以下是2302天前的记录
FLASH
1 2018年01月08日 星期一遭旺宏控告侵权 群联:遗憾并重申力挺东芝
钜亨网 (0)FLASH控制芯片厂群联采用搭载东芝闪存芯片的部分产品,18日遭台湾内存厂旺宏指控侵害**权,针对该诉讼案,群联对此指出,深表遗憾,并表示将力挺东芝,也会与东芝共同反击不当的侵权指控。 群联强调,合作伙伴东芝以多项优异**,对群联产品给予完全的**保护,公司将力挺东芝共同强力反击不当的侵权指控。群联在 FLASH 产业累积 17 年**能量,全球**布局完整,前瞻性**数量逾 1400 件,基于捍卫公司智慧财产权、维护员工及股东权益,任何企业产品一旦侵害公司**,也将予以回击,对不当的侵权指控零容忍。事实上,旺宏与东芝的侵权诉讼缘起于去年 3 月,旺宏向美国国际贸易委员会 (ITC) 与南加州法院提起诉讼,控告东芝与相关企业制造与贩售的产品,侵害旺宏 NAND 与 NOR FLASH **权。东芝随后也回击,在去年 10 月于台湾法院,控告旺宏侵害**权,11 月也向日本**特许厅,提出旺宏侵害**。而旺宏与东芝**战尚未有结果,战火持续延烧到供应商,旺宏今日向智慧财产法院针对群联提起诉讼,控告群联采用东芝产品,侵害旺宏**权。
今年DRAM产能增长10%;存储器大厂3D NAND良率升 NAND Flash恐过剩
达普芯片交易网 (0)据国际半导体产业协会(SEMI)*新指出,2017年全球半导体产值将首度突破4000亿美元的大关,而2018年仍会是乐观成长的一年,预估半导体产值将成长4%-8%,且2019年产值将可望挑战5000亿美元关口。SEMI台湾区产业研究**经理曾瑞榆表示,2017年是全球半导体产值破纪录的一年,年成长率达20%,主因是存储器强劲成长的带动,其中,DRAM产值年成长75%、储存型闪存产值(NAND Flash)年成长45%、其他IC产值年成长9%。三星、海力士、美光扩产 ,今年DRAM产能成长挑战10%DRAM和 NAND Flash是这两年全球半导体产业欣欣向荣的重要推手,尤其是在2017年全球半导体产值冲破4,000亿美元中,受DRAM涨价潮带动功不可没。据SEMI预估,在三星电子、SK海力士持续扩展DRAM产能下,2018年DRAM供给端产能可能成长10%,这会是较大的成长,然终端需求也急起直追,估计到2021年,DRAM年成长率上看30%。观察全球DRAM产业三大阵营三星、海力士、美光,其中三星、SK海力士两大韩系原厂在扩产脚步上加速,包括三星在南韩平泽(Pyeongtaek)的P1
美光与英特尔宣布将中止NAND Flash研发合作,影响性2020年显现
集微网 (0)集微网消息,美光与英特尔在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴关系将于完成第三代3D-NAND Flash(96层)开发之后终止,各自研发未来的NAND Flash技术,以符合双方品牌产品所需,并维持Lehi厂3D-XPoint的合作关系。针对该项消息,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,由于96层3D-NAND直到2019年才逐渐成为主流,分析美光与英特尔拆分结盟的决议要到2020年后才会影响双方产品的规划与结构。 DRAMeXchange表示,英特尔与美光之间的NAND Flash采购协议并未因此中止,短期内不会对双方产能的销售与分配上产生剧烈冲击。从产出端来看,后续英特尔将专注以大连厂产出供给服务器SSD之用,而美光则拥有新加坡两座3D-NAND Flash工厂产能,并搭配生产DRAM优势,具有弹性的策略发展及产品组合。此外,美光与英特尔尽管对NAND Flash的发展各有所需,双方仍会在3D XPoint的开发保持紧密合作,因此,也不排除未来在NAND Flash领域双方仍有合作的可能性。DRAMeXchange认为,美光与英特尔未来在独立开发NAND
【深度】国产SSD主控企业一览:技术、人才、资金三道坎
