集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！扫描文末二维码添加关注。
1.国产SSD主控企业一览：技术、人才、资金三道坎；
集微网1月22日报道（记者 张轶群）作为固态硬盘（SSD）的重要组成部分，SSD主控扮演着重要角色。近年来，在国家大力发展集成电路产业，倡导自主可控信息**的背景下，存储产业中的国产替代将逐步走向深入，这为中国SSD主控产业的发展带来了机遇。
机遇挑战并存
近年来，SSD市场迎来高速发展期，增速以年均20%快速成长。预计在2021年，SSD的市场出货量将超过HDD，而在2017年，全球企业级SSD市场的收入已经超过HDD。
有别于HDD发展时期，市场处于巨头垄断状态，中国市场几乎没有芯片、盘片厂商。在SSD时代，凭借自主**，中国厂商已具备一定的技术实力，加之国家的大力扶持，中国SSD主控企业有希望在全球SSD领域占据一席之地。
在忆芯科技创始人沈飞看来，大概在十年前，**波国产化浪潮中，催生了像山东华芯、杭州华澜微以及深圳硅格等SSD主控企业，而如今伴随着国家战略的需求，以及企业自身实力的不断提升，中国SSD主控市场正迎来**次发展浪潮。
“在这一波市场机遇面前，中国SSD主控企业存在做大做强的机遇，有可能出现像Marvell、慧荣一样的**企业。”沈飞在接受集微网记者采访时表示。
机会固然存在，但在Marvell、群联、慧荣等巨头已站好市场身位的情况下，对于中国SSD主控企业，特别是初创企业而言，现实依然严峻，可谓机遇挑战并存。
“存储涉及到数据**，对产品品牌十分看重，加之强敌环伺，这决定了初创企业可能无法迅速突围。但因为巨头在产品定义上相对保守，研发周期比较漫长，如果中国初创企业能够通过有效的产品定义，推出差异化产品迅速打开市场，就有机会实现弯道超车。”沈飞说。
分析人士指出，中国SSD主控企业真正登上舞台，至少需要2-3年的时间，这一过程中需要充分证明产品商业化能力，并得到FLASH原厂的认可。
此外，随着长江存储的NAND产品3季度实现量产，据集微网记者了解，在今年3月左右长江存储会向包括国内厂商在内的各大主控厂商提供NAND颗粒，中国存储厂商具备了NAND量产制造能力后，中国的主控企业也将因此而受益。
而对于龙头企业长江存储而言，尽管目前并没有明确释放出在SSD主控领域布局的相关消息，但有分析人士指出，长江存储实现量产后，下一步肯定会介入SSD主控。可能的方式是收购一个或若干个独立主控公司。
独立IC设计公司和被大厂收购，是SSD主控企业未来发展的两种路线。从美国的企业发展过程看，两种路线都能取得成功，不同路线的公司满足不同的市场需要。对于国内企业而言，两种路线都是可行路线。特别是在国内NAND闪存大厂力量尚不能跟美日韩NAND大厂竞争的时期，独立主控相对有更好的发展机会。
技术、人才、资金三道坎
SSD主控技术门槛在于：一是芯片技术。如今**厂商普遍在28nm和16nm制程流片，传统公司还停留在55nm（山东华芯、华澜微），40nm（国科微）等制程。二是存储相关技术，包括闪存管理、纠错、加密等算法。
闪存管理面临的主要技术挑战在于：一是FTL上面的损耗均衡，二是对写放大的处理，写放大和损耗均衡技术通过固件完成，由算法工程师来编写，对人才的技术水平要求更高。在NAND闪存进入3D TLC闪存之后还要用到的LDPC纠错技术，只有少数公司拥有这样的解决方案。
SSD主控可能会包含若干个CPU，要实现编程管理，需要相应SSD管理算法，同样对于固件的要求较高，而我国在这方面的人才比较缺少。
