凤凰卫视专访北京芯盈NOR flash嵌入式闪存技术

盛群推出新款工具调速器Flash MCU

盛群宣布推出新款工具调速器Flash MCU--HT45F3630，针对马达调速产品，如电钻、电动起子、割草机等相关应用。 该产品具备一组PWM高压及大电流输出脚位，能直接驱动与减少Power MOS开关损耗。其内建过电流保护(OCP)及侦测，能将讯号放大51倍，降低检测电阻值，提升整体效率延长工作时间，当过电流发生时，硬体可将PWM关闭，达到立即保护。此外，相较于传统方案，新产品可省去外接MOS驱动电路，减少外部零件及成本，同时OCP提供硬体快速保护功能，提高产品稳定性，提供16-pin SSOP封装，符合工业规格(-40°C～85°C)与高抗杂讯特性，适合工具调速器相关应用。盛群网址：www.holtek.com.tw

ROHM旗下LAPIS Semiconductor开发出NOR Flash存储器“MR29V12852B”

ROHM旗下LAPIS Semiconductor开发出非常适用于车载、工业设备的 高可靠性NOR Flash存储器“MR29V12852B”

ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司（蓝碧石半导体）开发出128Mbit NOR Flash存储器“MR29V12852B”，该产品非常适用于对品质有高要求的车载设备和工业设备的数据存储介质。Flash存储器根据存储数据的存储单元的排列形式不同而分为NAND型和NOR型两种。NAND型的特征是每比特的价格相对便宜，多用作手机、数码相机、数码音响等保存数字数据的存储介质；NOR型的特征是存储数据的可靠性高，多用作品质要求高的车载设备、工业设备等保存固件的存储介质。包括Flash存储器在内的非易失性存储器，毋庸置疑会有偶发数据错误的可能性。尤其在品质要求高的车载设备和工业设备中，为了系统的稳定工作，必须采取有效预防这种数据错误引发的程序误运行或误停止的措施。本LSI作为128Mb NOR Flash存储器，业界**内置纠错码电路和输出驱动能力调整电路，通过替换现有存储器，可轻松且以低成本实现系统上的数据错误对策。该产品非常适用于品质要求高的车载设备和工业设备，有助于系统的稳定工作和降低成本。现在，样品已开始出售，电路设计、测试程序设计、评估等Flash存储器开发在蓝

中国主要NAND Flash制造商的现状分析

紫光旗下同方国芯提出私募800亿元人民币的增资案，用于Flash产业，而同方本次增资规模已接近大基金规模6成，可看出推动Flash产业是高度资本集中。TrendForce旗下拓墣研究所相关报告将检视中国Flash产业现状(特别着重在Flash晶片制造业)的发展和机会。其中，小编在此为各位分享中国主要Flash晶圆制造商的现状。 （一）、武汉新芯 1. 产能状况 武汉新芯为专业Foundry厂商，主要生产NOR Flash和BSI CIS等技术，12寸晶圆月产能2.2万片；2014年NOR Flash和BSI产能规划各为每月1万片和1.2万片，目前月产能配置仍维持在2.2万片，在产品上更多Low Power Logic和NAND Flash。 2. 人力与研发支援 武汉新芯在研发团队的**力和执行力，得益于长期与中科院微电子研究所展开紧密的合作，在3D NAND项目，双方採用**合作模式，即将双方专家在研发专案和人力资源的管理上，透过企业平台合为一体，此模式将中科院微电子所深厚的理论背景，与武汉新芯丰富的制造和研发经验有机会相结合。 3. 国际合作与进展 在2014年中，武汉新芯成功将N

Flash与SAS硬碟价格2015年恐现死亡交叉

资料储存解决方案大厂NetApp表示，经由云端与Flash两股推力驱动，让近年IT基础架构进入新一波的转型期，其中2016年经由融合式基础架构(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系统工具应用性窜升，将让2016年成为IT的精简之年。 此外值得注意的是，TLC架构的Flash存储器借由需求性提升及单位成本快速下降，预期今年每GB的FLash价格也将较SAS硬碟更低，并让All Flash资料中心的将进入主流储存领域。观察今年企业对IT的需求，主要可观察三大主轴发展，其中由于融合式基础架构(Converged Infrastructure)将突破资料中心限制，并将繁琐的硬体整合工作减到*低，从而提高企业对市场等商业需求的反应速度，将让今年融合式基础架构可有更好的发展性出现。其次，为降低企业IT开发人员与营运团队间的磨合，DevOps工具方案应运而生，且因DevOps具备更佳讯息传达、协同合作、整合与自动化等优势，让其对企业组织的整合效率提升有所助益，同时可加速应用程式的交付速度，并缩短部属的时程，也让其预

NAND Flash竞合赛，陆国产主控芯片业看俏

2015年中国半导体业者在NAND Flash产业链相关的布局与投资逐渐加温。除了在晶圆制造端的布局外，由于主控晶片在整体NAND Flash产业占有战略地位，也成为下一波中国半导体业的焦点。 TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，中国国产主控晶片业者除直接销售晶片外，多半推出完整的固态硬碟解决方案直接切入市场应用。主要目标客户群多以企业级储存、政府机关与国防**规等原先合作关系密切，或是有投资关系的战略夥伴为主。产品开发则倾力下个世代即将成为主流的PCIe（特别是NVMe）。中国强力发展半导体与储存产业的方针已然确立的情况下，在资金、市场与产品面将受到关注，杨文得进一步指出，未来中国国产主控晶片产业与行业内公司的发展将呈现百花争鸣的态势，产品应用也有机会从企业级储存产品，向下延伸至消费性产品。就中国主要的主控晶片业者发展状况来看，已公开发行的杭州华澜微电子自去年起在中国资本市场的关注度开始提高。今年初成功收购桥接晶片厂商晶量半导体（Initio），补齐相关SATA、USB接口、SAS等相关产品布局，凭藉着自有开发的固态硬碟控制晶片和完整的

