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DRAM
1 2018年04月27日 星期五内存涨价没完没了 全球DRAM内存颗粒市场总收入环比增长5.4%
达普芯片交易网 (0)根据内存专业调研机构集邦咨询(DRAMeXchange)的*新数据,2018年**季度,受持续涨价刺激,全球DRAM内存颗粒市场总收入环比增长5.4%,达到了创纪录的230.8亿美元。其中,显存颗粒的价格环比增幅高达15%,主要是此前显存价格相对偏低,而近期显卡挖矿需求持续居高不下,而其他类型的内存颗粒价格也增长了3-6%。集邦咨询预计,**季度PC DRAM内存颗粒的价格继续上涨趋势,其中4月份的平均合约价格已经来到34美元,比**季度平均值高了3%。不过,由于服务器内存利润更高、赚钱空间更大,DRAM内存厂商都把剩余产能给转移了过去,直接导致PC内存供应更加紧张。另外,一线DRAM大厂(三星/SK海力士/美光)虽然都在筹建新的工厂,但都需要一段时间,*快也要到今年底才会有成效。目前的全球DRAM市场上,三星电子以44.9%的份额****,之后是SK海力士占据27.9%,美光则握有22.6%。
美光台湾工厂今年导入先进制程,一年增聘人力三成
达普芯片交易网 (0)台湾是全球第三大存储器厂商美光科技(Micron)重要的DRAM生产基地,该公司持续于台中厂与桃园厂投资先进制程,同时增聘人员。该公司从去年初至今年底,预计台湾员工数将增加1,700人,成长幅度约三成。美光于2016年底正式将DRAM厂华亚科技并入旗下,在台版图更为壮大。2017年3月时美光在台员工数为5,600人,而到今年3月时,已增至6,800人,预计到今年底将达7,300人,两年间美光在台员工数将大举增加约三成,预估2019年要进一步增至7,650人。美光不只在台员工数持续增加,也建立DRAM**制造中心,台湾已是其DRAM生产重镇。该公司桃园厂(原华亚科技)原本以20纳米制程为主,预计今年下半1X纳米制程生产将开始放量,年底时更进一步导入1Y纳米制程投产。至于美光台中厂,目前已全为1X纳米制程,预计明年下半将升级至1Z纳米制程。另外,美光也在台中设置后段生产基地,要建立一条龙的生产链,该单位目前已经量产,主要从事较**的DRAM封测业务。针对存储市况,美光全球制造**副总Wayne Allan表示,整体DRAM产业今年位元产出可能增加二成,美光的相关位元产出增幅可能与之相当;而
存储器价格将触顶Q3移动式DRAM合约价恐持平
达普芯片交易网 (0)苹果在法人说明会中预期NAND Flash报价将在不久后走低,DRAM价格可能在今年底触顶。而事实上,NAND Flash价格今年以来持续走跌,DRAM价格续涨但涨幅明显缩小。业界目前认为下半年NAND Flash及DRAM价格仍然看涨,但市调机构集邦则预期,第三季移动式DRAM合约价恐持平。苹果财务长Luca Maestri在法人说明会中回答分析师有关iPhone成本提问时,针对存储器的影响提出看法,预期NAND Flash部份很快会出现新局面,至于DRAM预期正逼近高点,很有可能在今年底触顶。市场人士解读,苹果意指NAND Flash价格看跌,移动式DRAM价格再涨空间已经有限。集邦科技存储器储存研究(DRAMeXchange)调查显示,**季移动式DRAM合约价持续受到**季中国发改委介入定价的影响,报价普遍趋于保守,涨价幅度低于标准型或伺服器等其他规格DRAM产品,以分离式移动式DRAM来说,**季平均涨幅落在1%以内,eMCP则受NAND Flash价格下跌影响,平均价格跌幅约1%。DRAMeXchange指出,展望第三季,随着传统旺季来临,智能型手机生产数量预估将较**季成
DRAM行业深度报告:期待国产产能释放改变全球供给格局
东北证券 (0)存储器市场爆发,DRAM市场前景看好。2017年全球存储器市场增长率达到60%,**超越逻辑电路,成为半导体**大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率**。DRAM厂商中,三星、SK海力士和美光均采用IDM模式继续保持垄断地位,合计市占率超过95%,国产厂商开始积极布局,2018年将实现量产,有望逐步改变当前产业格局。DRAM消费产品中,移动终端、服务器和PC依旧占据头三名,合计占比86%,未来将继续拉动DRAM消费增长。 三星**优势明显,传统技术难以替代。三星于2017年开始量产**代10nm级8Gb DDR4 DRAM,并持续扩大整体10nm级DRAM的产能,继续维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距。新型存储器由于存在CMOS兼容问题和器件级变化性,且DRAM 的性价比高,技术成熟且具有规模优势,预计未来5-10年内难以被替代。同时,由于DRAM的平面微缩接近极限并向垂直方向扩展,18/16nm之后,薄膜厚度无法继续缩减,且不适**用高介电常数材料和电极,继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势,3D DRAM在宽松尺寸下能够实现高密度容量,且寄生阻容
