东芝分拆半导体业务以提升NAND Flash竞争力

TrendForce记忆体储存研究（DRAMeXchange）*新调查显示，东芝（Toshiba）为提升半导体业务竞争力，已正式宣布将在2017年3月31日前将完成分拆记忆体业务。预期分拆出来的新公司将有更多经营弹性及更佳的筹资能力，长期而言对东芝／威腾电子阵营在NAND Flash产能提升、产品开发均有所帮助。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示，东芝公司这一做法，一方面为的是应付日渐沉重的产业竞争环境，另一方面是为纾解经营压力，并满足筹措营运资金的需求。从产业结构来看，DRAMeXchange统计，在全球NAND Flash产出比重上，三星市占率约为36%，东芝／威腾阵营合计约35%，美光／英特尔阵营则为17%，海力士为12%。其中三星、美光和海力士均拥有DRAM以及NAND Flash，在记忆体布局上更具有策略纵深，但东芝／威腾阵营仅有NAND Flash，在面对变化波动甚大及高投资金额特性的记忆体产业时，所面临的挑战更为严峻。另一方面，从财务角度观察，东芝半导体（记忆体部分）营收占整体东芝公司仅约15%，营业利润却高达50%，显示东芝半导体（记忆体部分）现为整体集团*大

东芝分拆存储器业务，NAND Flash竞争力料提升

集微网消息，TrendForce存储器储存研究(DRAMeXchange)*新调查显示，东芝公司为提升半导体业务竞争力，已正式宣布将在今(2017)年3月31日前将完成分拆存储器业务。预期分拆出来的新公司将有更多经营弹性及更佳的筹资能力，长期而言，这对东芝/西部数据阵营在NAND Flash产能提升、产品开发均有所帮助。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示，东芝公司此做法，一方面是应付日渐沉重的产业竞争环境，另一方面则是为纾解经营压力，并满足筹措营运资金的需求。从产业结构来看，DRAMeXchange统计，在全球NAND Flash产出比重上，三星市占率约36%，东芝/威腾阵营合计约35%，美光/英特尔阵营则为17%，海力士为12%。其中三星、美光和海力士均拥有DRAM以及NAND Flash，在存储器布局上更具有策略纵深，但东芝/西数阵营仅有NAND Flash，在面对变化波动甚大及高投资金额特性的存储器产业时，所面临的挑战更为严峻。另一方面，从财务角度观察，DRAMeXchange分析，东芝半导体(存储器部分)营收占整体东芝公司仅约15%，营业利润却高达50%，显示东芝半导

美光NOR Flash出售,传兆易华邦*有希望收购;

1.美光NOR Flash出售,传兆易华邦*有希望收购;2.紫光南京半导体产业基地开工:总投资超300亿美元;3.紫光国芯800亿定增没啥进展 台湾收购项目离奇再次“流产”;4.中企并购欧司朗照明业务获德美两国批准;5.桑杰·贾：成都是格罗方德切入中国市场的战略高地;6.NXP标准产品业务Nexperia正式成立 去年营收超11亿美元 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.美光NOR Flash出售,传兆易华邦*有希望收购;集微网消息，全球存储器业务整并潮持续进行，美光科技将退出NOR Flash业务，计划出售旗下NOR芯片业务，正寻求相关买家，全力冲刺DRAM及3D NAND Flash，传华邦电及兆易**可能接手。美光当初并入此芯片事业花12亿美元，以目前内存市况持续加温来看，要以多少价格出售，有待观察。半导体设备相关人士透露，美光已和多家厂商接洽，主因美光认为NOR芯片业务在该公司营收占比不高，产能也不具经济效益，且近年全力聚焦在DRAM和NAND两大内存的效益整合，

传SK海力士拟入股东芝NAND Flash业务 已提初步报价

全球**大存储器制造商SK海力士(SK Hynix)传出有意入股东芝(Toshiba) NAND Flash业务，已提出初步报价。 根据路透(Reuters)及韩联社(Yonhapnews)报导，知情人士透露，由于这笔交易仍在早期阶段，SK海力士尚未决定要投资多少股权。SK海力士已于2月3日投标，预计交易成本介于2兆~3兆韩元(18亿~27亿美元)。东芝现为全球**大NAND Flash制造商。东芝于1月表示，因美国核电业务减损数十亿美元，将销售其NAND Flsah业务的约20%股份筹措资金。SK海力士则因全球NAND Flash需求大增，想借此进一步强化NAND Flash业务。SK海力士在1月亦表示将斥资2.2兆韩元在韩国兴建1座NAND Flash制造厂。

美国退出NOR Flash市场，兆易**将受益

集微网消息，美光计划退出NOR Flash市场，加深市场对未来供货商愈来愈少疑虑，让近期NOR Flash价格涨势愈趋明确，根据各大应用厂商预测，上半年涨幅估计达三成之高，让大陆主要供货商北京兆易**及台湾供货商旺宏、华邦电营运大补。 据了解，跃居全球*大NOR Flash供应龙头的旺宏，本季已调涨NOR Flash价格，根据客户不同，涨幅在5~10%不等。华邦电则表示暂不会调涨客户价，但会优先把产品卖给**客户，提升获利，却未保证第2季不涨。至于兆易**是否调价，集微网目前没有进一步的消息。业界表示，这波NOR Flash价格上扬，除了嵌入式组件更改架构，不再将价格便宜的NOR芯片整合在微控制器中，大幅增加NOR Flash芯片需求。

中国将面临发展存储器的历史性机遇

新兴市场智能手机需求增　2017年NAND供货仍吃紧

随着全球对于手机、电脑、汽车等消费性产品需求持续增强，NAND FLASH始终处于供不应求的情况，特别是印度、印尼及越南等新兴智慧手机市场，当地消费者智慧手机持有率大增，进而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，预计2017年NAND FLASH全年供货仍将持续吃紧，特别是在第2、3季*为严重。群联董事长潘建成表示，预计NAND FLASH今年将持续缺货，特别是在第2、第3季*为明显，原因在于手机、电脑、汽车等终端消费性产品需求仍旧强劲。因应此一情况，有些记忆体业者将部分产能转去做3D NAND，但3D NAND的生产也没有想像中顺利，因此总产能并没有增加，NAND FLASH的供货情形仍旧处于吃紧状态。潘建成进一步指出，两三年前，印尼、印度及越南等这些人口数很多的国家，主流消费者大多仍使用功能手机。但从2016年开始，这些国家的消费者开始使用低阶智慧手机，使当地智慧手机的销售量快速增加；而使用智慧手机之后，也会连带使拍照、录影等应用，进而带动NAND FLASH需求提升。另外，目前也越来越多笔记型电脑使用SSD，所以光是智慧手机及笔记型电脑，就足以使NAND FLASH市场供不

