台积电和瑞萨携手合作eFlash制程的MCU产品，可追溯至90纳米制程上，之后进一步合作40纳米制程，双方一路上都密切合作，这次更决定共同开发高阶的28纳米制程，预计采用28纳米制程技术生产的车用MCU芯片会于2017年提供样品，2020年开始量产，主要是用于未来的环保汽车与自动驾驶车上。
台积电表示，与瑞萨在合作40纳米制程的MCU平台4年后，决定扩大跨入28纳米的MCU开发，结合瑞萨的金属氧化氮氧化矽(MONOS)eFlash技术，以及台积电的28纳米高介电层金属闸制程技术来生产车用的MCU产品，应用范围包括自动驾驶车的传感器控制、电子控制单元(ECU)之间的协调控制、环保汽车的高效率燃油引擎控制、以及电动车的高效率马达变频器控制。
台积电进一步表示，这次的28纳米eFlash制程技术能将MCU的程式存储器容量和效能可比目前的40纳米技术，*高多出4倍以上，同时也使用多CPU核心，并且支援多种介面标准，符合新世代车用运算的需求。
台积电进一步解释，为了满足未来自动驾驶车对于效能和**性的严格要求，新世代MCU利用3D雷达监测车辆四周环境，以实现高精度的感测功能，同时可整合多个传感器的资料，并且具备自动驾驶操作时所需的即时判断处理能力，可控制自动驾驶功能的ECU也需要MCU快速处理复杂的控制任务，包括失效稳定运作能力，以及对多个ECU之间协调控制的支援。
在节能的效益上，为了符合更严格的排放法规，新世代的环保汽车引擎需要强大的运算效能来运作新的燃油系统，因此需要容量更大的快闪存储器来容纳韧体程式。
目前市面上电动车(EV)与充电式油电混合车(PHEV)为了应付更长的行驶距离，需要更高运算的整合度MCU，以实现效率更高、体积更小的马达变频器，而大容量的快闪存储器也是必须的，能支援各国环境法规与标准，并得以透过空中传输(OTA)的方式无线更新控制程式；再者，MCU嵌入式快闪存储器技术也大量应用在工业4.0等工业领域以及社会基础建设领域上。
瑞萨执行副总裁大村隆司表示，汽车产业正经历重大转变，新一代的环保汽车及自动驾驶车即将问世，**的半导体技术是加速新世代汽车开发的重要关键，这次与台积电合作28纳米制程的MCU芯片，未来也会建构MCU的生态系统。
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