NAND传统旺季拉货需求将现 SSD终端需求有效放大
Digitimes (0)NAND型快闪存储器(NAND Flash)从2017年底价格走跌,截至第2季跌幅渐趋缓,估计报价平均跌幅仍有约10%,随着第3季传统旺季拉货需求启动,上半年供过于求情况可望扭转,尽管供需略微吃紧,但业界认为NAND价格长期看跌,第3季仍呈现缓跌趋势,但在手机、PC等终端应用支撑下,SSD需求放大,将有利于价格止跌。由于DRAM平均单价持续走扬,存储器业者第2季业绩维持热络,目前DRAM仍供不应求,尽管第2季涨幅约为低个位数百分比,但价格涨势将可延续至第3季;然而NAND Flash在2017年价格高涨之后,库存备货过高加上NAND产能相继开出,导致市场报价反转向下,部分模组厂受到SSD跌价干扰及库存竞相出清,冲击第1季获利不如预期。业界估计NAND在首季跌价幅度约达15%以上,不过,第1季底~第2季终端DIY市场需求涌现,促使第2季整体跌势趋缓,平均跌幅约10%。在NAND价格走跌的诱因下,ODM厂商改变保守作法,大幅提高PC搭载SSD比重,第1季ODM客户开案数大幅成长,并主推PCIe NVMe SSD规格,预计第3季起新案将陆续迈入量产,2018年Client SSD主流规格将由
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DRAM
2 2018年03月08日 星期四三重因素 促使台湾存储器三强营收跃升
经济日报 (0)存储器厂晶豪科(3006)、南亚科、威刚3月营收亮眼,受惠缺货问题未解、价格持续上扬及工作天数回归正常等三大正面力量挹注,晶豪科冲上10.85亿元写新猷*出色;南亚科、威刚也分别攀上11年多来与57个月来新高。 晶豪科受惠主力客户华为、中兴、海尔、联想等大陆品牌大厂,大举采购DDR3 DRAM,加上大陆挖矿芯片对DRAM需求强劲,推升晶豪科3月合并营收达10.85亿元,月增33.1%,年增3.7%;首季营收28.09亿元,年增5.6%。南亚科受惠工作天数回到正常,加上20纳米制程产出增加,产品平均售价上扬低个位数百分点,3月营收攀高到67.23亿元,月增13.4%,年增60.3% ,为2007年1月来新高;首季营收187.97亿元,季增10.7%,年增53.6%。南亚科总经理李培瑛看好,本季DRAM价格仍可维持平稳或小涨,上半年市况持稳,下半年虽有新产能开出,但新产能估计到今年底或明年初才会对市场产生影响,DRAM市场可望健康一整年。南亚科正在调整产品组合,除毛利较佳的标准型产品比重会提高外,本季也会增加伺服器用DRAM,对营收和获利成长有正面助益。威刚在DRAM销售价量齐扬带动下,3
Lam财测透玄机、半导体旺到2021年?
精实新闻 (0)半导体业有望摆脱暴起暴落的周期循环,维持稳定成长? 半导体设备厂科林研发(Lam Research)预测三年后盈余将大增,让外界强力看好半导体产业,激励该公司股价飙高、费城半导体指数更改写**新高。 嘉实XQ全球赢家系统���价显示,科林研发6日大涨4.91%收在207.94美元,为1月24日以来收盘新高。费城半导体指数走升1.50%收在1,396.47点,再破历史收盘新高。巴伦(Barronˋs)报导,科林研发6日估计,2021财年(2021年6月为止)营收为145~155亿美元、每股盈余为23~25美元。 FactSet尚未有科林研发2021年的盈余预估,市场预期科林研发2020年营收为120.7亿美元、每股盈余为17.46美元。Berenberg的Tammy Qiu指出,科林研发的盈余和营收展望显示,该公司将维持稳健成长。 华尔街认为科林研发和其他半导体设备商为周期性类股,盈余将有起伏。 科林的展望显示,该公司和半导体设备业将持续成长。 该公司加码资本返还,宣布增发股利、扩大库藏股,也突显他们对于周期动能的信心。为什么半导体能持续成长? RBC Capital的Amit Daryan
看好未来2季DRAM供不应求 宇瞻2018年着重毛利率提升
