TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，受惠于全球智慧型手机出货成长，及记忆体搭载量不断攀升，2016年**季开始DRAM原厂逐步降低标准型记忆体的产出，转为行动式记忆体与伺服器用记忆体；在供应逐渐吃紧下，2016年第三季开始标准型记忆体价格呈上涨走势，同时带动其他类别记忆体的价格上扬，第三季全球DRAM总体营收较上季大幅成长约15.8%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第三季适逢苹果(Apple) iPhone 7与三星(Samsung) Note7二大旗舰机备货潮，虽然Note 7后来于第四季停产，但第三季的备货仍有助记忆体消化量与价格的上扬，标准型记忆体也因出货比预期更佳，加上笔电搭载高容量8GB记忆体比重亦持续增加，更让第四季标准型记忆体合约价季涨幅逾30%。
三星(Samsung)依然稳坐DRAM产业龙头，营收季成长约22.4%，成长幅度远超过市占**的SK海力士(Hynix)，两大韩厂的市占各为50.2%以及24.8%，合计二家韩厂已囊括DRAM 75%的市占率。美光集团(Micron)仍位居第三，营收季增12.6%，市占18.5%。
营业获利部份，三星仍是DRAM产业**，第三季营业获利率维持在37%，SK海力士由18%上升至25%，而美光则是转亏为盈，从-0.6%转为2.3%。吴雅婷表示，展望第四季，由于DRAM价格持续攀升，可以肯定各厂获利仍将进一步成长。
由技术面观察，三星已在20奈米制程上取得**，成本为三大DRAM厂中*低，新厂Line 17的18奈米制程也从下半年起开始生产。吴雅婷指出，由于三星目标以获利为重，对于18奈米是否继续大规模扩产仍在谨慎规划中。
第三季SK海力士的21奈米制程产出不如预期，导致产业供给吃紧，目前SK海力士仍将着重于21奈米的良率提升，并规划2017下半年进入18奈米试产阶段，持续制程转进。美光在华亚科于今年9月正式100%转进20奈米制程下，20奈米制程也正式成为美光的主力制程技术，美光后续也计画明、后年陆续导入18/16奈米量产。
台厂部分，南亚科受惠于第三季标准型记忆体价格持续上涨，加上客户陆续追加订单，第三季营收较**季成长16.7%，但随着新工厂Fab 3A North完工，2017上半年将导入20奈米制程，届时成本有望进一步降低。
力晶科技DRAM营收大幅下滑31.1%，受到**季价格不好影响，力晶减少第三季标准型记忆体的产出，导致营收大幅下滑，随着第四季DRAM价格大涨，力晶DRAM投片又开始恢复之前水准，可预期营收将回复成长。
华邦电子第三季营收小幅成长7%，除46奈米比重持续提升外，38奈米制程预估*快于第四季正式少量投片生产，此外，由于利基型记忆体第四季起涨价，亦将反映在第四季的营收表现上。
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