TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange *新调查报告显示，第三季 NAND Flash 价格下滑速度加快，整体营收仅较**季成长约 2.4%。DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，第三季原先看好的旺季效应需求并未出现，来自于总体经济面的杂音让各种 NAND Flash 终端需求销售不如预期，也让第三季整体 NAND Flash 市场呈现供过于求的格局，价格下滑的力道加强也让业者营收成长与利润保卫也面临挑战，第四季供过于求的情况将持续，营收再度成长的动能也备受考验。

三星电子（Samsung）

受到系统产品和零售记忆卡碟市场需求不振，让平均销售单价下滑幅度扩大的情况下，虽然位元出货量较**季成长约 15%，三星第三季 NAND Flash 营收依旧微幅衰退 1%，至 26.8 亿美元，营业利益率也较**季下滑。产品策略上，由于三星在 3D-NAND Flash 相关应用的固态硬碟（SSD）以及 16 奈米的 eMMC/eMCP 产品线均布局完整，因此重点都摆在高容量的 SSD 与 eMMC / eMCP 产品推广与销售，来拉开其他业者的距离。

东芝电子（Toshiba）

东芝电子 15 奈米产出比重在第三季突破 50%，15 奈米 TLC 的 Mobile-NAND 在主要策略客户的新款智慧型手机上市后拉货态度积极，再加上 SSD 产品也陆续完成在伺服器与电脑业者的认证出货，让第三季东芝 NAND Flash 营收较**季成长 10%。在制程与投片计画上，**半导体厂的机台设备已开始移入并进入试产的阶段，2016 年**季起可开始小量生产 3D-NAND Flash，而原先第五半导体厂依旧生产主力制程的 15 奈米 MLC 与 TLC 颗粒和更新制程 3D-NAND Flash 的试产线。

晟碟（SanDisk）

新款智慧型手机上市的铺货潮，带动嵌入式产品拉货态势积极，虽平均销售单价下滑 22%，晟碟第三季位元销售仍较**季大幅成长 49%。单位成本部份亦下滑 24%，除了让第三季 NAND 产品营收成长 18% 至 13.1 亿美元外，毛利率也从**季的 39% 成长至 42%，结束连续三季下滑的局面。制程规划上，15 奈米产出比重在第三季接近 60%，2015 年晟碟的位元产出成长率也接近 40-45% 的区间，然而在 3D-NAND 产品流程时间的影响以及扩产有限的情况下，晟碟 2016 年位元产出成长率将小于产业平均。

SK 海力士（SK Hynix）

受到第三季 NAND Flash 市况不佳的影响以及 TLC 产出比重快速攀升的影响，平均销售单价下滑 15%，让第三季海力士营收较**季下滑 4.7% 至 9.27 亿美元，位元出货量则是大幅成长 15%。产品组合上，SSD 与嵌入式产品占比已接近 90%。产品开发进度方面，策略客户的新款智慧型手机在第三季上市后需求增温，16nm 的 TLC 颗粒出货力道也稳健向上，因此 TLC 产出比重在年底将达到 40%。而 TLC 的产品也陆续通过模组厂的认证，下季起也将放量出货，应用在随身碟与 SSD 等项目。

美光（Micron）

美光 2015 会计年度第四季（6-8 月）产品组合调整的过程依旧持续，这个季度位元出货量较上季下滑 6%，同时平均销售单价与单位成本也微幅下滑 1%，NAND Flash 营收为 11.8 亿美元，SBU（Storage Business Unit）的营业利益率也约略较上季下滑。产品面上，美光持续开发更多的企业级固态硬碟（Enterprise-SSD）与用户级固态硬碟（Client-SSD）产品线，TLC 也完成了在几个策略合作的模组厂的认证，下季可开始量产出货，TLC 产出比重在明年上半年可达到 20%。在制程规划上，3D-NAND Flash 的制程转进速度加快，明年新加坡新厂机台设备的移入时间点依旧，而 3D-NAND Flash 的产出比重在下半年快速攀升，有机会超过 30%。

英特尔（Intel）

由于主要策略客户提前至**季拉货以及平均销售单价下滑速度加快的影响，第三季英特尔的营收较**季微幅衰退 0.3%，至 6.63 亿美元。产能规划上，除了持续与美光加深采购的关系外，原先英特尔在大连的逻辑 IC 工厂也将转型生产 3D-NAND Flash，成为在**家 NAND Flash 原厂在中国投资的 NAND Flash 晶圆厂，未来将瞄准各项 SSD 的相关商机。