韩国存储器厂SK海力士2017年投资布局逐渐成形，扩厂加增设新厂，总投资规模上看六万亿韩元(约50亿美元)。
据台湾地区科技媒体ETnews.com报导，海力士今年估计砸下近50亿美元在设施投资上，明年预估只会更多。海力士目前正在对利川(Icheon)M14进行扩厂，将用以生产72层3D NAND快闪存储器。
除此之外，SK海力士还将增加投资无锡厂附属设施，并将再增建一座新厂(暂称C2F)。无锡厂建于2006年，主要用于生产DRAM，近十年来对海力士营收成长做出不少贡献。
另外，SK海力士周四已先行宣布新3D NAND存储器的设厂计划(推测代号M15)，规模约略与利川M14厂相当，占地达23.4万平方米，估计于明年八月动工，2019年六月完工，至于实际量产时间，将视当时市况而定。
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