群联潘健成预计2017年NAND Flash全年供需吃紧

集微网消息，据台湾媒体报道，群联董事长潘健成表示，今年NAND Flash产业的供需十分紧张，需求端包括手机、电脑、服务器、车用、消费性电子领域的应用都很强烈，估计NAND Flash会缺货一整年。目前正值2D NAND技术转3D NAND技术时期，导致NAND Flash产业的供需从2016年中开始转而吃紧，原本预期年底缺货状况可纾解，但2017年初即感觉到NAND Flash货源吃紧的状况比预期严重。潘健成表示，目前来看，NAND Flash会缺货一整年，终端需求无论是手机、电脑、服务器、车用、消费性电子等应用十分强劲，群联的货源基本盘足够，但希望生意能再扩充，因此积极找更多的货源加入。现在NAND Flash货源有多缺？潘健成笑言，连公司所有工程师抽屉的随身碟都要交出来，把芯片重新测试再用，就可以知道现在NAND Flash芯片有多缺。也因为供给吃紧，潘健成表示，群联第1季营运不追求营收，整年度的获利不会太差，营收将取决于供货状况。谈到大陆频频挖角台湾半导体产业人才，潘健成表示，以前是外商来台湾挖人，以后是陆商挖台湾半导体人才，这状况以后会更严重；他进一步表示，挖角防不胜防，只要

盛群推出USB Full Speed Flash MCU

盛群(Holtek)推出全新的A/D型Full Speed USB Flash MCU--HT66FB582，其为Holtek 8-bit Flash USB MCU新成员，除一般USB电脑周边与消费性产品应用外，其*大的特点为拥有48Kx16的Flash ROM及16K byte的True EEPROM，特别适合用于纪录大量资料的应用，如各种温度、湿度资料纪录Data Logger产品，可广泛应用于冷冻运输、物流管理等领域。 HT66FB582除48Kx16的ROM size，与16K byte的True EEPROM，还有1K byte RAM、6 Channel的12-bit ADC、一组SPI/I2C及一组UART介面，方便周边装置的控制，配合Holtek提供的相关F/W Library，可在MCU内部转出PDF File，应用于USB PDF型的Data Logger。HT66FB582提供48-pin LQFP，及46-pin QFN的封装方便产品的应用。另外，延续HT66FB5x0&HT68FB5x0系列，具有通过USB介面的ISP线上更新韧体，及ICP/ISP/IAP烧

DRAM涨价+Flash获巨头青睐 2017华邦电业迎大好年

存储器厂华邦电3x纳米DRAM去年第4季顺利进入量产，今年第1季产能陆续开出，位元出货量明显拉高，DRAM单位制造成本也大幅降低。由于DRAM现货价及合约价持续调涨，华邦电在溢价差扩大下，获利将大幅好转，加上NAND Flash及NOR Flash打进苹果、三星等供应链，今年对华邦电来说将是大好年。华邦电第4季认列转投资微控制器(MCU)厂新唐的营收因淡季而降低，但受惠于DRAM及NAND Flash价格调涨，去年第4季合并营收季增0.4%达新台币107.75亿元，为10年来季度营收新高。去年全年合并营收新台币420.92亿元，年成长率达9.8%。华邦电DRAM制程已有6年没有微缩，而近几年全球DRAM市场进行整合，华邦电不想买授权只做代工，所以自行投入研发提高技术能力，终于在去年完成3x纳米世代DRAM技术研发，而且3x纳米DRAM已在去年第4季投片，今年第1季开始有陆续开出产能。市场传出华邦电3x纳米DRAM量产顺利，打进一线车厂及手机厂供应链，另外，华邦电的Fab C新厂在去年底装机，今年第1季也开始投片，同样以3x纳米DRAM为投片主力，*快今年中就可开始挹注营收，单位制造成本

为什么单片机中既有Flash又有EEPROM

单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM 中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。插播一段：ROM*初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了PROM，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片。随着不断改进，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾**也改不了几次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改ROM中的内容了。EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。狭义的EEPROM：这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是*

大陆韩国扩产竞赛 Flash后年产能恐过剩

储存型快闪存储(NAND Flash)军备竞赛再起，南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元)，在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂，也预定本月底正式动土，都为2018年供给过于求再现，埋下隐忧。目前各市调机构均看好明年NAND Flash仍处于供不应求局面，但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但也为NAND Flash市场投下新变数。稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂，预定2017年上半启用，**期投资额15.6兆韩元(134亿美元)，估计12寸晶圆产量可达20万片，虽然三星还未敲定生产项目，但市场推测，因三星DRAM市占已接近跨过50%门槛，有反托辣斯法要求分割疑虑，应仍会以发展3D NAND Flash 为主。半导体设备厂透露，目前六大NAND Flash芯片厂都有持续扩充NAND Flash芯片计划，不过在各家从2D转3D NAND芯片，因制程难度高，造成供应不足，使今年NAND芯片供应短缺，预料随3D NA

紫光布局／Flash军备竞赛再起 产能埋隐忧

储存型快闪存储器（NAND Flash）军备竞赛再起，南韩存储器大厂SK海力士和紫光集团旗下的长江存储都加入3D NAND Flash军备竞争，尤其长江存储武汉厂启动建厂，将在2018年投产，为届时市场出现供过于求情况埋下隐忧。 目前各市调机构均看好明年NAND Flash仍然供不应求，但南韩记存储器大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储器厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但为NAND Flash市场投下新变数。稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂，预定2017年上半年启用，**期投资额15.6兆韩元（134亿美元），估计12寸晶圆产量可达20万片，虽然三星还未敲定生产项目，但市场推测，因三星DRAM市占已接近50%门槛，有反托辣斯法要求分割疑虑，应仍会以发展3D NAND Flash 为主。另外，三星大陆西安厂NAND Flash首期生产规模也达每月10万片。美光并购尔必达后，将新加坡DRAM厂转为生产NAND Flash，同时也全力发展3D NAND Flash，其中新加坡10X厂已于今年9月正式投产

