苹果iPhone明年第1季动能转弱，非苹阵营大反扑，带动行动式记忆体（Mobile DRAM）出货拉升，标准型DRAM价格同步止跌，加上DRAM厂明年资本支出放缓，法人看好，南亚科（2408）、华邦、华亚科等记忆体厂出现谷底反弹契机。
集邦科技先前指出，本季DRAM合约价在需求持续疲弱下，看跌一成，但IC通路商表示，近期非苹阵营手机备货需求积极，相关零组件如面板、手机晶片及Mobile DRAM出货都升温，反映iPhone明年第1季销售动能趋缓，大砍零组件备货，让非苹阵营趁势反扑。
近期也不少外资对DRAM产业翻多，主因看好今年下半年DRAM资本支出与晶圆产能有放缓，全球DRAM龙头三星因价格走跌而调降明年资本支出的空间，加上明年苹果iPhone 7传搭载DRAM将再上增到3GB，明年DRAM颗粒出货成长率趋缓、需求增加，有助减轻供过求于的压力。
记忆通路商表示，这波记忆体拉货潮，主要集中在Mobile DRAM，让盘跌近十个月的价格，出现止跌契机，由于三星、SK海力士及美光近几季也积极调整产能在Mobile DRAM，随拉货动能升温，相关厂商不再给予价格让步，让相关Mobile DRAM价格止跌 。
随着这波大陆手机拉货潮启动，将可扭转DRAM跌势，加上相关库存回补需求加温，进而推升价格止跌回升，国内相关DRAM族群包括南亚科、华邦电及华亚科等明年营运也可望摆脱颓势，逐季加温。
根据集邦近期*新报价，DDR3 2Gb DRAM现货价上周率先止跌反弹3%至4%，回升到1.14至1.46美元；主流DDR4 4Gb DRAM也守稳2.1美元，均价有机会重回2.4美元。
IC通路商表示，这波Moblie DRAM拉货积极，主要来自大陆品牌手机大厂包括步步高、OPPO、中兴、华为、联想、海尔等，相关通路商也将同步回补库存。据了解，包括三星、SK海力士及美光及华亚科等，均同步提配合主要手机厂搭载LPDDR4容量推升到2至3GB，并将产能挪移到Mobile DRAM。
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