日经新闻报导,SK海力士周一宣布，将砸15.5兆韩元（125亿美元），再盖一座新存储器工厂。
新厂选址在南韩忠清南道省北部，与原海力士旧厂比邻。据日经新闻报导，海力士已取得25万平方公尺的土地面积，并与清州市政府签订合作备忘录（MOU），新厂预计将在2018年正式动工、2019年投产。
新厂确切的产品目前还不清楚，不过海力士某官员暗示应该为NAND存储器，若新厂全部投入生产NAND存储器，海力士现有NAND存储器产能将扩增超过两倍。
此外，海力士亦宣布已开始在现有的清州厂量产先进的3D NAND芯片，将于4月初开始出货。其同业三星电子在2013年率先完成3D NAND芯片的商用化，而日本东芝公司则计划在本月开始出货此类芯片。
海力士目前是全球DRAM**大厂，但若论NAND芯片，海力士只排第五，落后三星、东芝、SanDisk与美光。由于英特尔现正积极重返存储器市场，且目标也是锁定NAND芯片，预料未来竞争将更为激烈。
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