盛群發表USB RGB LED Flash MCU

盛群(Holtek)近日发表专门应用于多彩RGB LED产品的USB Flash MCU --HT66FB576，除适用于一般电脑周边与消费性产品外，其*大的特点是以内建定电流源配合48个PWM输出，以矩阵扫瞄方式*多可控制128颗RGB LED，可由内部硬体电路控制RGB LED的色彩变化与唿吸效果。此高整合度的MCU应用在RGB Gaming Keyboard、RGB Gaming Mouse、RGB LED音箱等多彩产品，可省去外加PWM IC，有效降低成本与缩减开发时间。HT66FB576的ROM Size为32Kx16、256 bytes EEPROM、1K byte RAM，有16 Channel的12-bit ADC，一组SPI / I2C及一组UART介面，提供2个512 bytes的LED PWM专用数据记忆体，硬体依据F/W写入专用数据记忆体的资料自动运算PWM占空比，达到LED的色彩变化与唿吸效果。另外延续HT66FB5x0 & HT68FB5x0系列，具有透过USB介面的ISP线上更新韧体，及ICP/ISP/IAP烧录模式的功能，使用在USB的周边产品开发上更方

传SK海力士2017年下半量产72层堆叠3D NAND Flash

存储器大厂SK海力士(SK Hynix)正逐步将规模高达46兆韩元(约384亿美元)的中长期投资计划付诸实现，传闻2017年下半即将量产72层3D NAND Flash存储器，率先开启兆位元(TB)时代。 据韩国经济报导，26日外电及业界消息指出，SK海力士将在2017年1月正式量产48层3D NAND Flash存储器，72层产品也将在2017年上半完成研发，预定于2017年下半在京畿道利川工厂进行量产。从堆叠层数与储存容量来看，若48层NAND Flash存储器可储存128GB，相同面积下的64层产品可储存256GB。2016年8月三星电子(Samsung Electronics)宣布从第4季起量产64层3D NAND Flash存储器，东芝(Toshiba)也加速推动64层3D NAND Flash量产，全球半导体业界展开一场堆叠层数之战。市调机构的资料显示，2015年到2020年NAND Flash资料储存规模年复合成长率(CAGR)将达44%，业者纷纷增加存储器堆叠层数，兆位元的超高容量时代即将来临。SK海力士在产品策略上，选择跳过64层3D NAND Flash存储器，直接

SK海力士在韩建新厂 扩Flash产能

需求回温、产能扩增有限，供需失衡下，DRAM价格在2016年下半逆势翻转，而原本看俏的NAND Flash在厂商间转进3D NAND良率还未提升下，同样面临缺货。集邦咨询(TrendForce)等调研机构先前都预估，明年内存价格下跌不易，且有一定的成长，现在厂商也开始蠢蠢欲动，先前扩产消息频传的SK海力士也正式宣布砸总计约3.15万亿韩元(约27亿美元)建新厂、扩产能。韩国大厂SK海力士在去年8月M14厂完工典礼上，表态要在十年内，于韩国利川、清洲等地加码建置三座半导体厂房。而22日SK海力士公布了*新的新厂投资计划，SK海力士表示，新厂将座落韩国清州市科技城，将于下个月展开设计、明年8月开始外壳结构与无尘室建构，并于2019年6月完工，而届时的设备机台安装将视公司的迁移计划而定，可以确定的是，新厂总投资金额将来到2.2万亿韩元，主要用于NAND Flash产能的布建。韩国清州自2008年以来，即为SK海力士NAND Flash生产的大本营，SK 海力士新建的利川M14厂虽将于明年转进3D NAND Flash量产，但官方进一步指出，为了顺应接下来3D NAND Flash渗透率持续攀

NAND Flash持续缺货　SSD/eMMC涨价将超10%

根据TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange*新研究显示，受惠于强劲的智能型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年*高峰，各产品别价格续创年度新高，预估缺货态势将持续至2017年**季，届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9～13%，企业级与用户级SSD合约价也上涨5～10%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，整体缺货状况可分为两方面，从供给端分析来看，各家NAND Flash原厂转进3D-NAND 的速度加快，但除了三星外，厂商在转换过程中良率提升进度较缓，使得3D-NAND供应吃紧，而制程转换造成2D-NAND的供给快速下滑，也让2D-NAND缺货的情况更为明显。从需求端观察，现阶段eMMC/eMCP与UFS等产品仍属2D-NAND制程，在中国智能型手机品牌如华为、OPPO、vivo出货表现强劲下，持续追加高容量eMMC/eMCP的订

赛普拉斯采用UMC 工艺生产的40nm eCT Flash MCU现已出货

全球**的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司和全球**的半导体代工厂联华电子公司(以下简称"UMC")于今日宣布，赛普拉斯由UMC代工的专有40nm嵌入式电荷捕获 (eCT?) 闪存微控制器(MCU)，现已开始大单出货。这标志着赛普拉斯闪存技术和UMC 40nm低功耗(40LP)逻辑工艺的多年合作达到了一个全新高度。40nm eCTFlash单元尺寸仅为0.053μm2，比*接近的竞品约小25%。该微型eCT闪存具备8纳秒的随机存储速度和30微秒的word-programming速度，专为*苛刻的高性能应用而设计。此外，它还可满足严格的汽车级可靠性要求。赛普拉斯存储器产品事业部**副总裁Sam Geha表示：“这对于eCT技术而言是一个重要的里程碑，也是赛普拉斯和UMC成功合作的一个证明。截至到今年年底，我们将发运超过700万件内置eCT闪存的MCU。赛普拉斯致力于打造业内单元尺寸*小的嵌入式闪存技术。正是基于我们的存储专长以及UMC的工艺专长，我们得以实现了这一目标;同时，我们还将mask adder做到了*小化，并保留了逻辑器件模板。除此以外，我们还集成了汽车级可靠性和性能，从

