2017半导体产业大丰收Samsung**登顶

根据市场研究机构IHS Markit 研究指出， 2017年全球半导体市场营收达到4291亿美元，与2016年相较成长了21.7%，年成长率创下近14年新高。而三星也借着53.6%的年成长率，取代蝉连25年的英特尔(Intel)成为2017年全球*大半导体厂商。在前20大半导体厂商中，SK海力士(SK Hynix)的营收成长幅度*大，较2016年成长81.2%;美光科技(Micron)居次，营收较2016年成长了79.7%。对此，IHS Markit半导体供应链分析师Teevens表示，强劲的需求以及价格上涨，是企业营收大幅成长的主因。高通(Qualcomm)仍为**大IC设计厂商，存储器则是半导体产业中发展*强劲的类别，与2016年营收相比成长了60.8%，其中DRAM成长幅度*高，2017年成长率达76 %;NAND Flash居次，成长率达46.6%，创下这两种IC存储器近10年以来*高的营收成长率。而营收增长主要原因，来自供需紧张与价格的上涨。IHS Markit存储器与储存**总监Craig Stice表示，NAND存储器技术从2D NAND发展至3D NAND，使市场在20

存储器价格将触顶Q3移动式DRAM合约价恐持平

苹果在法人说明会中预期NAND Flash报价将在不久后走低，DRAM价格可能在今年底触顶。而事实上，NAND Flash价格今年以来持续走跌，DRAM价格续涨但涨幅明显缩小。业界目前认为下半年NAND Flash及DRAM价格仍然看涨，但市调机构集邦则预期，第三季移动式DRAM合约价恐持平。苹果财务长Luca Maestri在法人说明会中回答分析师有关iPhone成本提问时，针对存储器的影响提出看法，预期NAND Flash部份很快会出现新局面，至于DRAM预期正逼近高点，很有可能在今年底触顶。市场人士解读，苹果意指NAND Flash价格看跌，移动式DRAM价格再涨空间已经有限。集邦科技存储器储存研究(DRAMeXchange)调查显示，**季移动式DRAM合约价持续受到**季中国发改委介入定价的影响，报价普遍趋于保守，涨价幅度低于标准型或伺服器等其他规格DRAM产品，以分离式移动式DRAM来说，**季平均涨幅落在1%以内，eMCP则受NAND Flash价格下跌影响，平均价格跌幅约1%。DRAMeXchange指出，展望第三季，随着传统旺季来临，智能型手机生产数量预估将较**季成

群联本季增温 NAND明年恐过剩

NAND Flash控制芯片暨模组厂群联（8299）公布第1季EPS为4.48元，该公司董事长潘健成表示，首季成绩符合预期，第2季的表现估计将比第1季好。 NAND Flash产业近况相对低缓，群联第1季合并营收92.99亿元，归属母公司业主净利为8.82亿元，两者均比去年同期衰退，税后EPS为4.48元。累计前四月合并营收为128.17亿元，年减0.7％。群联指出，NAND Flash产业去年经历史上*大缺货潮，今年产业循环回归至健康平衡状况，第1季进入传统淡季，第2季逐步回温，目前价格呈现平稳走势。潘健成估计，该公司本季毛利率将回升，获利也可比首季来得好。群联趁今年首季为淡季，价格回档之时，扩大固态硬碟（SSD）市场版图，相关出货量的季增与年增幅度都超过三成。另外，在内嵌式存储器方面，该公司的eMMC／eMCP控制芯片PS8226也已于本季与手机芯片厂合作打入陆系智慧型手机一线品牌厂供应链。由于NAND Flash原厂多座新厂的产能估计将陆续开出，潘健成预估，NAND Flash市场从2019年就会开始逐渐出现供过于求的迹象，2020年**会是供过于求的情况，而这对于该公司算是好事

NAND传统旺季拉货需求将现 SSD终端需求有效放大

NAND型快闪存储器(NAND Flash)从2017年底价格走跌，截至第2季跌幅渐趋缓，估计报价平均跌幅仍有约10%，随着第3季传统旺季拉货需求启动，上半年供过于求情况可望扭转，尽管供需略微吃紧，但业界认为NAND价格长期看跌，第3季仍呈现缓跌趋势，但在手机、PC等终端应用支撑下，SSD需求放大，将有利于价格止跌。由于DRAM平均单价持续走扬，存储器业者第2季业绩维持热络，目前DRAM仍供不应求，尽管第2季涨幅约为低个位数百分比，但价格涨势将可延续至第3季；然而NAND Flash在2017年价格高涨之后，库存备货过高加上NAND产能相继开出，导致市场报价反转向下，部分模组厂受到SSD跌价干扰及库存竞相出清，冲击第1季获利不如预期。业界估计NAND在首季跌价幅度约达15%以上，不过，第1季底~第2季终端DIY市场需求涌现，促使第2季整体跌势趋缓，平均跌幅约10%。在NAND价格走跌的诱因下，ODM厂商改变保守作法，大幅提高PC搭载SSD比重，第1季ODM客户开案数大幅成长，并主推PCIe NVMe SSD规格，预计第3季起新案将陆续迈入量产，2018年Client SSD主流规格将由

看好未来2季DRAM供不应求 宇瞻2018年着重毛利率提升

存储器模组厂宇瞻科技总经理张家騉表示，2018年存储器市场仍将延续2017年供不应求局面，且DRAM市场在未来2季都会供不应求，至于季节性波动较大的NAND部分，也可望在第3季会慢慢平衡，而宇瞻在2018年营运策略将着重于提升毛利率，成长动能将来自于工控市场与消费性电竞产业等需求推升。受到2017年积极攻城掠地、扩大争取客户的营运策略带动，宇瞻2017年营收回升至新台币100.43亿元，年增47.22%，平均毛利率13%，虽然低于2016年17%的水准，但全年每股获利达4.02元，创上市以来新高，董事会决议每股配发2.6元现金股利，殖利率约达6.5%。张家騉表示，2017年是过去20年罕见的情况，DRAM、NAND Flash整年均逐季上扬，尤其是第4季原本预期拉货放缓，但11~12月客户回补库存动作非常积极，带动营运表现优于预期。展望2018年，张家騉认为，未来2季依旧呈现供不应求，虽然国际大厂第4季将开出新增产能，但目前在工控和服务器用DRAM仍无法足量供货，带动服务器的32G DDR4从2017年起持续调涨，而手机存储器的季节性因素影响很大，上半年的市场景气较差，预计第3季可望拉

市场拉动能力转弱 Mobile DRAM**季涨幅收敛为3%

本报讯 由于全球智能手机市场趋于饱和，各品牌大厂纷纷于2017年第四季积极推出**屏新机，以期带动民众换机意愿，但实际上结果并不如预期。全年内存价格涨幅渐高，厂商获利遭压缩，因此，自去年第四季中期开始，品牌大厂即着手调整生产计划并推迟拉料。由于包含Mobile DRAM在内等部分零部件库存水位升高，再逢**季的传统淡季，制造商开始减缓备货力度，使得**季Mobile DRAM平均合约价涨幅收敛为3%。DRAMeXchange指出，智能手机品牌大厂从去年第四季中开始的生产计划急速下修，造成包含Mobile DRAM在内，交期长且高单价零部件库存水位飙升，部分品牌的零部件库存水位相较以往，甚至高达1倍以上。因而导致**季拉货动能走弱，使得供给端、需求端对于**季合约价格几度僵持不下，预计要到1月下旬市场才会完全定价。**季Mobile DRAM受智能手机市场的低迷以及NAND Flash价格走跌等因素影响，价格涨幅较先前收敛，平均价格由原先的5%季成长缩小为3%。展望**季，在Android阵营推出新款旗舰机的带动下，预计市场需求将开始回温并重启拉动能力。在价格表现上，Mobile DRA