大陆NAND Flash冲 本土公司发光

2015年中国大陆半导体业者在NAND Flash产业链相关的布局与投资逐渐加温。除了在晶圆制造端的布局外，由于主控晶片在整体NAND Flash产业占有极大的战略地位，也成为下一波大陆半导体业值得关注的焦点。 集邦科技旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，大陆国产主控晶片业者除直接销售晶片外，多半推出完整的固态硬碟（SSD）解决方案以便直接切入市场应用。主要目标客户群多以企业级储存、政府机关、国防**规等原先合作关系密切或是有投资关系的战略夥伴为主，产品开发则倾力下个世代即将成为主流的PCIe规格产品。今后大陆强力发展半导体与储存产业的方针已然确立的情况下，在资金、市场与产品面将成为关注焦点。杨文得指出，未来几年大陆国产主控晶片产业与行业内公司的发展将呈现百花争鸣的态势，产品应用也有机会从企业级储存产品，向下延伸至消费性产品。目前大陆较受瞩目的NAND Flash主控晶片业者，包括杭州华澜微电子、山东华芯、湖南国科微电子、海思半导体等。已公开发行的杭州华澜微电子自去年起在大陆资本市场的关注度开始提高。今年初成功收购桥接晶片厂商晶量半导体（Initio），补齐

主流NAND Flash制程转进遇瓶颈 闪迪/美光/Intel怎么样了？

2015年第四季整体NAND Flash市况持续供过于求，除渠道颗粒合约价下滑9-10%外，智能手机、平板计算机与笔记本电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10-11%。 TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange*新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收环比衰退2.3%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash制程转进已遇到瓶颈，三星以外其他业者的3D-NAND Flash开发与生产过程均遇到良率不佳的问题，因此制程转进所带来的成本下滑效益逐渐缩减。2015年第四季不仅NAND Flash品牌商营收出现衰退，各家NAND Flash业者的营业利益率也较第三季明显下滑。三星电子三星电子为2015年第四季少数营收持续增长的厂商之一。受惠于3D-NAND Flash的进度**其他业者，在高容量的eMMC/eMCP与SSD也颇有斩获，三星电子第四季位元出货量环比增长约15%，平均销售单价下滑约10-15%，因此NAND Flash季

新金宝前进巴西　NAND Flash封装厂4月进入量产

为了协助各地客户就地生产需求，新金宝集团先前就展开了产线全球分散的布局规划，目前除了已经是在泰国与菲律宾投资规模*大的台资制造业者之外，也针对南美地区的市场需求，前往巴西当地设厂。 新金宝表示，与群联在巴西合资的NAND Flash封装厂即将于2016年3月底完工，预期5月之后可以逐步进入试产阶段。对此，新金宝指出，由于巴西当地法令规定，在市场上销售的产品须有一定程度在当地制造，例如固态硬碟(SSD)目前的在地制造的比重约为40%，而到2017年时，此一比重可望达到80%。巴西厂的设立，将可以满足相关需求。据了解，新金宝在巴西地区设厂已经有5年左右，先前巴西厂主要生产机上盒、硬碟、数据机、主机板等产品，不过由于智能型手机市场近年快速成长，为供应手持端产品的需求，因此与群联等伙伴合作于巴西马瑙斯免税区投资设立半导体封装厂，提供NAND Flash及eMMC(嵌入式快闪记忆卡)等产品封装，下半年进入量产后，将可协助客户进一步符合当地法令规范。新金宝指出，虽然巴西当地市场具有相当的成长潜力，不过由于关税与在地生产比重等法规的限制，让不少电子制造业者都选择前往巴西当地设厂，以符合在地生产比重限

Flash视频仅剩下6%份额 两年内将彻底消亡

曾经的网络视频和网页矢量动画格式Flash，逐步退出历史舞台已经是行业共识。日前业内一份报告指出，2015年Flash视频市占率跌了15个百分点，预计两年之内Flash媒体格式将会**消失，而这种技术死亡的时间，也比人们预期的要早一些。据美国科技新闻网站Mashable报道，Encoding.com网站(有关视频编码技术）*近发布了《2016年全球媒体格式报告》，报告称在2015年，Flash视频市占率下降了15个百分点。报告指出，Flash技术已经在依靠“生命支撑系统”维持生存，两年之内将会完全消失。目前Flash并未完全退出历史舞台，主要用于一些横幅显示广告和传统浏览器中。在2000年代，Flash曾经是风靡一时的网页矢量动画技术和网络视频格式，网民通过浏览器观看视频，首先需要下载Adobe公司的Flash播放器插件。Flash也成为制作动画广告的主流技术，市场上也出现了大量的Flash制作互动开发培训班。不过进入移动互联网之后，Flash逐步被边缘化。苹果当年的***乔布斯认为，Flash技术太过臃肿，消耗系统资源，并不适合在手机上使用。而在近些年，围绕Flash也爆出了大量的安