2017年NAND Flash投片产能仅年增6%，价格稳健走扬

Dec. 21, 2016 ---- 集邦咨询存储研究(DRAMeXchange)*新研究报告显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年，而3D-NAND在64层堆栈顺利导入OEM系统产品前，也将持续缺货，价格有望稳健走扬，使NAND Flash原厂营运表现持续往上。位元产出年成长来自3D-NAND，第三季2D-NAND产出滑落至50%以下DRAMeXchange研究协理杨文得表示，在今年新增产能及制程转换同时进行的情况下，业者自2016年**季起加速3D-NAND的制程转进，整体3D-NAND产出比重在年底前达到30%，而自明年起在整体投片产能仅年增6%的成长幅度下，多数业者将开始降低2D-NAND的供货来达到提升3D-NAND产能的目标，因此，DRAMeXchange预估，自2017年**季起2D-NAND的供给量滑落的速度将加快，至第三季占整体NAND出货比重将滑落至50%以下。然而，在3D-NAND的进展上，64层堆栈的3D-NAND Flash在良率与eMMC/UFS、消费级SSD、

ALD制程可望成为64层以上3D NAND Flash解决方案

垂直通道填充金属系3D NAND Flash朝64层以上垂直堆叠发展的关键课题之一，原子层沉积(Atomic Layer Deposition；ALD)制程可于高深宽比(High Aspect Ratio)垂直通道中，大面积形成均匀性薄膜，且具备良好的阶梯覆盖性(Step Coverage)，故适用于更多层3D NAND Flash垂直通道填充金属，然其存在沉积速度较慢及所需材料成本较高等问题。 ALD系化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)的一种，与另一CVD技术电浆辅助化学气相沉积(Plasma-Enhanced CVD；PECVD)相较，ALD采用依序注入**种与**种前驱物(Precursor)作为反应气体的方式，来蒸镀薄膜，此不同于PECVD运用电浆的蒸镀技术，同时蒸镀两种以上前驱物进行化学反应。观察ALD的优点，其可准确控制膜厚，以原子级精准度形成大面积的均匀薄膜，且适于在凹凸结构蒸镀阶梯覆盖性佳的薄膜，反观PECVD则不易在凹凸结构或深孔图样达成厚度一致的薄膜，故ALD制程可望成为64层以上3D NAND Flash垂直通道填充金属的解

智能手机需求强劲 第三季NAND Flash供应商营收增长两成

NAND Flash持续缺货　SSD/eMMC涨价将逾10%

NAND Flash缺货情况将持续至2017年**季，致使SSD合约价涨幅超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高... 根据TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange*新研究显示，受惠于强劲的智慧型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年*高峰，各产品别价格续创年度新高，预估缺货态势将持续至2017年**季，届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9～13%，企业级与用户级SSD合约价也上涨5～10%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，整体缺货状况可分为两方面，从供给端分析来看，各家NAND Flash原厂转进3D-NAND 的速度加快，但除了三星外，厂商在转换过程中良率提升进度较缓，使得3D-NAND供应吃紧，而制程转换造成2D-NAND的供给快速下滑，也让2D-NAND缺货的情况更为明显。从需求端观察，现阶段eMMC/e

美光CEO：与大陆合资Flash可能比较合理

集微网消息，据台湾媒体报道，在华亚科入并美光，外界关注陆厂是否可能与美光合作，美光CEO德肯（Mark Durcan）认为，在DRAM的部分，依照现况并不那么可行，在NAND Flash方面或许比较合理，但还是要视各方需求与条件而定。 业界人士解读，德肯一番话，并非意味美光与陆厂合资进军NAND Flash领域已经有谱，但在DRAM领域与陆厂合资经营空间，倒是已被明白限缩。德肯认为，当初合资华亚科对于美光与南亚科都是好的模式，然而随着时间的推移，存储器产业市场日趋稳定，美光产出也渐具规模，其他业者以合资模式与陆厂合作，当然还是可行，但对美光就不见得适合。德肯进一步指出，现在DRAM市场起伏已不若以往那么大，且美光已成长至一定的规模，但在NAND Flash的部分，市场依然时有起伏，所以对美光来说，这部分采合资模式或许比较合理。德肯强调，大陆确实是重要的市场，美光愿意跟大陆各个不同公司洽谈，就如同愿意跟世界各地的公司洽商，但美光的目标需顾及现有股东、团队等，为其提供更好的未来。美光考量的是怎么做对公司*好，除可掌握所开发的技术，也不希望让市场供过于求。杜肯表示，以明年的DRAM市场来看，

盛群發表智能卡***Flash MCU

盛群(Holtek)继HT66F4360/HT66F4370之后，再度发表HT66F4390 Smart Card Reader Flash MCU;新发表之HT66F4390针对智能卡***产品应用，具备64K×16 Flash Memory，适合运用于USB***、蓝牙***等产品。HT66F4390内建DC/DC与LDO，可同时支持A/B/C类电压卡片，其ISO7816-3介面通过EMV Contact Level 1认证。此外，内建灵活的串行介面、Full speed USB、UART×2、SPI×2、I2C×1等，可提供连接电脑或蓝牙装置连接移动装置，可应用于******与身分认证等产品。并且提供ISP/IAP支持在线更新程式码与资料，使用者可快速的完成智能卡读卡。

盛群发表USB Full Speed Flash MCU

盛群(Holtek)发表全新A/D型Full Speed USB Flash MCU--HT66FB570，其为Holtek 8-bit Flash USB MCU新成员，适用一般USB电脑周边与消费性产品，如滑鼠、Gamepad、电视游乐器周边、USB下载型遥控器、USB Key等。 HT66FB570延续HT66FB5x0系列，透过USB介面的ISP线上更新韧体及ICP、ISP、IAP烧录模式的功能，另外还加大了ROM size，由HT66FB560的16K×16增加为32K×16、改用Holtek扩展指令集，内建了256 bytes EEPROM、多增加了一组UART介面。在开发产品时，使用C语言或组合语言开发皆便利，不须外加EEPROM IC即可纪录资料，可直接用于UART介面的需求，使USB周边产品开发上更方便且快速。

Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

旺宏：NOR Flash明年恐供不应求

旺宏（2337）第3季转亏为盈，董事长吴敏求并表示，目前看编码型快闪记忆体（NOR Flash）于明年可能出现供不应求的现象。外界预期，若上述情形发生，产品价格因此走扬，对于旺宏、华邦电（2344）与晶豪科（3006）等业者将有助益。 旺宏第3季终结连18季亏损的情况，营收大增主要是大客户任天堂拉货，唯读记忆体（ROM）业绩明显季增269%，出货量大幅季增153%，单季毛利率也因为存货跌价回转利益，从第2季的14%，跳升到31%。旺宏第3季底每股净值因此提升到4.87元，第4季力拚每股净值回升到5元以上。值得注意的是，旺宏的NOR Flash业务，到第2季为止全球市占率约23%，只比主要对手少2个百分点，在市场排名**，且今年底前有望坐上**宝座。���敏求指出，目前各类终端应用对NOR Flash皆有强劲需求，业绩稳定成长，且因为逻辑制程发展迅速，Flash得改为外挂，相关需求因此更为增加。吴敏求提到，明年NOR Flash市况可能有点缺货，或许带动平均销售单价（ASP）向上。旺宏的NOR Flash业务，目前仍以消费性应用占比*多，其次是通讯应用，但车用、工业、医药与航太国防应用，也具

韩国成立半导体希望基金，狙击中国存储？

拟投资800亿！东芝新建3D Flash专用厂房

东芝（Toshiba）8日发布新闻稿宣布，为了增产3D Flash Memory，将在四日市工厂内兴建新厂房“第6厂房（Fab 6）”。东芝指出，该座新厂房将作为3D Flash专用厂房，将分2期工程兴建，其中第1期工程将在2017年2月动工、并预计于2018年夏天完工。东芝指出，关于上述新厂房具体的设备导入、开始生产时间，以及产能、生产计划等细节，将待今后评估市场动向之后再决定，且和西数（Western Digital，“WD”）进行协商后，双方今后也将进行共同投资。东芝并指出，该座新厂房将导入活用AI人工智能的生产系统、借此提升生产效率。据NHK报道，东芝上述新厂房的投资额约800亿日元。根据Yahoo Finance的资料显示，截至9日上午8点05分为止，东芝劲扬1.59%至376日日元。为了对抗三星电子等竞争对手，东芝于今年3月宣布，将在今后3年内（2016年度-2018年度）总计砸下约8，600亿日元投资NAND型快闪存储器（Flash Memory），而上述新厂房就是该8，600亿日元投资计划中的一环。东芝7月27日宣布，已研发出堆叠64层的3D Flash制程技术，并自当

SK海力士本月底将量产48层3D NAND Flash

据韩国经济报导，传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证，*快将从11月底正式启动量产；以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片，3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。 业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外，其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技术瓶颈，SK海力士将是**家进入量产的业者。由于3D NAND Flash性能上的优点，业界普遍认为不久的未来将成为3D NAND Flash时代。市调机构IHS预估，存储器业者的3D NAND Flash生产比重将由2015年6.7%逐年提高，2016年为23.6%，2017年为57.8%。SK海力士表示，研发团队正顺利进行下一代72层3D NAND产品研发，预估可在2017年下半投产。为此，公司决定将2015年8月完工的利川M14工厂二楼作为3D NAND专用厂房，目前正进行无尘室施工，2017年产线稼动后，3D NAND的产量可望大幅提

盛群发表触控OPA Flash MCU

盛群(Holtek)在需要触控加OPA功能的小家电产品上，继BS87C16A-3之后，再度推出BS87B12A-3与BS87D20A-3。本产品适合需求20个触控按键以下的小家电产品，例如电饭煲、电饭锅、电茶壶、电陶炉、微波炉、电磁炉、鬆饼机、抽油烟机，触控台灯，触控门锁，体脂计等应用领域产品。BS87xxxA-3与BS86xxxA-3*主要的功能差别，在于BS87系列多了一组OPA与Comparator。BS87xxxA-3所内建OPA功能用来放大环境中微小的类比信号，不但可以应用于过电流/过电压侦测，也可外接Shock Sensor以提供系统保护机制。全系列IC所内建的LED/LCD Driver均具备4段电流输出控制，可直推LED/LCD不需要外挂限流电阻或叁极管。BS87系列还整合SPI/I2C/UART叁种标準介面传输功能。12-bit ADC可用于撷取外界环境中的类比讯号，例如温度、湿度或其他电压讯号量测等。使用此MCU可以大幅简化系统零组件数目，降低生产成本及增加产品可靠度。BS87B12A-3提供20-Pin NSOP及24-Pin SOP两种封装型式，BS87D20A

TrendForce：第四季NAND Flash缺货状况更明显，价格续扬

Oct. 11, 2016 ---- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)*新调查显示，在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下，第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显，NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立，eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨，预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPhone 7的销售没有iPhone 6s系列来的火热，但表现稳定，且由于iPhone 7首度将存储容量一口气翻倍，使NAND Flash消耗量呈倍数成长。同时，中国智能手机领导厂商如华为、OPPO与vivo等中**手机强劲的订单追加动能持续，使高容量eMMC/eMCP的需求强劲，因此在手机出货量与存储容量双双成长的态势下，NAND Flash供货持续吃紧。固态硬盘方面，在固态硬盘与传统硬盘的价差缩小的趋势下，各大PC业者为提升笔电效能刺激买气，固态硬盘搭载率增加

存储器市场需求畅旺 力成Q4营运审慎乐观

存储器封测厂力成25日召开法说会，总经理洪嘉鍮表示，第三季市场需求明显改善，第四季为终端产品传统旺季，市场需求健康、客户展望乐观，力成对第四季审慎乐观，虽然成长幅度不若前二季强，仍可望较第三季成长个位数，以DRAM及FLASH为主力。洪嘉鍮指出，近期DRAM市场供给吃紧，导致价格持续上涨，智能手机存储器需求强劲，标准型及绘图存储器需求维持正向，加上利基型存储器在消费性产品的应用日益增多。由于市场供给吃紧，整体市场需求畅旺。而FLASH市场供给亦持续吃紧，主要由于**手机应用的MCP/MMC容载量持续提升，且固态硬盘(SSD)取代传统硬盘趋势显现，渗透率持续拓展，目前已超过4成。此外，晶圆技术持续提升，堆叠密度日益增加，使整体市场供给面依然紧俏。逻辑业务部分，近几月晶圆产能供给亦持续吃紧，特别在先进制程方面相当短缺，加上终端产品第三季市场需求不错，第四季为传统旺季，预期整体需求仍强。整体而言，从市场供应面来看，第四季需求维持正向，将带动半导体产业持续正向成长。洪嘉鍮预期，力成第四季的DRAM及FLASH业务持续乐观，包括标准型、利基型、移动、绘图型DRAM，以及应用于**装置的MCP/M