集微网 (0)1.国产SSD主控企业一览:技术、人才、资金三道坎;2.国内**硅光子工艺平台流片周期比国外快1倍;3.量子计算:一场接近“突破点”的竞逐;4.莫大康:中国存储器梦初探 集微网推出集成电路微信公共号:“天天IC”,重大新闻即时发布,天天IC、天天集微网,积微成著!扫描文末二维码添加关注。1.国产SSD主控企业一览:技术、人才、资金三道坎;集微网1月22日报道(记者 张轶群)作为固态硬盘(SSD)的重要组成部分,SSD主控扮演着重要角色。近年来,在国家大力发展集成电路产业,倡导自主可控信息**的背景下,存储产业中的国产替代将逐步走向深入,这为中国SSD主控产业的发展带来了机遇。机遇挑战并存近年来,SSD市场迎来高速发展期,增速以年均20%快速成长。预计在2021年,SSD的市场出货量将超过HDD,而在2017年,全球企业级SSD市场的收入已经超过HDD。有别于HDD发展时期,市场处于巨头垄断状态,中国市场几乎没有芯片、盘片厂商。在SSD时代,凭借自主**,中国厂商已具备一定的技术实力,加之国家的大力扶持,中国SSD主控企业有希望在全球SSD领域占据一席之地。在忆芯科技创始人沈飞看来,大概
去年NAND Flash市场TLC颗粒格外缺货,今年回稳
联合晚报 (0)存储器模组厂创见(2451)去年业绩小减,今年预计要重回成长轨道。由于该公司去年底有部分出货递延到本季,法人推估,创见本季不受工作天数较少的影响,表现有机会比去年第4季来得好。 创见去年第4季因为客户在年底调整库存,所以业绩呈现季减,去年营收209.64亿元,年减5.1%,前三季EPS为4.78元。法人认为,该公司去年第4季毛利率应当与第3季相当,但可能有部分汇损影响获利。去年NAND Flash市况供不应求,其中TLC颗粒供需格外吃紧,但工控产品大多采用SLC或MLC颗粒,受市场影响相对较小。如今NAND Flash市况开始有所回档,价格修正,据了解,有部分工控厂商逐渐开始采用TLC颗粒。创见日前也宣布,推出其全新2.5吋与M.2工业级固态硬碟(SSD),**将3D TLC NAND 快闪存储器导入嵌入式解决方案,主打传输效能直逼MLC平面2D快闪存储器,但价格却更具竞争力。创见去年工控相关业绩占比约四至五成,DRAM业务则占一至二成,另外消费性产品比重约超过一成,策略性产品也占近二成。随着今年NAND Flash市场变化,价格滑落可刺激需求,法人推估,该公司今年NAND Flash
以下是2399天前的记录
FLASH
2 2017年10月03日 星期二市场供需产生变化,近期 Nor Flash 市场价格恐开始松动
TechNews (0)近期编码型存储器(Nor Flash)因市场需求不减,价格依旧持续维持**。不过,目前大陆有新产能开出,加上新的解决方案应用,导致供需双方面都有变化的情况下,整体市场价格开始有松动倾向。 根据业界人士透露,近期 Nor Flash 价格松动,在供应面上,日前中芯国际拿出每月 1 万片的产能给兆易**使用,用以生产 Nor Flash 后,武汉新芯也可能因 NAND Flash 量产进度落后,所以将部分闲置产能也拿出来提供兆易**,使兆易**有比较多产能影响市场价格。另外,除了兆易**陆续在中芯国际与武汉新芯投片,增加产能之外,另一家晶圆代工厂上海华力微,据传也开始拿出约每月万片产能,招揽 Nor Flash 厂商到上海华力微投片生产。加上当前武汉新芯自制的低价 Nor Flash 产品也在中国市场抢单销售,使 Nor Flash 的市场价格开始有松动迹象。除了供应面,中国厂商持续有产能开出,以影响市场价格,需求面也因有新应用导致 Nor Flash 价格产生变化。市场人士指出,目前 Nor Flash 的供应大厂旺宏,长期合作伙伴任天堂(Nintendo)新游戏机 Switch 热销,
u-blox NB-IoT模块获Flashne采用
新电子 (0)优北罗(u-blox)近日宣布该公司的SARA-N2系列NB-IoT(LTE Cat NB1)模块,获得罗马尼亚的Flashnet采用,推出第���款窄频IoT(NB-IoT)联网智能路灯控制系统--inteliLIGHT。 此试验计划已经部署在希腊主要电信业者OTE集团,位于帕特雷(Patras)市的电信网络上。 Flashnet执行长Lorand Mozes表示,该公司认为这个产业已经做好采用NB-IoT的准备,归功于与u-blox的合作,我们成为提供坚固、并具备完整功能产品组合的供货商。 透过选用u-blox的SARA-N2模块,我们能在非常短的时间内将FRE-220NB系列NB-IoT连网照明设备推向市场,与既有的产品互补,并为客户提供更佳的选择。u-blox蜂巢式产品经理Samuele Falcomer表示,NB-IoT标准可望推动智能城市的快速进展。 与Flashnet合作把FRE-220NB系列照明设备控制器带到市场,充分展现SARA-N2系列模块可支持各种产业中,所有因NB-IoT连接技术而获益的各种应用。目前在全球已有数百个部署建置项目,InteliLIGHT智能路灯远程