DIGITIMES (0)存储器模组厂宇瞻科技总经理张家騉表示,2018年存储器市场仍将延续2017年供不应求局面,且DRAM市场在未来2季都会供不应求,至于季节性波动较大的NAND部分,也可望在第3季会慢慢平衡,而宇瞻在2018年营运策略将着重于提升毛利率,成长动能将来自于工控市场与消费性电竞产业等需求推升。受到2017年积极攻城掠地、扩大争取客户的营运策略带动,宇瞻2017年营收回升至新台币100.43亿元,年增47.22%,平均毛利率13%,虽然低于2016年17%的水准,但全年每股获利达4.02元,创上市以来新高,董事会决议每股配发2.6元现金股利,殖利率约达6.5%。张家騉表示,2017年是过去20年罕见的情况,DRAM、NAND Flash整年均逐季上扬,尤其是第4季原本预期拉货放缓,但11~12月客户回补库存动作非常积极,带动营运表现优于预期。展望2018年,张家騉认为,未来2季依旧呈现供不应求,虽然国际大厂第4季将开出新增产能,但目前在工控和服务器用DRAM仍无法足量供货,带动服务器的32G DDR4从2017年起持续调涨,而手机存储器的季节性因素影响很大,上半年的市场景气较差,预计第3季可望拉
SSD价格走跌 笔记本电脑搭载率将超过五成
新电子 (0)SSD市场受到2018年**季淡季效应的影响,导致PC OEM需求较2017年第四季明显下滑,加上SSD供货商为促销64/72层3D-SSD新品,因此透过降价以提高PC OEM厂导入意愿。 在2018年**季,主流容量PC-Client OEM SSD合约价均价在SATA-SSD部分较前一季下跌3~5%;而PCIe-SSD部分则下跌4~6%,结束过去一年多以来的涨势。 根据DRAMeXchange调查显示,由于需求端成长力道仍偏弱,2018年**季SSD市况仍将小幅供过于求,因此该季度主流容量合约价将持续下滑。 TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)研究协理陈玠玮指出,2017年SSD价格高涨,PC OEM大厂2017年下半年的SSD采购量较原先规画保守,使得2017年NB SSD平均搭载率仅达45%, 低于原先预期。 2018年SSD价格反转下跌后,将带动NB SSD搭载率突破50%大关。 此外,SSD合约价的走跌,也将带动PC OEM市场的SSD主流容量提升至256GB,至于512GB的规格,因2018年价格仍难以碰触甜蜜点水平,预估将到2019年至2020年
【焦点】六月:台积电7nm量产,张忠谋退休
集微网 (0)1.六月:台积电7nm量产,张忠谋退休;2.半导体景气Q1落底 本季可望回温;3.抢攻全球NAND Flash市场,美光宣布在新加坡兴建第3工厂;4.PS5 技术规格泄漏,采 7 纳米制程 Navi GPU;5.专家分享:3nm实现之路有哪些挑战? 1.六月:台积电7nm量产,张忠谋退休;集微网消息,《经济学人》撰文表示,台积电将干掉英特尔,成为****的晶片厂,并分析其胜出的2大关键在于钜额投入研发及代工模式的优势。张忠谋即将退休,未来台积电采取双CEO平行领导制度,交棒给刘德音、魏哲家两人。《经济学人》报导,张忠谋6月引退的当月,台积电将出货*先进制程的半导体,抢下****芯片的宝座,英特尔沦为老二。报导指出,英特尔依循“摩尔定律”,过去在制程技术上一路**,目前芯片生产技术为10奈米,台积电则超前至7nm,技术优势也反映在股价上,台积电2017年市值首度超越英特尔。台积电如何能挤掉英特尔,一直是市场瞩目的焦点,分析2大原因,一是台积电投入近30亿美元的研发经费,远超过同业;另一个是代工模式的优势,英特尔强项是电脑芯片,三星擅长智能手机芯片,台积电则是两者通杀,甚至吃下超夯的挖矿机
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DRAM
3 2018年01月26日 星期五英特尔与美光在3D NAND 96层后终止合作,将各自寻找合作伙伴
集微网 (0)集微网消息,英特尔与美光于2018年1月8日共同宣布,在完成第三代3D NAND Flash研发后,双方将开启各自的研发之路,双方目前共同研发的**代产品为64层3D NAND Flash,预计第三代将可堆栈96层,也意味着96层以后3D NAND Flash的产品研发,Intel将正式与美光分道扬镳。尽管这项决议不会对双方后续的制程提升、产品规划产生重大影响,但在确定分家之后,双方将有更大的弹性寻求新的合作伙伴。根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,英特尔与紫光集团正积极研拟后续合作计划,双方可望建立正式销售合作关系。 英特尔与紫光拟订销售合约,紫光存储藉以耕耘渠道销售竞争力从近期英特尔的动向来看,DRAMeXchange分析,英特尔一直以来高度关注中国市场,在CPU、modem、内存等领域皆积极寻求不同的合作或合资机会。除了积极寻求合作伙伴,英特尔也持续扩大在中国的产能,包含在中国大连地区也有3D NAND为主的NAND Flash自主产能将持续扩张。近日来Intel与中国紫光存储(紫光集团旗下子公司)正积极拟订长期合约,未来在此合约架构底下,紫光存储将能够获