“SSD主控方面的人才主要是在美国、台湾，虽然这些企业在大陆有研发中心，但在中国国内的工程师，大部分并不能够涉及到存储的核心技术，在技术积累上有一定差距。”沈飞说。
此外，对于许多独立SSD主控厂商而言，具备迅速适配*新的NAND颗粒能力也十分关键。对各家厂商NAND的广泛适配能力是独立SSD厂商相对于NAND厂商自研的主控的竞争优势所在。
沈飞举例称，在适配性、稳定性方面，如Marvell、慧荣等大厂做一款NAND产品的适配期通常需要三个月甚至半年，如果国产主控企业能够接近或缩短这一过程，会使得中国企业有机会更早地将产品切入市场，抢占先机。
ssdfans创始人赵占祥（笔名阿呆）告诉集微网记者，在消费级市场，NAND成本占据SSD整个成本的90%。消费级SSD主控需要对各家的FLASH产品熟悉，能够支持所有产品，还要有供应链的支撑。
“同大厂商相比，独立主控公司缺乏NAND FLASH，也就缺少了优化纠错算法的关键参数，产品性能会受到一定程度影响。”赵占祥说。
另外，对于独立主控公司而言，因为客户数目较多，每个客户都要投入很多资源进行包括NAND适配等技术的支持，使得这些企业都要背负较高的资金压力。
据沈飞介绍，一颗28nm的主控芯片从研发到上市大概需要1500万美金。作为资金高投入的行业，如果无法通过有效的产品定义迅速打开市场，获得成功，投入研发，就无法形成产品-市场-研发的良性资金循环，也将为企业发展带来资金压力。
我国SSD主控企业一览
HDD时代，中国企业几乎全军覆没，没有国内企业进入这一行业。而在SSD时代，中国已经涌现不少掌握核心技术的公司。目前独立SSD主控的国产厂商有近三十家，SSD产品的上百家，形成了较为完整的产业链，部分国产主厂商已经跻身世界一线大厂的供应链。
华为海思是目前业界公认*有实力的SSD主控厂商，已有企业级SSD产品面世，主要应用于华为系产品，其相关信息也一直未被过多披露。
以杭州华澜微、山东华芯、深圳硅格为代表的老牌玩家，起步于早先的国产化浪潮，在工控、**等领域耕耘多年。相对而言，这些市场相对封闭，渠道、市场风险相对较小。
2015年，国科微获“大基金”青睐，成为“大基金”实际注资的**家设计企业。2017年，国科微的**代SSD控制芯片GK2301问世，GK2301系列SSD控制芯片获得了国家密码管理局颁发的商用密码产品型号证书，成为国内首款国密、国测双认证SSD控制芯片。
“芯片研发是一个迭代过程，我们正在研发第三代主控芯片，这款芯片将可以满足在**性和存储性能上要求都比较高的场景。”国科微**运营官周士兵说，“我们与国际大厂相比，优势在行业市场，根据不同的应用场景提供差异化的有竞争力的解决方案，也希望通过这一点切入金融等**行业应用中。”
华澜微从SD/MMC和U盘控制器起步，在2015年并购美国initio® (晶量)公司的桥接芯片产品线后，其在SATA、PCIe等高速接口技术方面的竞争优势较为明显。同时，华澜微也是国内少数具有信息**算法芯片技术的公司，是中国芯片企业少数逆向出口海外的公司。
山东华芯半导体是国内**拥有超高速接口、大容量存储控制和**产密码算法三大优势的芯片和方案厂商。先后推出国内首颗USB3.0国密存储控制芯片HX6802(国密型号SSX1411)和国内首颗SATA3.0国密存储控制芯片HX8800(国密型号SSX1526)，并先后推出了系列移动**存储和固态硬盘解决方案，打破了国外垄断，提升了片上系统固件的平台化和定制化服务能力。
深圳硅格成立于2007年。2017年9月，搭载硅格*新SSD主控芯片SG9081的SSD面世，另据了解，硅格PCIe SSD控制芯片等产品也在规划之中。
