英特尔非挥发性存储器突围 XPoint芯片将扮演关键武器

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全球NAND Flash市场供过于求,各家存储器厂纷设法压低NAND Flash芯片生产成本,并兼顾芯片效能及耐久度,英特尔(Intel)、美光(Micron)虽号称能够生产出体积更小的3D NAND Flash芯片,然目前似乎已失去市场先机,反倒是两家厂商合作研发的XPoint存储器芯片,不仅技术**,亦不会有供应过量问题,有机会成为英特尔在非挥发性存储器市场关键武器。

近期英特尔NAND Flash业务表现不尽理想,单季营收出现下滑,英特尔MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash面对竞争对手TLC(Triple-Level Cell)产品竞争,陷入成本及价格两难困境,加上3D XPoint投资与3D NAND Flash大连厂支出等因素,整体营运表现不如预期。此外,目前英特尔与威腾(Western Digital)旗下昱科(HGST)共同开发SSD产品,约占英特尔NAND Flash总营收20~25%,然随着威腾买下SanDisk,将拥有NAND Flash生产设备,届时英特尔NAND Flash出货动能恐更疲弱。

未来英特尔在非挥发性存储器业务重要武器,包括3D NAND Flash及XPoint芯片,然在NAND Flash市场,面对东芝(Toshiba)、三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士等掀起价格大战,英特尔恐已错失市场先机,尽管英特尔携手美光推出体积更小的3D NAND Flash芯片,但这项技术能否让英特尔力挽颓势,恐仍需要观察。

相较之下,英特尔XPoint技术更被业界看好,由于目前其他存储器业者发展的可变电阻式存储器(ReRAM)、相变化存储器(PRAM)等技术,仍难媲美XPoint的性能及耐久度,加上英特尔与美光有能力掌控XPoint芯片供应,可避免供过于求情形再度发生。

另外,英特尔与美光亦可针对服务器控制器、工作站或游戏主机等,协助客户进行系统及应用软体调整,以充分发挥XPoint优势,尽管威腾、三星、SK海力士等亦希望能发展出与XPoint匹敌的非挥发性存储器技术,然目前进度都落后英特尔2~5年,对于英特尔而言将是发挥XPoint市场战力的*佳时机。

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