业，连带使得相关设备投资受到压抑，三星与SK海���士都将在公布首季财报时，修正相关资本支出的金额数字。韩媒Korea Times报导提及，RBC Capital

Bernstein：三星出招太狠毒、DRAM恐剩一家独活

记忆体产业整合，外界本以为三大厂能和平共存，坐享更高获利，没想到三星电子趁着对手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)转进20奈米不顺之际，增产抢市占，意图赶尽杀绝。Bernstein Research悲观预测，三星下手太狠，DRAM恐怕只剩三星一家独活。 巴伦(Barronˋs)网站两篇报导指出，Bernstein分析师Mark Newman表示，制程微缩难度高，美光和SK海力士都在20奈米遇到瓶颈，原先预期记忆体产出将因此大减，没想到三星在一旁虎视眈眈，趁着对手碰壁时，夺取市占。DRAM仅剩三大厂，通常产业整合后，大家会较为节制，结果三星非但没松手，还想把DRAM市占从当前的40%、提高至近50%。三星透过拉大技术差距，抢下市占，DRAM方面，三星增加20奈米产出、并将扩大量产18奈米。在NAND领域也强化了3D NAND的**地位。Newman痛批，三星行为投机、比预想更为激烈，完全不顾对手，或许会**摧毁同业间的信任感。他估计，三星可能是DRAM业的**幸存者。记忆体业者自相残杀，等到中国厂商进入市场，情况将急转直下。报告称，中国可能是足以颠覆市场的竞争者，他们财

趁对手不顺增产抢市占 DRAM恐怕只剩三星独活

存储器产业整合，外界本以为三大厂能和平共存，坐享更高获利，没想到三星电子趁着对手SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）转进20纳米不顺之际，增产抢市占，意图赶尽杀绝。Bernstein Research悲观预测，三星下手太狠，DRAM恐怕只剩三星一家独活。 巴伦（Barronˋs）网站两篇报导指 出，Bernstein分析师Mark Newman表示，制程微缩难度高，美光和SK海力士都在20纳米遇到瓶颈，原先预期存储器产出将因此大减，没想到三星在一旁虎视眈眈，趁着对手碰壁时， 夺取市占。DRAM仅剩三大厂，通常产业整合后，大家会较为节制，结果三星非但没松手，还想把DRAM市占从当前的40%、提高至近50%。 三星透过拉大技术差距，抢下市占，DRAM方面，三星增加20纳米产出、并将扩大量产18纳米。在NAND领域也强化了3D NAND的**地位。Newman痛批，三星行为投机、比预想更为激烈，完全不顾对手，或许会**摧毁同业间的信任感。他估计，三星可能是DRAM业的**幸存者。 存储器业者自相残杀，等到中国厂商进入市场，情况将急转直下。报告称，中国可能是足以颠覆市场的竞争者

三星24年蝉联DRAM存储器市占率** SK海力士/美光难超越

三星电子（Samsung Electronics）连续24年蝉联全球DRAM存储器半导体市占率**，为半导体产业写下新历史；2015年市占率达45.3%，营收突破200亿美元，不但刷新自身纪录，也成为存储器价格持续下跌声中，**还能获利的业者。 据韩媒Money Today报导，市调机构IHS资料显示，2015年三星DRAM营收为204.34亿美元，较2014年186.61亿美元成长9.5%，**突破200亿美元。虽然全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元，但三星营收却逆势成长。 从整年度的市占率来看，三星占45.3%创下历史新高；排名**的SK海力士（SK Hynix）为27.7%，营收124.89亿美元，较2014年126.66亿美元减少，但市占率微幅增加。第三名美光（Micron）的营收滑落到90.70亿美元，市占率也从24.6%下降到20%。 三星电子在1992年开发出64Mb DRAM之后，连续24年蝉联DRAM半导体全球市占率**。三星能稳坐龙头地位的关键，在于拥有竞争对手难以超越的技术差距，这也是半导体市场价格持续滑落，三星仍能维持获利的原因。