Flash存储器成长无极限3D NAND/SSD应用大热门

物联网的发展导致无论消费性电子、企业、工业、汽车市场对SSD的需求都急速攀升，为NAND Flash记忆体、控制晶片、SSD模组等供应链业者带来**的成长机会，本活动邀集SSD领域重要厂商，前瞻未来技术规格的演进与市场应用趋势。 以NAND Flash为基础的固态储存(SSD)势力版图**扩张。在4K影音、虚拟实境(VR)与扩增实境(AR)，以及日益蓬勃的物联网智慧感测等应用趋势驱动下，无论消费性电子、企业、工业、汽车市场对SSD的需求都急速攀升，为NAND Flash记忆体、控制晶片、SSD模组等供应链业者带来**的成长机会，相关厂商无不卯足全力开发更高规格的新一代解决方案。整体而言，2017年SSD*大的变化在于技术规格的升级，如多通道PCIe SSD的快速崛起，以及读写效能、扩充性和省电方面的突破。展望2018年，随着3D NAND记忆体良率与产能提升，与控制器、模组商技术精进，SSD产品效能势将再写新页，市场渗透率亦将更形扩大。本活动邀集SSD领域重要厂商，前瞻未来技术规格的演进与市场应用趋势。

英特尔与美光在3D NAND 96层后终止合作，将各自寻找合作伙伴

集微网消息，英特尔与美光于2018年1月8日共同宣布，在完成第三代3D NAND Flash研发后，双方将开启各自的研发之路，双方目前共同研发的**代产品为64层3D NAND Flash，预计第三代将可堆栈96层，也意味着96层以后3D NAND Flash的产品研发，Intel将正式与美光分道扬镳。尽管这项决议不会对双方后续的制程提升、产品规划产生重大影响，但在确定分家之后，双方将有更大的弹性寻求新的合作伙伴。根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，英特尔与紫光集团正积极研拟后续合作计划，双方可望建立正式销售合作关系。 英特尔与紫光拟订销售合约，紫光存储藉以耕耘渠道销售竞争力从近期英特尔的动向来看，DRAMeXchange分析，英特尔一直以来高度关注中国市场，在CPU、modem、内存等领域皆积极寻求不同的合作或合资机会。除了积极寻求合作伙伴，英特尔也持续扩大在中国的产能，包含在中国大连地区也有3D NAND为主的NAND Flash自主产能将持续扩张。近日来Intel与中国紫光存储(紫光集团旗下子公司)正积极拟订长期合约，未来在此合约架构底下，紫光存储将能够获

Lam财测透玄机、半导体旺到2021年？

半导体业有望摆脱暴起暴落的周期循环，维持稳定成长？ 半导体设备厂科林研发(Lam Research)预测三年后盈余将大增，让外界强力看好半导体产业，激励该公司股价飙高、费城半导体指数更改写**新高。 嘉实XQ全球��家系统报价显示，科林研发6日大涨4.91%收在207.94美元，为1月24日以来收盘新高。费城半导体指数走升1.50%收在1,396.47点，再破历史收盘新高。巴伦(Barronˋs)报导，科林研发6日估计，2021财年(2021年6月为止)营收为145~155亿美元、每股盈余为23~25美元。 FactSet尚未有科林研发2021年的盈余预估，市场预期科林研发2020年营收为120.7亿美元、每股盈余为17.46美元。Berenberg的Tammy Qiu指出，科林研发的盈余和营收展望显示，该公司将维持稳健成长。 华尔街认为科林研发和其他半导体设备商为周期性类股，盈余将有起伏。 科林的展望显示，该公司和半导体设备业将持续成长。 该公司加码资本返还，宣布增发股利、扩大库藏股，也突显他们对于周期动能的信心。为什么半导体能持续成长？ RBC Capital的Amit Daryan

美光与英特尔宣布将中止NAND Flash研发合作，影响性2020年显现

集微网消息，美光与英特尔在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴关系将于完成第三代3D-NAND Flash（96层）开发之后终止，各自研发未来的NAND Flash技术，以符合双方品牌产品所需，并维持Lehi厂3D-XPoint的合作关系。针对该项消息，集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，由于96层3D-NAND直到2019年才逐渐成为主流，分析美光与英特尔拆分结盟的决议要到2020年后才会影响双方产品的规划与结构。 DRAMeXchange表示，英特尔与美光之间的NAND Flash采购协议并未因此中止，短期内不会对双方产能的销售与分配上产生剧烈冲击。从产出端来看，后续英特尔将专注以大连厂产出供给服务器SSD之用，而美光则拥有新加坡两座3D-NAND Flash工厂产能，并搭配生产DRAM优势，具有弹性的策略发展及产品组合。此外，美光与英特尔尽管对NAND Flash的发展各有所需，双方仍会在3D XPoint的开发保持紧密合作，因此，也不排除未来在NAND Flash领域双方仍有合作的可能性。DRAMeXchange认为，美光与英特尔未来在独立开发NAND

扩产与淡季影响，2018年**季NAND Flash产业供过于求将致价格走跌

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出，2018年**季在需求端面临到传统淡季的冲击，包含平板电脑、笔记本电脑以及以中国品牌为主的智能手机装置量需求将较2017年第四季下跌逾15%，而服务器需求相对持平，整体位元需求量较2017年第四季呈现0-5%下跌。另一方面，NAND Flash供货商仍持续提升3D-NAND Flash的产能及良率，位元产出成长亦较第四季高于5%，预期NAND Flash市场将进入供过于求态势，2018年**季固态硬盘、NAND Flash颗粒及wafer等合约价皆将翻转走跌。回顾2017年上半年，**季在供给端由于2D-NAND转往3D-NAND导致产能损失，加上中国手机厂商如Huawei、OPPO、vivo的强劲备货需求，加剧NAND Flash缺货状况，包含eMMC/UFS、Client SSD及Enterprise SSD合约价都有至少10%以上的价格涨幅。进入**季后，尽管工作天数恢复，促使笔记本电脑及平板电脑等装置的需求较前一季增加，但中国品牌手机表现不如预期，价格涨幅因此较前季趋缓。观察2017年下半年NAND Flash市场

中国三大存储阵营正在发力，2019 年将决胜负

紫光集团董事长赵伟国近来心情极好，逢人就笑开怀，更在央视《对话》节目和乌镇互联网大会的全球数字经济论坛上畅谈打造中国“芯”的梦想。能让赵伟国这么开心，正是因为近期紫光旗下的长江存储成功研发 32 层 64G 的 3D NAND 芯片，抢下中国存储自制芯片的**名，对于实现打破国际大厂垄断局面的目标，跨出关键性一大步!不可否认的是，当前中国半导体的艰难局面来自于：中国身为全球*大的半导体市场，但却必须高度依赖进口，以需求量*大的 DRAM 和 NAND Flash 芯片为例，9 成以上都依靠国际大厂。而要打破这样的局面，DT 君认为，关键就在 2019 年!2019 年，中国三大存储阵营的技术开发成果将见真章，包括长江存储的下一代的 64 层 3D NAND 芯片、联电扶植的福建晋华集成的 2x 纳米技术，以及合肥睿力的 19 纳米 DRAM 技术。这关键的 DRAM 和 3D NAND 技术研发成果，究竟会石破天惊打破国际大厂的垄断?抑或只是丑媳妇终究是要见公婆?这问题的答案，将决定未来十年中国存储产业的命运。自主 DRAM 和 3D NAND 技术这条道路，中国才处于萌芽阶段，但已可

东芝宣布兴建第 7 座 NAND Flash 工厂

2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年，零售价格的暴涨带动了厂商的营收，同时还对获利有了巨大贡献。 所以，当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商，包括三星、Intel／美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导，东芝就*新宣布，将拿出 70 亿日圆的金额，准备兴建第 7 座闪存工厂（Fab7），地点就在日本的四日市（Yokkaichi）。 事实上，目前东芝的第 6 座工厂（Fab 6）正在建设当中，预计将于 2018 年第 4 季完工。 不过，面对市场的强烈需求，东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来。 因此，东芝在 21 日宣布，将投资 70 亿日圆用于 Fab7 厂的兴建，选址就位于日本四日市。 日前，东芝才就出售半导体业务一事已经和威腾电子握手言和，达成协议。 未来东芝需要威腾电子的数据提供，以使得 2018 年的新先进芯片生产线进行投产，以此竞争对手和三星、Intel、及 SK 海力士竞争。报导进一步指出，目前数据中心和企业服务器强劲 NAND Flash 闪存需求，已经促使东芝扩大在四日市的设备规模。 而且，其他 NAN