单片机FLASH与RAM、ROM的关系

单片机FLASH主要用作程序存贮器，就是替代以前的ROM，*大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写，目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大，擦写次数从1000~10万的都有，但存储时间可以保证40年，在选用时要注意。 还有一些廉价的单片机为了集成可掉电的数据存储器，没有选用价格昂贵的 EEPROM，而用FALSH来做的，但要注意其寿命*多就10万次，而且擦写不能字节擦写，这要注意使用的场合其寿命是否满足要求。RAM是数据存储器，跟计算机里面的内存差不多，主要是用来存放程序运行中的过程数据，掉电后就会丢失之前的数据，所以程序在上电时需要进行初始化，否则上电后的数据是一个随机数，可能导致程序崩溃。ROM就是���序存储器，掉电后数据不会丢失，但在程序运行过程中其数据不会改变。早期的单片机的ROM因为擦写修改麻烦，价格昂贵或者价格低廉的OTP 型无法修改数据等原因已经被现在的FLASH存储器替代了。因为FLASH的擦写很容易，现在的部分单片机支持在线内部编程，通过特定的程序执行方式可以修改FALSH的内容，而实现在线修改程序存储器。这与上面说的程序存储器的内容在运行的时候不可被改变是

Google预计2017年**终止Flash广告

力成Q1淡季 3月营收动能回升 Q2起逐季上扬

封测厂力成(6239-TW)今(2)日举行法说会，展望第1季，总经理洪嘉鍮指出，由于是产业淡季，PC、手机市场都不好，加上产业还在调节库存，因此营运会进入淡季，但力成还是乐观，预期营收可较去年同期2位数成长，3月营收动能就会明显升温，今年整体营收仍乐观看待，其中逻辑部分表现可望强势，估营运可逐季成长。 洪嘉鍮表示，第1季是产业淡季，加上库存仍续调整，因此营运动能修正，1月营收表现仍稳，估与12月持平，2月营收因工作天数不足，因此预估会明显修正，3月营运动能回升，可望向上反弹，今年估可逐季成长。洪嘉鍮指出，第1季DRAM产品线中，图向相关的动能较稳，行动记忆体、商品形与利基型都比较淡；FLASH部分，第1季手机相关emmc晶片需求也放缓，SSD则是3月可以回升，下半年更有一个大客户开始量产。相较记忆体与FLASH，逻辑相关第1季展望则相当正面，超丰1月营收不错，2月较淡，3月也会上扬，而力成高阶逻辑封测如覆晶封装(Flip Chip)的需求也会上扬，另外包含手机AP晶片以及电视晶片的需求，预期也会在3月开始回升。整体来看，洪嘉鍮表示，今年第1季营收虽然向下修正，但预期可较去年同期成长2位

中国NAND Flash产业蓬勃发展，国产主控芯片厂商成****

Feb. 22, 2016 ---- 2015年中国半导体厂商在NAND Flash产业链相关的布局与投资逐渐加温。除了在晶圆制造端的布局外，主控芯片得益于在整体NAND Flash产业极大的战略地位，也将成为下一波中国半导体业值得关注的焦点。 TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，在营运上中国国产主控芯片厂商除直接销售芯片外，多半推出完整的固态硬盘解决方案以便直接切入市场应用。主要目标客户群多以企业级存储、政府机关与国防**等原先合作关系密切，或是有投资关系的战略伙伴为主。产品开发则倾力下个世代即将成为主流的PCIe（特别是NVMe）。今后中国强力发展半导体与存储产业的方针已然确立的情况下，在资金、市场与产品面将成为关注焦点，杨文得进一步指出，未来中国国产主控芯片产业与行业内公司的发展将呈现百花争鸣的态势，产品应用也有机会从企业级存储产品，向下延伸至消费性产品。中国主要主控芯片厂商发展状况：已公开发行的杭州华澜微电子自去年起在中国资本市场的关注度开始提高。今年初成功收购桥接芯片厂商晶量半导体，补齐相关SATA、USB接口、SAS等相关产品布局，

落幕！Adobe鼓励使用HTML5取代Flash

中国下个并购标的：NAND Flash控制芯片

中国政府近来积极透过中资集团陆续收购或入资海外半导体公司，期建立自有半导体供应链。现阶段，逻辑晶片从设计、制造到封装测试皆已具雏型，反观记忆体领域则为主要发展缺口。资策会MIC认为，中资集团下一波购并目标将锁定NANDFlash控制晶片业者，并设法取得大规模制造产能，以补强记忆体产业发展。资策会MIC产业顾问兼主任洪春晖表示，中国近期积极透过购并，来改善半导体自制比例过低的情形，现今中国在本土逻辑IC设计、晶圆代工、逻辑IC封测等产业链上，已有一定程度的发展，上述领域皆具有本土厂商或已与外商进行合作，不过眼前在记忆体制造方面尚未有明显突破。洪春晖进一步解释，由于中国对记忆体的需求高，但又碍于缺乏该领域的技术，因此也急欲藉由购并与投资等方式，加速布局记忆体上下游供应链，譬如今年紫光集团便想收购美光(Micron)。资策会MIC关键零组件组**产业分析师兼组长施雅茹更指出，中国强力布局记忆体市场，其动作可以从紫光集团花了38亿美元入股 WD、购并SanDisk等案一窥端倪。同时，亦能观察到中国的政府基金，近期比较聚焦在NANDFlash，主要原因是由于NANDFlash后续的成长率要比DR

