DRAM再度过多年好光景后，去年起景气转坏，厂商必须积极转进先进制程，才能取得成本优势，在去年刚进入20奈米后，3大厂今年将火拼16/18奈米，三星、SK海力士、美光今年都将开始试产，不过从20奈米转进的难度来看，16/18奈米进展是否如预期，值得观察。
根据DRAMeXchange研究协理吴雅婷预估，2016年虽然受惠于来自智慧型手机及伺服器的需求影响，单机搭载容量会有显着提升，各项终端产品仍难有爆发性的发展。预估2016年整体DRAM需求约为23%，供给位元成长约为25%。市场维持小幅供过于求，DRAM单价持续下滑，各家获利能力将大幅取决于制程转进所造成的成本下降以及产品组合的调配。
三星进展速度*快
目前3大厂的20奈米都已经进入量产，其中三星进展速度仍是*快，去年第3季在标准型记忆体及伺服器记忆体都已经大量供货，也推出行动记忆体LPDDR4，在现今跌价的市场中保有成本优化的优势；SK海力士也开始出货，今年开始放量，行动记忆体将大量供货。
美光度过研发及投产初期的不顺遂后，产品在伺服器记忆体领域小量出货，标准型记忆体验证正逐步执行当中，为3大厂中制程转换*落后者，美光在台日两地的尔必达、台湾台中厂、华亚科等晶圆厂都已经完成8成的制程转换，本季开始出货会有明显的提升。
而在*新16/18奈米制程部分，三星挟带制程工艺的优势，DDR4记忆体早在2015年进入20奈米制程的成熟期，8Gb已成为三星在DDR4的主流规格，今年下半年也将进入18奈米制程，而美光、SK海力士也积极研发中，预期年底到明年初试产。
为了新制程，3大厂资本支出都还是维持**，三星今年记忆体资本支出约在70亿元；美光2016会计年度资本支出将增加为53~58亿；SK海力士今年的资本支出49亿美元。
美光今年急起直追
根据Bernstein Research分析师Michael Newman去年发表的报告指出，技术**的厂商将吃掉大部分利润，南韩三星靠着20奈米制程**对手，去年独吃市场6成利润，其他家分食其余4成，三星**推出DDR4、LPDDR4，因而拥有定价优势。
相较之下，美光的代工厂华亚科（3474）去年第4季获利只剩4亿多，以去年美光大部分利润让给华亚科来看，同一期间，美光DRAM事业恐怕已经见到赤字，今年势必要急起直追。
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