台二线封测厂营运展望渐入佳境 车用电子NOR Flash需求热络
DIGITIMES (0)2017年台系半导体封测产业呈现营运逐季升温趋势,封测业者表示,在*大宗的移动通讯应用领域,由于iPhone新品姗姗来迟,加上台系IC设计大厂联发科等调整战略,以及整合面板触控IC(TDDI IC)等新品第4季量能才大增,能够守稳功率元件如MOSFET、PM IC、车用MCU、NOR Flash、DRAM、MEMS传感器、CMOS传感器的二线封测厂如欣铨、捷敏、华东、矽格、逸昌、菱生等,营运表现相对于一线业者更为突出,而台积电旗下精材、鸿海旗下讯芯,则是市场看好未来营运具有转机的潜力业者。半导体业者表示,专业IC测试厂欣铨在购并RF IC测试厂全智科后,综效已逐步显现,同时欣铨耕耘车用电子不遗余力,目前手握全球IDM大厂不少的测试订单,包括日本瑞萨电子、欧系德仪、英飞凌等,在车用电子领域斩获亮眼。由于先进驾驶辅助系统(ADAS)及未来自驾车需要更多的车用感测元件,车用MCU需求也同步看增,欣铨第3季营收已突破新台币20亿元,市场推估前3季获利可望追上2016年全年水准。不过,欣铨发言体系并不对财务预测做出评论。NOR Flash市况受到任天堂Switch可望大追单,加上OLED面板手机
扩产与淡季影响,2018年**季NAND Flash产业供过于求将致价格走跌
达普芯片交易网 (0)根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出,2018年**季在需求端面临到传统淡季的冲击,包含平板电脑、笔记本电脑以及以中国品牌为主的智能手机装置量需求将较2017年第四季下跌逾15%,而服务器需求相对持平,整体位元需求量较2017年第四季呈现0-5%下跌。另一方面,NAND Flash供货商仍持续提升3D-NAND Flash的产能及良率,位元产出成长亦较第四季高于5%,预期NAND Flash市场将进入供过于求态势,2018年**季固态硬盘、NAND Flash颗粒及wafer等合约价皆将翻转走跌。回顾2017年上半年,**季在供给端由于2D-NAND转往3D-NAND导致产能损失,加上中国手机厂商如Huawei、OPPO、vivo的强劲备货需求,加剧NAND Flash缺货状况,包含eMMC/UFS、Client SSD及Enterprise SSD合约价都有至少10%以上的价格涨幅。进入**季后,尽管工作天数恢复,促使笔记本电脑及平板电脑等装置的需求较前一季增加,但中国品牌手机表现不如预期,价格涨幅因此较前季趋缓。观察2017年下半年NAND Flash市场
东芝宣布兴建第 7 座 NAND Flash 工厂
TechNews (0)2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年,零售价格的暴涨带动了厂商的营收,同时还对获利有了巨大贡献。 所以,当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商,包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导,东芝就*新宣布,将拿出 70 亿日圆的金额,准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7),地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。 事实上,目前东芝的第 6 座工厂(Fab 6)正在建设当中,预计将于 2018 年第 4 季完工。 不过,面对市场的强烈需求,东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来。 因此,东芝在 21 日宣布,将投资 70 亿日圆用于 Fab7 厂的兴建,选址就位于日本四日市。 日前,东芝才就出售半导体业务一事已经和威腾电子握手言和,达成协议。 未来东芝需要威腾电子的数据提供,以使得 2018 年的新先进芯片生产线进行投产,以此竞争对手和三星、Intel、及 SK 海力士竞争。报导进一步指出,目前数据中心和企业服务器强劲 NAND Flash 闪存需求,已经促使东芝扩大在四日市的设备规模。 而且,其他 NAN