应对封装技术大转变 未来力成资本支出或超100亿

存储器封测厂力成25日召开法说会，董事长蔡笃恭指出，今年营运逐季成长主要由于多年来对未来发展的所需布局已就绪，因此掌握市场契机。总经理洪嘉鍮表示，今年资本支出较多，未来仍将持续向前走，预期每年平均规模至少会有新台币80～100亿元。蔡笃恭指出，力成去年资出较为保守，主要是为改善与竞争者的成本差距。就设备折旧金额而言，竞争对手约占营收的15～20%，但力成达约25%，因此去年刻意减缓资本支出，以调整体质、达成相同的竞争基础，今年成效已有显现，毛利率明显提升。在达成相同的竞争基础后，力成今年再度积极投资，蔡笃恭指出，主要考量这几年封装技术将大幅转变，力成多年来持续布局准备，目前对于未来所需技术已大致就绪，也看到客户将开始大量释单，上季营运表现不错，并不纯粹只是DRAM或FLASH市况需求增加带动。展望后市，蔡笃恭指出，DRAM在手机或消费性产品的应用日趋多元，几个FLASH大厂都扩充晶圆产能，带动市场及堆叠需求增加。力成虽在相关技术上已准备就绪，但目前产能还不足，因此今年积极投资购置厂房及设备，以因应未来市场及市场需求。晶圆凸块(Bumping)及覆晶封装(Flip Chip)产能部分，洪

应对封装技术大转变 未来力成资本支出*高可达100亿

存储器封测厂力成25日召开法说会，董事长蔡笃恭指出，今年营运逐季成长主要由于多年来对未来发展的所需布局已就绪，因此掌握市场契机。总经理洪嘉鍮表示，今年资本支出较多，未来仍将持续向前走，预期每年平均规模至少会有新台币80～100亿元。 蔡笃恭指出，力成去年资出较为保守，主要是为改善与竞争者的成本差距。就设备折旧金额而言，竞争对手约占营收的15～20%，但力成达约25%，因此去年刻意减缓资本支出，以调整体质、达成相同的竞争基础，今年成效已有显现，毛利率明显提升。在达成相同的竞争基础后，力成今年再度积极投资，蔡笃恭指出，主要考量这几年封装技术将大幅转变，力成多年来持续布局准备，目前对于未来所需技术已大致就绪，也看到客户将开始大量释单，上季营运表现不错，并不纯粹只是DRAM或FLASH市况需求增加带动。展望后市，蔡笃恭指出，DRAM在手机或消费性产品的应用日趋多元，几个FLASH大厂都扩充晶圆产能，带动市场及堆叠需求增加。力成虽在相关技术上已准备就绪，但目前产能还不足，因此今年积极投资购置厂房及设备，以因应未来市场及市场需求。晶圆凸块（Bumping）及覆晶封装（Flip Chip）产能部分，

第四季NAND Flash缺货状况更明显

NAND Flash整并赛再起　金士顿旗下点序正式入股银灿

NAND Flash产业整并风潮持续，存储器模组大厂金士顿(Kingston)旗下NAND Flash控制芯片公司点序正式入股银灿70%，经营阶层也**由点序接手，市场预期未来将在USB 3.0产品上进行整合，这一波台湾产业的NAND Flash控制芯片整顿潮应该告一段落，下一阶段是看大陆市场的发展！ 过去在从快闪记忆卡、随身应用的世代，是台系NAND Flash控制芯片*风光时代，处于百家争鸣阶段。但到了智能型手机eMMC应用，因为需要与系统品牌大厂紧密配合研发，因此主导权落在半导体大厂身上，多数的IC设计公司纷纷退出，只剩下群联、慧荣、点序等。点序这几年在富爸爸金士顿的扶持下，SD记忆卡经营成绩优异，日前也正式入股银灿，接手银灿旗下40多名员工，对银灿的持股比重约70%，而银灿董事长一职由刘坤旺接下，总经理由颜文鸿接任，研发副总由陈孟豪出任。银灿在USB 3.0相关控制芯片，*知名的事迹，是多年前将eMMC控制芯片设计团队出售给南韩存储器大厂海力士(SK Hynix)；不过，银灿这几年经营成效不佳，合计成立8年来烧光新台币7亿元，日前减资至2,000万股本，点序再投资6,000万元

盛群Flash MCU添新成员BH66F5233

盛群(Holtek)24-bit Delta Sigma A/D Flash MCU系列新增BH66F5233。符合工业上-40°C～85°C工作温度与高抗杂讯之性能要求，而内建的LED Driver，更具备4段电流输出控制，可直推LED，不须外挂限流电阻或电晶体，大幅简化产品应用零件及降低成本，非常适合应用于各式LED电子秤、温度计、秤重模块产品。 该元件具备2K×16 Flash Program ROM、96 Byte Data RAM、32 Byte Data EEPROM、内建精准Internal RC Oscillator，提供4/8/12MHz及32kHz频率，1个Time Module，并有Timer/Counter、Compare、PWM等模式。Holtek同时提供软硬体功能齐全的发展系统，包含HT-IDE3000、模拟器ICE(In-Circuit-Emulator)，可执行追踪分析等功能。其烧写器(e-WriterPro)提供ICP (In-Circuit Programming)功能方便程式更新与开发，且提供各种应用指南，适合需要更快速、更有效率地发展程式，及除错

