如今各种设备对于NAND闪存的容量要求越来越高，迫使厂商们不得不持续改进技术，尤其是强化3D堆叠设计。从堆叠层数与储存容量来看，若48层NAND Flash存储器可储存128GB，相同面积下的64层产品可储存256GB。
2015年，SK海力士量产了**代36层堆叠3D MLC NAND(3D-V2)，单晶粒容量128Gb(16GB)。2016年，SK海力士推出了第三代48层堆叠的3D-V3，闪存类型改成TLC，重点单晶粒容量256Gb(32GB)，而封装芯片的容量*高可以达到4096Gb(512GB)。
2017年，我们将看到SK海力士的第四代3D-V4，惊人的72层堆叠，还是TLC，其中**季度量产的单晶粒容量仍为256Gb，而第四季度翻番到512Gb(64GB)，这样封装闪存芯片的*高容量将达到8192Gb(1TB)。更重要的是，这一代闪存的区块尺寸将从9MB增大到13.5MB，有助于提升性能。
这意味着，其实只需要两颗芯片，就能造出2TB容量的单面M.2 SSD，而且成本更低，另一方面120/128GB等低容量产品可能会被基本放弃。
2016年8月三星电子(Samsung Electronics)宣布从第4季起量产64层3D NAND Flash存储器，东芝(Toshiba)也加速推动64层3D NAND Flash量产，全球半导体业界展开一场堆叠层数之战。
市调机构的资料显示，2015年到2020年NAND Flash资料储存规模年复合成长率(CAGR)将达44%，业者纷纷增加存储器堆叠层数，兆位元的超高容量时代即将来临。
SK海力士在产品策略上，选择跳过64层3D NAND Flash存储器，直接量产72层产品。但有业界人士批评，跳过64层直接生产72层3D NAND Flash存储器，不见得一定有更高的产品竞争力，各界不应太过重视堆叠层数目；在半导体制程上以2x、2y简称20纳米级技术，就是为了避免业者在制程进展过度竞争。
SK海力士目前已投入2.2兆韩元在韩国清州建设高科技半导体工厂，日前也进一步公开后续在韩国增建工厂的投资计划；SK海力士也表示将在大陆无锡工厂投入1兆韩元，扩大兴建无尘室及相关设备。
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