明年起面临艰难时刻 存储器国产化要迈三道坎
中国电子报 (0)中囯已有三家企业向存储器芯片制造发起冲锋,分别是武汉长江存储的32层3D NAND闪存、福建晋华的32纳米DRAM利基型产品,以及合肥长鑫(睿力)的19纳米DRAM。而且三家都声称2018年年底前将实现试产,开通生产线。如果再计及紫光分别在南京和成都刚宣布再建两个存储器基地,总计已有5处。艰难的上马决定中国半导体业要上马存储器芯片制造,相信大多数人都会持谨慎态度,不是看轻自己,而是存储器业的竞争太激烈。存储器业究竟难在那里?主要有以下几个方面:其一,未见“新进者”。自上世纪90年代之后,全球存储器制造厂商未见一家“新进者”,其间奇梦达倒闭,美光兼并了尔必达,导致在DRAM领域全球仅存三家企业:三星、海力士与美光(中国台湾地区的多家加起来占5%,可以忽略不计);NAND闪存仅存四个联合体:三星、东芝与西数、海力士及美光与英特尔,其中三星占垄断地位,2017年它的DRAM占全球的45.8%,NAND占37%。其二,周期起伏。存储器行业基本“规律”是盈利一年,亏损两年,而三星是个例外,它独霸天下,善于逆向投资。依Gartner预测,2017年全球存储器增长64.3%,约1200亿美元,而20
DRAM涨幅本季将收敛
经济日报 (0)记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出,记忆体价格连涨六季,数家中国智慧机品牌不堪成本压力,去年中国对三星半导体表达不满,进一步造成第1季行动式记忆体涨幅收敛。 近日传出韩国政府偕同三星电子,可能与中国签署备忘录,内容将涵盖在半导体领域的相关合作。DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出,这可能对记忆体产业产生两种影响。首先,DRAM虽仍供货吃紧,但涨幅将受抑制。目前供应商在生产行动式记忆体获利远低于其他产品别,受到第1季智慧机需求低迷,加上中国的动作,预期未来价格涨幅将更受抑制。其次,供应商为避免价格涨幅过高,新增产能的可能性增加。观察DRAM供给,由于目前并未有新增产能贡献位元产出,造成2018年仍属供不应求状态。
市场拉动能力转弱 Mobile DRAM**季涨幅收敛为3%
中国电子报 (0)本报讯 由于全球智能手机市场趋于饱和,各品牌大厂纷纷于2017年第四季积极推出**屏新机,以期带动民众换机意愿,但实际上结果并不如预期。全年内存价格涨幅渐高,厂商获利遭压缩,因此,自去年第四季中期开始,品牌大厂即着手调整生产计划并推迟拉料。由于包含Mobile DRAM在内等部分零部件库存水位升高,再逢**季的传统淡季,制造商开始减缓备货力度,使得**季Mobile DRAM平均合约价涨幅收敛为3%。DRAMeXchange指出,智能手机品牌大厂从去年第四季中��始的生产计划急速下修,造成包含Mobile DRAM在内,交期长且高单价零部件库存水位飙升,部分品牌的零部件库存水位相较以往,甚至高达1倍以上。因而导致**季拉货动能走弱,使得供给端、需求端对于**季合约价格几度僵持不下,预计要到1月下旬市场才会完全定价。**季Mobile DRAM受智能手机市场的低迷以及NAND Flash价格走跌等因素影响,价格涨幅较先前收敛,平均价格由原先的5%季成长缩小为3%。展望**季,在Android阵营推出新款旗舰机的带动下,预计市场需求将开始回温并重启拉动能力。在价格表现上,Mobile DRA
涨价效应发酵,将带动MOS/DRAM芯片厂商业绩走高
集微网 (0)集微网消息,2017年全球半导体产业上游的涨价风潮,从硅晶圆一路吹到MOSFET芯片、利基型DRAM芯片、LCD驱动IC及MCU,芯片供应商为反应成本上扬而陆续调涨芯片价格,然因晶圆代工交期有8~12周的时间落差,必须等到新的晶圆量产出厂,才能反应到公司营收、毛利率及获利表现。 2018年第1季虽适逢传统淡季,但台系MOSFET、利基型DRAM芯片业者自结1月营收纷逆势走扬,主要就是芯片价格调涨效应,面对2017年下半相关芯片价格陆续上调,不少业内人士乐观看待2018年上半营运表现。MOSFET芯片价格持续上扬据IHS数据显示,2016年MOSFET芯片市场总规模为205亿美元,2017年预计将增长到220亿美元。MOSFET芯片可广泛应用于消费类电子、电动汽车以及IIoT等领域,杭州士兰微董事长陈向东在接受集微网采访时表示,MOSFET芯片缺货的原因主要是由于应用端市场起来了,但产能放量还没跟上,目前缺货主要还是受智能终端的应用影响,短时间内缺货行情难以缓解。据台系MOSFET芯片供应商指出,由于外商仍主导MOSFET芯片价格走势,台系IC设计公司宁可先抢市占率,不敢轻易跟涨芯片报价