忆芯科技成立于2015年，主要聚焦于**消费级以及入门企业级控制器产品。2017年11月15日，忆芯科技成功推出了国内首款商用NVMe SSD主控芯片STAR1000，并已经为SSD大厂建兴采用，是目前国内首款被业界主流SSD厂商所选用的主控芯片，标志着国产SSD主控芯片迈出了关键一步。
联芸科技成立于2014年11月，2017年成功推出支持3D NAND的SSD主控芯片MAS090X，目前已进入量产销售阶段。其中MAS0901主要针对企业类及工控类应用的SSD产品，MAS0902主要针对消费类应用的SSD产品，可为客户提供高性价比DRAMLESS SSD解决方案。
同时，在企业级领域，国内还有不少知名SSD厂商的部分产品采用FPGA控制器方案，比如方一信息科技、宝存科技等。
在**领域，中勍科技自2016年推出自主研发的4通道SSD主控芯片ZQ706系列产品后，2017年再次推出自主可控技术的ZQ706ES升级版固态硬盘控制器，打破了国内在该领域长期依赖进口的现状，在中国**芯片自主、**、可控的研发进程中迈出了坚实一步。
2015年6月，群联在合肥投资成立合肥兆芯电子，主要从事eMMC、SATA固态磁盘等控制芯片与存储器系统的设计验证与研发。（校对/范蓉）
2.国内**硅光子工艺平台流片周期比国外快1倍；
集微网消息，据上海市政府网站报道，昨天，中科院上海微系统所主办的“光电子新微技术论坛”传出消息，上海去年推动布局的硅光子市级重大专项有了新进展，国内**硅光子工艺平台已经可以提供综合集成技术的流片服务，目前流片器件及系统性能指标与国际**水平相当，一些特殊的集成工艺还是“独门秘籍”。流片周期只需3个月，比国外快了1倍！
有望实现“超越摩尔”
硅光子技术，是让光子作为信息载体，实现信号传输的**性和可靠性，是一项面向未来的颠覆性、战略性和前瞻性技术。据介绍，集���电路的发展沿着摩尔定律已趋于极限，硅光子技术是超越摩尔研究领域的发展方向之一。通过硅光子集成，用光代替原来的电进行传输，成本有可能降低到原来的十分之一甚至更低。
然而，一直以来，国内设计的**硅光子芯片基本都要在国外流片。采用硅光子技术的英特尔Xeon芯片，从2015年起就被美国商务部要求对“天河二号”的研制者国防科技大学实行禁售。美国**硅光子公司Acacia生产的100Gbps相干接收芯片，在2016年3月7日，中兴被美国商务部工业与**局限制采购整整一年。
“硅光子产业的及时雨”
上海微系统所研究员余明斌说，目标到2021年建成**的硅光子芯片研发和中试基地，到2025年量产平台实现芯片批量供货，成为国际知名硅光子的研发、制造基地。
令他感到兴奋的是，硅光子工艺平台开放流片服务的消息一发布，短短时间内就有50多位来自高校、科研院所和企业的人士加入了微信群，他们纷纷点赞“这是硅光子产业的及时雨”。由于流片质量达到国际**水准，一些日本企业也发来了价值100多万元人民币的订单。“我们的流片速度相比国外的流片代工线，速度快了一倍，只需3个月。”
据介绍，这一硅光子工艺平台中试线今年6月将正式启动建设，预计将于九十月份全线贯通。中科院上海微系统所科研部部长狄增峰说，目前上海的硅光子技术基础研究能力与****水平基本同步，但在加工制造线上稍落后。随着硅光子工艺平台中试线的建设，这一差距会逐步缩小。“利用新技术迭代，赶上****水平，是有可能的。”
3.量子计算：一场接近“突破点”的竞逐；
新华社北京１月２２日电 特稿：量子计算，一场接近“突破点”的竞逐
新华社记者杨骏 黄堃
５量子比特、１０量子比特、５０量子比特，一场你追我赶、争相**的激烈竞逐近年来正在量子计算领域上演。
