华邦电主要区分为DRAM及Flash业务；詹东义说，目前看来，DRAM大环境是健康的，价格预计可微幅上调。
在Flash方面，华邦预期Flash到今年底都将是缺货的情况，市场新的产能开出将是在2018年；中国大陆明年开出多少产能，以及新产能的质量水平待观察。 在需求方面，明年整体市场需求仍将持续增加。
**季各产品线占营收比例方面，利基型内存(Specialty DRAM)占华邦**季营收42%，行动内存(Mobile DRAM)占**季营收13%，闪存(Flash Memory)占**季华邦营收比重提升至45%。
今年以来，华邦电子的产能都已充份运用，今年投入巨额的资本支出将可提升月产能由4.4万片增加至4.8万片，其中，DRAM为2.6万片，Flash为2.2万片，新增的4000片产能预计将于第四季开始投片，明年可展现效益。
另一方面，第三季公司自行开发的3X奈米产能将开出，开始逐步增加产出。 今年华邦DRAM产能仅成长1%，明年DRAM的位成长率可提升至13%，明年DRAM的动能加大。 公司也持续积极研发25奈米制程，预计后年开始有业绩贡献。
华邦今年把部分产能转到Flash，因此今明年Flash产能都会增加。
华邦电总经理詹东义表示，NOR Flash市场今年下半年稳定，仍有供需缺口；华邦的产能无法完全满足客户之需求，预计今年下半年都是如此的状况。
目前华邦电子的产能全满，更多产能要到第四季才能开出；第三季NOR Flash旺季需求比**季更强，有助于价格再调涨，也有利于华邦毛利率再向上提升。
华邦今年资本支出预计为170亿元新高，其中，57%用于新增的产能及技术提升，20%用于新的晶圆厂FabC的设置；15%用于新技术之所需，8%为其他。 由于公司持续以扩厂及提升制程，双管齐下达到增加产能，因此预期明年的资本支出仍在**。
今年NOR Flash市况火热，华邦目前在全球的市占率提升至20%，排全球第三；旺宏电子以26%的市占率居于龙头。
公安机关备案号：