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DRAM
4 2018年01月16日 星期二2018年半导体收入增长7.5% 要谢谢存储
达普芯片交易网 (0)半导体市场颓了?这个话题在一年前说可能有人信,但现在半导体声势正猛,无论是计算还是存储,甚至数据传输都少不了半导体的支持。根据*新Gartner报告来看,2018年全球半导体收入预计将增长7.5%,达到4510亿美元(2017年数字为4190亿美元)。出现这种高于寻常的增长比例,很大程度上是由于存储市场异常导致的。在2017年下半年,全球的存储市场受到了****的影响。而存储器,尤其是DRAM和NANDFlash在半导体市场中有着很大份额。对此,Gartner**分析师李辅邦直言:存储器市场在过去一年的增长势头成为半导体行业收入增长的主要推动力。动态随机存取存储器(DRAM)和储存型闪存(NANDFlash)价格双双上涨,这也使整个半导体市场前景更为看好。当然存储器市场的价格异常攀升,主要是由于零部件短缺引起的。由于半导体市场而导致的存储器出货量不稳定,供不应求,实则影响了整个IT产业,包括企业级产品线和消费级产品线。当然,除了存储器的价格飙升之外,半导体行业也存在一些新兴市场。这些市场虽然不足以撑起半导体的兴盛,但是却有着可期的前景,比如物联网平台的成熟。今年1月3日传出的所有微处理
利基型及服务器DRAM上半年缺货问题难缓解解 南亚科华邦电将获利
达普芯片交易网 (0)人工智能(AI)走向终端的边缘运算(edge computing)成为今年市场新主流,智能手机搭载AI运算核心将是今年重头戏,但为了因应手机进行AI边缘运算功能,手机搭载DRAM容量大跃进,业界传出苹果今年下半年推出的新iPhone将搭载4GB行动式DRAM,Android手机搭载容量更上看6GB。由于三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂,今年底前并无新增产能开出,现有产能又移转至生产行动式DRAM,导致利基型及服务器DRAM上半年缺货问题难获纾解,价格持续看涨,法人看好南亚科及华邦电今年本业获利将明显优于去年。苹果去年针对iPhone 8/X打造的10纳米A11 Bionic应用处理器,内建名为神经网络引擎(neural engine)的AI运算核心,协助并加快3D传感进行人脸识别,同时也能提供机器学习功能。至于手机大厂华为针对新一代Mate 10设计的Kirin 970应用处理器,同样搭载了可进行AI运算的神经运算单元(Neural Processing Unit,NPU)。由此来看,手机大厂已将AI边缘运算视为今年智能手机主战场。手机芯片厂高通及联发科同样看好AI边缘运算庞大市
紫光打响2018存储攻坚战
中国电子报 (0)1月9日,英特尔与美光公司宣布,双方将在完成第三代3D NAND技术研发之后,各自独立开发3D NAND闪存芯片。这意味着届时在存储器领域两者维持多年的合作关系亦将随之结束。消息传出不久,即有中国台湾地区媒体预期英特尔在3D NAND布局押宝中国大陆市场,后续不排除以技术授权等方式携手紫光集团。尽管这一预测其后并未得到任何证实,却反映出业界对于紫光集团发展存储芯片事业的关注。2018年对于紫光集团来说,正是其**发力存储芯片事业的*为关键一年,攻坚克难在此一举!产业布局已**铺开2018新年伊始,位于四川成都**新区的紫光IC国际城项目便已传出消息,项目建设正式启动。紫光集团董事长赵伟国在致辞中表示,此次启动的**新区紫光IC国际城项目是紫光集团在芯片制造领域的三大布局之一。项目全部建成后,除了实现月产30万片12英寸3D NAND晶圆外,还将涵盖从设计到封测的芯片相关业务,并包括紫光集团“从芯到云”的完整产业链。整个项目未来十年总投资会超过2000亿元。赵伟国提到的紫光在存储芯片的三大布局是指武汉长江存储建设的国家存储器基地、南京建设的紫光IC国际城,以及此次启动的**新区紫光IC国
SK海力士2017利润暴涨319%,2018年继续创纪录
集微网 (0)集微网消息,受惠于DRAM价格大幅上涨以及市场需求持续提升,韩国存储器厂SK海力士2017年第四季度营收大幅增长69%至9万亿韩元,净利几乎翻番,4.5万亿韩元(约合人民币270亿元),对比2016年同期大幅成长97.7%。 2017全年,SK海力士营收为30.1094万亿韩元(约合人民币1796亿元),同比增长75%。净利为13.7213万亿韩元,同比增长319%。该公司的一份声明中指出,2017年第四季度存储市场依旧火爆,受全球数据中心增长驱动,服务器存储器需求尤其强劲,将继续推动公司2018年利润的增长,SK海力士也将扩展新生产线来满足市场需求。不过,由于安装和测试设备需要时间,新生产线不会对今年芯片供应产生影响。由于产能有限,今年DRAM芯片供应将持续紧张。而NAND闪存市场由于制造商增加了高容量产品的供给,预计供不应求的状况将得到缓解。*近的英特尔漏洞门和苹果iPhone销售放缓引起市场的担忧,不过SK海力士表示,没有发现内存芯片需求因英特尔芯片门而放缓,由于补丁软件会影响服务器性能,漏洞门甚至可能会增加服务器需求。在回答有关中国智能手机厂商抵制内存芯片价格上涨的问题时,SK