东芝传分拆 NAND Flash 事业，以便上市筹资、代工强化收益

被东芝（Toshiba）视为营运重建支柱的半导体部门新整编方案内容曝光，据悉东芝拟把在三重县四日市工厂进行生产的“NAND 型快闪记忆体（Flash Memory）”事业分拆出来，并考虑让其上市、筹措研发所需的巨额资金；另外，大分、岩手两县的工厂将藉由替其他厂商代工、来强化收益能力。报导指出，东芝将在 12 月 21 日公布以电视、PC 以及家电等事业为中心的合理化措施，可能将裁撤数千名员工，而半导体事业和核能、医疗用机器部门皆被东芝定位为核心事业，故东芝正急于回复半导体事业业绩。根据 DRAMeXchange 公布的资料显示，2015 年第三季三星电子 NAND 记忆体市占率为 31.5%，较去年同期下滑 1.1 个百分点；东芝上升 1.4 个百分点至 20.5%；Sandisk 成长 2 个百分点至 15.4%。东芝在爆发会计丑闻之后，于9月正式上路的新经营团队就大刀阔斧展开精简措施，继 10 月宣布将退出 CMOS 影像感测器以及白色 LED 市场之后，日前又传出东芝 PC 事业可能将和富士通、VAIO合 并，且东芝家电/电视事业可能*高将裁员 7，000 人。

苹果系统超Flash成2015年**漏洞重灾区

盛群推出新款Enhanced A/D Flash MCU

盛群宣布旗下Enhanced A/D Flash Type系列新增HT66F0182微控制器(MCU)，该产品为HT66F018精简版，以较精简的资源，但维持-40～85°C工作温度与高抗杂讯性能，为客户产品提供更佳的竞争力。适合应用于电器、工控或电池供电产品，例如电动牙刷、行动电源、电热水瓶、防潮箱、电茶炉、燃气警报器等。 此外，该产品系统资源为4Kx16 Flash Memory、128x8 RAM、8通道12-bit ADC、十八个I/O、10-bit PTM，以及STM各一组与Time Base。更重要的是采用20NSOP与16NSOP封装，因此大幅降低成本，对于不须用到HT66F018完整效能的产品，HT66F0182为更好的性价选择。盛群网址：www.holtek.com.tw

Flash被抛弃已成定局？360手机浏览器率先采用chrome内核

不久前，谷歌宣布自今年9月1日起，其Chrome浏览器将正式禁止在网页中的Flash广告内容的自动播放，业内媒体表示此举将成为加速Flash广告的消亡过程。无独有偶，360手机浏览器*新G5内核版也采用了chrome内核，意味着将停止对Flash的支持。360手机浏览器G5内核版在Chrome内核基础上进行研发优化，大大提高了网页载入和操作响应速度，在节省系统功耗方面也有一定提升。在使用360手机浏览器内核版本登录HTML5TEST测试页面中,在总分555分的情况下得分超过513分，大大优于之前版本，并**众多业内竞品。（360手机浏览器内核版HTML5TEST测试页面的得分）360手机浏览器内核版在性能方面进行了一系列优化，目标是通过降低浏览器的系统资源，来减少系统的电力损耗并提高执行效率。而作为优化的重要步骤之一，年老体衰的Flash成为**批被砍掉的功能，而在网页加载速度及资源占用方面更具优势的HTML5将成为其继任者。其他手机浏览器的平均得分360手机浏览器G5内核版，除了内核方面的升级和取消对Flash的支持之外，在UI方面也进行了部分改良，新版界面更加清新明快。此外，新版本

威睿资产买家 确定是英特尔；紫光收购WD股权中国聚焦Flash

1.威睿资产买家 确定是英特尔；2.清华紫光收购WD股权　中国聚焦Flash；3.PC市场衰退　芯片商能否扭转干坤？；4.联发科 Q3营收达标可期；5.台积电16nm 提早出货赛灵思；6.高通传第三版骁龙820跑分超A9 老杳推出个人微信公共平台，主推原创及重大突发事件分析，欢迎搜索公共号：laoyaoshow 或扫描以下二维码关注 1.威睿资产买家 确定是英特尔；（中央社新竹1日电）威盛旗下手机晶片厂威睿 5.台积电16nm 提早出货赛灵思；〔记者洪友芳／新竹报导〕美商赛灵思（Xilinx）昨宣布提早一季为���位客户出货业界首款16奈米制程的多重处理系统晶片（MPSoC），此款产品采用台积电（2330）16奈米鳍式场效电晶体强效版（16FF+）制程，市场预估16奈米制程占台积电营收比重将逐月增长。台積電16奈米鰭式場效電晶體強效版製程，獲美商賽靈思採用，市場預估16奈米製程佔台積電營收比重將逐月增長。（路透）台积电16奈米鳍式场效电晶体强效版制程，获美商赛灵思采用，市场预估16奈米制程占台积电营收比重将逐月增长。（路透）外资昨买超台积电近1.9万张，台积电扮演带台股往上攻的要角，一