Galaxy S7搭载SK海力士DRAM 劲敌合作抵抗恶劣市况

据Digital Times报导，三星电子(Samsung Electronics)Galaxy S7系列搭载SK海力士生产移动DRAM产品LPDDR4 4GB SDRAM，SK海力士2016年将持续扩大三星手机搭载的移动DRAM、UFS(Universal Flash Storage)等产品，据传日后三星手机也将搭载SK海力士制造的UFS产品。 三星手机产品过去主要采用本身制造存储器产品，部分采用SK海力士、东芝(Toshiba)等的产品。然自2016年起，三星开始扩大对SK海力士的采购量。负责三星手机业务的三星无线事业部扩大SK海力士存储器产品的使用比重，对三星半导体事业来说，利反大于弊。一熟悉三星内部消息的人士透露，三星的DRAM和NAND Flash在业界以一定的高价销售。比起对内销售给无线事业部，对大陆等新进业者交易的获利率更高。SK海力士2016年也将对英特尔(Intel)供应固态硬碟(SSD)用TLC NAND。英特尔过去销售的SSD主要采用美光(Micron)供应的SLC、MLC NAND。英特尔对SSD的稳定性和使用年限采用严格的标准，而首款搭载TLC NAND的SS

合肥建中国*大DRAM厂

1.日月光并矽品 将发动三度收购;2.日月光并矽品／还没拍板 订单先跑光;3.量子电脑破解公开金钥加密机制;4.大陆台湾日本“联姻”成功，共建中国*大DRAM厂;5.锁定四大方向调整体质　台湾IC设计力拚转型;6.大基金助力紫光660亿元投资厦门半导体 老杳推出个人微信公共平台，主推原创及重大突发事件分析，欢迎搜索公共号：laoyaoshow 1.日月光并矽品 将发动三度收购;日月光**次公开收购矽品案，本周四（17日）为截止日，由于公平会无法在收购截止日前做出决议，此次收购案恐破局，但日月光仍有意在市场继续收购矽品股权，预计将手中持股增至矽品总股数的三分之一以内，在金管会同意以特殊原因让日月光再次提案之后，日月光也酝酿发动第三次收购矽品股权计画。据悉，日月光的第三次公开收购矽品计画，条件将比照**次收购案不变，亦即以每股55元公开收购矽品普通股，*高收购数量为7.7亿股，占矽品普通股数约24.71%，*低收购数量1亿5,581万8,056股，占比5%，日月光将静待公平会*迟在5月1日前对日月光与矽品结合案的决议，一旦公平会通过结合案，加上金管会同意让日月光重启公开收购矽品，日月光就会

IDM模式是存储器产业*佳选择？

本报记者 陈炳欣“他山之石可以攻玉。”借鉴日韩以及我国台湾地区的经验，可以更好地探索出一条适宜中国大陆当前发展存储产业的路径——抓住重大技术变革机遇期，在打造龙头骨干IDM企业的同时，也不应放松存储业生态集群的培育。产业面临技术革新机遇过去30余年中，全球存储器产业经历了两次区域性的产业转移：20世纪80年代存储产业重心从欧美国家转移到日本，90年代从日本转移到韩国。目前，从事DRAM生产开发的企业不下40家，但是这个行业一直都处于不断兼并重组之中，比如2008年奇梦达被并购，2012年尔必达破产等，竞争格局已经由群雄割据向三雄争霸转变。“中国发展存储产业一定不能脱离开国际产业的大环境，孤立发展。”中科院微电子所所长叶甜春向《中国电子报》记者说。资料显示，全球两次存储转移都有着重要的产业背景。存储器从美国向日本的转移，根本原因是日本经济二战后迅速崛起的历史浪潮，直接原因则受益于电子制造业从欧美向日本的转移。上世纪90年代，韩国抓住了6英寸晶圆厂过渡到8英寸的世代交替，以9座8英寸晶圆厂的产能优势，一举取代日本厂商，跃居全球DRAM产业的首位。当前存储器技术正在发生**性的变革，中国正面

都说发展存储产业一定要走IDM模式，你怎么看?

