2016年第3季韩国存储器产值已接近14兆韩元(约123亿美元)，较前季成长13.9%，DIGITIMES Research预测，在终端需求持续增加及单机搭载容量提升带动下，2016年第4季有望突破15兆韩元(约132亿美元)大关。
观察2016年第3季韩国存储器产业发展，因全球PC与智能型手机等终端装置出货增加，以及厂商因应旺季来临回补库存，DRAM与NAND Flash需求增加，价格出现翻扬，韩国存储器产值达13.95兆韩元，较前季成长13.9%，也较2015年同期微增0.6%。
三星电子(Samsung Electronics) 2016年第3季DRAM营收季增18.0%，优于SK海力士(SK Hynix)的4.3%及全球的15.8%。三星先于2016年第1季量产18纳米制程DRAM，2016年第3季服务器用DRAM(Server DRAM)及移动DRAM(Mobile DRAM)也导入18纳米制程技术生产，亦使其DRAM成本竞争力持续提升。
NAND Flash方面，2016年第3季三星与SK海力士营收合计达5.13兆韩元，季增15.3%，两公司NAND Flash营收季增率表现皆亮眼，双双突破15%。
展望2016年第4季，DIGITIMES Research预测，因韩元兑美元走贬压力大增，随着全球PC及智能型手机等终端装置出货续增、智能型手机用移动DRAM及NAND Flash单机搭载容量提升、3D NAND Flash SSD渗透率提高，加上DRAM合约价飙升等因素，韩国存储器产值将持续上扬，有望突破15兆韩元。
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