DRAM和储存型快闪记忆体（NAND Flash）在淡季同时缺货，尤其DRAM涨势凶猛，让主要记忆体族群今年营运看旺。国内DRAM厂均已退出标准型供应正规战，转攻利基型市场，以利基型DRAM通常一季议价一次，因而未能享用如三星、SK海力士和美光营运直接受到产品飙涨挹注，但随着涨势愈猛，台厂包括南亚科、华邦电和力晶等，也同步沾光。
近期DRAM涨势主要由三星主导，且涨势仍未停歇，首季标准型DRAM涨幅逾三成，行动式DRAM约15~20%，伺服器用DRAM涨幅在25~30%。三大应用领域同飙，让主要供应商三星、SK海力士、美光去年营运翻身，股价也大爆发，尤其美光股价大涨1.3倍，格外受到瞩目。
法人看好南亚科、华邦电、旺宏、力晶等拥有记忆体制造产能的公司，本季起业绩将明显提升，不过南亚科因部分产能转进20奈米，产出会减少，让涨价利益失色不少。
旺宏因具备NAND Flash和NOR Flash两项记忆体制造实力，加上原来被视为包袱的12寸晶圆厂折旧几乎摊提完毕，让旺宏今年光是折旧短少，就可为公司带来可观利益，加上两项记忆体都相继切入车用及物联网等大厂，今年营运改观。
至于模组厂中，则以拥有货源较多的威刚和群联成为大赢家，但随着低价库存逐渐消化，预料第2季起，普遍会承受成本垫高价及调货不易等困扰。
群联稍早已主动公布去年前11月税前盈余达50.46亿元，超越去年整年的44.73亿元，每股税前盈余25.6元。由于10月及11月合计税前盈余为12.67亿元，法人预期去年第4季获利仍可超过上季，创单季获利新高，也将去年全年获利推向历史高峰。
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