“他山之石可以攻玉。”借鉴日韩以及我国台湾地区的经验，可以更好地探索出一条适宜中国大陆当前发展存储产业的路径——抓住重大技术变革机遇期，在打造龙头骨干IDM企业的同时，也不应放松存储业生态集群的培育。 产业面临技术革新机遇 过去30余年中，全球存储器产业经历了两次区域性的产业转移：20世纪80年代存储产业重心从欧美国家转移到日本，90年代从日本转移到韩国。 目前，从事DRAM生产开发的企业不下40家，但是这个行业一直都处于不断兼并重组之中，比如2008年奇梦达被并购，2012年尔必达破产等，竞争格局已经由群雄割据向三雄争霸转变。 “中国发展存储产业一定不能脱离开国际产业的大环境，孤立发展。”中科院微电子所所长叶甜春向《中国电子报》记者说。 资料显示，全球两次存储转移都有着重要的产业背景。存储器从美国向日本的转移，根本原因是日本经济二战后迅速崛起的历史浪潮，直接原因则受益于电子制造业从欧美向日本的转移。 上世纪90年代，韩国抓住了6英寸晶圆厂过渡到8英寸的世代交替，以9座8英寸晶圆厂的产能优势，一举取代日本厂商，跃居全球DRAM产业的首位。 当前存储器技术正在发生**性的变革，中国正面临

大陆台湾日本“联姻”成功，共建中国*大DRAM厂

还记得「尔必达」这家昔日全球DRAM巨擘吗？因不敌三星电子等韩厂蚕食，尔必达于2012年申请破产、之后被美国美光(Micron)收购，而坂本幸雄也成为尔必达的末代社长、在尔必达被美光收购后就辞去社长一职以示负责。不过坂本幸雄要开始踏上复仇之路了，此次将携手台湾、中国大陆之力，在安徽合肥打造大规模内存厂，力抗三星等厂商。 日经新闻11日报导，由坂本幸雄所设立的半导体设计公司「Sino King Technology(以下简称SKT)」已和安徽省合肥市政府正式签署工厂兴建契约，Sino将主导合肥市政府总额高达8,000亿日圆的大规模半导体工厂兴建企划，Sino将在上述工厂的设备导入、制定生产计划等项目中扮演重要角色。 上述新工厂将生产由Sino所设计研发、具备低耗电力的次世代内存(DRAM)，目标为在2018年下半启用量产，以12寸晶圆换算的月产能达10万片，产能规模同于「旧」尔必达时代的旗舰工厂「广岛工厂」、预估将成为中国*大规模的DRAM厂；因看好物联网(IoT)商机，故Sino已开始研发使用于家电等IoT产品所必需的低耗电力DRAM技术，而目前DRAM市场虽由三星、SK Hynix以

合肥建中国*大DRAM厂

2015年第四季NAND品牌商营收/利润衰退

2015年第四季整体 NAND Flash 市况持续供过于求，除通路颗粒合约价下滑9~10%外，智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10~11%。TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange*新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收较第三季衰退2.3%。该机构研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash製程转进已遇到瓶颈，三星(Samsung)以外其他业者的3D-NAND Flash开发与生产过程均遇到良率不佳的问题。 因此製程转进所带来的成本下滑效益逐渐缩减。2015年第四季不仅NAND Flash品牌商营收出现衰退，各家NAND Flash业者的营业利益率(Operating Margin)也较第三季明显下滑。2015年第四季NAND厂商营收排行 以各家厂商表现来看，三星电子为2015年第四季少数营收持续成长的厂商之一。受惠于3D-NAND Flash的进度**其他业者，在高容量的eMMC/eMCP与SSD也颇有斩获，三星