今年DRAM产能增长10%；存储器大厂3D NAND良率升 NAND Flash恐过剩

据国际半导体产业协会(SEMI)*新指出，2017年全球半导体产值将首度突破4000亿美元的大关，而2018年仍会是乐观成长的一年，预估半导体产值将成长4%-8%，且2019年产值将可望挑战5000亿美元关口。SEMI台湾区产业研究**经理曾瑞榆表示，2017年是全球半导体产值破纪录的一年，年成长率达20%，主因是存储器强劲成长的带动，其中，DRAM产值年成长75%、储存型闪存产值(NAND Flash)年成长45%、其他IC产值年成长9%。三星、海力士、美光扩产 ，今年DRAM产能成长挑战10%DRAM和 NAND Flash是这两年全球半导体产业欣欣向荣的重要推手，尤其是在2017年全球半导体产值冲破4,000亿美元中，受DRAM涨价潮带动功不可没。据SEMI预估，在三星电子、SK海力士持续扩展DRAM产能下，2018年DRAM供给端产能可能成长10%，这会是较大的成长，然终端需求也急起直追，估计到2021年，DRAM年成长率上看30%。观察全球DRAM产业三大阵营三星、海力士、美光，其中三星、SK海力士两大韩系原厂在扩产脚步上加速，包括三星在南韩平泽(Pyeongtaek)的P1

群联和金士顿宣布联手，加速SSD进入PCIe高速时代

12月6日，NAND Flash控制芯片厂商群联与其大股东及长期合作伙伴金士顿科技共同宣布，将针对高速、大容量的PCIe接口SSD推出全系列产品，加快SSD进入高速PCIe新世代，扩展新的市场版图。群联表示，自2012年起开始提供金士顿PATA、SATA、PCIe等逾十款SSD控制芯片解决方案，累计至今，供应给金士顿的SSD控制芯片总量超过1800万片，成为金士顿主要SSD芯片供应厂商，未来双方的合作也会更为紧密，为未来营运及获利之成长共**契机。群联电子董事长潘健成表示，与金士顿长期的合作伙伴关系，奠定了双方对存储产业高灵敏度且一致的默契。在2016年景气反转之际，双方携手在SSD市场稳住业界领导地位，并在2017年Flash依然供货紧缺的时候，双方共同拓展市场，因此群联今年度的SSD控制芯片出货量将交出倍增的年成长佳绩。金士顿科技闪存部副总Nate Steffens也表示，多年来，金士顿与群联在不同层次的合作案上始终维持紧密关系，群联一直以来提供多项前瞻性闪存解决方案，助力金士顿在存储产业中的成长，未来双方仍将持续紧密合作以保持在业界的**地位。SSD向PCIe接口发展的动力主要来

SK海力士投资东芝15%股权　南韩业界乐观看待

SK海力士(SK Hynix)日前终于如愿以美日韩联盟成员身分与东芝(Toshiba)签约，也为延宕许久的东芝半导体出售一案，暂时划下句点。尽管SK海力士强调仅是投资者，但SK海力士与东芝在NAND Flash市场上，其实有许多复杂的竞争及利害，因此未来SK海力士NAND Flash事业发展动向，格外引起业界高度关注。根据韩媒每日经济的报导，2016年第2季SK海力士NAND Flash市占排名第五，东芝(Toshiba)排名**仅次于三星电子(Samsung Electronics)，如果SK海力士与东芝合作联手，两家业者市占率可达26.7%，将对市占率38.3%的三星构成一定程度的压力。南韩业界人士分析，SK海力士即将正式量产堆叠72层3D NAND，此次又顺利成为东芝半导体的投资者，未来将有很好的机会，在NAND Flash市场上展开新局，尤其美日韩联盟成员，不但有许多SK海力士的重要客户，也有许多SK海力士想合作的对象。尽管根据合约内容，SK海力士未来10年，不可取得东芝半导体15%以上含议决权的股权，也不能接触任何业务机密，但是SK海力士透过此次投资，仍然有利于强化客户合作关

DRAM供货吃紧 估Q4平均上涨5-10%、明年还继续涨

进入第 4 季，在供货吃紧下，DRAM 价格上涨趋势持续，集邦咨询TrendForce旗下半导体研究中心 DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，在智能型手机存储器容量升级，加上服务器 / 资料中心的强劲需求，拉动其他产品涨势，预估第 4 季 ASP 平均涨幅约 5-10%，明年也将持续上涨;NAND Flash 也同样是供不应求的情况，不过，集邦咨询预期，供需状况会在今年第 4 季往平衡方向移动，不同于 DRAM 价格将在 2018 年维持**，明年 NAND Flash 的价格可能将开始走跌。吴雅婷表示，今年 DRAM 价格约较去年上涨 4 成，第 3 季平均涨幅约 7%，第 4 季仍将持续上涨，保守预估平均涨幅约 5-10%，供货吃紧的情况将延续到明年一整年，但因今年 的 ASP 已经上涨非常多，预估明年涨幅将不像今年的年增幅度，由于产能并未大幅增加，保守预估明年涨幅将超过 5%。三大 DRAM 厂陆续在下半年召开针对明年产能规划的年度战略会议，根据 DRAMeXchange 的调查，2018 年各 DRAM 厂资本支出计划都倾向保守，产能扩张甚至技术转进都将趋缓，除将价格

存储器供不应求持续 南亚科、华邦电 9 月份营收亮眼

随着存储器供不应求的情况持续，不仅带动现货价的涨势，也拉抬近期核阅价的价格，使得国内存储器大厂南亚科，华邦电 9 月份营收持续缴出亮丽成绩。南亚科 9 月份营收不仅较 8 月份上扬 6.71%，也较 2016 年同期成长 32.83%。另外，华邦电则较 8 月份增加 1.91%，也较 2016 年同期增加 18.84%。 在终端产品对存储器产品的需求逐渐进入高峰的情况下，包括 DRAM、NOR 及 NAND Flash 等产品市场供不应求情况加剧，也带动价格上扬，使得存储器厂商获利增加。存储器大厂南亚科的 9 月合并营收为新台币 46.44亿元，较 8 月份增加 6.71%，以较 2016 年同期成长 32.83%，为 2013 年 4 月份以来的单月新高。累计，前 3 季营收为 381.49 亿元，较 2016 年同期增加 29.17%。南亚科表示，2017 年第 3 季受惠于存储器价格上扬，以及在 20 奈米制程上对营收的挹注，单季营收达到 132.93 亿元，创下近年来单季新高。而除了本业表现持续看涨之外，业外还有处分美光持股达 116.58 亿元的获利进帐，都对第 3 季的营收

观存储器产业：DRAM报价仍有上涨空间 NAND持续稳定成长

去年我们曾经对存储器产业进行分析，认为存储器产业在2016～2017年是恢复秩序且有机会成长的产业，时至今日，虽然存储器大厂持续迈向新制程发展，但由于市场寡占，主要大厂对于新产能扩充仍相当自律，加上电子化产品对于存储器的需求持续提升，因此在这1年间，存储器变成了洛阳纸贵的零组件。尤其到了第3季旺季，存储器需求更是热络，报价持续走扬，预期2017年对于存储器产业来说将是丰收的1年，受惠智能手机存储器容量升级，服务器/数据中心的强劲需求，2018年存储器需求亦可望持续成长。从需求部分来看，过去存储器多用在NB/PC，虽然NB/PC产业近期需求平稳没有大幅成长，但是对于存储器的需求仍是增加的，另外手机市场的成长虽然也趋于平缓，但对于存储器的需求也是成长。在智能电视、机顶盒等各种电子消费性产品，也都需要存储器，至于所谓家电连网、智能家电等发展方向若逐渐成熟，家电设备对于存储器的需求也将持续攀高，当有**家里的冰箱、电视、洗衣机连网化、智能化之后，不要怀疑，里面一定有存储器的需求存在。除了消费性市场对存储器的需求持续成长之外，近年来热门的几个新技术新产业，对于存储器也有相当的需求。第1就是云端数