以下是2407天前的记录
FLASH
3 2017年09月25日 星期一重磅!韦尔股份终止并购OV,虞仁荣出任豪威董事
集微网 (0)1.重磅!韦尔股份终止并购OV,今日申请股票复牌;2.并购终止:韦尔董事长虞仁荣出任豪威董事;3.NORFLASH持续涨价,兆易**毛利和出货量将大增;4.半导体上行周期已至机构开挖产业金矿;5.机构密集调研科技类公司 富瀚微成为*受关注公司;6.完成停牌自查 国科微复牌炒作行情热度不减 集微网推出集成电路微信公共号:“天天IC”,重大新闻即时发布,天天IC、天天集微网,积微成著!长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.重磅!韦尔股份终止并购OV,今日申请股票复牌;集微网消息,韦尔股份拟并购北京豪威资产重组终止了!9月25日晚间,韦尔股份发布关于终止重大资产重组的公告。公告称,9月24日,韦尔股份召开了董事会会议,审议并通过了《关于公司终止重大资产重组事项的议案》,同意终止本次重大资产重组事项。其重组标的正是北京豪威。公告称,为了加强韦尔股份在国内外集成电路产业的布局,提升IC设计领域的核心竞争力,韦尔股份股票于今年6月5日起连续停牌,拟购买标的北京豪威,进行有协同效应的企业并购,加快产业**资源的有效整合。北京豪威的主营业务主要通过 OmniVision Techn
NORFLASH持续涨价,兆易**毛利和出货量将大增
集微网 (0)集微网消息,受益于全球存储器供需紧张、NorFlash涨价,兆易**收入和盈利大幅改善,当前正备货积极,普遍看好其市场。兆易**1Q17收入增速47%,2Q17收入增速40%,2Q17净利润同比增93%,毛利率受益于NorFlash涨价上升明显。在市场供需温的情况下,兆易**整体毛利率稳定维持27%上下,4Q16~2Q17全球存储器供需紧张,兆易**整体毛利率上升至41%。 分析师预测,NorFlash国产渗透的空间足够满足兆易**未来3年预测期出货量15%、20%和25%的成长。2011~2016年全球NorFlash市场虽在萎缩(2016年企稳,预计2017~2019重回增长),但大陆供应商的份额仍然十分有限。2016年其他公司NorFlash全球收入占比约7%,其中大部分则来自于兆易**。考虑到有限的市占率,预计2017~2019年兆易**NorFlash出货量仍然能够维持15%、20%和25%的增长。对于兆易创性而言,2017~2018年NorFlash业务*重要的假设和驱动力是单价,预计2017~2019年全球NorFlash单价增速分别为27%、10%和-10%。NorFl
硅晶圆、NOR Flash明年恐持续缺货
集微网 (0)集微网消息,半导体业今年缺货情况频传,包括硅晶圆、DRAM、NAND Flash与NOR Flash等产品今年都处于供不应求状态,业界预期,硅晶圆与NOR Flash明年将持续缺货。 随着车用电子高度成长,物联网蓬勃发展,应用不断扩大,系统产品内建容量也持续增加,带动需求成长,供应端产能却未同步增加,部分国外供货商甚至退出市场,使得半导体业出现罕见多项产品同时缺货的情况。半导体8寸与12寸硅晶圆今年即因缺货,价格同步调涨,台胜科预期,2017年至2022年硅晶圆市场需求年复合成长率可望达4.3%至5.4%,缺货情况至少可望延续到2019年。台胜科预期,明年8寸与12寸硅晶圆价格可望进一步调涨;其中,8寸硅晶圆在面板驱动IC、指纹识别芯片、电源管理芯片与传感器强劲需求驱动下,明年涨价幅度应可大于12寸硅晶圆。至于NOR Flash,华邦电指出,目前产能无法满足客户需求,希望明年中以前能满足客户需求。旺宏先前也预期,NOR Flash市场可望维持2年好光景,明年市场需求将持续热络,即便兆易**等纷纷扩产,但产品价格仍然有撑。DRAM与NAND Flash今年同步创下史上*长缺货纪录,内存控
NORFLASH持续涨价 兆易**毛利和出货量将大增
