韩国SK海力士与东芝试制出了4Gbit STT-MRAM，并在“IEDM 2016”上进行了发布（论文序号：27.1）。因为是Gbit级的大容量MRAM，关注度非常高，很多听众来到发布会场，甚至还有人站着听讲。
试制的STT-MRAM由8个512Mbit的存储体构成。单元面积仅为9F2（F为设计规则），与8F2左右的DRAM相当。SK海力士的演讲人表示，普通STT-MRAM为50F2。通过缩小单元面积实现高密度化，将MTJ元件的间隔缩减到了90nm。Vdd为1.1～1.7V，写入脉冲宽度为30ns左右。
在演讲的*后，两公司还公开了1cm见方的4Gbit STT-MRAM芯片的照片。据介绍，利用该芯片读写时出现的错误bit，订正错误后仅为数bit。
另外，还公开了利用FPGA读取保存于该芯片的24bit BPM格式图像的结果，表明在动作方面不存在问题。另外，如果实施ECC，图像会更加清晰。关于具体详情，将在2017年2月举办的ISSCC 2017上发布。关于实用化时间，发布人回答称“希望用2、3年的时间推出实用产品”。（记者：根津祯）
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