群联潘健成：未来五年 NAND供不应求

三星及LG海外设厂遭遇大不同　南韩政府标准引发质疑

南韩政府对乐金显示器(LG Display；LGD)前往广州兴建OLED工厂案，以有技术外流疑虑为由审查进度迟缓。相较于三星电子(Samsung Electronics)与三星显示器(Samsung Display)前往大陆、越南兴建NAND Flash及中小尺寸OLED面板工厂的宽容态度，南韩业界质疑政府有双重标准。 据韩媒朝鲜日报报导，近期南韩政府以技术外流大陆疑虑，迟迟未批准LGD申请大陆OLED工厂建案许可。DRAM、NAND Flash记忆体与OLED同样为南韩国家重点技术领域，记忆体业者前往大陆设厂却只需报备无须审核，凸显管理标准不一致。三星电子目前正在西安工厂进行**期投资，西安工厂是规模*大的3D NAND Flash生产基地，但三星无须获得南韩政府许可，仅报备就得以进行。南韩产业通商资源部(MOTIE)表示，针对业者海外设厂有技术外流疑虑的产业，依照技术外流对南韩造成冲击的程度有一份技术清单，并进行审查，OLED就属于必须审查的项目。NAND Flash与DRAM依照产品规格不同，得采取报备通行制。南韩业界认为，若考虑技术外流造成的冲击，NAND Flash与DRAM

英特尔10纳米制程将优先生产3D NAND Flash

之前，芯片大厂英特尔(英特尔)在中国举行的“**制造大会”上，正式向大家展示了藉由*新的10纳米制程技术所生产的晶圆，并且表示由10纳米制程技术所生产的Cannon Lake处理器将会在2017年年底之前开始量产。只是，现在有消息透露，首批进入到市场的英特尔 10纳米制程技术产品，将不会是大家期待的CPU，而是目前市场价格高涨的NAND Flash快闪存储器。根据业界人士透露，英特尔计划在自家*新的64层3D NAND Flash快闪存储器上使用*新的10纳米制程技术。至于为何在3D NAND Flash快闪存储器上首先使用新制程技社，很可能是因为NAND Flash快闪存储器的结构相对简单，基本上就是大量同类电晶体的堆积。相较之下，CPU处理器的架构就显得复杂多了。而就由使用新制程技术来生产，复杂性也是关系成功与否的重要风险之一，而这也是英特尔在14纳米制程、10纳米制程上屡屡延后推出的一项主要因素。而依照英特尔的说法，10纳米制程技术使用了FinFET(鳍式场效应电晶体)、Hyper Scaling(超缩微)技术，可将电晶体密度提升2.7倍，结果自然可以大大缩小芯片面积，对NAND

3D闪存产能大提升！SSD停止涨价

今年第三季度，NAND闪存依然处于供给吃紧的状态，主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢，低于预期。而需求方面，手机、服务器、数据中心依然表现强势。不过，来自集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的*新报告称，在明年，NAND闪存的市场将达到一种稳态局面。其中，供给侧的产能将提升42.9%，而需求侧，增长预计在37.7%。目前在3D闪存方面，三星的转产*为顺利，已经在Q3开始量产64层堆叠，而其它厂商的64层甚至72层则仍需要2018年落地。据悉，在明年的所有3D闪存中，3D闪存出货的占比预计将*高可达70%，其中三星预计60%~70%、SK海力士预计40%~50%、东芝预计50%、美光/Intel合计预计在40%~50%。

硅晶圆、NOR Flash明年恐持续缺货

集微网消息，半导体业今年缺货情况频传，包括硅晶圆、DRAM、NAND Flash与NOR Flash等产品今年都处于供不应求状态，业界预期，硅晶圆与NOR Flash明年将持续缺货。 随着车用电子高度成长，物联网蓬勃发展，应用不断扩大，系统产品内建容量也持续增加，带动需求成长，供应端产能却未同步增加，部分国外供货商甚至退出市场，使得半导体业出现罕见多项产品同时缺货的情况。半导体8寸与12寸硅晶圆今年即因缺货，价格同步调涨，台胜科预期，2017年至2022年硅晶圆市场需求年复合成长率可望达4.3%至5.4%，缺货情况至少可望延续到2019年。台胜科预期，明年8寸与12寸硅晶圆价格可望进一步调涨；其中，8寸硅晶圆在面板驱动IC、指纹识别芯片、电源管理芯片与传感器强劲需求驱动下，明年涨价幅度应可大于12寸硅晶圆。至于NOR Flash，华邦电指出，目前产能无法满足客户需求，希望明年中以前能满足客户需求。旺宏先前也预期，NOR Flash市场可望维持2年好光景，明年市场需求将持续热络，即便兆易**等纷纷扩产，但产品价格仍然有撑。DRAM与NAND Flash今年同步创下史上*长缺货纪录，内存控

传韩拟禁止半导体、面板业赴中国扩张

韩国政府担心流失半导体与面板技术优势，拟下令禁止韩国半导体与面板厂在中国投资新厂。中国报复韩国部署萨德反导弹系统，让乐天、现代汽车损失惨重，韩国政府这次计划对半导体与面板业下禁制令，似乎有反报复中国的意图在。除此之外，肥水不落外人田，将就业机会留在国内，可能也是韩国政府的考虑因素之一。韩国媒体ETnew.com报导，产业通商资源部(MOTIE)部长Baek Woon-kyu在周一举行的工商会议上表示，希望半导体与面板业者以乐天为鉴，重新思考对大陆的布局。包含三星电子、SK海力士与LG Display的副总裁均应邀出席。据报导，新政策规定三星、SK海力士等存储器厂，未来只有在紧急的特殊状况下申请豁免，否则不能在中国设新厂。然而这样一来，韩厂将无法就近服务客户，恐将中国市场拱手让给竞争对手。韩国将DRAM、NAND快闪存储器与OLED面板列为***重要技术，受工业科技保护法管制，所有接受补助的投资案，都必须经政府核可才能输出，这给予政府很大解读空间。此前，三星之所能未经审核就迳自在山西盖3D NAND快闪存储器厂，理由是没有接受政府补助。不过存储器制造设备牵连甚广，如果韩国政府故意找碴，那

台湾半导体产业成长落后全球水平,东芝：持续与3阵营协商

1.台湾半导体产业成长落后全球水平 IC设计须展开IoT转型；2.WD未获独占权、鸿海还有机会！ 东芝：持续与3阵营协商；3.错过出售芯片业务截止日期，东芝未来风险增加；4.台积电三星电子先进制程和晶圆代工蓝图规划剖析 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。1.台湾半导体产业成长落后全球水平 IC设计须展开IoT转型；资策会预估，2017年台湾半导体产业整体产值将达到新台币23,473亿元，较2016年小幅成长1%，不如全球表现。 预估2017年全球半导体市场规模将较2016年成长9.8%，达3,721亿美元；2018年全球半导体市场也会有小幅成长，预估成长率为2.1%。 全球市场的成长关键，除了3C终端产品需求回稳，带动内存价格上扬之外，车用电子及工业用半导体需求成长也是重要关键。 台湾半导体产业要跟上全球趋势，就必须积极拓展物联网相关新兴产品。资策会产业情报研究所产业顾问周士雄指出，全球半导体市场成长率预估在2017年可以达到9.8%，比起资策会MIC在6月时所发布的7.2%