海力士:去年第四季DRAM平均价格涨9%
集微网 (0)集微网消息,全球**大内存芯片厂韩国SK海力士受惠DRAM价格大涨,以及市况持续畅旺,去年第4季获利创单季新高,看好今年服务器内存需求持续强劲。 市调机构集邦则预期,尽管智能手机销售不如预期,恐导致本季移动内存合约价涨幅收敛为3%,但第2季将重启拉货动能,价格仍会续涨。 SK海力士昨天举行发布会并公布去年财报,去年第4季获利和去年全年获利都**高。 该公司分析,去年第4季获利创高,主因DRAM芯片出货季增3%,平均价格涨9%;NAND芯片出货增16%,均价涨4%。SK海力士预估,2018年DRAM芯片需求较去年成长20%,NAND芯片需求将成长约40%,并预估今年资本支出较去年的10.3兆韩元增加,今年DRAM出货成长约20%,NAND出货约成长45%。
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DRAM
5 2018年01月09日 星期二NVMe将推动新一代固态存储器发展
达普芯片交易网 (0)固态存储器在嵌入式系统的���用逐渐普及,成为推动物联网(IoT)与智能城市一股重要的动力。*新的NVMe与NVMe over Fabrics (NVMe-oF)技术在固态储存系统的应用备受看好。另一方面,DIMM也开始取代DRAM产品被使用在企业储存。据富比士(Forbes)报导,各大Flash存储器厂商都在2017年扩大了64层3D NAND存储器的出货量,而128层的3D NAND预计在2020年就可问世。2018年3D NAND将恢复供应量成为市场大宗,但由于市场需求居高不下,2019年以前3D NAND的价格可能都不会回到2016年的水准。有分析师预测2017年到2018年间,NAND每TB的价格将可下降20%至30%,SSD将超越智能手机,成为*多消费者接触的NAND Flash产品。企业SSD在2017年时取得了150%的出货容量成长。随着NAND Flash价格下滑,企业市场对NAND Flash的需求可望出现显著成长,而NAND Flash也将快速成为大型储存阵列的主要储存手段。云端以及数据中心储存的崛起,让NVM Express (NVMe)大为普及。2014年到201
半导体:2018年迈入多元发展阶段
中国电子报 (0)2017年全球半导体市场交出了满意的答卷,WSTS(世界半导体贸易统计组织)、Gartner以及IC Insights三大分析机构陆续上调了半导体产业的*高增速。据WSTS的分析数据,2017年全球半导体业销售收入预计达3966.5亿美元,同比增长17%,创下了2011年以来半导体产业的*高增速。半导体产业的快速增长得益于物联网、智能汽车、人工智能等市场的崛起,以及5G商用进程的加快。在2017年众多新势能纷纷崛起之时,2018年半导体业将会呈现什么发展趋势?《中国电子报》记者采访了主导企业、分析机构以及行业专家,对2018年的半导体市场进行了展望。市场:多元化助力拉动发展通过采访记者感受到,2018年半导体产业将依然欣欣向荣,拉动市场发展的因素重点围绕在汽车电子、人工智能(AI)、存储器以及5G网络等多个领域上。走过2017年“昂贵”的半导体市场,业内人士迎来了2018年的新机遇。知名信息技术研究和分析公司Gartner预测2018年半导体市场可望增长4%,达到4274亿美元规模,继2017年后再**高。推动半导体市场持续增长的原因成为业内人士热切讨论的重点。格芯半导体股份有限公司(
美光与英特尔宣布将中止NAND Flash研发合作,影响性2020年显现
集微网 (0)集微网消息,美光与英特尔在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴关系将于完成第三代3D-NAND Flash(96层)开发之后终止,各自研发未来的NAND Flash技术,以符合双方品牌产品所需,并维持Lehi厂3D-XPoint的合作关系。针对该项消息,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,由于96层3D-NAND直到2019年才逐渐成为主流,分析美光与英特尔拆分结盟的决议要到2020年后才会影响双方产品的规划与结构。 DRAMeXchange表示,英特尔与美光之间的NAND Flash采购协议并未因此中止,短期内不会对双方产能的销售与分配上产生剧烈冲击。从产出端来看,后续英特尔将专注以大连厂产出供给服务器SSD之用,而美光则拥有新加坡两座3D-NAND Flash工厂产能,并搭配生产DRAM优势,具有弹性的策略发展及产品组合。此外,美光与英特尔尽管对NAND Flash的发展各有所需,双方仍会在3D XPoint的开发保持紧密合作,因此,也不排除未来在NAND Flash领域双方仍有合作的可能性。DRAMeXchange认为,美光与英特尔未来在独立开发NAND