去年全球半导体已装机产能排行榜 台湾超韩国

3月2日，据台湾媒体报道称，市场调研机构ICInsights统计，去年底全球半导体已装机月产能（monthlyinstalledcapacity）中，台湾首度超越韩国成为****大，去年底月产能达354.7万片8寸约当晶圆，台湾“矽岛”之称可说是名副其实。根据调查，去年底台湾已装机月产能已达354.7万片8寸约当晶圆，全球市占率达21.7％，首度超越韩国的335.7万片8寸约当晶圆及20.5％市占率，成为拥有全球*大半导体产能的地区。台湾的半导体已装机月产能在2011年超越日本，时隔四年后再度超越韩国，成为****，主要因为台积电在近几年来积极扩建12寸晶圆厂。当然，韩国三星及SK海力士等半导体大厂，在美国及大陆设立的晶圆厂产能，并没有计算在韩国地区，也是重要的影响因素。报告中指出，台湾及日本是8寸晶圆厂产能的**者，其中，台湾自2012年起就是全球拥有*多8寸晶圆产能的国家，由于8寸厂可以用来生产许多成熟制程产品，而台湾又是晶圆代工生产重镇，预期未来几年当中，台湾的8寸晶圆产能仍会维持成长。若以12寸厂的已安装月产能来看，韩国仍有大于台湾，主要是三星及SK海力士掌握全球主要DRAM及

中国在高科技产业上的崛起让韩国如芒在背

中国半导体抢地盘 南韩警戒

SK海力士希望成显卡革新一部分 今年开始量产HBM2内存

随着新一代显卡到来，内存芯片制造商SKHynix希望成为显卡**的一部分。据德国IT网站Golem.de报道，SK Hynix计划不久将开始生产**代高带宽内存（HBM2），其中，4GB SK Hynix芯片显然预计在今年第三季度出货，8GB芯片将在今年第四季度上市。 通过这一举措，SK Hynix将成为三星竞争者。三星之前已经宣布其HBM2内存生产计划。标准组织JEDEC之前已经更新HBM2规范。 HBM2总线位宽和HBM相同，但具有更高的时钟频率和容量，时钟频率从1GHz起跳，到2GHz，数据带宽可达256GB/s，是之前HBM带宽的两倍。 Golem.de报道，SK Hynix也有推出HBM2廉价版计划，廉价版带宽是204GB/s，这些廉价版HBM2芯片可能被用于未来中端到低端显卡，或用于完全不同的应用领域。该网站称，SK Hynix拒绝说明这些芯片是否用于GPU、SoC、CPU或其他应用。

TrendForce：智能手机进入传统出货旺季

原标题：TrendForce：智能手机进入传统出货旺季，2015年第四季行动式内存总产值仅小幅衰退1% Feb. 18, 2016 ---- TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange*新报告显示，相较于标准型内存季跌幅逾16%，整体行动式内存价格跌幅趋缓，且下半年为传统智能手机出货旺季，2015年第四季行动式内存总产值仅小幅下滑1%。三星第四季营收维持小幅增长1.3%，SK海力士则衰退2.1%，美光集团在三大DRAM厂中跌幅*大，来到7.7%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，苹果的采购占比决定了三大DRAM厂行动式内存营收的高低。如三星在LPDDR4的制程与良率**竞争对手至少半年，是苹果首要提升比重的对象，SK海力士则以25纳米制程稳居**位，美光集团2015年第三季仍未通过苹果的质量验证，错失iPhone6s的黄金备货期，其影响都表现在第四季的行动式内存营收上。三星在行动式内存市场份额持续扩大到约58.2%，SK海力士的比重微幅衰退至26.1%，美光集团市场份额则缩减至14.3%。2016年**季由于步入传统出货淡季，加上全球景气不佳导致买气缩手，即使

“紫光模式”是存储器产业突围路径？

本报记者 赵晨紫光集团旗下的同方国芯巨额增发，重点投资存储芯片领域，入股西部数据和闪迪以解决知识产权问题，招募我国台湾DRAM教父担当操盘手，入股力成完善存储器的封装环节，在华南地区建厂发展DRAM产业。紫光集团步步为营，以企业的实际行动贯彻中国发展存储芯片的国家意志。“紫光在下一盘很大的棋，可以改写全球存储芯片业格局的棋。”赛迪智库集成电路产业研究所所长霍雨涛告诉《中国电子报》记者。紫光没有按常规出牌，决心用资金撬开存储芯片的大门——以资本为纽带打造中国存储芯片产业的IDM模式。但权威专家认为，存储芯片产业的新进入者，将有可能承受前几年的巨额亏损，紫光能否打破这一预言？我们拭目以待。以国家战略为方向推动中国存储芯片逆袭“企业发展必须以国家战略为方向。”这是紫光集团董事长赵伟国一再强调的经营理念。在2014年发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》中，特别指出要发展新型存储等关键芯片产业，抢占未来发展的制高点。工信部印发的“‘互联网+’三年行动计划”中也提出，到2018年要在高性能计算、海量存储系统等领域取得重大突破。全球存储产业正在向亚洲特别是中国转移，中国承接这一转移的条件已逐渐具备