威刚新推工业级3D NAND固态硬盘

存储器品牌厂威刚科技发布全新工业级mSATA固态硬盘IMSS314，符合MO-300A尺寸规范，外型小巧；并采用新一代3D快闪存储器与SATAIII6.0Gbps高速介面，配合多项资料保护技术，可提升效能，可靠度和耐用度亦强化。存储器厂抢攻工业运用，威刚此工业级mSATA固态硬盘搭配常温和宽温规格，以及32GB至512GB等容量。威刚IMSS314具备高速、大容量、支援宽温等优点，且mSATA的规格尺寸小巧、易于安装，还能免去连接线材的麻烦，适用于桌上型电脑、精简型电脑、工业电脑、嵌入式产品、手持扫瞄器、miniPC、薄型服务器与医疗照护等设备。威刚表示，IMSS314采用SATAIII6.0Gbps传输介面与高速控制芯片，读写速度*高可达每秒500/400MB，共有3DMLC和3DTLC两种规格。IMSS3143DMLC具备常温和宽温两种规格，常温的工作范围达-10°C到80°C，宽温则达-40°C到90°C，即使在严苛的环境下，机台仍可稳定运作，平均故障间隔时间长达200万小时。针对工业电脑所严格要求的高稳定度，IMSS314亦支援多项技术，如TRIM与NCQ指令、自动错误改正功能

鸿海拿下东芝存储业务仍有望？TMC将在日本建新工厂

产经新闻6日报导，东芝(Toshiba)已向主要往来银行告知，计划在预计9月13日举行的董事会上正式决定半导体事业子公司“东芝存储器(TMC)”的买家。关系人士指出，东芝社长纲川智于5日拜访了主要往来银行，并告知“将在13日以前决定TMC买家”。东芝于6日上午举行的董事会上以WesternDigital(WD)所提出的新提案为主轴进行了讨论，不过并未做出结论。东芝曾于8月31日宣布，将持续和鸿海等3阵营进行协商。华尔街日报(WSJ)日文版6日报导，鸿海向东芝提出的TMC收购提案获得东芝部分董事的支持。据多位熟知详情的关系人士指出，鸿海向东芝提示的收购额超过2万亿日元，略高于WD阵营和贝恩/SKHynix阵营，且鸿海的收购计划有望获得苹果(Apple)、软银(Softbank)、谷歌(Google)等和鸿海有合作关系的日美企业的援助。除鸿海之外，WD阵营、贝恩阵营也传出计划找来苹果加盟。报导指出，在东芝董事会上，鸿海率领的联盟获得部分强而有力的支持。和其他阵营相比，鸿海阵营应该是*容易能通过独占禁止法的审查，加上鸿海已在科技业界建构出庞大的联系网路，有望促进存储器销售、提高和三星电子相抗

韩国扶持半导体与面板业 SK海力士计划2024年建NAND厂

韩国政府周一表示，韩国主要半导体与面板业者到2024年，将合计投资51.9万亿韩元，或相当于458亿美元，将有助于刺激国内经济成长与创造就业。韩国产业通商资源部(Ministry of Trade, Industry and Energy)周一邀集十大科技业高层主管做投资会报。韩国媒体Korea Herald报导，通商资源部部长Paik Woon-gyu于会**誓，政府将扩大支援半导体与面板领域。包含三星电子、SK海力士、以及面板厂LG Display(简称LGD)当日均受邀出席，其中三星电子执行长权五铉(Kwon Oh-hyun)在会议上宣布，直到2021年将投资21.4万亿韩元盖新OLED面板厂。**大存储器厂SK海力士也说，2024年将在清州市北方盖NAND快闪存储器厂。另外，****大LCD面板厂LGD表示，未来三年计划投资15万亿韩元来增加OLED产能。韩联社报导，受惠于半导体景气强劲，产业人士看好三星与海力士两大厂2017年芯片营收总合有望突破100万亿韩元(883亿美元)，其中三星预估介于72-78万亿韩元，SK海力士介于28-29万亿韩元。

三年70亿美元，三星电子投资扩大西安厂NAND存储芯片产能

​ 集微网消息，三星电子8月28日宣布，该公司计划在未来3年投资70亿美元在中国西安扩大NAND存储芯片产能，目前已有23亿美元在周一获得了管理委员会的批准。 “这笔投资旨在满足中长期日益增长的NAND闪存芯片需求，”三星称，但三星发言人拒绝披露已批准或计划中的投资将会增加多少芯片产能。7月4日，三星电子宣布计划在韩国投资186亿美元时曾表示，将会在位于西安的NAND生产基地增加一条生产线，但当时并未确定具体的投资金额和时间。目前，三星西安厂现有**产线在2014年兴建，月产12万片NAND内存晶圆。若加上规划中的**产线，预计产量将达20万片。由于用户对消费电子产品处理能力的需求不断增长，以及随着技术越来越复杂，投资的生产收益下降，预计三星等存储器芯片公司将在2017年录得创纪录的营收和利润。市场研究公司IHS发布的数据，三星电子今年**季度约占全球NAND闪存芯片营收的38.3%。IHS预计，今年的存储器行业收入将跃升32%至创纪录的1,040亿美元。三星电子表示，存储芯片市场的繁荣使得该公司在**季度实现创纪录的利润，这一趋势有望延续到今年第三季度。中国计划发展自己的存储芯片生产

路透社：东芝错过出售芯片业务的截止日期 未来风险增加

路透东京8月31日 - 东芝(6502.T)未能在自行设定的周四截止日期之前达成出售芯片业务的交易。这令人怀疑该公司能否及时堵上财务窟窿以避免退市，并维持芯片业务的竞争力。芯片业务是东芝的重要资产。 这家陷于困境的日本综合性企业今日稍早召开董事会，评估西部数据WDC.O为首财团报价170亿美元的收购要约，以及分别由贝恩资本(Bain Capital)和台湾鸿海精密(2317.TW)领头财团的要约。东芝在声明中称，该公司将继续与这三家竞购者谈判，尚未作出任何淘汰候选买家的决定。“东芝打算继续与可能的购买方谈判，尽早达成一个可满足东芝目标的*终协议，”该公司称。知情消息人士曾说，与西部数据的谈判已到*后阶段，但双方仍难以就西部数据未来在芯片部门中的持股问题达成协议。直接了解情况的消息人士周三晚间说，竞购对手贝恩资本(Bain Capital)在*后时刻修改了收购提议，引入苹果公司(AAPL.O)做后盾，这使情况更加复杂。全球*大的电子代工厂商鸿海(2317.TW)(富士康)也出价想收购东芝的芯片业务。东芝一直在设法出售旗下闪存记忆体部门，以弥补其破产的美国核业务西屋电气(Westingho

旺宏加速扩产存储器 预计年底月产能增加4000片

旺宏今年以来受主力产品涨价，已写下连四季获利，今年首季每股获利以减资后股本计为0.12元(新台币，下同)，第2季为0.35元。而帐上现金截至上季为54亿元，每股净值为10.75元，营运趋于健康。该公司也趁现金流量增加，加速增产编码型(NOR)、储存型(NAND)快闪存储器，抢食缺货商机，相关增产预定年底完成，届时每月增4,000片晶圆，明年挹注收益。法人表示，尽管旺宏昨股价走强，但以目前减资后股本计的本益比近80倍，远高于一般基本面佳的电子股，后市表现应回归财报的实质表现而定。在台股中，台积电目前的本益比约20倍，股王大立光约30倍，旺宏虽高出两大龙头很多，但获利实力仍有待加强。旺宏董事会稍早上修今年资本支出，由原定6.67亿元，增至17.9亿元，全力推升12寸晶圆厂**产能扩充需求。根据旺宏上季营收结构，60%为NOR Flash，另20%~25%为只读存储器(ROM)，NAND Flash占10%，其余为代工。受惠三大产品今年需求强劲，价格上扬，旺宏已连四季获利，但为让员工享受分红利益，决议大幅减资，相关减资已完成，并于昨恢复交易。旺宏董事长吴敏求表示，旺宏很多设备在过去亏损期间都

