储存型快闪存储器（NAND Flash）军备竞赛再起，南韩存储器大厂SK海力士和紫光集团旗下的长江存储都加入3D NAND Flash军备竞争，尤其长江存储武汉厂启动建厂，将在2018年投产，为届时市场出现供过于求情况埋下隐忧。
目前各市调机构均看好明年NAND Flash仍然供不应求，但南韩记存储器大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储器厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但为NAND Flash市场投下新变数。
稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂，预定2017年上半年启用，**期投资额15.6兆韩元（134亿美元），估计12寸晶圆产量可达20万片，虽然三星还未敲定生产项目，但市场推测，因三星DRAM市占已接近50%门槛，有反托辣斯法要求分割疑虑，应仍会以发展3D NAND Flash 为主。
另外，三星大陆西安厂NAND Flash首期生产规模也达每月10万片。
美光并购尔必达后，将新加坡DRAM厂转为生产NAND Flash，同时也全力发展3D NAND Flash，其中新加坡10X厂已于今年9月正式投产3D NAND Flash，美光执行长邓肯（Mark Durcan）还专程抵达新加坡主持启用典礼。
全球**大快闪存储器供应商东芝半导体也宣布在日本四日市进行扩建，新产能也预定2017年陆续产出。
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