TrendForce：供过于求加剧价格下跌

2015年全球半导体已装机产能排行榜

根据市调机构IC Insights统计，去年底全球半导体已装机月产能(monthly installed capacity)中，台湾首度超越韩国成为****大，去年底月产能达354.7万片8寸约当晶圆，台湾“矽岛”之称可说是名副其实。根据调查，去年底台湾已装机月产能已达354.7万片8寸约当晶圆，全球市占率达21.7%，首度超越韩国的335.7万片8寸约当晶圆及20.5%市占率，成为拥有全球*大半导体产能的地区。IC Insights表示，台湾的半导体已装机月产能在2011年超越日本，时隔四年后再度超越韩国，成为****，主要因为台积电在近几年来积极扩建12寸晶圆厂。当然，韩国三星及SK海力士等半导体大厂，在美国及大陆设立的晶圆厂产能，并没有计算在韩国地区，也是重要的影响因素。报告中指出，台湾及日本是8寸晶圆厂产能的**者，其中，台湾自2012年起就是全球拥有*多8寸晶圆产能的国家，由于8寸厂可以用来生产许多成熟制程产品，而台湾又是晶圆代工生产重镇，预期未来几年当中，台湾的8寸晶圆产能仍会维持成长。若以12寸厂的已安装月产能来看，韩国仍有大于台湾，主要是三星及SK海力士掌握全球主要DR

SK海力士将砸15.5兆韩元建存储器新工厂

日经新闻报导,SK海力士周一宣布，将砸15.5兆韩元（125亿美元），再盖一座新存储器工厂。 新厂选址在南韩忠清南道省北部，与原海力士旧厂比邻。据日经新闻报导，海力士已取得25万平方公尺的土地面积，并与清州市政府签订合作备忘录（MOU），新厂预计将在2018年正式动工、2019年投产。 新厂确切的产品目前还不清楚，不过海力士某官员暗示应该为NAND存储器，若新厂全部投入生产NAND存储器，海力士现有NAND存储器产能将扩增超过两倍。 此外，海力士亦宣布已开始在现有的清州厂量产先进的3D NAND芯片，将于4月初开始出货。其同业三星电子在2013年率先完成3D NAND芯片的商用化，而日本东芝公司则计划在本月开始出货此类芯片。 海力士目前是全球DRAM**大厂，但若论NAND芯片，海力士只排第五，落后三星、东芝、SanDisk与美光。由于英特尔现正积极重返存储器市场，且目标也是锁定NAND芯片，预料未来竞争将更为激烈。

经济学人：中国芯片行业雄心勃勃

英国《经济学人》杂志撰文称，为了摆脱对海外企业的依赖，中国政府斥巨资扶持本土半导体行业的发展，并且从之前的光伏面板和LED照明行业中吸取了充分的教训。不过，由于时机问题和技术壁垒，这一计划仍将面临许多挑战。以下为文章主要内容：雄心勃勃自从1970年代以来，中国政府一直在断断续续地促进本土半导体行业的发展。但他们的雄心从未像现在这么高，投入的预算也从未像现在这么多。据摩根士丹利估计，在早期的发展计划中，中国政府1990年代后半期投入的资金不足10亿美元。但这一次，根据2014年制定的一项宏伟计划，政府将向公共和私营基金投入1000亿至1500亿美元。此举的目标是到2030年从技术上赶超****企业，包括各类芯片的设计、装配和封装公司，从而摆脱对国外供应商的依赖。2015年，中国政府还制定了新的目标：10年内将芯片内需市场自制率提升到70%。这显然是一个任重道远的目标。去年，中国的内资和外资厂商共计使用1450亿美元的各类芯片。但中国本土芯片行业的产出仅为这一需求的十分之一。某些高价值芯片领域，中国几乎完全依赖进口——包括号称计算机大脑的处理器，以及汽车内嵌入的坚固耐用的芯片。政府意识到，

