存储器大厂SK海力士(SK Hynix)正逐步将规模高达46兆韩元(约384亿美元)的中长期投资计划付诸实现，传闻2017年下半即将量产72层3D NAND Flash存储器，率先开启兆位元(TB)时代。
据韩国经济报导，26日外电及业界消息指出，SK海力士将在2017年1月正式量产48层3D NAND Flash存储器，72层产品也将在2017年上半完成研发，预定于2017年下半在京畿道利川工厂进行量产。
从堆叠层数与储存容量来看，若48层NAND Flash存储器可储存128GB，相同面积下的64层产品可储存256GB。
2016年8月三星电子(Samsung Electronics)宣布从第4季起量产64层3D NAND Flash存储器，东芝(Toshiba)也加速推动64层3D NAND Flash量产，全球半导体业界展开一场堆叠层数之战。
市调机构的资料显示，2015年到2020年NAND Flash资料储存规模年复合成长率(CAGR)将达44%，业者纷纷增加存储器堆叠层数，兆位元的超高容量时代即将来临。
SK海力士在产品策略上，选择跳过64层3D NAND Flash存储器，直接量产72层产品。
但有业界人士批评，跳过64层直接生产72层3D NAND Flash存储器，不见得一定有更高的产品竞争力，各界不应太过重视堆叠层数目；在半导体制程上以2x、2y简称20纳米级技术，就是为了避免业者在制程进展过度竞争。
SK海力士目前已投入2.2兆韩元在韩国清州建设高科技半导体工厂，日前也进一步公开后续在韩国增建工厂的投资计划；SK海力士也表示将在大陆无锡工厂投入1兆韩元，扩大兴建无尘室及相关设备。
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