三星电子的3D NAND flash霸主宝座出现危机?三星是**家开发出3D NAND flash业者，技术遥遥**，不过据传日厂东芝(Toshiba)砸重金研发后，情势一夕骤变，东芝即将超车三星，成为**生产64层3D NAND flash的厂商。
BusinessKorea 20日报道，2013年三星电子率先制造3D NAND，东芝直到今天春天才加入生产行列，不过却以光速追上对手，计划今年第三季生产全球首见的64层3D NAND flash，比三星快了一季。
64层3D NAND flash极为重要，业界认为64层3D NAND flash的出现，代表平面NAND flash时代画上句点。3D NAND flash采垂直堆叠，可提高记忆体容量和速度，表现优于平面NAND flash。
尽管东芝来势汹汹，半导体专家指出，东芝和三星仍有技术差距，两家公司*大不同在于控制闸(control gate)技术，三星采用TANOS、东芝使用SONOS。据称东芝的技术便于多层堆叠，但是缺点在于制程较为复杂、生产力较低。
Thomson Reuters、时事通信社报道，东芝(Toshiba)统筹记忆体事业的副社长成毛康雄，7月6日在投资人说明会上表示，将强化3D Flash生产，目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。
日经、韩国先驱报(Korea Herald)7月6日报道，未具名消息指称，东芝打算与西部数据(Western Digital)在未来三年携手，对3-D NAND Flash投资1.5万亿日元(相当于146亿美元)。根据双方协议，东芝、西部数据会在日本三重县四日市的现有合资厂房新增芯片制造设备，大多数的资金会用来安装3-D NAND的制造装置。
韩联社7月12日报道，韩国三星电子2016年Q1(2016年1-3月)NAND型快闪记忆体(Flash Memoy)全球销售额创下历史新高，Q1三星NAND Flash销售额较去年同期成长3.1%至26.15亿美元，增幅是整体市场(成长1.6%)的近2倍水准，市占率也从前一季的42.0%上扬至42.6%。
排名**位东芝(Toshiba)市占率虽从24.0%大幅扬升至28.0%，不过与三星之间仍有高达14.6个百分点的差距;第三位为美国美光(Mircon)的18.8%、韩国SK海力士则以10.6%的市占率位居第4位。
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