峰回路转！西数174亿美元拿下东芝半导体业务

拖延了大半年的日本科技大厂东芝（Toshiba）出售旗下半导体业务案，终于尘埃落定！根据《路透社》引用消息人士的*新报导，东芝已与西部数据达成协议，以174亿美元将半导体业务出售给西部数据（WesternDigitalCorporation）领导的联盟。该联盟除了西部数据之外，还包括私募基金公司KKR、日本**网络公司（InnovationNetworkCorp）以及日本政策投资银行（DBJ）与日本其他公司。该项消息预计在本周四（8/31）正式对外公布。报导指出，西部数据主导与东芝达成的协议，包括相关公司将以174亿美元（约1.9万亿日元）收购东芝半导体。日本**网络公司、日本政策投资银行、美国基金KKR分别出资3,000亿日元，西部数据出资1,500亿日元认购不超过三分之一股权，由东芝半导体发行的可转换公司债（ECB）。即使ECB转换成公司股票，其持股比例也不会超过三分之一，对公司经营决策没有投票权。其他日本企业投资500亿日元，东芝本身也持有约1,000亿日元股权，以求日本企业持有东芝半导体业务股权超过60%，掌握经营权。根据该项协议，东芝的债权银行三井住友及瑞穗银行也扩大约7,0

3D NAND供需渐趋平衡 控制器侦错/带宽升级成为新重点

直到2017年上半，3D NAND内存由于产能提升速度不如预期，受到越来越多质疑。 所幸，随着各大内存供货商陆续进入64层3D NAND世代，目前业界已找到让产能稳定下来的甜蜜点，供给可望自下半年起逐渐回稳。 在内存供应无虞的情况下，接下来3D NAND内存技术的发展重点，将落在控制器身上，更强的侦错机制与传输带宽，会是不容忽视的技术趋势。 慧荣产品企划部协理黄士德指出，碍于物理上的限制，NAND内存的制程很难突破10奈米大关，迫使NAND内存供货商为继续提升储存容量及效能，不得不从2D结构转进3D结构。不过，相关业者从2D转向3D的过程并不顺遂，对内存供应造成很大的影响。 此外，在Facebook、Google等网络巨头的数据中心加速扩建，储存需求与日俱增下，NAND内存供货吃紧的状况更加严重。 所幸，自2017年下半起，美光(Micron)、三星(Samsung)等主要供货商的64层晶粒陆续量产，3D NAND内存的供给才趋于稳定。尽管32层、48层NAND内存早已进入量产，但这些3D NAND内存的成本效益并不理想。 黄士德分析，3D NAND内存必须迭到一定层数才开始具成本效益

Q2 NAND Flash品牌厂营收季成长8% Q3价格续扬

美光任命 Anand Jayapalan 为存储事业部副总裁

近日，美光科技有限公司（纳斯达克股票代码：MU）宣布，公司已任命 Anand Jayapalan 为存储事业部副总裁。 美光存储事业部副总裁 Anand Jayapalan 在这个职位上，Jayapalan 将负责领导和发展美光的固态存储业务，包括打造世界**的存储解决方案，从而在云、企业级和客户端计算等大型细分市场中把握日益增多的市场机遇。Jayapalan 将向美光执行副总裁兼**商务官 Sumit Sadana 汇报。Jayapalan 拥有 20 年的半导体行业从业经验，在加入美光前曾担任西部数据企业级和客户端计算解决方案市场部副总裁。在此之前，Jayapalan 曾担任闪迪企业级 SSD 市场副总裁，同时还领导公司超大规模和云数据中心业务的孵化和发展。“整个行业的客户都已经认识到了闪存解决方案的优势，因而存储市场正酝酿着令人振奋的变化。”Sadana 表示，“Anand 将充分把握这一机会，利用我们广泛的技术组合，同时加强与重要客户的合作，从而让我们的存储业务更上一层楼。”Jayapalan 拥有南佛罗里达大学电气工程硕士学位和佩珀代因大学工商管理硕士学位。

NAND FLASH二季度淡季持续上涨

兆易**24nm NANDFlash进展显著 上半年净利润增幅100%

中国集成电路产业在2017年上半年表现亮眼，保持快速增长，其中北京兆易**科技股份有限公司(以下简称“兆易**”)除了营收利润大涨外，产品线也有不错的进展。今年上半年，兆易**针对物联网（IoT）市场，推出了超低功耗的NORFlash产品；适用性广泛的1.65V~3.6V宽电源电压NORFlash产品实现量产；适用车载和高性能市场，支持DDR接口的高速度传输速率NORFlash研发成功并量产；同时增加对高容量产品的研发，自研的SLCNANDFlash实现量产。8月27日，兆易**发布2017上半年财报，财报显示，上半年实现营业收入9.39亿元，同比增长43.29%；归属于上市公司股东的净利润1.79亿元，同比增长99.59%，半导体及元件行业平均净利润增长率为26.22%。报告期内，兆易**持续推进先进工艺技术，NORFlash稳步推进45nmNORFlash产品研发，保持在NORFlash技术的业界**，为公司在高容量产品的市场扩大和产品竞争力做好技术储备；NANDFlash在原来量产产品的基础上，调试优化24nm技术产品并取得显著进展，为后续推出高容量和特性丰富的NAND产品线做好

兆易**24nm NANDFlash进展显著，上半年净利润增幅100%

集微网消息，中国集成电路产业在2017年上半年表现亮眼，保持快速增长，其中北京兆易**科技股份有限公司(以下简称“兆易**”)除了营收利润大涨外，产品线也有不错的进展。今年上半年，兆易**针对物联网（IoT）市场，推出了超低功耗的NORFlash产品；适用性广泛的1.65V~3.6V宽电源电压NORFlash产品实现量产；适用车载和高性能市场，支持DDR接口的高速度传输速率NORFlash研发成功并量产；同时增加对高容量产品的研发，自研的SLCNANDFlash实现量产。 8月27日，兆易**发布2017上半年财报，财报显示，上半年实现营业收入9.39亿元，同比增长43.29%；归属于上市公司股东的净利润1.79亿元，同比增长99.59%，半导体及元件行业平均净利润增长率为26.22%。报告期内，兆易**持续推进先进工艺技术，NORFlash稳步推进45nmNORFlash产品研发，保持在NORFlash技术的业界**，为公司在高容量产品的市场扩大和产品竞争力做好技术储备；NANDFlash在原来量产产品的基础上，调试优化24nm技术产品并取得显著进展，为后续推出高容量和特性丰富的NA

首款Gbit MRAM芯片亮相！海力士量产14纳米TLC NAND Flash

1.首款Gbit MRAM芯片亮相！；2.东芝芯片业务出售一波三折 谁能如愿以偿？；3.美光扩大研发中心规模　强化研发进入新领域；4.SK海力士量产14纳米TLC NAND Flash 打破平面16纳米*终迷思；5.大陆存储器封测需求大　矽品重返标准型DRAM；6.储存技术将改写监控产业资料处理方式 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.首款Gbit MRAM芯片亮相！；新的1-Gbit MRAM芯片可作为非挥发性缓冲器与编写快取，*终在SSD与快闪存储器储存阵列中找到取代DRAM的出路…在日前举办的年度快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit；FMS)上，Everspin宣布开始出样Gbit MRAM芯片，并预计在今年投产采用其256Mbit芯片的1-2Gb加速卡。在FMS大会上发布这项消息，象征着在一个聚焦于主流NAND市场成长的活动中，有越来越多的持久型存储器开始出现显著进展。Everspin希望新的产品可作为非挥发性缓冲器与编写快取，*终得以在固态硬

各家争鸣存储器技术标准 储存技术之争再掀战火

在2017年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上，可见各主要NAND Flash供应商持续推出更新式存储器芯片以期能主导竞争优势，几乎各主要供应商也都在谈论简化Flash储存系统内建软件的必要性，以减少应用在资料中心时出现的延迟问题，以及试图定义固态硬盘(SSD)全新尺寸标准，另值得注意的是，本届大会上甚至连主要硬盘(HD)制造商，都已几乎不在主题演说中提及硬盘相关技术资讯或发展趋势。根据科技网站EE Times报导，在本届大会上，三星电子(Samsung Electronics)承诺将在2018年推出Tbit级芯片，东芝(Toshiba)也展示将于2018年出货的96层768-Gbit芯片，美光(Micron)也介绍其512-Gbit芯片技术，这3家业者均表示，将提供每单元4位元的版本，但从这所有芯片的细节来看，仍均缺乏创建被视为秘密武器的大型NAND堆叠的技术。对此东芝Flash业务**人士Jeff Oshima指出，透过多个层创建均匀的孔以及从上至下取得可提供相同效能表现的存储器单元，是*大的挑战。因此如东芝是在堆叠的不同部位上采用不同的单元设计，该公司9