达普芯片交易网 (0)受益于全球存储器供需紧张、NorFlash涨价,兆易**收入和盈利大幅改善,当前正备货积极,普遍看好其市场。兆易**1Q17收入增速47%,2Q17收入增速40%,2Q17净利润同比增93%,毛利率受益于NorFlash涨价上升明显。在市场供需温的情况下,兆易**整体毛利率稳定维持27%上下,4Q16~2Q17全球存储器供需紧张,兆易**整体毛利率上升至41%。今年上半年,兆易**实现营业收入9.39亿元,同比增长43.29%;归属于上市公司股东的净利润1.79亿元,同比增长99.59%,半导体及元件行业平均净利润增长率为26.22%。上半年,兆易**持续推进先进工艺技术,NORFlash稳步推进45nmNORFlash产品研发,保持在NORFlash技术的业界**,为公司在高容量产品的市场扩大和产品竞争力做好技术储备;NANDFlash在原来量产产品的基础上,调试优化24nm技术产品并取得显著进展,为后续推出高容量和特性丰富的NAND产品线做好技术储备。今年以来,全球半导体产业供应链产能偏紧张,而需求增加明显,市场出现供不应求。兆易**凭借与外协厂商多年积累的良好协作关系,优化供应链
英特尔10纳米制程将优先生产3D NAND Flash
TechNews (0)之前,芯片大厂英特尔(英特尔)在中国举行的“**制造大会”上,正式向大家展示了藉由*新的10纳米制程技术所生产的晶圆,并且表示由10纳米制程技术所生产的Cannon Lake处理器将会在2017年年底之前开始量产。只是,现在有消息透露,首批进入到市场的英特尔 10纳米制程技术产品,将不会是大家期待的CPU,而是目前市场价格高涨的NAND Flash快闪存储器。根据业界人士透露,英特尔计划在自家*新的64层3D NAND Flash快闪存储器上使用*新的10纳米制程技术。至于为何在3D NAND Flash快闪存储器上首先使用新制程技社,很可能是因为NAND Flash快闪存储器的结构相对简单,基本上就是大量同类电晶体的堆积。相较之下,CPU处理器的架构就显得复杂多了。而就由使用新制程技术来生产,复杂性也是关系成功与否的重要风险之一,而这也是英特尔在14纳米制程、10纳米制程上屡屡延后推出的一项主要因素。而依照英特尔的说法,10纳米制程技术使用了FinFET(鳍式场效应电晶体)、Hyper Scaling(超缩微)技术,可将电晶体密度提升2.7倍,结果自然可以大大缩小芯片面积,对NAND
以下是2435天前的记录
FLASH
4 2017年08月28日 星期一NOR Flash再涨15% 旺宏华邦产能被抢光
联合新闻网 (0)编码型快闪存储器(NOR Flash)第4季合约价传再调涨15%,这是继第3季调涨10%~20%后,价格再向上推升,成为下半年涨势*凶猛的存储器。法人预估,NOR Flash下半年涨势强劲,台厂供应商旺宏、华邦电和晶豪科到年底的订单已全数被**一空,明年即使增加产能,仍将供不应求,不仅成为主要受惠厂商,且明年营运持续看增。法人*近出具报告指出,受智能手机导入AMOLED面板、触控IC及驱动IC整合单芯片及物联网三大新应用,带动NOR Flash强劲需求,加上美系二大供应商淡出市场的影响显现,NOR Flash第4季报价将再调涨15%%,涨幅与本季相近,凸显NOR型存储器供货短缺。存储器业者透露,美系二大厂淡出NOR Flash,专注高容量的车用和工规领域。因二大厂全球市占率高达37%,产能已陆续在上半年移转,让今年NOR芯片缺货无解。业者强调,因硅晶圆厂优先供货给逻辑芯片厂和DRAM和3D NAND Flash厂,导致大陆增产数量受阻,NOR Flash缺口下半年浮现,台厂旺宏、华邦电几乎已成全球系统厂锁定供货来源,其中华邦电产能几乎被苹果**一空,加上优先供应三星等一线手机厂,让NO
兆易**24nm NANDFlash进展显著,上半年净利润增幅100%
集微网 (0)集微网消息,中国集成电路产业在2017年上半年表现亮眼,保持快速增长,其中北京兆易**科技股份有限公司(以下简称“兆易**”)除了营收利润大涨外,产品线也有不错的进展。今年上半年,兆易**针对物联网(IoT)市场,推出了超低功耗的NORFlash产品;适用性广泛的1.65V~3.6V宽电源电压NORFlash产品实现量产;适用车载和高性能市场,支持DDR接口的高速度传输速率NORFlash研发成功并量产;同时增加对高容量产品的研发,自研的SLCNANDFlash实现量产。 8月27日,兆易**发布2017上半年财报,财报显示,上半年实现营业收入9.39亿元,同比增长43.29%;归属于上市公司股东的净利润1.79亿元,同比增长99.59%,半导体及元件行业平均净利润增长率为26.22%。报告期内,兆易**持续推进先进工艺技术,NORFlash稳步推进45nmNORFlash产品研发,保持在NORFlash技术的业界**,为公司在高容量产品的市场扩大和产品竞争力做好技术储备;NANDFlash在原来量产产品的基础上,调试优化24nm技术产品并取得显著进展,为后续推出高容量和特性丰富的NA