传统计算机要１００年才能破解的难题，量子计算机可能仅需１秒，如此“洪荒之力”、酷炫前景各国岂能袖手旁观？
去年底，美国ＩＢＭ公司宣布推出全球首款５０量子比特的量子计算原型机，量子计算领域的竞争进入关键阶段。
聪者听于无声，明者见于未形
当魔幻般的理论在现实中推动进步，各国的科研实力体现无疑。
在ＩＢＭ公司宣布成果的半年前，中国科学家已发布世界首台超越早期传统计算机的光量子计算机，实现１０个超导量子比特纠缠，在操纵质量上也是全球**。
从个位数到几十量子比特的进展，各国你追我赶，这到底是为什么？
从１９７０年到２００５年，正如摩尔定律预测的一样，每１８个月集成电路上可容纳的元器件数目约增加一倍，计算机的性能也相应提升近一倍。但２００５年后这种趋势就开始放缓，极其微小的集成电路面临散热等问题考验。
如果按这个趋势继续发展，当集成电路的尺寸接近原子级别的时候，电子的运动也不再遵守经典物理学规律，这个时候量子力学将起到主导作用。
上世纪８０年代，科学家就已预言问题所在，并提出量子计算才是方向。这也不约而同成为各主要国家关注的焦点。
传统计算机的基本数据单位是比特，而量子计算机以量子比特衡量。有观点认为，如果量子计算机能有效操纵５０个左右量子比特，能力即超过传统计算机，实现了相对传统计算机的“霸权”。这种“量子霸权”正是各科研机构竞相追逐的目标。
近来，科技巨头纷纷宣布重要进展。除ＩＢＭ的５０量子比特计算机原型，英特尔也在１月份宣布研制４９量子比特的测试芯片。但这些企业没有发布详细性能报告，用词离不了“原型”和“测试”，更没有宣称已经实现“量子霸权”。
这是因为量子比特光有“数量”不够，还得有“质量”，即通过纠缠等方式操纵量子比特互相关联，才能有效利用它们进行量子计算。中国科学技术大学潘建伟团队去年５月实现的１０个超导量子比特纠缠，就是有“质量”的量子比特，但离“量子霸权”还有相当距离。
“很显然，建造量子计算机现在是一个世界范围内的竞赛。”美国得克萨斯大学奥斯汀分校量子信息中心主任斯科特·阿伦森说。他认为，未来一年左右将可能有人赢得“量子霸权”竞赛。
长风破浪会有时，直挂云帆济沧海
人类已进入一个能看到量子计算机将要“出生”的时间段。中国科学院院士、量子计算专家、图灵奖获得者姚期智说，这是“*后一公里”，但也是一个非常艰难的过程。
业内专家指出，量子计算需要克服环境噪声、比特错误和实现可容错的普适量子纠错等一系列难题，真正量子计算机研发挑战巨大。
那么量子计算到底魅力何在，让全球都不愿错失良机？
起源于１９００年普朗克所提理论的量子力学，描述了看似魔法的物理现象。在微观尺度上，一个量子比特可以同时处于多个状态，而不像传统计算机中的比特只能处于０和１中的一种状态。
这样的一些特性，让量子计算机的计算能力能远超传统计算机。美国谷歌公司等机构在２０１５年宣布，它们的“Ｄ波”（Ｄ－Ｗａｖｅ）量子模拟机对某些问题的求解速度已达到传统计算机的１亿倍。虽然它并不被认为是真正的量子计算机，但量子计算的巨大潜力已经显露。
为加速进入量子计算机阵营，各国政府纷纷加大投入。欧盟在２０１６年宣布投入１０亿欧元支持量子计算研究，美国仅政府的投资即达每年３．５亿美元。中国也在大力投入，目前正在筹建量子信息国家实验室，一期总投资约７０亿元。
如果“量子霸权”实现，人类计算能力将迎来飞跃，接下来就会是在多个领域的推广。一些行业巨头已经盯上了量子计算未来应用：阿里巴巴建立了量子计算实验室；中科院与阿里云合作发布量子计算云平台；ＩＢＭ也在去年宣布计划建立业界**商用通用量子计算平台ＩＢＭ Ｑ，还与摩根大通等公司合作计划在２０２１年前推出**在金融领域的量子计算应用。