0.11微米eFlash制程量产触控IC 联电抢到业界**

晶圆代工联电（2303）率先采用业界**个0.11微米eFlash制程量产触控IC，以8寸晶圆制造，采纯铝后段技术，有效降低一次性费用降低客户成本，因应次世代触控控制器及物联网应用产品制程需求。 联电表示，该技术于2012年底推出，为晶圆业界**个结合12V与纯铝后段(BEoL)制程，以因应次世代触控控制器及物联网应用产品的需求。在整合更高密度嵌入式快闪记忆体与SRAM，以便用于各尺寸触控萤幕产品的微控制器时，0.11微米制程可提供比0.18微米制程更小更快的逻辑元件，并可达到更高效能。联电市场行销处**处长黄克勤表示，触控面板已是现今电子产品主流的操作介面。联电触控平台解决方案其中重要特点，就是0.11微米eFlash解决方案，包含了可提供晶片设计公司的专有快闪记忆体macro设计服务。并藉由结合铝后段制程来提供*佳成本效益，服务高度竞争的触控IC市场。此外， 12V可满足现今更大尺寸触控萤幕，与浏览网页时在触控萤幕上悬浮触控(hover)应用的高信噪比需求。该技术与现今广泛采用的3.3V解决方案相比，信噪比可改善超过3倍，可驱动晶片设计公司创造新世代更先进的触控产品。联电目前有超过

联华电子（UMC）采用晶圆专工业界**个0.11微米eFlash制程，量产触控IC

联华电子日前宣布已采用0.11微米eFlash制程量产触控IC应用产品。此特殊技术*初于2012年底于联华电子推出，是为晶圆专工业界**个结合12V与纯铝后段(BEoL)制程，以因应次世代触控控制器及物联网应用产品的需求。在整合更高密度嵌入式闪存与SRAM，以便用于各尺寸触控屏幕产品的微控制器时，0.11微米制程可提供比0.18微米制程更小更快的逻辑组件，并可达到更高效能。联华电子市场营销处**处长黄克勤表示：「触控面板已是今日电子产品主流的操作接口。联华电子触控平台解决方案其中一项重要特点，就是我们的0.11微米eFlash解决方案，包含了可提供芯片设计公司的专有闪存macro设计服务。并藉由结合铝后段制程来提供*佳成本效益，服务高度竞争的触控IC市场。此外，就如本公司0.18微米eFlash制程一样，12V可满足今日更大尺寸触控屏幕，与浏览网页时在触控屏幕上悬浮触控(hover)应用的高信噪比需求。」 联华电子0.11微米触控IC平台与现今广泛采用的3.3V解决方案相比，信噪比可改善超过三倍，可驱动芯片设计公司创造新世代更先进的触控产品。联华电子拥有制造触控控制器IC的丰富经验，有

清华紫光成WD*大股东 Flash相关储存设备将成中国半导体业发展重心

2014年第四季NAND Flash品牌供货商营收季增2%，2015年**季将供过于求

原厂价格战暂歇，12月上旬NAND Flash合约价维持缓跌走势

TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究显示，美系厂商在季度末财报结算压力过后，不再采取积极价格战，使得原厂间战火稍缓。另一方面，因模组厂预期此波价格跌势将持续，再加上手中库存仍充足，大多倾向于月底再进行采购谈判，以争取更优惠的价格。12月上旬因交易气氛冷清，NAND Flash合约价呈持平或仅微幅下跌0-2%。DRAMeXchange**研究经理陈玠玮表示，在欧美圣诞节备货动能正式结束后，受到季节性因素影响，预期明年**季全球智能手机、平板电脑与PC的销售量，都会较上季衰退一成以上，造成系统OEM端客户对于eMMC、eMCP与SSD等订单需求持续疲软。而为了减轻产能去化压力，NAND Flash供货商对通路端模组客户的供货料也将增加。但在记忆卡与随身碟疲弱的销售情况无法改善下，模组厂倾向于采取保守的采购策略，以规避库存跌价的风险。陈玠玮指出，受到OEM与通路端客户整体需求明显下滑影响，预期NAND Flash合约价格走跌的趋势将延续到明年**季。

12月上旬NAND Flash合约价跌幅2%内

TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究显示，美系厂商在第三季季底财报结算压力过后，不再采取积极价格战，使得原厂间战火稍缓。另一方面，因模组厂预期此波价格跌势将持续，再加上手中库存仍充足下，大多倾向12**底再进行采购谈判，以争取更优惠的价格。因此，12月上旬因交易气氛冷清，NAND Flash合约价呈持平或仅微幅下跌0-2%。DRAMeXchange**研究经理陈玠玮表示，在欧美圣诞节备货动能正式结束后，受到季节性因素影响，预期明(2015)年**季全球智慧型手机、平板电脑与PC的销售量，皆会较上季衰退一成以上之幅度，造成系统OEM端客户对于eMMC、eMCP与SSD等订单需求持续疲软。另外，NAND Flash供应商为了减轻产能去化压力，对通路端模组客户的供货料也将增加。但目前记忆卡与随身碟疲弱的销售情况无法改善下，模组厂倾向采取保守的采购策略，以规避库存跌价风险。陈玠玮表示，受到OEM与通路端客户整体需求下滑影响，预期NAND Flash合约价格走跌的趋势将延续到明年**季。

