近期外界诸多针对苹果(Apple)新一代iPhone 7相关规格的讨论，*新有大陆外媒报导传言，新iPhone 7较大尺寸版本可能将推出一款内建256GB超大储存容量的机型，而根据义大利科技部落格HDblog公布的外流照片显示，供应5.5吋新iPhone 7 Plus内建256GB NAND Flah存储器的厂商可能为闪迪(SanDisk)。
根据科技网站MacRumors及大陆外媒报导，苹果先前多款iPhone均曾采用闪迪的Flash存储器芯片产品，包括iPhone 5、iPhone 6及iPhone 6 Plus等机种，其他iPhone机种则是采用韩厂三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)以及日厂东芝(Toshiba)的NAND Flash芯片。
据传闪迪方面一直在设法将256GB NAND Flash存储器芯片的体积，设计到比64GB的NAND Flash芯片体积还小，主因即外传新iPhone 7产品线可能机身厚度*高只有1mm薄，加上可能会配有更大容量的3,100mAh电池，基于如此小的机身容量及大容量电池已占新iPhone 7不少内部空间，因此存储器芯片体积势必有设计得更小的需要。
目前外界仍不清楚是否新iPhone 7 Plus仍将推出内建16GB储存容量版本，毕竟16GB版本已是现阶段全球智能型手机市场上各家业者普遍的储存容量规格；或是苹果会在目前的iPhone价格带下，推出诸如32GB、128GB甚至256GB等更大储存容量版本，借此创造较大市场竞争优势。
其他目前外传的新iPhone 7产品线规格，还包括可能会搭载由台积电代工、处理速度较快的A10处理器，以及可能内建英特尔(Intel) 7360 LTE数据机芯片、取消3.5mm耳机接口、搭载两颗扬声器、具防水功能、无线充电功能、隐藏天线、以Lightning Connector搭载数位类比转换器(DAC)、立体声功能、隐藏式荧幕指纹辨识功能、机壳采用金属材质，以及传出新款iPhone 7 Plus的RAM可能有3GB以及双相机镜头等。
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