更不用说在**、**等敏感领域，量子计算一旦成熟，就可以攻破需要大量计算的传统难题，比如密码破解等。
“我相信量子技术在２１世纪的重要性可与上个世纪的曼哈顿计划相比。”**量子科学家潘建伟院士说。也就是说，量子技术可能像曼哈顿计划造出原子弹那样改变世界格局。
潘建伟等中国科研人员正在不断取得成果，在光与冷原子系统、超导系统等多种量子计算技术路线上同时发展，希望在未来１０年，实现上百量子比特的纠缠。
潘建伟曾用“笋”来比喻中国量子计算领域的发展。因为笋尖刚长出来时进展较为缓慢，一旦长起来便越来越快。他说中国的量子计算就如“春笋”，“我们的爆发式增长也已到了‘相变点’”。
4.莫大康：中国存储器梦初探
中国上马存储器芯片制造引起全球的反响，恐怕2019年及之后会揭开面纱，露出“真容”。它对于中国半导体业具里程碑意义，实质上是为了实现产业“自主可控”目标打下扎实基础，所以“气只可鼓，不可泄”。尽管面临的困难尚很大，但是必须要认真去对待，重视知识产权的保护，并努力加强研发的进程。-莫大康2018年1月22日
中囯己有三家企业向存储器芯片制造发起冲锋，分别是武汉长江存储的32层3D NAND闪存；福建晋华的是32纳米的DRAM利基型产品；以及合肥长鑫(睿力)的19纳米 DRAM。而且三家都声称2018年底前将实现试产，开通生产线。
如果再计及紫光分别在南京和成都刚宣布再建两个存储器基地，总计己有五家企业。艰难的上马决定 中国半导体业要上马存储器芯片制造，当时大多数人持谨慎态度，不是看轻自己，而是存储器业的竞争太激烈。
存储器业究竟难在那里？可能有如下几个主要方面：
未见有“新进者”
自上世纪90年代之后，全球存储器制造厂商未见有一家“新进者”，其间奇梦达倒闭，及美光兼并了尔必达，导致在DRAM领域全球仅存三家，包括三星、海力士与美光（中国台湾地区的多家加起来占5%，可以忽略不计）以及NAND闪存仅存四个联合体，包括三星、东芝与西数、海力士及美光与英特尔，其中三星居垄断地位，2017年它的DRAM 占全球的45.8%及NAND占37%。
周期起伏
存储器业基本上的“规律”是盈利一年，亏损两年，而三星是个例外，它独霸天下，善于作逆向投资。如依Gartner数据，2017年全球存储器增长64.3%，达约1200亿美元，而2018年增长13.7%，及2019年下降12.9%，2020年再下降10.2%。
投资大，拼的是产能与成本
由于存储器产品的特殊性，它的设计相对简单，因此产品的线宽、产能、成品率与折旧，成为成本的*大项目。任何新进者，由于产能爬坡，折旧等因素几乎无法与三星等相匹敌，所以即便舍得投入巨资，恐怕也难以取胜，其中还有**等问题。
中国半导体业面临艰难的抉择，现实的方案是可能在处理器(CPU)与存储器两者之中选一，众所周知，处理器己经投入近20年，龙芯的结果是有成绩，但是难予推广应用。所以只能选择存储器是众望所归，仅是感觉难度太大，多数人在开始时表示犹豫而己。如今“木己成舟”，只能齐心协力，努力拼搏向前。
困难在2019年及之后 对于中国上马存储器制造，可能会面临三个主要难关：1) 突破技术关； 2) 拼成本与价格； 3) **纠纷。
从态势分析，其中突破技术关，成功试产，对于中国存储器厂商可能都不是问题，显然2018年相比2017年的投资压力会增大。