美光携手华邦电，攻物联网NOR Flash商机

美国记忆体大厂美光(Micron)宣布，与记忆体厂商华邦电 (2344)拟进一步合作开发新一代超高速序列式编码型快闪记忆体 (Serial NOR Flash )，抢攻汽车电子、穿戴装置，以及智慧家庭等物联网应用商机，预计明(2015)年1月就会开始送样认证1GB晶片。 据了解，美光日前宣布与华邦电结盟，双方将开发新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash产品线；双方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比现有序列式NOR Flash具更好的性能。美光已于12月推出256MB及512MB 容量晶片，预计于明年1月进一步推出1GB晶片并进行送样。

淡季影响销售，NAND Flash供应商Q1將供过于求

根据TrendForce(集邦)旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange*新报告显示，2014年第四季NAND Flash市况虽依旧维持健康水平，但在三星电子、东芝与晟碟各自面临价格与产销端的压力影响营收及第三季呈现微幅衰退的情况下，品牌供货商营收仅较第三季成长2%至87.5亿美元。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，因需求端面临淡季效应，2015年**季整体市况将转为供过于求，在价格滑落幅度趋于明显的情况下，业者将借由加速先进制程的转进，改善成本架构，以减低价格跌幅的冲击。三星电子三星电子第四季NAND Flash位出货量较上季成长5%，平均销售单价季衰退近10%，营收则微幅季衰退4.2%。2015年**季位出货量虽受需求端淡季效应的冲击，将持续仅个位数的成长，但因固态硬盘业绩成长，加上3D-NAND Flash逐渐成熟，三星电子整年度的位出货成长可望超过产业平均的35-40%。三星电子今年重点将放在扩张固态硬盘市占率。企业级固态硬盘的进展将持续带给龙头英特尔极大威胁，而PC端的固态硬盘市场则随着TLC-SSD的市占率逐步攀升及笔记本电脑固态硬盘渗透率的提升，而展现出强劲

Holtek针对LCD/LED小家电产品应用推出 Flash MCU HT66F004

Holtek针对LCD/LED小家电产品应用领域，再度推出小型封装与*佳性价比的Cost-Effective Flash MCU HT66F004。其中所内建的一个12-bit ADC功能与HT66F002、HT66F003一样，都可以选择Bandgap做为ADC参考电位，这意味MCU即使在不同的工作电压与温度情况下，都能够提供12-bit ADC**而且稳定的参考电位，非常适合于以电池供电为主的应用。另外，**的ESD/ EFT防护能力，使用在AC电源为主的应用环境也非常合适。此系列产品具有2Kx15 Flash程序内存、SRAM为98 Bytes、内建32 Bytes Data EEPROM、Data EEPROM可于生产过程或成品运作中储存调校或运作所需参数与数据，不因电源关闭而消失，可以有效提高生产效能与产品弹性。工作电压2.2V~5.5V、快速12-bit x 8通道ADC、I/O 18个、I/O功能复用及极大化。Timer Module 2组，可实现Compare、Capture、Timer/Event counter、Single Pulse Output与PWM 5种模

HOLTEK新推出HT45F5Q充电器Flash MCU

Holtek针对充电器领域，推出了A/D Flash MCU HT45F5Q，与传统应用相比，除了提升MCU资源外，同时新增充电器管理模块单元，方便MCU对充电器进行定电压(CV)以及定电流(CC)充电控制，**保护机制除了MCU自带LVD、LVR功能外，同时俱备硬件过电压保护(OVP)与过电流(OCP)保护功能，当侦测到电压或电流异常时立即保护，避免造成充电器或电池损坏。HT45F5Q具备2Kx14 Flash Program ROM、64 Byte Data RAM、32 Byte Data EEPROM、内建精准RC Oscillator (HIRC 8MHz)，4信道12-bit ADC用于电压、电流及温度检测、1组10-bit STM除了可设定成计时功能外，也可设定成PWM输出进行风扇调速，LVD与LVR用于侦测系统电压，避免过低的工作电压造成不稳定，OCP、OVP硬件保护可由外部电阻进行参数调整。传统的反驰式(Flyback)架构充电器电路，MCU需要外接运算放大器(OPA)、比较器(CMP)以及TL431等组件进行充电控制，HT45F5Q整合了上述功能，大幅减少外加组件，

HOLTEK新推出HT45FH4J紧急照明灯Flash MCU

Holtek针对紧急照明灯(Emergency Light)领域，推出Flash MCU HT45FH4J，与传统MCU资源相比，HT45FH4J除了俱备更多资源及脚位外，同时内建5V LDO、LED以及Buzzer驱动等功能，除了省去外接零件，同时能降底生产BOM Cost以及PCB Size。HT45FH4J具备2Kx16 Flash Program ROM、128 Byte Data RAM、64 Byte Data EEPROM、内建LDO输入电压*高为12V，输出5V/50mA，足已提供给内部MCU及外部电路所需的电流、内建3组精准RC Oscillator (HIRC 12/16/20MHz)，6通道12-bit ADC、3个10-bit PTM，其中1组支持互补式2路PWM输出，可用在DC to DC升压及降压等应用、1组过电流保护电路(OCP)、LVD与LVR用于侦测系统电压，若系统电压低于LVR值时系统将产生重置，以避免系统工作电压低于操作电压可能造成不稳定状态。在传统紧急照明灯电路中，MCU必需额外使用晶体管驱动LED、蜂鸣器以及升降压电路，而HT45FH4J强大的