NOR Flash第四季度合约价传再涨15%
达普芯片交易网 (0)NORFlash第4季合约价传再调涨15%,这是继第3季调涨10%~20%后,价格再向上推升,成为下半年涨势*凶猛的内存。NORFlash下半年涨势强劲,旺宏、华邦电和晶豪科到年底的订单已全数被**一空,明年即使增加产能,仍将供不应求。华邦电产能几乎被苹果**一空,加上优先供应三星等一线手机厂,让NOR缺货持续延烧,推升第4季合约价持续大涨。受智能手机导入AMOLED面板、触控IC及驱动IC整合单芯片及物联网三大新应用,带动NORFlash强劲需求,加上美系二大供货商淡出市场的影响显现,NORFlash第4季报价将再调涨15%%,涨幅与本季相近,凸显NOR型内存供货短缺。这些新应用领域,每个都以上亿颗起跳,都让这项内存组件身价看涨。美系二大厂淡出NORFlash,专注高容量的车用和工规领域。因二大厂全球份额高达37%,产能已陆续在上半年移转,让今年NOR芯片缺货无解。NOR的新应用成长惊人,更让这波NOR型内存需求爆增。因苹果新手机将导入OLED面板,得搭载NOR芯片维持手机色彩饱和,预料明年三款手机会全数导入,加上非苹果也跟进,推估NOR内存芯片是上亿颗起跳,这也是目前旺宏、华邦电、
兆易**24nm NANDFlash进展显著 上半年净利润增幅100%
达普芯片交易网 (0)中国集成电路产业在2017年上半年表现亮眼,保持快速增长,其中北京兆易**科技股份有限公司(以下简称“兆易**”)除了营收利润大涨外,产品线也有不错的进展。今年上半年,兆易**针对物联网(IoT)市场,推出了超低功耗的NORFlash产品;适用性广泛的1.65V~3.6V宽电源电压NORFlash产品实现量产;适用车载和高性能市场,支持DDR接口的高速度传输速率NORFlash研发成功并量产;同时增加对高容量产品的研发,自研的SLCNANDFlash实现量产。8月27日,兆易**发布2017上半年财报,财报显示,上半年实现营业收入9.39亿元,同比增长43.29%;归属于上市公司股东的净利润1.79亿元,同比增长99.59%,半导体及元件行业平均净利润增长率为26.22%。报告期内,兆易**持续推进先进工艺技术,NORFlash稳步推进45nmNORFlash产品研发,保持在NORFlash技术的业界**,为公司在高容量产品的市场扩大和产品竞争力做好技术储备;NANDFlash在原来量产产品的基础上,调试优化24nm技术产品并取得显著进展,为后续推出高容量和特性丰富的NAND产品线做好
以下是2442天前的记录
FLASH
5 2017年08月21日 星期一Q2 NAND Flash品牌厂营收季成长8% Q3价格续扬
集邦科技 (0)集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,今年**季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响,即便处于传统NAND Flash的淡季,各产品线合约价平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手机与平板计算机内的eMMC/UFS以及SSD合约价仍持续小涨,2017年将是NAND Flash厂商营收表现成果丰硕的一年。DRAMeXchange**研究经理陈玠玮指出,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制,NAND Flash原厂纷纷转进垂直堆栈制程(3D/Vertical-NAND),但在转换期间所带来的产能损失,已持续造成整体供需失衡,进而使合约价持续上扬,预计今年整年仍将处于供不应求的状态,预期要到2018年随着各原厂在64/72层3D-NAND制程成熟后,才能缓解目前缺货局面。三星电子(Samsung)从各大NAND Flash原厂**季度营运表现来看,三星受惠于整体供需状况吃紧、高容量企业级固态硬盘的亮丽表现及整体产品配置的成功布局,**季营收较今年**季成长11.6%,达47亿美元。SK海力士(SK Hynix)**季度SK