预期*困难的是**个难关，开始产能的爬坡，以及拼产品的成本与价格阶段。它们两者联在一起，当成本差异大时，产能爬坡的速率一定会放缓，很难马上扩充产能达到50,000-100,000片。因为与对手相比较，在通线时我们的产能仅5,000至10,000片，对手己是超过100,000片，它的成品率近90%，而我们可能在70-80%。三星己经64层 3D NAND量产，我们可能尚在32层，它的折旧在30%，或者以下，而我们可能大於50%，以及它们的线宽尺寸小，每个12英寸硅片可能有900个管芯，而我们仅800个，或更少等。所以不容怀疑成本差异是非常明显，要看我们的企业从资金方面能够忍受多长时间的亏损。
所以对于中国的存储器业*艰难的时刻应该在2019年，或者之后。
第三个难关是**纠纷，近期己有多方的“空气”说，中国做DRAM怎么能不踩**的“红线”，而且不可预测对手会如何与您开打，这是中国半导体业成长必须要支付的“代价”。因此从现在开始就要准备**方面的律师及材料，迎接战斗。
对于知识产权保护中国半导体业一定要给予足够的重视，也是迈向全球化的必由之路。
因为对手们正虎视眈眈的监视着我们，它们通常会采用两个利器，一个是“**棒”，它们的目的首先是要彻底打垮我们，然后即便打不败我们，也要拖跨我们。另一个更兇狠的是“打价格战”，让我们的产品变成库存而无法售出。所以这一仗是十分艰难，要提前做好它们会非理性出牌的预案，显然除了资金上能够持续之外，要充分利用好市场在中囯的优势。
近期三星，美光、海力士、英特尔以及东芝都纷纷开始扩充产能，不是个好兆头，据说它们的目的之一都是为了应对中国的存储器业崛起。
突破存储器的思考 此次攻克存储器的风险很大，成功与否目前尚不可预言，但是站在中囯半导体业立场，既然是箭己出弦，势在疾发，那就一定要努力去达成，它对于中国半导体业会产生深远的影响。
IDM模式的尝试
为什么中国一定要涉足IDM模式，它与要实现产业的“自主可控”目标紧密相关。由于中国半导体业处于独特的地位，而现阶段它的芯片制造大都采用代工模式，缺乏自有的产品，仅有的fabless又十分偏科，集中于手机处理器等领域，所以要实现产业的“自主可控”目标必须迅速迈入IDM模式，解决部分影响自身需求*关键的产品，因此存储器芯片首先列入候选清单之中。
之前中国也有自己的IDM，如杭州士兰微电子等，但由于相对弱小，技术的先进性不够，它们尚不能代表中国的芯片制造业水平。
IDM模式有它的特点，并有一定难度，不然中国半导体业早就可以涉足，它的难点与市场化的关连更为紧密。因为IDM的产品要能满足市场的需求，而代工仅是提供工艺条件让客户来选择加工，而正因为IDM有自己的产品，它就有库存的风险，以及与竞争对手是要持续的比拼实力。全球许多**大厂几乎都是IDM模式，如英特尔做处理器(CPU)，三星做DRAM与NAND，NXP做汽车电子，TI做模拟产品等。
所以此次涉足存储器制造采用IDM模式对于中国半导体业是个新的开始，具里程碑意义。
国产化
国产化的概念十分重要，因为至此西方仍对于中国采用禁运手段，从国家**出发，中国半导体一定要有部分关键的IC产品能替代进口，甚至那怕只有5%-10%的产品是西方��定要购买中国生产的，这样双方就可以互相依赖，调节平衡。
而许多文章中经常采用的所谓“国产化率”，如2020年达40%，及2025年达70%，恐怕需要重新思考，它缺乏正确的定义，即它的分子与分母分别由哪些部分组成可能含义尚很模糊。导致国外与国內的所谓国产化率的数据差异大，如果假设到2025年时“国产化率”己经达到了70%，它具有什么现实的意义？
而存储器产品对于提高国产IC替代应用的前景广阔。
紫光开工三家存储器基地的一些看法
紫光愿意承担中国存储器业发展的责任，它的董事长赵伟国有企业家的担当，值得受人尊敬。而从中国存储器业发展的眼光需要紫光，因为依国有资金为主导，它的机制无法适应存储器变化快的市场特征，否则武汉新芯也不会邀约紫光入股，并让它当大股东。
