日趋**的半导体微细制程和FinFET制程效应，让主要半导体企业加速确保半导体测量和分析技术。尤其在10纳米以下半导体制程中，测量的准确性影响企业的生产效益和芯片性能，三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等韩国代表性企业也积极投资研发技术。
据Digital Times报导，三星进入2015年后，存储器、系统LSI事业部总计增加750多人等，加强测量部门，SK海力士也大规模延揽博士级专业人才。目前三星和SK海力士测量设备有9成以上依赖美国进口，每台要价20亿~30亿韩元(约172万~258万美元)，未来将透过与韩国企业加强合作，确保本身的技术能力。
三星在存储器、系统LSI事业部各设置测量技术团队。以2015年为基准，包含操作员，存储器事业部和系统LSI事业部各拥有300多及450多位测量技术人员。除管理、检测外，直接开发测量技术相关解决方案的工程师，也有150多人。
SK海力士自开始研发及生产3D NAND Flash后，大幅扩编测量技术人才。2015年大规模延揽博士级测量技术人才，在数量和质量方面都将持续扩大。SK海力士内部人员表示，伴随微细制程复杂化，不仅2015年，2016年SK海力士也持续增加半导体制程的测量和分析人才。
主要半导体企业加强测量技术，是因制程复杂，渐渐难以确保良率。从平面结构跨越到FinFET立体结构，分析过程更为困难。
为加强半导体测量技术力，全球企业间的购并活动变得活跃，美国设备业者的影响力也更强大。近期设备业界*大的交易案之一，就是美国设备大厂科林研发(Lam Research)购并晶圆检测设备厂科磊(KLA-Tencor)，科林透过购并确保微细测量和精准的分析技术。
另一方面，韩国测量设备的国产化仍遥遥无期。韩国设备业界人士透露，目前主要半导体业者使用的美国制半导体分析设备，无法确保10纳米以下的准确性。
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