DIGITIMES：声光暂掩的大陆半导体产业发展近况

开年以来大陆半导体产业发展似乎进入沉潜期。首先是年初长江存储CEO杨士宁郑重发布新闻稿澄清，表示从未发表过32层3D NAND Flash今年量产的消息。接下来是中芯国际董事长周子学表达的大陆半导体产业发展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的时间，大陆才能发展出比较有市场竞争力的企业主体。再来是*近紫光集团表示，由于长江存储的存储器芯片工厂专案投资规模过大，目前尚处于建设初期，短期无法产生销售收入，时机不成熟，停止收购长江存储的股份。虽然似乎大陆整个半导体产业持续其发展动能，但是较诸于2、3年前风风火火的在世界四处并购的意气，颇有急景凋年的味道。 其实这是整体战略经过阶段性实践后的反思，也许对长远的发展是有益的。譬如当初长江存储发布研发32层3D NAND Flash时，我远比年初看到它否认今年量产的消息还吃惊。长江存储NAND Flash据报导用的是Spansion的技术，批评者说它原来只是NOR Flash的制造商，2012后才跟Hynix合作NAND，这二者都错了。Spansion与Hynix合作的是20nm、30nm和40nm嵌入式NAND，跟做stand-alone的存储

各家手机大厂抢料 推升成本压力

全球智能手机大厂本季抢推新机，尽管各家比拚气势，但今年手机关键零组件存储器、被动元件等供不应求，价格居高不下，供应链又以优先供货给苹果为优先，预料零组件缺货对非苹阵营冲击较大，成本带来一定压力，将是进入拉货期的一大隐忧。目前手机零组件中以存储器与被动元件缺货情况*严重。存储器大厂群联董事长潘健成认为，接下来9月到11月的拉货动能将会很强，除了苹果之外，安卓(Android)阵营的备货需求可能会于第4季发动，届时可能价格又再上扬。由于部分零组件涨价，但PC终端价格却涨不太动，因此影响系统厂拉货意愿，同时NAND Flash原厂基于苹果拉货力道仍在，也看准安卓手机阵营后续还是得备货，所以也不太想妥协降价卖，导致整体市况有些趋缓。潘健成评估，估计到9月下半后，市场拉货力道将会再起。苹果方面可以持续备货，但中国手机厂存货时间相对较短，需要时才买，所以当接下来又再行采购时，可能市场供货又会不够。苹果新机若采用18：9比例屏幕，安卓阵营也采用，要配合面板产出时程，目前看来，安卓相关备货需求可能会于第4季发动。现阶段NAND Flash市场主要以苹果与企业级固态硬盘(SSD)的需求较强，研调机构集邦

2017年全球整体IC市场规模年增16% 存储器车用IC成长幅度*高

在DRAM、汽车特用逻辑与模拟芯片、NAND Flash，以及工业∕其他特用逻辑芯片等市场规模大幅成长的推动下，预估2017年全球整体IC市场规模将会年增16%。 据调研机构IC Insights*新公布预估，在33类IC产品中，2017年计有29类产品市场规模会出现年增，并且其中有10类产品市场规模年增幅度将会大于(等于)10%。仅显示器驱动芯片、4/8位元微控制器、SRAM，以及闸阵列(Gate Array)等4类产品规模会出现年减。2017年市场规模年增幅度*高的IC产品是DRAM，达55%。IC Insights表示，由于2017年上半全球DRAM平均售价(ASP)强劲攀升，因此DRAM产品市场规模年增幅度会重新跃居各类IC产品之冠，并不意外。近5年全球DRAM市场规模每年成长幅度呈现强烈波动。2013与2014年DRAM规模分别年增32%与34%，居各当年各类IC产品规模年增幅度之首。2015与2016年DRAM规模分别年减3%与8%，在各当年IC产品年增率的排名中，也分别跌至第18与26名。然而，预估2017年DRAM又会以年增55%，再度****。除DRAM外，2017年

这些数据让你一次看懂当前半导体产业为什么景气好

内存、MOSFET大缺货开始影响下游系统厂

第3季进入传统电子产品销售旺季，但今年受到DRAM、NAND／NOR Flash缺货冲击，加上金氧半场效晶体管（MOSFET）供货吃紧，已影响到下游系统厂的出货，除笔电厂及手机厂出货因此递延，家电及电视厂也开始对库存进行调控，这些都进一步影响到其它芯片厂第3季出货。 上半年是电子产品出货淡季，虽然DRAM及NAND／NOR Flash缺货，MOSFET供货不足交期拉长，但并未真正影响电子产品供应链。 惟第3季的传统出货旺季已经到来，内存缺货问题不仅未获纾解，供给缺口反而更大，加上MOSFET供货不足，连微控制器（MCU）交期一再拉长，许多系统厂及ODM／OEM厂大感意外。一线系统厂及ODM／OEM厂如苹果、华为、联想、华硕等业者，上半年先向供货商绑好产能，内存、MOSFET并没有太严重的供给不足问题，只是难以避免价格上涨问题。 至于二、三线业者，第2季无法取得足够内存及MOSFET货源，第3季旺季期间更直接面临缺货压力，只好延后出货，连带影响其它芯片厂营运。以数字机顶盒供应链来说，内存缺货导致出货延后，机顶盒芯片厂扬智7月合并营收月减23.3％达2.73亿元，射频芯片厂宏观微电子7月合

韩内存厂大缺工！ 三星：工作量满档、无力应付订单

三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)碍于南韩新颁布的学生不得加班法令，满手订单却陷入缺工困境，正急着大举招募新人帮手。 南韩中央日报(Korea JoongAng Daily)14日报导(见此)，南韩去(2016)年8月禁止学生加班或在假日打工，过去习惯聘用学生补足制造厂房空缺的三星，在半导体厂需24小时不断运作的情况下，开始面临缺工问题。三星一名主管说，工作量如今积到天花板，已经无力应付订单，再加上公司还在扩充产品线，有专长的员工现在真的很缺。 三星*近才在网站上张贴出征才公告，希望找到有经验的人才加入内存事业，另外还在今年上半聘请了300名高职学校的毕业生。SK海力士也在8月初开始为固态硬盘(SSD)部门寻找有经验的专业人士，DRAM测试软件开发员、内存架构设计员也在人才招募之列。三星副董事长权五铉(Kwon Oh-Hyun)*近已经专程跟新任总统文在寅(Moon Jae-in)会面，诉说公司在寻找**人才时遭遇的严重问题。 三星半导体事业管理董事Lee Seung-baek说，半导体的难度相当高，专长这个领域的大学生并不多，南韩的技术

如何看待半导体市场的“搅局者”？

任何国家都有权决定自身的发展策略，而中国决心发展半导体产业由来已久。中国每年进口芯片的金额达到千亿美元数量级，自主生产只有近10%，想要改变这种不合理的现状是一件天经地义的事情。因此，某些西方论点把矛头指向中国半导体业，称中国是“搅局者”是不公平的。 矛头指向中国有失公允日经中文网近期报道称，世界的半导体市场此前一直以美韩日厂商唱主角，现在中国企业正试图参与进来，指责中国企业的巨额投资很有可能成为半导体市场混乱的风险因素。任何国家都有权决定自身的发展策略，而中国决心发展半导体产业由来已久。中国每年进口芯片的金额达到千亿美元数量级，自主生产只有近10%，想要改变这种不合理的现状是一件天经地义的事情。因此，无论日经中文网，或是某些西方论点，把矛头指向中国半导体业，称中国是“搅局者”都是不公平的。客观地说，近期中国发展半导体业采取的策略与之前有所不同，抓住了事关产业命脉的资金问题。“国家集成电路产业投资基金”（以下简称大基金）釆用入股企业的方法，并要求投资取得回报，与国际上通行的作法相一致，只是在规模上和时间点上让国外同行感觉“来势汹汹”而已。即便如此，大基金的投资规模与几家全球**公司如三

