SK海力士:存储器价格上升强势带动 营业利益季增60%

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25日SK海力士(SK Hynix)公布第3季财报,营收为4.2436兆韩元(约37.28亿美元),营业利益为7,260亿韩元,税后净利为5,978亿韩元。营收与营业利益较前季各增加7.7%与60.3%,但与2015年同期相比,分别减少13.8%与47.5%。

据韩国经济等韩媒报导,先前证券业者预估SK海力士第3季营业利益金额约6,750亿韩元,但由结果SK海力士公布的各项数据显示,实际绩效比业界预期表现良好。

SK海力士营收能较前季成长7.7%,主要可归功于第3季有许多移动装置新产品上市及个人电脑(PC)需求影响,带动市场景气复甦;营业利益较前季增加60.3%,则因SK海力士扩大20纳米前段(2z)制程DRAM量产比重,成功降低生产成本,加上市场价格回升的双重效果所致。

由于PC业者事先囤积库存及移动装置新品上市,SK海力士第3季DRAM出货量比第2季增加8%,产品也逐渐走向高容量趋势,平均出货价格则为维持与第2季相同水准;NAND Flash出货量则增加12%,平均出货价格上升7%。

对未来DRAM市场走势预估,SK海力士表示,在供给增加有限之下,市场需求成长力道强,产品价格应可持续上扬。特别是媒体影像播放需求、大陆服务器市场影响力扩大等,都是可稳定带动需求成长的诱因。

至于NAND Flash市场则因愈来愈多智能型手机业者选用高容量产品,市场需求也会成长;固态硬碟(SSD)市场在PC的潜在消费者需求复甦、搭载固态硬碟的比率增加、平均储存容量提高等利多因素下,将维持良好的供需平衡。

对未来经营策略方面,SK海力士表示,2z纳米制程DRAM从第3季才开始供应,将持续扩大产量,目标2016年底将生产比重提高到40%;公司正持续研发10纳米后段(1x)制程DRAM技术,期盼能尽快投产提高技术竞争力。

NAND Flash部分已从第2季开始以14纳米制程生产2D产品,未来产量会持续扩大;48层3D NAND Flash正在研发、认证阶段,目标2016年底前开始销售;72层产品预计可在2017年上半完成研发,2017年下半将启动量产。

SK海力士表示,半导体市场竞争瞬息万变,公司将持续提高技术竞争力,扮演好全球存储器大厂的角色。

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