3D NAND市场持续看俏 三星、SK海力士扩大投资

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半导体业界普遍认为,3D NAND Flash市场开始迎接景气回春,荣景可望持续到2017年,3D NAND Flash也将成为整个存储器市场的领头羊。三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)两大韩厂已开始在相关领域进行大规模投资,以便抢得市场先机。

据朝鲜日报报导,尽管个人电脑(PC)市场需求持续衰退,对DRAM的需求也逐渐萎缩,但半导体业者对3D NAND Flash的市场景气却普遍表示乐观。受惠于固态硬碟(SSD)、伺服器、智能型手机市场扩大,3D NAND Flash的需求不但快速成长,也为业者带来丰厚利润。

三星电子在2013年首先推出3D NAND Flash技术,以垂直堆叠方式取代原本的平面电路,开发出比平面NAND Flash写入速度增加1倍,电力耗损降低40%,且产品寿命增加10倍的产品。

市调业者DRAM eXchange预估,2016年第4季嵌入式多芯片封装(eMCP)的平均售价可望比第3季上升10~15%;嵌入式多媒体卡(eMMC)的平均售价将延续先前趋势持续上升。

南韩业界表示,3D NAND Flash的需求呈现激增走势,2016年下半开始,以伺服器、固态硬碟为主的市场需求持续扩大,加上其他科技产品陆续推出,带动存储器价格上涨。

原本市场上已有三星、SK海力士、东芝(Toshiba)、美光(Micron)等4家业者激烈竞争,英特尔(Intel)及大陆业者也决定加入战场,使得三星与SK海力士必须进行大规模投资,以确保竞争优势。

以三星来说,2015年正式启动3D NAND Flash投资,并且持续扩大产量;预定2017年完工的平泽半导体厂传闻已将**阶段生产品项定为3D NAND Flash。三星此举不外乎是为了提升用于固态硬碟的3D NAND Flash技术,进一步取得市场主导权。

业界知情人士表示,虽然不能完全确定三星平泽工厂的生产项目,但因应市场需求生产NAND Flash的可能性很高;三星大规模投资3D NAND Flash应是为了在激烈的市场竞争中取得先占优势。

SK海力士目前在3D NAND Flash市场排名第四,2016年第2季持续提高出货量,NAND Flash市占率达到10.3%。SK海力士计划在2016年底前完成开发48层3D NAND Flash,目标2017年将3D NAND Flash的生产比重提高到50%以上。

业界表示,包含SK海力士在内,东芝、美光等全球竞争业者在2017年会加速投资3D NAND Flash;NAND Flash的市场将维持稳定供需,对业者而言2017年应该会是市场景气良好的一年。

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