一片不景气声中　SK海力士仍决定大规模投资

SK海力士(SK Hynix)继2015年之后，再度决定进行史上*大规模投资。市场不景气与大陆业者强势跨足产业等种种不利因素下，SK海力士认为只有持续投资，强化技术竞争力，才能克服眼前危机。 据韩媒亚洲经济报导，SK集团(SK Group)会长崔泰源在2011年购并亏损中的海力士，将设备投资比例大幅提高到10%以上。相对于其他业者因为市况差而不敢投资，SK海力士却因果断的投资，让过去3年业绩连**高。2016年展望并不乐观，PC市场成长已停滞好几年，2015年连智能型手机市场也出现成长趋缓的迹象，DRAM跟NAND Flash的价格也因此持续下跌。根据市调机构DRAM eXchange资料，DDR4 4Gb模组2015年6月的价格为3.7美元，之后开始下滑，12月时已跌到2美元。平均销售单价下跌，当然很快营收、营业利益也会跟着下跌。连市场观察家也看衰半导体企业的2016年业绩。雪上加霜的是，大陆政府砸大钱扶植半导体产业，2015年大陆国营企业清华紫光集团还以威腾(WD)*大股东的身分，透过威腾间接购并全球第三大NAND Flash业者新帝(SanDisk)。SK海力士认为若想克服眼前危

韩半导体以投资研发　积极对抗景气困境

从2013年以来持续成长的DRAM市场，2016年展望值首度出现衰退。为突破半导体市场的不景气，三星电子(Samsung Electronics)致力升级微细制程技术；SK海力士(SK Hynix)则准备以史上*大规模的投资计划应战。 韩国半导体业界自年初就弥漫紧张感，DRAM价格持续下跌，搭载DRAM的PC、智能型手机、平板电脑等市场需求也在萎缩。从2013~2015年一直维持成长的存储器市场，2016年展望值首度出现衰退。三星、SK海力士借着技术研发与大胆投资，试图突破市场困境。据韩国经济报导，三星致力升级微细制程技术，日前宣布应用14纳米**代鳍式场效晶体管(FinFET)制程的移动系统单芯片(SoC)开始量产。14纳米**代FinFET制程比**代耗电量节省15%，性能提升15%。三星在2015年1月率先业界，量产应用14纳米FinFET制程的Exynos 7 Octa；2016年以**代FinFET制程同时量产Exynos 8 Octa与高通(Qualcomm)Snapdragon 820等代工产品。**代制程产品预定将搭载于2016年3月上市的Galaxy S7(暂称)。无

SK海力士2015年营收292亿元 同比增长4%

据韩联社1月26日报道，SK海力士26日公布的业绩报告显示，2015年公司三大经营指标——营业利润、销售额、净利润连续第三年创下历史新高。数据显示，公司2015年营业利润达53360亿韩元(约合人民币292亿元)，同比增长4%。销售额同比增长10%，达18.79万亿韩元，净利润同比增长3%，为43240亿韩元。2015年第三季度，SK海力士营业利润连续7个季度维持在1万亿韩元以上，但第四季度的营业利润没能突破1万亿韩元，同比和环比分别减少41%和29%，为9889亿韩元。SK海力士方面预测，2016年**季度，存储器将进入销售淡季，因此存储器需求短期内难有明显改善。但随着DDR4的需求增加，DRAM市场前景有望变好。

