据海外媒体报道，存储器价格超夯，今年至今韩厂SK 海力士 （SK Hynix ）已经飙升35%，部分外资相当乐观，预言还有20%上行空间。
巴伦（Barronˋs）14日报导，DRAM价格上涨，带动SK海力士一路攀高。DRAMeXchange预估，第三季DRAM价格将季增9%，第四季价格可能会再飙将近30%。有鉴于此，摩根士丹利（大摩）的Shawn Kim估计，SK海力士股价可望续涨20%。
大摩报告称，时序迈向Q4，DRAM和NAND价格表现都优于预期，也胜过SK海力士的预估。DRAM投资应会维持紧缩，明年供给成长将低于20%。如今DRAM 库存来到低档，Q4供给成长将减缓，减缓客户预购的负面冲击。Q4 NAND供给也很吃紧；3D NAND产能开出，估计要到2017年下半才会出现影响。
SK海力士14日走升1.47%收在41，550韩圜，年K线大涨35.12%。
但是不是所有外资都同意此一看法，先前Bernstein Research警告，DRAM荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。
巴伦（Barronˋs）9月23日报导，六月以来PC DRAM现货价大涨30%，光是过去两周就飙升9%；NAND Flash也供不应求，价格挺升，存储器大厂SK海力士（ SK Hynix）和美光（Micron）股价都因此一飞冲天。存储器市场还能热多久？Bernstein Research的Mark Newman说，一切要看三星。
Bernstein报告称，要是DRAM获利提高到诱人地步，三星可能会增产，一如该公司在2014、2015年所做。他们估计，三星DRAM毛利将拉高至58~59%的高点，类似2014/15年，届时三星应会在17号产线或新落成的平泽厂等闲置厂房增加产能，如此一来，市场将从供不应求，转为平衡，甚至在2017年中或年末时，演变为供给过剩。
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