HOLTEK新推出BS83A02A-4针对小体积应用的触控Flash MCU

Holtek新一代触控MCU BS83xxxA系列，新增BS83A02A-4型号，此型号具有BS83xxxA系列的特性，如省电、高触控侦测更新率及抗电源干扰能力佳等优点。BS83A02A-4提供2个触控按键，两个I/O，LVR固定为2.1V，适合以电池为电源的应用，例如：遥控器，电子表，行动电源等产品，此外，因具有抗电源干扰的能力佳的特性，亦适合使用市电的应用，例如：台灯、烘碗机、壁灯开关、果汁机、排油烟机、电高压锅、**柜、智能型冰箱等产品。提供体积极小的6-pin SOT23-6封装，适用于面积极小化的产品。Holtek还同时提供软硬件功能齐全的发展系统，包含软件HT-IDE3000与硬件仿真器(e-Link搭配专用OCDS架构MCU)，可以执行程序追踪与分析等功能。其刻录器(e-WriterPro)并提供ICP (In-Circuit Programming)功能方便程序开发与更新，Holtek并提供各种应用指南，让用户更快速、更有效率的发展程序，以进行产品的开发。

2015年NAND Flash产业持续向上，产值成长超过10%

TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示， NAND Flash成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如SSD与eMMC等需求则持续成长，2015年NAND Flash产值将较2014年成长12%，达276亿美元。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，由于终端产品出货与新机上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新产品刺激市场，受淡季效应影响情况将较为显著，因此DRAMeXchange预估2015年NAND Flash市况将呈现上冷下热的格局，也就是上半年会出现供过于求，下半年则随着需求回温转为供需平衡甚至小幅供不应求的情形，但整体而言2015年NAND Flash产业稳定向上成长的趋势维持不变。供给端重心在制程转进、3D NAND Flash的开发与TLC产品应用扩张2015年NAND Flash产业将进入****。由于各家业者不约而同的尽量降低产能增加速度，因此2015年预估总晶圆投片量(12吋约当)的增加幅度只有8%的年成长，供给端重心将会放在半导体制程微缩*后一个世代15/16纳米的制程转进、3D-NAND Flash的开发时程以及

提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命的方法

DDR4、NAND Flash存储器芯片发展趋势

盛群推出适合AC电源应用的Flash MCU

盛群(Holtek)推出具备小型封装与理想性价比的Cost-Effective快闪记忆体微控制器(Flash MCU)，分别为类比/数位(A/D)型的HT66F002/003，与输入输出(I/O)型的HT68F002/003。HT66F002/003内建的一个12Bit类比数位转换器(ADC)可以选择Bandgap做为ADC参考电位，这意味MCU即使在不同的工作电压与温度情况下，都能够提供12Bit ADC**而且稳定的参考电位，非常适合于以电池供电为主的应用。另外，**的供电静电放电(ESD)/电气快速暂态脉冲测试(EFT)防护能力，使用在交流(AC)电源为主的应用环境也非常合适。此系列产品具有1Kx14 Flash程式记忆体、静态随机存取记忆体(SRAM)为64 Bytes、内建32 Bytes Data电子式可**程式化唯读记忆体(EEPROM)、Data EEPROM可于生产过程或成品运作中储存调校或运作所需参数与资料，不因电源关闭而消失，可以有效提高生产效能与产品弹性。新产品的工作电压2.2～5.5伏特(V)、快速12Bit ADC、I/O八到十四个、I/O功能复用及极大化。

NAND Flash厂Q4产能大火并

Holtek新增两款A/D Flash MCU

Holtek Enhanced A/D Flash Type MCU系列新增HT66F0175、HT66F0185，此两颗MCU为HT66F0174、HT66F018的延伸产品，提供较丰富的系统资源，符合工业上-40°C ~ 85°C工作温度与高抗噪声之性能要求，而内建的LED / LCD Driver更俱备4段电流输出控制，可直推LED / LCD不须外挂限流电阻或三极管，大幅简化产品应用零件及降低成本，非常适合应用于各式俱备LED / LCD家电产品。本系列MCU的系统资源为2K / 4K Word Flash程序内存，SRAM 128 / 256 Bytes、64 / 128 Byte EEPROM及8 Level Stack等核心规格;同时兼具实用的外围电路，如多功能Timer Module、12-bit ADC、比较器、外部中断、SPI、I2C及UART接口，内部及外部高精准振荡器等。本系列MCU，除可单独使用外，配合通讯接口，更可与各种主控IC共同构成一个系统，其多样化之功能，让客户可以很轻易应用在多种不同小家电面板产品上。Holtek同时提供软硬件功能齐全的发展系统e-L

六月上旬NAND Flash合约价上涨2-4% 第三季可望续上涨

市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange*新调查显示，近期各家智能型手机大厂备货力道明显升温，加上NAND Flash厂商加速转进新制程导致供货缩减，6月上旬NAND Flash合约价上涨2-4%。展望第三季，由于苹果新产品与中国智能型手机市场需求佳，而SSD产品也将进入传统旺季下，DRAMeXchange预估合约价续涨机率高。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，下半年除了三星西安厂有少量新产能增加外，其他NAND Flash厂商皆暂缓产能扩张。海力士**季在产能回到去年无锡火灾前正常水位后，下半年倾向维持现况;美光在完成新加坡Fab 7厂DRAM转进NAND Flash后，也暂时无新增产能的计划;而东芝则会在第四季开始第五半导体工厂**阶段的设备移入，2015年才有小量试产的计划。杨文得表示，下半年产出成长多来自于1z奈米的制程转进，然而此制程困难度较高，加上产品良率与性能需要时间来提升，因此第三季与第四季的产出增加率分别仅有10%与9%的季成长，DRAMeXchange下修2014年产出成长率至36%。另一方面，第三季初发表的新款iPhon

