本报记者 刘静

继长电科技7.8亿美元成功拿下新加坡星科金朋之后，中国资本又一次向海外芯片企业大举出手。近日，武岳峰资本宣布与在美国上市的芯成半导体（ISSI）达成收购协议，以每股19.25美元，总价格约6.395亿美元的收购价格并购芯成半导体。

基金联合扩版图

在过去的18个月中，中国的企业参与芯片产业重大收购达5项，涉及金额近50亿美元，超过2005~2012年8年间总和的60倍。

在这一次的收购案中，除主导收购的武岳峰资本外，参与收购的资本方还有eTown MemTek Ltd.、300亿规模的北京集成电路基金子基金管理公司清芯华创（Hua Capital）和中国清华园区所设立的华清基业（Huaqing Jiye）。

芯谋研究（ICwise）**分析师顾文军指出，这次收购是北京和上海两地基金的一次联合收购，而中国资本的联合收购将是未来进行集成电路资本并购的趋势。

在国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》（以下简称《纲要》），并成立国家集成电路产业投资基金后，中国半导体市场便日益活跃起来。为扩充完善产业链，完成《纲要》中既定目标，中国企业频频出手，在整合国内产业版图后，又瞄向海外市场。

根据彭博社的数据，在过去的18个月中，中国企业参与芯片产业重大收购达5项，涉及金额近50亿美元，超过2005~2012年8年间总和的60倍。

基金正是推动产业并购背后的重要力量之一。除***大基金外，地方上也纷纷组建起产业投资基金，本次收购的主导方——武岳峰资本也是推动成立产业投资基金的倡导者。其在2014年11月24日，便曾与上海市创业引导基金共同发起设立了总规模为100亿元（约15.96亿美元）的上海武岳峰集成电路信息产业创业投资基金。

弥补大陆DRAM空白

存储器这一领域一直是大陆半导体比较薄弱的环节。这次收购芯成半导体，能够填补大陆在DRAM上的空白。

据了解，芯成半导体是一家产品为存储芯片的设计公司。目前设计的产品以利基型DRAM和SDRAM为主，其九成的营收都来源于此，而NOR Flash闪存芯片的营收要低于一成。

“这次收购芯成半导体，能够填补大陆在DRAM（动态随机存取存储器）上的空白。而存储器这一领域一直是大陆半导体比较薄弱的环节。”手机中国联盟秘书长王艳辉向《中国电子报》记者指出。

据了解，中国大陆在存储芯片领域目前与国外差距很大。在Flash方面，大陆目前还有一些公司，比如芯片设计公司北京兆易**。

然而，在DRAM方面，尚还没有成规模的公司。目前仅有山东华芯收购奇梦达科技（西安）有限公司后，将分拆出来的设计团队成立的西安华芯半导体，从事65纳米、55纳米等的DRAM 和SoC设计。

而中国大陆对于DRAM的需求量却非常大，尤其是在移动端。根据集邦科技的数据，在2014年，中国大陆市场消耗的DRAM达102亿美元，占全球营业额的20%。其中，Mobile DRAM（移动端的DRAM）占据了全球消耗量的33.1%。而据市调机构 DRAMeXchange预测，2015年中国大陆更是将消耗5.3亿颗的Mobile DRAM。

为了推动存储器产业的发展，进一步完善中国大陆的芯片版图，武岳峰资本此前就曾投资兆易**，在2015年前还欲并购Spansion。本次对于芯成半导体的收购，正是推动中国从空白向完整的DRAM产业迈进的**步。

或可从NOR Flash领域突破

没有自己的晶圆厂，在制程和产能方面往往都没有保证。因为DRAM采用的制程一般比传统的代工厂更先进。

然而，想要在DRAM产业版图里分一杯羹，并不是那么简单。从全球情况来看，DRAM版图目前基本已经确定为三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三足鼎立的状态。

根据DRAMeXchange的数据，在2014年第四季度，三星电子在全球DRAM市场所占的份额为41.4%，****，SK海力士占27.7%，美国美光占24.0%。仅这三家企业，就占据了全球共93.1%的DRAM市场份额，留给其他公司的余地很少。

而此次收购的芯成半导体，在2014年全年的营收仅3.2亿美元，在全球市场上占据的份额也很小。

王艳辉向《中国电子报》记者指出，这跟芯成半导体Fabless的模式有很大关系。“从全球来看，DRAM目前都是IDM模式的，也就是有自己的晶圆制造工厂，即使是中国台湾南亚科和华邦等处于二线的公司也有自己的晶圆厂。没有自己的晶圆厂，在制程和产能方面往往都没有保证。因为DRAM采用的制程一般比传统的代工厂更先进。”王艳辉说。

芯成半导体作为纯设计公司，目前在产能上主要依靠的是台积电、联电等代工厂。“例如台积电的20nm就比较难给芯成，连联发科都没有保证，都被高通苹果抢走了。”王艳辉向记者补充道。

半导体专家莫大康则向记者指出，中国一直梦想着涉足存储器领域。像存储器这种量大面广的产品，对设计技术的要求并不高。在DRAM和NAND领域，目前全球的竞争太过于激烈，虽然从fabless切入相对的风险小，但是做不大。所以，他认为或许NOR闪存是个突破点，要力挺武汉新芯走IDM模式，从 NOR flash切入。