存储器厂华邦电3x纳米DRAM去年第4季顺利进入量产，今年第1季产能陆续开出，位元出货量明显拉高，DRAM单位制造成本也大幅降低。由于DRAM现货价及合约价持续调涨，华邦电在溢价差扩大下，获利将大幅好转，加上NAND Flash及NOR Flash打进苹果、三星等供应链，今年对华邦电来说将是大好年。
华邦电第4季认列转投资微控制器(MCU)厂新唐的营收因淡季而降低，但受惠于DRAM及NAND Flash价格调涨，去年第4季合并营收季增0.4%达新台币107.75亿元，为10年来季度营收新高。去年全年合并营收新台币420.92亿元，年成长率达9.8%。
华邦电DRAM制程已有6年没有微缩，而近几年全球DRAM市场进行整合，华邦电不想买授权只做代工，所以自行投入研发提高技术能力，终于在去年完成3x纳米世代DRAM技术研发，而且3x纳米DRAM已在去年第4季投片，今年第1季开始有陆续开出产能。
市场传出华邦电3x纳米DRAM量产顺利，打进一线车厂及手机厂供应链，另外，华邦电的Fab C新厂在去年底装机，今年第1季也开始投片，同样以3x纳米DRAM为投片主力，*快今年中就可开始挹注营收，单位制造成本亦大幅降低，将可为华邦电营运带来明显的成长动能。
华邦电虽然主攻利基型DRAM市场，但去年下半年标准型DRAM价格大涨，利基型DRAM价格也在去年第4季出现10%左右涨幅，而今年第1季可望再调涨10～15%。法人指出，华邦电的DRAM成本下降，但销售价格却调涨，获利溢价明显扩大，就算营收不变，获利也会明显提升。华邦电DRAM都完成高规格的工控及车规认证，所以已顺利打进欧美日韩一线汽车客户，并传出与英特尔数据机芯片搭载出货给手机厂。
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