北美数据中心需求支撑,Server DRAM涨势延续
集微网 (0)集微网消息,根据集邦咨询旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2018年**季度在供需仍然略为吃紧的状况下,Server DRAM价格将持续上扬;同时由于2666Mhz/2400Mhz正式取代2133Mhz的产出,高带宽服务器模组将会逐渐成为市场主流。 自去年第三季度起,Server DRAM随着北美数据中心建案而供货吃紧进而带动整体涨幅,备货超出预期。展望今年上半年,因DRAM制造商对产能计划趋于保守,实质新产能开出时间将会递延至下半年,导致上半年供给受限,整体市场供给仍吃紧,预期至少今年上半年Server DRAM涨价格局将延续。从目前Server DRAM报价来看,除长期协议(Long-Term Agreement)客户已谈定报价外,在DDR4 32GB RDIMM价格皆已协议在300美元水平,服务器二线代工厂将会锁定在310美元大关,相较于去年第四季度,平均季涨幅将维持3-5%。Server DRAM制程转进1x纳米,三星产能大幅**观察各厂Server DRAM产出制程,三星今年的重点将会加速提高18纳米制程的投片,同时SK海力士与美光阵营也分别会开出在18与1
全球36家上市公司非常依赖苹果订单|一句话点评热点芯闻
互联网 (0)1.紫光国芯集成电路封装测试项目签约石家庄正定2017年12月31日,11个京津冀合作项目在中关村集中签约,投资额达 244.1 亿元。同时,由中关村发展集团、石家庄市、正定县多方出资建设的石家庄中关村协同发展有限公司昨日正式宣布成立,为两地共建石家庄中关村集成电路产业基地、石家庄科技新城提供全方位服务。集微点评:前几天叶檀曾经发布有关紫光国芯的批驳文章,客观地说写的有失客观,仅仅从财报还不足以评价一个公司,这也是财经媒体的缺陷。2.全球36家上市公司非常依赖苹果订单众所周知,苹果拥有一个庞大的供应链,由于产品线非常复杂,该公司需要大量外部供应商提供支持。根据FactSet的数据显示,目前有36家上市公司都非常依赖于苹果的订单,他们当中至少10%的营收都来自于这家iPhone厂商。集微点评:苹果造就了很多公司的辉煌,也容易令一个公司一败涂地。3.大陆 HPC 芯片爆发,10万片12nm订单下给台积电台积电2018年伊始就传出喜讯,接获大陆高速运算( HPC )芯片急单,总计追加 10 万片订单。台积电董事长张忠谋认为「HPC应用非常广,没有需求减缓的隐忧」,显然是有所指。集微点评:目前
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DRAM
6 2017年12月22日 星期五今年DRAM产能增长10%;存储器大厂3D NAND良率升 NAND Flash恐过剩
达普芯片交易网 (0)据国际半导体产业协会(SEMI)*新指出,2017年全球半导体产值将首度突破4000亿美元的大关,而2018年仍会是乐观成长的一年,预估半导体产值将成长4%-8%,且2019年产值将可望挑战5000亿美元关口。SEMI台湾区产业研究**经理曾瑞榆表示,2017年是全球半导体产值破纪录的一年,年成长率达20%,主因是存储器强劲成长的带动,其中,DRAM产值年成长75%、储存型闪存产值(NAND Flash)年成长45%、其他IC产值年成长9%。三星、海力士、美光扩产 ,今年DRAM产能成长挑战10%DRAM和 NAND Flash是这两年全球半导体产业欣欣向荣的重要推手,尤其是在2017年全球半导体产值冲破4,000亿美元中,受DRAM涨价潮带动功不可没。据SEMI预估,在三星电子、SK海力士持续扩展DRAM产能下,2018年DRAM供给端产能可能成长10%,这会是较大的成长,然终端需求也急起直追,估计到2021年,DRAM年成长率上看30%。观察全球DRAM产业三大阵营三星、海力士、美光,其中三星、SK海力士两大韩系原厂在扩产脚步上加速,包括三星在南韩平泽(Pyeongtaek)的P1
三星因内存涨价被发改委约谈:或涉及行业垄断
