南韩媒体报导，南韩两大记忆体厂三星与SK海力士，都可能大幅缩减资本支出，以因应产品跌价；其中，龙头三星可能大砍资本支出逾三成。两大厂大幅删减资本支出，有助市况趋于健康，华邦（2344）、南亚科、华亚科等台厂都可受惠。
全球三大记忆体厂商之一的美光日前公布上季财报，不但由盈转亏，而且预测本季还会持续亏损，让市场对于后市看法难以乐观。
法人认为，记忆体价格持续滑落，让各大厂伤透脑筋，随着三星、SK海力士传出有意缩减资本支出，为记忆体报价露出止跌的曙光。
华亚科董事长暨南亚科总经理李培瑛认为，记忆体市场下半年会有旺季需求，市况应会转好，相关厂商也规划减少资本支出，新增产能有限，因此下半年可望达供需平衡。
南亚科将于下周举行法说会，公布首季财报，并提出后续营运展望。李培瑛日前估计，若大厂可理性发展，全年DRAM价格跌幅约介于20%至30%之间，与去年相当；如果大厂明显增加产能，相关跌幅可能扩大为25%至40%。
外电报导，大环境的压力殃及半导体产业，连带使得相关设备投资受到压抑，三星与SK海力士都将在公布首季财报时，修正相关资本支出的金额数字。
韩媒Korea Times报导提及，RBC Capital Markets**分析师Amit Daryanani出具报告指出，今年的全球记忆体资本支出，将年减4%至502亿美元，其中，减幅*大者为三星，估计会大减31%，相当于40亿美元。
RBC也表示，三星在七成产能转进20奈米制程后，对于DRAM的资本支出，会降低26亿美元。另外，NAND Flash的部分，在三星于西安建置完成*先进的厂区并运作后，相关资本支出也会降至10亿美元。
不只三星应会调整记忆体领域的投资，外电也指出，SK海力士也可能同样缩减记忆体方面的资本支出。
Amit Daryanani说，当预设SK海力士投资转进20奈米制程时，该公司同时大举投资3D NAND Flash的可能性就较小。
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