厂商争相投资 3D NAND Flash前景不妙？

厂商争相投资，3D NAND Flash前景不妙？据传三星电子平泽厂（Pyeongtaek）将提前投产，SK海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）、美光（Micron）产能也将于明年下半**开出，届时3D NAND可能会从供不应求、呈现供给过剩的状况。 BusinessKorea 6日报道，NAND需求爆发，据悉三星电子决定平泽厂完工时间提前三个月，改在明年三、四月开始生产第四代64层3D NAND。三星平泽厂完工，加上原本的华城（Hwaseong）厂，届时三星3D NAND产能将从当前水准提高两倍、至32万片。SK海力士也准备生产3D NAND，仁川厂M14线无尘室正在装设仪器，估计**代36层3D NAND可在今年**季出货、第三季量产。第四季将加码投资第三代48层3D NAND，估计未来3D NAND将占SK海力士产出的一半。与此同时，大陆厂商武汉新芯也打算砸下巨资打造新厂，该公司与美商Spansion共同研发3D NAND。日厂东芝则与Western Digital（西部数据）携手，准备量产3D NAND。韩媒etnews 4日报道，业界消息称，NAND Flash

第四季NAND Flash缺货状况更明显 价格续扬

TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange）*新调查显示，在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下，第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显，NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立，eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨，预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示，下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPhone 7的销售没有iPhone 6s系列来的火热，但表现稳定，且由于iPhone 7首度将存储容量一口气翻倍，使NAND Flash消耗量呈倍数成长。同时，中国智能手机领导厂商如华为、OPPO与vivo等中**手机强劲的订单追加动能持续，使高容量eMMC/eMCP的需求强劲，因此在手机出货量与存储容量双双成长的态势下，NAND Flash供货持续吃紧。固态硬盘方面，在固态硬盘与传统硬盘的价差缩小的趋势下，各大PC业者为提升笔电效能刺激买气，固态硬盘搭载率增加的幅度较去年更为强劲，DRAMeXchange预估，

发电厂爆炸、三星遭殃！传冲击西安3D Flash厂10%产能

南韩媒体朝鲜日报日文版20日报导，据三星电子表示，在18日凌晨0点半左右，位于中国西安市南郊的发电厂因发生爆炸导致周边停电，也连带拖累三星位于西安的半导体工厂因电压不足引发部分设备停工、而蒙受巨额损失。据三星的调查，当时 ​​进行生产的数千片晶圆因此受到影响，不过停工的部分设备目前已开始进行检查作业，预估*快将在21日恢复正常生产。 据报导，三星关系人士表示，「就像邻居水管破裂会造成水压不足一样，三星西安工厂部分半导体设备因感测到电压下滑、而自动停工，西安工厂半导体产能约10%因此受到影响」，预估损害金额恐达数百亿韩圜。三星西安工厂主要生产3D NAND Flash。根据嘉实XQ全球赢家系统报价，截至台北时间20日上午9点03分为止，三星电子小涨0.14%至1,428,000韩圜，表现远逊于大盘(KOSPI指数)的劲扬1.27%。barron`s.com 16日报导，JP摩根发表研究报告指出，三星应该会在今年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆(西安厂12万片、Line 16厂接近4万片)。三星的西安厂目前已接近产能全开，且该公司还计画把Line 16厂的部分2D NAND

盛群新推出BS87C16A-3触控OPA Flash MCU

盛群近期宣布于需要触控整合OPA功能的小家电产品上，继BS86C16A-3之后，再度推出BS87C16A-3。该产品适合需求十六个触控按键以下的小家电产品，例如电饭煲、电茶壶、电陶炉、微波炉、电磁炉等应用领域产品。 新产品与BS86C16A-3*主要的功能差别，在于BS87系列多了一组OPA与Comparator及增加四个I/O。新产品所内建OPA功能可以用来放大环境中微小的类比信号，例如可以外接shock sensor以提供系统保护机制。另外该产品内建LED/LCD Driver均俱备四段电流输出控制，可直推LED/LCD不需要外挂限流电阻或三极管，且整合SPI/I2C/UART三种标准介面传输功能。12-bit ADC可以用于撷取外界环境的类比讯号，例如温度、湿度或其他电压讯号量测等等，使用该产品可以简化系统零组件数目，以降低生产成本及增加产品可靠度。新产品提供24-Pin/28-pin SOP及44-Pin LQFP三种封装型式，其中24/28-pin SOP封装脚位完全相容于BS86C16A-3。盛群：www.holtek.com.tw

下半年NAND Flash一定缺货，且会非常缺

全球储存型快闪记忆体（NAND Flash）晶片*大供应商慧荣科技总经理苟嘉章昨（21）日表示，固态硬碟（SSD）价格已到甜蜜点，今年出货将大爆发，成为成长*强劲的记忆体产品；法人预估台厂概念股群联、创见、威刚、宇瞻、广颖、宜鼎等，可望掀比价效应。 慧荣是以台湾为研发重心，立足全球的国际公司，上周五（20日）股价以每股42.19美元创2005年6月在美国那斯达克挂牌以来新高，市值达1.48亿美元（约新台币48.5亿元)，同创历史新高。苟嘉章昨天主持慧荣爱心园游会后，针对今年NAND Flash发展，提出*新看法。他说，今年前四月，NAND Flash受到苹果手机销售不如预期影响，供过于求，苹果采用2D类产品。大多厂商在一年多来没有再投入2D类产品的扩产，因此供需会逐渐平衡。而且下半年个人电脑及各品牌智慧型手机新品齐发，加上各晶片厂今年大举将具有TLC NAND Flash晶片导入SSD及嵌入快闪记忆体（eMMC），价格几乎到快速取代传统硬碟的甜蜜点，预见今年下半年NAND Flash一定缺货，且会非常缺。苟嘉章强调，NAND Flash在固态硬碟的应用，今年出货会大举爆发。他举中国大陆

NAND Flash苟嘉章：下半年可能缺货

全球NAND快闪存储器控制IC大厂慧荣科技执行长苟嘉章表示，今年储存市场需求还不错，其中需求*好的是固态硬碟（SSD），预估慧荣今年的营收成长将倍增。他也看好在苹果的需求带动下，NAND Flash下半年将出现供不应求的缺货现象。 对NAND Flash的市况，他表示，以前四月的情况来看，NAND是供过于求，但从供应端目前没有任投资在2D NAND，大部份业者投资在3D NAND来看，下半年可能会缺货。目前3D NAND除了三星已出货外，英特尔、SK海力士都要到下半年，而东芝、Sandisk会较晚，在产能大量开出前，NAND Flash市场还可享有甜蜜期。另他也看好今年eMMC市场，苟嘉章表示，主要原因首先是中国透过补贴政策，鼓励市场达2亿支的3G手机转换到4G，而这类的4G中低阶手机就需要eMMC；另外，印度本土市场中低阶4G 手机的成长也推升对eMMC 的需求，所以今年慧荣看好在eMMC 也会较2015 年有乐观的成长。慧荣日前公布第1季财报，单季营收1亿1,268万美元，较前一季增加15%，与去年同期相比大幅增加40%。第1季毛利率50.6%，税后净利2,431万美元，每单位稀释