KLA-Tencor宣布推出针对光学和EUV 空白光罩的FlashScanTM产品线
KLA-Tencor (0)KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*检测产品线。自从1978年公司推出**台检测系统以来,KLA-Tencor一直是图案光罩检测的主要供应商,新的FlashScan产品线宣告公司进入专用空白光罩的检验市场。光罩坯件制造商需要针对空白光罩的检测系统,用于工艺开发和批量生产过程中的缺陷检测,此外,光罩制造商(“光罩厂”)为了进行光罩原料检测,设备监控和进程控制也需要购买该检测系统。 FlashScan系统可以检查针对光学或极紫外(EUV)光刻的空白光罩。“先进的光刻技术从表征良好的空白光罩开始。” KLA-Tencor的光罩和宽带等离子晶圆检测部总经理熊亚霖博士指出,“无缺陷的EUV光罩坯件极难制造,这不仅推高了生产成本,也推延了EUV光刻可能带给新一代芯片制造的惠益。 我们全新的FlashScan空白光罩检测仪可以在裸基板,吸收膜和光阻涂层上捕获各种类型的缺陷。此外,对比目前市场上的其他系统, FlashScan系统具有更高的产量和灵敏度,这将缩短空白光罩制造商和光罩厂的学习周期时间。”利用KLA-Tencor晶圆缺陷检测系统的激光散射技术,FlashS
兆易**加强在中芯与华力微上投片,NOR Flash 涨势恐有阴霾
科技新报 (0)日前,由于受智能型手机 AMOLED 新增需求、触控 IC 及驱动 IC 整合单晶片带动的 NOR Flash 需求,加上全球 NOR Flash 每月投片约仅约 8.8 万片,高度客制化与产能不易扩张的影响下,根据全球市场研究调查机构 TrendForce 存储器储存研究(DRAMeXchange)日前研究报告指出,Nor Flash 供不应求的格局持续,而且预估 2017 年第 3 季 Nor Flash 价格将上涨两成。不过,之后这样的情况,在兆易**(Gigadevice)加强投片的情况下,恐怕将会有所改变。根据 DRAMeXchange 日前的研究指出,观察全球 NOR Flash 供给状况,目前全球两大供应商赛普拉斯半导体(Cypress)和美光 (Mircon),一方面在赛普拉斯确定逐步淡出 NOR Flash 市场,赛普拉斯半导体转向为专注在车用和工规的市场。另外,美光也将专注在 DRAM 的生产之后,逐步推出 NOR Flash 的市场经营,导致自 2016 年下半年以来,市场出现供不应求的现象。使得产品价格节节上扬,也进一步推升旺宏、华邦电以及兆易**的市占率。以目
Gartner:Flash、OLED屏幕恐缺货
工商时报 (0)在新兴市场对中阶智能机的需求拉升下,**季全球智能型手机对终端用户销售量总计约3.7亿支,年成长6.7%,展望下半年,Gartner预言,闪存和OLED屏幕缺货将影响**智能机供应,在各品牌上,看好三星今年销售量将增长,中国大陆品牌的强势则持续让智能机市场面临严峻挑战。 国际研究暨顾问机构Gartner表示,2017年**季全球智能型手机对终端用户销售量总计约3.7亿支,较去年**季成长6.7%,主要成长动能来自新兴市场对中价位(150-200美元)智能型手机需求上扬。今年**季所有类型的智能型手机销售量均较去年同期增长,但市场仍对零组件成本上扬与关键零组件供货受限有所忧虑,Gartner研究总监Anshul Gupta表示:「闪存(Flash)和OLED屏幕缺货将影响2017年下半年的**智能型手机供应,观察到目前华为P10手机已经受到闪存缺货的影响,而其他宏达电(2498)、 LG和Sony等规模较小的传统手机品牌,也已经受困在来势汹汹的中国大陆品牌,与**智能型手机霸主三星、苹果之间。 」 Gartner指出,历经连续三季下滑后,三星智能型手机在**季销量较去年同期成长7.5%,
以下是2459天前的记录
FLASH
6 2017年08月04日 星期五NAND Flash七月单位报价涨至3.5美元,月增13%