存储器模组厂宇瞻第三季营收看增逾15%

存储器模组厂宇瞻**季获利虽然略低于市场预期，但第三季持续受惠于DRAM及NAND Flash价格上涨，加上DRAM模组出货量大增，营运展望乐观;法人预期宇瞻第三季营收有机会季增逾15%。另外，宇瞻昨(15)日宣布加强博弈市场布局，本周参加了在澳洲雪梨召开的博弈展览会(Australasian Gaming Expo)，展出专为博弈应用而开发的全系列储存解决方案。宇瞻**季受惠于DRAM及NAND Flash涨价，合并营收季增11.0%达新台币24.04亿元，较去年同期大幅成长48.3%，由于今年目标是追求营收强劲成长，抢攻���占率，毛利率季减3个百分点达12.1%，归属母公司税后净利季减24.3%达新台币0.81亿元，较去年同期仍成长22.7%，每股净利新台币0.81元。宇瞻总经理张家騉日前在法说会中指出，预期第三季DRAM、NAND Flash供给吃紧的情形将延续，两大存储器同时缺货和涨价这么长的时间也是史上首见。宇瞻下半年业绩表现来看，预期第三季旺季营收可望较**季持续成长，但毛利率可能略受压抑，而全年营收则可望较去年大幅成长逾4成。张家騉表示，宇瞻**季毛利率下滑，但客户数增加，

中国前十大半导体投资案 总额直逼1000亿美元

（集微网/文）随着全球移动芯片市场的爆发性增长，重塑了半导体产业格局，也给中国半导体产业带来了弯道超车的机会。自2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》发布并同期成立国家集成电路产业领导小组和国家集成电路产业投资基金以来，中国各地政府围绕集成电路产业发展进行战略部署，提升中国半导体产业在设计、制造和封测等技术上的长足进步，吸引了各路资本的迅猛支持，加大自主**的技术导入，推动了集成电路大时代的到来。 笔者通过梳理《国家集成电路产业发展推进纲要》发布前后中国半导体投资案例，发现近年来中国前十大半导体投资案总额直逼1000亿美元。其中就包括武汉新芯、紫光、海力士、合肥长鑫、三星、联电、英特尔、福建晋华、台积电、中芯国际等半导体厂商投资案。1、武汉新芯240亿美元投资 建立NAND Flash厂武汉新芯240亿美元投资，投资金额****。2016年3月28日，国家存储器基地项目揭牌落户武汉新芯，项目总投资达240亿美元（约1600亿元人民币）的存储器基地项目正式启动，项目投资总金额高达240 亿美元，该工厂主要以生产Flash、DRAM等存储芯片为主，以及发展3D NAND技术。该项目位于

内存市场供不应求持续，旺宏、华邦电 7 月份营收亮眼

在编码型内存（NOR Flash）市场供货依旧供不应求的情况下，带动价格上扬，使得国内编码型内存大厂旺宏 7 月份营收缴出亮眼成绩。 根据公告的报显示，营收为新台币 28.78 亿元，不但较 6 月份增加 18.7%，也较 2016 年同期增加 34.1%，创下近两年来的新高数字。 据了解，由于受智能型手机 AMOLED 新增需求、触控 IC 及驱动 IC 整合单芯片带动的 NOR Flash 需求，加上全球 NOR Flash 每月投片约仅约 8.8 万片，高度客制化与产能不易扩张的影响下，全球市场研究调查机构 TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）日前的研究报告指出，NOR Flash 目前供不应求的格局将持续。 而且，预估 2017 年第 3 季 NOR Flash 价格将上涨两成，因此也带动相关厂商的营收上扬。而旺宏受惠于市场的需求，加上 2 大美系供货商包括美光与赛普拉斯的淡出市场，使得第 2 季全球市占率已经自首季 25% 推升至 26%，2017 年底有机会拉升到 30% 的情况下，在时序进入旺季之后，营运情况将逐季攀升。 旺宏上半年营收已经达到

调研：全球半导体产值2018年恐下滑5%

全球半导体业界固然因物联网(IoT)、车用电子发展带动需求，但考量到目前已可预见的几个情况，半导体产业恐将在2017年的**后开始衰退。 日经报导引述IHS Markit说法指出，2017年存储器频拉货，价格上扬，加上因应年底圣诞商机，季节性需求导致供货紧张将持续，全球半导体产值预估年增10%，然而2018年就会转为下滑5%。主因是智能手机减产，3D NAND良率将进一步提升，供货稳定。加上大陆存储器业者预估将自2019~2020年起大量供应NAND Flash，存储器价格将因此下跌。届时日本半导体业者难以在价格上取得竞争优势，就连尚未定案的东芝(Toshiba)存储器事业出售案谈判，也都将受到影响。此外，存储器市场将快速成长的认知并不符合实际情况。虽然物联网与车用电子是趋势，多数机构也预测在2015~2020年间，资料通讯量会成长7倍。然而实际状况却是，以先进制程的存储器成本考量而言，要仰赖这些存储器储存新增资料量是不合理的。因此这阵子才会陆续出现传统纪录媒体如硬碟、磁带等，将结合新技术重返存储器市场的消息，主要就是解决储存装置恐跟不上资料量成长速度的新课题。但即使是目前新旧技术并用

2017年全球IC市场规模年增16% 成长幅度创近年新高

随着DRAM与NAND Flash市场规模大幅成长，调研机构IC Insights预估，2017年全球整体IC市场规模将较2016年大幅成长16%，创下自2010年增33%以来，*佳年增纪录。亦为2000年以来，第5度IC市场规模年增幅度达到双位数百分比。 2017年全球DRAM市场规模将会年增55%，NAND Flash年增35%。不过该机构亦指出，促使DRAM与NAND Flash市场大幅成长的*主要因素，是来自于DRAM与NAND Flash平均售价(ASP)的攀升，并不是受到DRAM与NAND Flash储存容量单元出货量成长的推动。如果将DRAM与NAND Flash产品略去不计的话，预估2017年全球IC市场规模年增幅度将仅为6%。随着DRAM ASP大幅成长，预计2017年全球DRAM市场规模将达642亿美元，高于配备在标准PC和服务器中的微处理器(MPU)市场规模，成为规模*大的单一IC产品类别。预计2017年全球微处理器市场规模为471亿美元，为仅次于DRAM的**大IC产品类别。资料显示，近年DRAM市场对整体IC市场规模的成长具有显著影响。如2013与2014年全

台媒：大陆半导体过度依赖模仿 不是好现象

过去中芯国际就曾侵犯台积电的逻辑制程**，至于在内存技术上，**既多且广，美、日、韩等大厂都已累积数十年基础，未来中国企业将面临新一波**诉讼。从技术与产品来看，许多大陆公司因为无法取得授权，只能靠挖角日、韩及台湾团队，想办法拼凑组合。以DRAM为例，目前代表性公司合肥长鑫，就从南韩SK海力士、日本尔必达及台湾华亚科挖角，其中华亚科前**副总刘大维也被延揽。至于3DNANDFlash代表企业武汉新芯，已和紫光集团合组长江存储，技术来源就是已并入赛普拉斯(Cypress)的飞索半导体(Spansion)。不过，双方合作传闻都还没动静，日前长江存储还发布新闻稿澄清，表示从未发表过32层3DNANDFlash今年量产的消息，未来后续发展恐怕须再观察。根据ICInsights2月公布的报告，大陆半导体业倚赖挖角与模仿建立技术基础，是冒着极大的**侵权风险;过去中芯就曾侵犯台积电的逻辑制程**，至于在内存技术上，**既多且广，美、日、韩等大厂都已累积数十年基础，未来大陆企业将面临新一波**诉讼。ICInsights也预期，大陆想在二五年达到半导体自给自足目标，难度相当大。华中科技大学微电子学院执