3D NAND Flash自主控制芯片成砝码 竞争格局不会“一家独大”

受惠智能手机、平板电脑和企业级SSD应用的强劲成长，2013年NAND Flash需求年增长率高达46%。从制程转进的步伐来看，2013年，2X纳米与1X纳米仍是NAND Flash的主流制程，不过随着NAND Flash制程微缩逐渐逼近物理极限，各企业已经开发出3D NAND Flash来突破单位面积存储容量的限制，在三星、东芝和美光等厂商的**下，其他阵营也已加速3D NAND Flash的开发进度。目前，三星电子已经开始生产“V-NAND”，东芝与SanDisk已经发力“BiCS”，SK海力士与美光、英特尔阵营也明确宣告各自3D NAND Flash的蓝图将接棒16纳米。集邦科技杨文得告诉记者，每种3D技术都会有各自的**，三星快于其他厂商的原因，在于自己能够生产控制芯片。在开发NAND Flash的同时，控制芯片也同步开发，二者在时间上可保持同步，同时，由于整个进程都在同一家公司内部完成，既可缩短沟通时间，也可提升故障解决的效率。所以杨文得认为，未来闪存的竞争不只是NAND Flash的生产，更是靠控制芯片的搭配。东芝、闪迪和海力士，也意识到自主开发主控芯片，能提升成品推出的效

HOLTEK推出BS82D20A-3*新一代Flash触控单片机

继BS82C16A-3之后，Holtek再度推出新一代内建LED/LCD Driver的Flash触控MCU BS82D20A-3，支持高达20个触控按键，除了保有上一代的优点之外还比上一代触控MCU更省电、触控侦测的更新率更高，并且抗干扰的能力更好，而内建的LED/LCD Driver更俱备4段电流输出控制，可直推LED/LCD不须外挂限流电阻或三极管，大幅简化产品应用零件及降低成本，非常适合于俱备LED/LCD的小家电触控面板应用，BS82D20A-3同时也支持I²C/UART界面，可当主控IC亦可搭配主控MCU专门负责触控按键的侦测或LED/LCD的显示。BS82D20A-3的特点在于工规 (-40℃ ~ 85℃)，工作电压2.7V~5.5V、具有更大8K Words程序内存、SRAM也扩增为768 Bytes、内建RTC功能、触摸按键与I/O功能复用、支持I²C/UART传输界面，并内建高精准度RC振荡器，LVR固定为2.55V，适合应用于含有LED/LCD 面板之触控小家电产品，例如：电冰箱、电饭煲、电磁炉、电茶炉、抽油烟机、微波炉等。在产品开发阶段还提供了e-Link搭配专

S3C6410和CR95HF的RFID读卡系统设计

摘要：针对目前***主频低、速度慢、便携性差等不足，提出了一种基于S3C6410的RFID读卡系统设计方案。本文以高性能的S3C6410嵌入式微处理器为核心，选用新型的CR95HF射频芯片，开发设计了一款高主频的搭载Android嵌入式系统的新型手持式RFID***。该***工作在高频13.56 MHz，支持ISO14443、ISO15693等多种协议。实验证明，该***能对符合协议的标签进行读写操作，读写距离能够满足需要，具有便携、稳定性高、处理速度快等特点。引言射频识别(RFID)是一种新兴的通过射频载波来发现目标和进行无线数据交换的识别与跟踪技术。RFID与其他技术相比，具有识别速度快、抗干扰能力强、**性高、非接触等优点。因此该技术已广泛应用于门禁系统、物流配送、校园卡等多种日常生活，作力物联网关键技术，未来的发展潜力巨大。但是现有的***普遍存在主频低、处理速度慢、便携性差等缺点，难以满足日益发展的使用需求。针对这些不足，本文基于高主频、性能强悍的S3C6410嵌入式微处理器，选用新型的CR95HF射频芯片，开发设计了一款工作在高频13.56 MHz的手持式RFID***，同

2015年NAND Flash市场规模将达266亿美元 年成长9%

TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange*新调查显示，由于智能型手机、平板计算机等行动装置需求稳健成长，固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加，而物联网应用也将逐渐导入NAND Flash，2015年NAND Flash整体产业规模将提升至266亿美元，年成长9%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，2014年NAND Flash需求位成长率为36%，在更多元化的产品开始导入NAND Flash的挹注下，2015年的需求位成长率将依旧有35%。市场趋势观察的重点为：1.)随着智能型手机与平板计算机逐渐进入成熟期，出货动能趋缓，固态硬盘(SSD)的应用将成为下一波成长动能。现阶段SSD渗透率在性能与效率要求较高的商务用笔记本电脑与高阶消费型机种的应用较广，2015年可望向下扩大至中阶主流机种与低阶产品线;而企业型固态硬盘的应用则是随着云端运算的高度成长而呈现欣欣向荣的局面。DRAMeXchange预估2015年固态硬盘的NAND Flash用量年成长将逼近80%，至于在NAND Flash的消耗量占比也将从2014年的25%提升至2015年的35