需求回温、产能扩增有限，供需失衡下，DRAM价格在2016年下半逆势翻转，而原本看俏的NAND Flash在厂商间转进3D NAND良率还未提升下，同样面临缺货。集邦咨询(TrendForce)等调研机构先前都预估，明年内存价格下跌不易，且有一定的成长，现在厂商也开始蠢蠢欲动，先前扩产消息频传的SK海力士也正式宣布砸总计约3.15万亿韩元(约27亿美元)建新厂、扩产能。
韩国大厂SK海力士在去年8月M14厂完工典礼上，表态要在十年内，于韩国利川、清洲等地加码建置三座半导体厂房。而22日SK海力士公布了*新的新厂投资计划，SK海力士表示，新厂将座落韩国清州市科技城，将于下个月展开设计、明年8月开始外壳结构与无尘室建构，并于2019年6月完工，而届时的设备机台安装将视公司的迁移计划而定，可以确定的是，新厂总投资金额将来到2.2万亿韩元，主要用于NAND Flash产能的布建。
韩国清州自2008年以来，即为SK海力士NAND Flash生产的大本营，SK 海力士新建的利川M14厂虽将于明年转进3D NAND Flash量产，但官方进一步指出，为了顺应接下来3D NAND Flash渗透率持续攀升、加以建厂时需两年，因此决议提前新建厂房布局。
而DRAM市占的扩展SK海力士也没打算放弃，SK海力士22日同日也宣布，扩张中国无锡厂DRAM产能，官方指出，无锡厂已占海力士DRAM产能的一半，将在2017年7月至2019年4月期间，投资9,900亿韩元扩增无尘室提升产量。
另一调研机构的报告预估，2017年DRAM、NAND Flash平均销售价格(ASP)分别有11%、10%的增长，总产值来到853亿美元，到了2020年整体内存产值估计能突破1,000亿大关、2021年达到1,100亿美元。2016~2021年内存市场年复合成长率约在7.3%。
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