从另一侧面观察，中国*大的芯片制造厂，中芯国际经过16年的积累销售额才仅30亿美元，因而迫切需要探索一种新的模式，由终端企业来带动制造业可能是其中方法之一，但是之前多家终端企业曾试图突破，结果是并不成功，反映芯片制造有难度，有它的独特规律。
如今紫光声称要采用前人(半导体人)从未用过的方法，包括用资本运作来积累发展资金，以及兼并来推动产业进步，近期又声称要加强研发。尽管业界有些半信半疑，但是观察近3年来紫光的实践，至少尚“有些模样”。
业界至此担心的是投资高达1,000亿美元，同时上马三个基地，包括武汉、南京和成都，好像太过于自信，也没有必要性。而且投资金额与投资的实效并非一定成正比。因为在中国的现行条件下，“存储器业不是愿意砸大钱，就能一定成功”，而且学习三星的经验并不一定能适用于中国，更不知道“钱”在那里？现在的紫光靠名声可以融到部分资金，未来主要是依靠业绩，是产业发展的正常规则。
业界曾有质疑，紫光是一家企业，它能承担存储器业发展的责任，能持久下去吗？我的初浅认识是紫光愿意探索一条“新路”，对于产业发展有利，也十分需要，因此首先要表示欢迎，并支持它，不该批评与阻止它。如今按紫光董事长赵伟国的说法，大约要有五年时间就可以站稳脚跟，而按我的观察哪怕再增加2-3年，能够坚持下来就是成功的表现，它对于中国存储器业发展将作出巨大的贡献。
存储器点滴
全球存储器的现状，以下提供些比较关键的数据，如月产能，依2017年初计，DRAM方面，三星月产能12英寸40万片，海力士 30万片及美光33万片，而NAND闪存，三星为40万片，海力士为21万片，美光与intel为27万片，及东芝与西数(原闪廸)为49万片，总计全球存储器的月产能约为12英寸硅片240万片。
三星的平泽厂取名Fab18, 2017 Q2量产，生产第四代64层3D NAND 闪存，**阶段月产能为40,000-50,000片，占生产线的设计产能200,000片的1/4，投资金额为27.2-31.7亿美元。
目前三星的西安厂量产64层3D NAND闪存，每个12英寸硅片约有780 个256GB的管芯，当平均成品率达85%时，成本估计每个是3美元，相当于主流 2D NAND 工艺16Gb容量的价格。
而20纳米的 DDR4 8Gb，每个12英寸硅片约950-1100个管芯，成品率也为85%时，每个12英寸晶园成本为1450美元，计及封装与测试成本后，每个管芯的成本为1.79-2.24美元。
所以，未来无论是3D NAND，或者是DRAM，比拼的是每颗管芯的成本，显然成本的压力很大。
结语 中国上马存储器芯片制造引起全球的反响，恐怕2019年及之后会揭开面纱，露出“真容”。它对于中国半导体业具里程碑意义，实质上是为了实现产业“自主可控”目标打下扎实基础，所以“气只可鼓，不可泄”。尽管面临的困难尚很大，但是必须要认真去对待，重视知识产权的保护，并努力加强研发的进程。
有人认为中国的国力是韩国的六倍以上，因此比赛耗国力中国一定能胜利，此话是正确的。然而多家存储器企业都要依赖于国家资金来弥补亏损，可能也不现实，因为谁也无法预测*终结果会是什么样。
观察影响中国芯片制造业的发展，除了技术、人材及资金因素之外，尚有内外两个关键问题，一个是西方的阻挠，它们采用控制**人材流出，以及阻止国际兼并等方法，加上不定时的用瓦圣纳条约来干扰，以及另一个是产业大环境的改善，即要解决诸多产业发展中的“结构性”矛盾。由于其中一个是不掌握在自已手中，以及另一个涉及国家改革总的进程，所以中国半导体业在存储器的前进道路中不会很平坦，真要有长期奋战的决心与勇气。
公安机关备案号：