21世纪经济报道 (0)在持续收到手机厂商投诉之后,监管机构开始关注已经持续涨价6个季度、并且明年一季度仍会继续涨价的存储芯片。12月21日,多位知情人士告诉21世纪经济报道记者,“发改委已经就此问题约谈三星。”不过,目前并不确定是否会发起反垄断审查。 三星是全球*大的存储芯片厂商,其DRAM产品市场占比约48%,NAND Flash产品市场占比约35.4%。DRAM、NAND Flash是存储芯片两大主力产品,前者主要用于内存,后者用于存储数据的闪存。两类产品在手机、电脑、服务器市场广泛应用。根据分析机构中国闪存市场(CFM)提供数据,2017年,全球存储芯片市场规模950亿美元,其中DRAM约503.5亿美元,NAND约400亿美元。2016年Q3,存储芯片因市场供不应求开始进入涨价通道,并引起手机、固态硬盘、内存条等产品陆续涨价至今。其中,正在热销的手机普遍提价100-200元,新发售旗舰机价格比此前同档位产品约高出300元以上,而疯狂的内存条则是一年内涨幅300%。2017年初,大部分行业分析师根据厂商产能周期预测,存储芯片的涨价会在今年下半年结束,但目前基本均把降价的时间点延后至2018年下半年。利
两大新技术加持 三星二代10纳米DRAM量产抢商机
新电子 (0)抢攻DRAM市场商机,三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其**代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案,以达更高效能、更低功耗,以及更小的体积。 DRAM市场表现强劲,IC Insights预估,2017年DRAM市场将激增74%,为1994年以来*大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内*大的单一产品类别,产值高达720亿美元。为迎合市场庞大需求,三星内存事业部门总裁Gyoyoung Jin表示,**代DDR4 DRAM的电路设计与制程新技术,让该公司突破DRAM扩展性的主要障碍;三星将加速新产品的量产,同时也积极扩大**代DDR4 DRAM的产量。据悉,三星**代10奈米制程所生产的8Gb DDR4 DRAM,比**代在生产效率上提高了近30%。 同时,为提升DRAM效能,该组件使用全新技术,分别为高敏感度的单元数据感测系统及「空气间隔」方案,而非过往的EUV技术。三星指出,透过高敏感度的单元数据感测
IC Insights:DRAM今年价格将开始下滑
达普芯片交易网 (0)研调机构IC Insights发布*新报告指出,DRAM厂于2017年第4季的销售金额将创下历史新高峰,预估达到211亿美元,较2016年第4季的128亿美元大增65%。ICInsights表示,据历史经验来看,DRAM产业在不久的将来,可能经历长期间的景气向下格局,因随着DRAM产能增加,今年价格将开始下滑,跌势更恐达2年之久。回顾2017年,受惠于数据中心需求,带动服务器DRAM明显升温,同时智能手机与其他移动装置产品采用低功耗高密度DRAM也同步成长,2017年DRAM价格报价一路上扬,到了第4季依旧强势,IC Insights预估,2017年第4季DRAM销售金额将达到211亿美元,年增65%,创下历史新高纪录。IC Insights预估,2017年DRAM市场的年增率将达到74%,突破310亿美元的规模,如此的历史新纪录,主要有5大因素激励,包括存储器供应商产能供给有限、20纳米以下技术困难度提高、绘图型DRAM、服务器DRAM以及移动式DRAM的需求成长。以移动存储器为例,智能手机搭载DRAM存储器容量不断提升,苹果iPhone 8具有2GB的DRAM,iPhone X具有
揭露DRAM和电容炒货内幕,三星兜底策略纵容涨价
达普芯片交易网 (0)2017年内存、电容双双缺货涨价,其中内存每季度涨价超20%,电容普遍涨价4-5倍。据集微网获悉,缺货涨价固然有产能不足的因素,但原厂联合渠道商炒货,是其中更为重要的潜在影响因素。向代理商、贸易商等放出风声,告知定单排满、库存不足(言外之意就是你们可以开始囤货了)。当然这还只是三星电子(关联员工)间接参与,更甚的是三星电子员工直接参与炒货。该代理商透露,其实很多三星电子的员工都设有自己的“影子”公司,在**时间得知DRAM行情后,利用渠道关系,通过“影子”公司低价买进,高价卖出,这已经存在多年了,而这些“影子”公司很难让三星电子查到关联方。此外,在这波DRAM炒货中,还有部分三星电子员工直接利用自己打通的上下游渠道关系,担当中介的角色,一边向三星电子卡位新客户订单,一边对接下游终端厂商,两头受益。另外,在外界很难得知三星电子的出货供货动态时,还有三星电子员工单靠买卖消息发横财。而三星电子DRAM炒货之所以让各方敢这么激进,包括三星电子的员工都这么肆无忌惮,关键原因就是作为*大的庄家,三星电子是侧面支持,甚至纵容炒货的。上述代理商称,三星电子对DRAM的代理商、贸易商等是有兜底策略,就是