集微网消息，韩国存储器制造商SK海力士周四宣布3.16兆韩圜（27亿美元）的投资计划，希望同时在韩国与中国两地增加存储器产能，以满足移动与数据储存市场的需求。
海力士表示将在韩国盖一座全新NAND快闪存储器厂，预算达2.2兆韩圜，有望拉近与三星的差距。市调机构TrendForce指出，NAND供货仍然吃紧，明年报价预估将持续走扬。
除此之外，随着智能手机对存储器容量要求越来越高，DRAM市况亦呈现供不应求。有鉴于此，海力士还将加码投资中国DRAM厂9,500亿韩圜，借以扩充产能。
TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示，全球第三季DRAM营收季增15.8%，其中三星DRAM营收季增22.4%，市占率来到50.2%。海力士与美光市占率则各为24.8%与12.6%。
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