NAND Flash综合价格指数将再次上涨6%

2016上半年上游Flash原厂3D NAND产能有限，2D NAND产能供应紧张，导致对市场供货低于预期，而中**智能型手机和SSD对大容量需求增加，再加上Q3旺季需求开始发酵，5月下旬部分NAND Flash价格持续走扬，6月市场需求有所增加，中国闪存市场网ChinaFlashMarket预计市场供货紧缺、供不应求、缺货、涨价等行情将持续到年底，自3月底NAND Flash综合价格指数上涨4%后，近一个月NAND Flash综合价格指数再次上涨6%。据中国闪存市场报价网ChinaFlashMarket报价显示，从5月18日到6月6日，闪存卡价格持续上涨，其中Micro SDHC（UHS I） 16GB（CL10）深圳市场价格已从15.6元上涨至18.2元，上涨17%，涨幅*高，香港市场价格已从2.38美金上涨至2.65美金，Micro SDHC（UHS I） 32GB（CL10）深圳市场价格则从30.5元上涨至35元，涨幅15%，香港市场价格从4.7美金上涨至5.1美金。市场主流的eMMC/eMCP和SSD产品，本周（6月7日）eMMC/eMCP价格维持平稳走势，240GB/480

发展Flash晶圆制造的四大投资方向

SanDisk闪迪InfiniFlash™系统性能倍增

原标题：SanDisk闪迪InfiniFlash™系统性能倍增，进一步确立“大数据闪存”地位 集微网消息，2016年4月14日 -全球**的闪存存储解决方案提供商SanDisk闪迪公司 (NASDAQ: SNDK)今日宣布推出升级版的全闪存存储平台。同时，为世界数据中心带来重大改变的InfiniFlash闪存家族也增添了新成员——InfiniFlash™ IF150系统。该系统不仅具有前一代InfiniFlash处理大数据和超级工作负载的巨大容量，还采用了经过升级的12Gbps SAS连接，使得性能提升一倍。这将进一步拓宽下一代存储平台在更多新型工作负载中的潜在用途，包括高性能计算（HPC）、大数据分析、媒体服务以及其他要求高容量、**性能的应用。此外，SanDisk闪迪公司还于今日推出数项全新客户服务，以提升InfiniFlash客户的体验。SanDisk闪迪公司系统与软件解决方案副总裁兼总经理Ravi Swaminathan表示，“InfiniFlash系统自发布以来，其显著提升的性能与成本经济优势赢得了众多领域客户的认可，这些客户包括从事大数据分析的研究机构数据中心、网络提供商、

三星NAND Flash 传四年后重返iPhone

韩厂积极打进苹果iPhone供应链。韩国媒体报导，三星电子计画提供NAND型快闪记忆体给iPhone，这将是睽违4年后三星电子NAND型快闪记忆体重返iPhone供应链。 韩国网站媒体ET News报导，苹果从2012年iPhone 5推出开始，就没有采用三星电子（Samsung Electronics）的NAND型快闪记忆体，在于三星电子并未接受苹果要求、在NAND型快闪记忆体封装技术上采用电磁干扰屏蔽（EMI shielding；Electro Magnetic Interference shielding）技术。报导引述产业人士消息，三星电子正在与韩国Protec、美国Asymtek、韩松化学株式会社（Hansol Chemical）和Ntrium合作，开发新一代涂布法，当设备和材料就绪，三星电子将提供采用电磁干扰屏蔽封装技术的NAND型快闪记忆体给苹果新一代iPhone，预期明年2017年可望供货。报导指出，全球记忆体市况不佳，加上三星电子在韩国平泽（Pyeongtaek）新厂的3D NAND型快闪记忆体，将在明年进入量产阶段，三星电子决定NAND型快闪记忆体重回苹果怀抱，有迹

全球3D NAND Flash战火一触即发 众厂**备战价格将快速下滑

全球大容量3D NAND Flash不再是由韩厂三星电子(Samsung Electronics)**量产，随着美、日系存储器大厂纷投入量产，未来3D NAND Flash可望成为储存装置主流，快速应用在智能型手机与PC等产品上，尽管目前3D NAND Flash价格仍偏高，然随着众厂火力全开、扩大市场，后续价格将快速下滑，且主流USB随身碟与记忆卡容量亦将再度增大。 3D NAND Flash系将电路多层堆叠以增加单位面积内电路密度，较2D NAND Flash拥有更高的速度与稳定度，*早系由日厂东芝(Toshiba)展出相关技术，但却是由三星率先量产，并在高阶智能型手机Galaxy S7首度搭载3D NAND Flash技术芯片。2016年起包括美系大厂美光(Micron)、韩厂SK海力士(SK Hynix)及日厂东芝，均宣布量产3D NAND Flash。东芝在日本三重县四日市增建3D NAND Flash工厂；SK海力士位于韩国清州M12厂将转成生产3D NAND Flash厂房，利川新厂房M14亦将量产3D NAND Flash；美光新加坡10X工厂将转为3D NAND Fl

今年年底 Chrome 浏览器要跟 Flash 告别

曾被谷歌以「互联网的基石」形容的 Flash，终于要被「HTML by Default」取代了。谷歌将会在今年的第四季开始，Chromium 浏览器将会以 HTML5 为预设的启动网页，在遇上某些需要 Flash 的部分时，才会询问使用者要否启动 Flash，但在包括 YouTube、Facebook和 Twitch 等的 10 个知名网站则暂时不在限制，目的是让使用者能适应有关改变。 Google 继早前宣布停播 Flash 广告后，再次大刀阔斧地把 Flash 赶离旗下产品。根据该公司的 Anthony LaForge 解释，在这个 HTML5 已经成熟的时候，就应该多应用这无需额外插件的新技术，而非既消耗资源，又有**问题的 Flash。