集微网 (0)集微网综合报道,据日经新闻报道,NAND Flash七月份每单位出货价格来到3.5美元,较前月成长13%。同期间,标准4GB DDR3存储器芯片价格上涨3%,成为每单位3.1美元。报导指出,存储器厂出货赶不上接单速度,订单完成率不及五成。 随着手机厂为年底销售旺季备战冲刺,存储器供需持续吃紧,涨势不停。在供需吃紧的状况下,存储器厂产能似乎优先服务手机客户,造成PC用存储器供给进一步受压缩。瑞穗证券分析师指出,存储器成本可能垫高终端产品价格,如苹果新iPhone**版售价预估将超过1000美元。韩国两大存储器厂三星与SK海力士,DRAM市占率合计近七成,将是存储器涨价的*大受惠者。三星日前公布**季半导体部门营利来到8.03兆韩圜,几乎是去年同期2.64兆韩圜的三倍。SK海力士同期间营利更是暴增573.7%,并改写历史新高。
你的设计为什么出问题?也许是嵌入式JTAG接口惹的祸
互联网 (0)通常所说的JTAG大致分两类,一类用于测试芯片的电气特性,检测芯片是否有问题;一类用于Debug;一般支持JTAG的CPU内都包含了这两个模块。一个含有JTAG Debug接口模块的CPU,只要时钟正常,就可以通过JTAG接口访问CPU的内部寄存器和挂在CPU总线上的设备,如FLASH,RAM,SOC(比如4510B,44Box,AT91M系列)内置模块的寄存器,象UART,TImers,GPIO等等的寄存器。上面说的只是JTAG接口所具备的能力,要使用这些功能,还需要软件的配合,具体实现的功能则由具体的软件决定。例如下载程序到RAM功能。了解SOC的都知道,要使用外接的RAM,需要参照SOC DataSheet的寄存器说明,设置RAM的基地址,总线宽度,访问速度等等。有的SOC则还需要Remap,才能正常工作。运行Firmware时,这些设置由Firmware的初始化程序完成。但如果使用JTAG接口,相关的寄存器可能还处在上电值,甚至时错误值,RAM不能正常工作,所以下载必然要失败。要正常使用,先要想办法设置RAM。在ADW中,可以在Console窗口通过Let 命令设置,在AXD中
iPhone 8拉货启动 NOR Flash**供应商华邦电业绩旺到明年
中时电子报 (0)存储器厂华邦电成功打进苹果iPhone 8供应链。根据苹果供应链业者透露,华邦电**供货的NOR Flash产品,与三星AMOLED面板共同搭配成手机面板模组,已于8月开始放量出货,并应用在苹果iPhone 8产品上,代表华邦电营运将可望一路畅旺到明年上半年。苹果新机iPhone 8从今年初以来就是市���上讨论的焦点,如今将可望于下月中上旬问世,市场预期,本次iPhone将推出三种款式,除了两种LCD面板规格之外,另一种就是大家引颈期盼的OLED版本。市场预期,OLED版本iPhone将预计在8月底开始生产验证测试阶段,并于9月中旬进入量产,量产进度优于法人预期时间,不过碍于OLED面板产能无法大量开出问题,因此必须等到今年第四季OLED款iPhone才可望大量产出,推估今年全年OLED版本出货量出货量将上看5,000万部水准。OLED版iPhone预计将有机会成为苹果有史以来*炙手可热的智能手机,因此可能推出后就一路缺货到年底,这波需求甚至有可能延续到明年**季,因此供应链也将可望一路畅旺到年底。业界人士指出,华邦电NOR Flash已于8月开始放量供货给三星,再由三星组装整合进AMO
首款Gbit MRAM芯片亮相!海力士量产14纳米TLC NAND Flash
集微网 (0)1.首款Gbit MRAM芯片亮相!;2.东芝芯片业务出售一波三折 谁能如愿以偿?;3.美光扩大研发中心规模 强化研发进入新领域;4.SK海力士量产14纳米TLC NAND Flash 打破平面16纳米*终迷思;5.大陆存储器封测需求大 矽品重返标准型DRAM;6.储存技术将改写监控产业资料处理方式 集微网推出集成电路微信公共号:“天天IC”,重大新闻即时发布,天天IC、天天集微网,积微成著!长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.首款Gbit MRAM芯片亮相!;新的1-Gbit MRAM芯片可作为非挥发性缓冲器与编写快取,*终在SSD与快闪存储器储存阵列中找到取代DRAM的出路…在日前举办的年度快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit;FMS)上,Everspin宣布开始出样Gbit MRAM芯片,并预计在今年投产采用其256Mbit芯片的1-2Gb加速卡。在FMS大会上发布这项消息,象征着在一个聚焦于主流NAND市场成长的活动中,有越来越多的持久型存储器开始出现显著进展。Everspin希望新的产品可作为非挥发性缓冲器与编写快取,*终得以在固态硬