集微网消息，据海外媒体报道，2016年下半除东芝(Toshiba)就64层3D NAND Flash展开送样出货外，三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者亦将陆续量产，将促使3D NAND Flash垂直堆叠*高层数自64层朝2017年的80层迈进。DIGITIMES Research观察，由于干蚀刻使用在64层以上更高堆叠层数的3D NAND Flash，其蚀刻速度与正确性可望优于湿蚀刻，将使三星于64层以上3D NAND Flash转向干蚀刻发展的可能性提升。
垂直通道(Vertical Channel)构造3D NAND Flash系指字元线(Word Line；WL)与位元线(Bit Line；BL)相互垂直，堆叠层数往BL方向增加。相较于WL与BL皆处同一平面、往上层层堆叠的简单堆叠(Simple Stack)构造，垂直通道具备成本优势，成为存储器业者发展3D NAND Flash所采主流构造。
随3D NAND Flash持续朝64层以上更高垂直堆叠层数迈进，制程中需贯通至底部的蚀刻厚度将较以往增加，且蚀刻精密度亦将提升。
比较湿蚀刻与干蚀刻主要特性，湿蚀刻具备纵向与横向同时蚀刻的效果，干蚀刻则朝单一方向蚀刻，而湿蚀刻可运用只对被蚀刻物产生化学反应的材料，其蚀刻选择性(Selectivity)优于干蚀刻。
DIGITIMES Research观察，干蚀刻相对湿蚀刻适用于线宽较小的制程，如应用于64层以上3D NAND Flash，其朝单一方向贯通至底部的特性，可望达成优于湿蚀刻的蚀刻速度及正确性，且干蚀刻借由改良反应方式，提升其于蚀刻选择性的表现，可望获三星扩大采用于64层以上3D NAND Flash制程。
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