三星/SK海力士将大规模投资研发

从2013年以来持续成长的DRAM市场，2016年展望值首度出现衰退。为突破半导体市场的不景气，三星电子（Samsung Electronics）致力升级微细制程技术；SK海力士（SK Hynix）则准备以史上*大规模的投资计划应战。韩国半导体业界自年初就弥漫紧张感，DRAM价格持续下跌，搭载DRAM的PC、智能型手机、平板电脑等市场需求也在萎缩。从2013~2015年一直维持成长的存储器市场，2016年展望值首度出现衰退。三星、SK海力士借着技术研发与大胆投资，试图突破市场困境。据韩国经济报导，三星致力升级微细制程技术，日前宣布应用14纳米**代鳍式场效晶体管（FinFET）制程的移动系统单芯片（SoC）开始量产。14纳米**代FinFET制程比**代耗电量节省15%，性能提升15%。三 星在2015年1月率先业界，量产应用14纳米FinFET制程的Exynos 7 Octa；2016年以**代FinFET制程同时量产Exynos 8 Octa与高通（Qualcomm）Snapdragon 820等代工产品。**代制程产品预定将搭载于2016年3月上市的Galaxy S7（暂称）。无

DRAM厂1x纳米战 将开打

三星与SK海力士将在HBM2市场正面对战

三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix) 研发高频宽存储器HBM2(High Bandwidth Memory 2)规格DRAM已进入*后阶段，*快2016年上半就可量产，也意味着双方即将在超高速HBM2 DRAM市场过招。 HBM是应用直通矽晶穿孔(TSV)技术，大幅提高频宽的高速DRAM标准。HBM DRAM未来预期会搭载于下一代绘图处理器(GPU)、超级电脑、伺服器与网路装置上。可大幅减轻资料处理时的瓶颈现象，提升性能。据ET News报导，日前业界消息传出，2016年1月31日三星与SK海力士将在美国旧金山召开的2016国际固态电路研讨会(ISSCC)会上，发表HBM2规格的DRAM研发成果。专家表示，ISSCC只接受完成样品生产阶段的论文发表，由此可知两家公司的产品研发作业已接近尾声，届时SK海力士将公开64GB HBM2，三星则可望推出每秒收发307GB资料，比标准HBM2更高速的产品。*快2016年上半就可量产。HBM是矽晶粒(Die)透过TSV技术堆叠以增加频宽的形态。**代HBM以1.2伏特(V)工作电压，汇流频宽达1024b

韩厂进入14纳米平面NAND时代 三星、SK海力士2016年相继投产

韩国两大存储器厂前进14纳米平面NAND Flash时代。三星电子(Samsung Electronics)传出将于2016年量产，而SK海力士(SK Hynix)则预定在新的一年结束研发作业，并导入量产体制。 韩媒ET News报导，三星14纳米平面NAND Flash研发已完成，将于2016年上半投产。三星预定于新年1月31日在美国旧金山所举办的ISSCC上，公开14纳米NAND研发成果。至于目前正在量产16纳米的SK海力士，也进入了14纳米NAND Flash的研发。据悉，SK海力士计划将于2016年上半结束研发，并于年内展开量产。另一方面，日本、美国存储器厂则没有技术升级的计划。东芝(Toshiba)曾表示，15纳米已是极限，无法再研发出低于15纳米的平面产品。美光(Micron)则是打算集中在与英特尔(Intel)一同研发的3D XPoint技术。三星14纳米NAND Flash与16纳米产品相较时， 14纳米NAND Flash浮动闸极(Floating Gate)约缩减12.5%，晶粒面积缩小，对降低NAND Flash生产成本将带来贡献。NAND Flash以在浮动闸极

存储器供过于求　韩厂苦寻具成长潜力新市场

以三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)为代表的韩国存储器半导体产业在2015年加足马力，在DRAM市场三星和SK海力士所占的比重达到史上*高的75%左右，业绩也创下*高纪录，赚进了许多外汇。 但同时也清楚显现存储器市场的极限，尽管移动装置和服务器市场中仍有强大的需求，但是由于供给过剩的状态持续发生，DRAM和NAND等主要存储器价格开始急速下滑，美光(Micron)在2015年第4季营业利益跌了将近40%，甚至2016第1季不排除有亏损的可能性。据Digital Times报导，分析师对于2016年存储器市场的预测也是乌云密布。据市调业者Trendforce报告指出，2015年DRAM价格比起2014年下滑了50%以上，预计2016年也将持续此下降的趋势。此外，从2016年开始全球半导体市场预计将萎缩0.6%水准。SK海力士社长朴星昱在2015年就曾提出警告表示过，2015年的市场情况还算是好的，2016年将会更困难。三星和SK海力士正在全力加强新一代存储器和系统半导体的事业，特别是三星脱离过度倚重生产苹果(Apple)处理器代工的事业构造

