大陆半导体厂武汉新芯将在月底前进行新内存晶圆厂动土，市场传出武汉新芯将兴建新DRAM厂，对国内DRAM厂南亚科、华邦电等将造成冲击。不过，市调机构集邦科技昨日指出，武汉新芯主攻NAND Flash市场，新厂在2018年量产后，将以生产3D-NAND Flash为主。
集邦表示，武汉新芯新建内存晶圆厂将从3月底开始进行建厂工程，目标*快在2018年年初开始生内存芯片，初期规划将以目前*先进的3D-NAND Flash为主要策略产品，代表了近两年来中国极力发展内存产业的态势下，将开始进入新的里程碑。
集邦科技旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得指出，现阶段武汉新芯主要以生产NOR Flash为主，月产能约为2万片左右，在NAND Flash产业也展现强大的企图心。
不同于国际NAND Flash大厂均自行建厂及生产，没有对外授权，武汉新芯选择与飞索半导体（Spansion）共同合作开发3D-NAND Flash技术，并在去年完成初期芯片电气测试后，持续往更高的堆栈数迈进，目标2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的产品，来切入高成长性的NAND Flash存储产业，也透过尽早导入新技术的方式，缩短与现今国际NAND Flash大厂的差距。
武汉新芯规画的新厂产能为长期20万片，产能的提升比需要伴随未来技术开发的成熟，生产的稳定。20万片为长期的*终计划，非短期能达成，比较明显的产出提升应该在5～10年之后。
杨文得表示，英特尔大连厂将从今年第4季加入生产行列，来自大陆生产的NAND Flash晶圆将占全球的8%，2017年第3季前可超过10%，显示大陆发展NAND Flash的积极度也让国际大厂加速布局脚步。
来源：中时电子报
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