台媒：韩厂进入14纳米平面NAND时代 三星、SK海力士2016年相继投产

韩国两大存储器厂前进14纳米平面NAND Flash时代。三星电子(Samsung Electronics)传出将于2016年量产，而SK海力士(SK Hynix)则预定在新的一年结束研发作业，并导入量产体制。韩媒ET News报导，三星14纳米平面NAND Flash研发已完成，将于2016年上半投产。三星预定于新年1月31日在美国旧金山所举办的ISSCC上，公开14纳米NAND研发成果。至于目前正在量产16纳米的SK海力士，也进入了14纳米NAND Flash的研发。据悉，SK海力士计划将于2016年上半结束研发，并于年内展开量产。另一方面，日本、美国存储器厂则没有技术升级的计划。东芝(Toshiba)曾表示，15纳米已是极限，无法再研发出低于15纳米的平面产品。美光(Micron)则是打算集中在与英特尔(Intel)一同研发的3D XPoint技术。三星14纳米NAND Flash与16纳米产品相较时， 14纳米NAND Flash浮动闸极(Floating Gate)约缩减12.5%，晶粒面积缩小，对降低NAND Flash生产成本将带来贡献。NAND Flash以在浮动闸极中

高通更惨,股价暴跌10%至4年*低点

三星、SK海力士独大　对韩国半导体是福还是祸

韩国半导体产业营收在三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)两大厂之外，正逐渐减少。三星和SK海力士各居存储器市场**、二名，营收每年大幅成长，韩国半导体产业出现基础强化的错觉。然事实上除两大厂外，韩国半导体产业规模正逐渐缩减。 Digital Times引用市调机构IHS资料指出，2015年上半韩国半导体营收中，三星以199.63亿美元占66.9%，SK海力士以85.56亿美元占28.7%。两企业营收比重合计达95.6%，以*近期第2季资料来看，比重更是以95.7%刷新历年纪录。三星和SK海力士在DRAM、NAND Flash等主要销售项目价格下跌的情况下，营收仍然维持成长。两企业的营收从2013年459亿美元、2014年541亿美元一路上扬，2015年将突破600亿美元。同时，三星和SK海力士占韩国半导体营收比重也从2013年93%、2014年94.6%等，持续攀升。而排除两企业外的其他企业，营收正逐渐下滑。三星2014年营收年增50亿美元，SK海力士也年增33亿美元，然除两大厂外，韩国半导体营收2014年较2013年减少约8亿美元。韩国半

韩方怕中国半导体崛起 紫光300亿投资被拒

紫光入股韩国海力士半导体遭拒

DRAM价止跌 三雄出运

苹果iPhone明年第1季动能转弱，非苹阵营大反扑，带动行动式记忆体（Mobile DRAM）出货拉升，标准型DRAM价格同步止跌，加上DRAM厂明年资本支出放缓，法人看好，南亚科（2408）、华邦、华亚科等记忆体厂出现谷底反弹契机。 集邦科技先前指出，本季DRAM合约价在需求持续疲弱下，看跌一成，但IC通路商表示，近期非苹阵营手机备货需求积极，相关零组件如面板、手机晶片及Mobile DRAM出货都升温，反映iPhone明年第1季销售动能趋缓，大砍零组件备货，让非苹阵营趁势反扑。近期也不少外资对DRAM产业翻多，主因看好今年下半年DRAM资本支出与晶圆产能有放缓，全球DRAM龙头三星因价格走跌而调降明年资本支出的空间，加上明年苹果iPhone 7传搭载DRAM将再上增到3GB，明年DRAM颗粒出货成长率趋缓、需求增加，有助减轻供过求于的压力。记忆通路商表示，这波记忆体拉货潮，主要集中在Mobile DRAM，让盘跌近十个月的价格，出现止跌契机，由于三星、SK海力士及美光近几季也积极调整产能在Mobile DRAM，随拉货动能升温，相关厂商不再给予价格让步，让相关Mobile DRAM