多相 60V 同步升压型控制器

原标题：多相 60V 同步升压型控制器，提供高达 97% 的效率并具有输入和输出保护 集微网消息，加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2017 年 1 月 10 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出多相同步升压型 DC/DC 控制器 LTC3897，该器件具输入浪涌抑制器和理想二极管控制器。升压型控制器异相驱动两个 N 沟道功率 MOSFET 级以降低输入和输出电容器要求，从而允许使用比同类单相方案小的电感器。同步整流提高了效率，减少了功率损耗并降低了散热要求。具可调箝位电压的输入浪涌抑制器负责控制一个 N 沟道 MOSFET 的栅极，以避免器件遭受高于 100V 的高输入电压瞬变之损坏，并提供了浪涌电流控制、过流保护和输出断接功能。集成的理想二极管控制器驱动另一个 N 沟道 MOSFET，以实现输入电压反向保护和电压保持或峰值检测。LTC3897 非常适合汽车、工业和医疗系统，在这类系统中，需要升压型 DC/DC 转换器以在小的解决方案尺寸中高效地提供大功率。例如，LTC3897 可配置为从汽车电池 (12V

凌力尔特多相 60V 同步升压控制器提供高达 97% 的效率及输入和输出保护

凌力尔特 (Linear Technology Corporation) 日前推出多相同步升压 DC/DC 控制器 LTC3897，该元件具备输入涌浪抑制器和理想二极体控制器。升压控制器异相可驱动两个 N 通道功率 MOSFET 级，以降低输入和输出电容要求，因而能使用比同类单相方案更小的电感器。同步整流不仅提高效率，更减少了功率损耗并降低散热要求。具可调箝位元电压的输入涌浪抑制器负责控制 N 通道 MOSFET 的闸极，以避免元件遭受高于 100V 之输入电压瞬变，并提供涌浪电流控制、过流保护和输出断接功能。内建的理想二极体控制器可驱动另一个 N通道 MOSFET，以实现输入电压反向保护和电压维持(holdup)或峰值检测。LTC3897 非常适合汽车、工业和医疗系统，在此类系统中，需要升压 DC/DC 转换器以在小型解决方案尺寸中高效率地提供大功率。例如，LTC3897 可配置为从汽车电池 (12V) 以高达 97% 的效率调节 24V/10A 输出。LTC3897 可透过Burst Mode? 模式操作时的 55μA 低静态电流进一步延长电池工作寿命，并在轻负载时将功耗降至*低。

中国半导体工艺落后国际大厂 谈突破先了解FinFET和胡正明

凌力尔特发表多相60V同步升压控制器

凌力尔特(Linear)日前推出多相同步升压DC/DC控制器LTC3897，该元件具备输入涌浪抑制器和理想二极体控制器。升压控制器异相，可驱动两个N通道功率 MOSFET级，以降低输入和输出电容要求，因而能使用比同类单相方案更小的电感器。同步整流不仅提高效率，更减少了功率损耗并降低散热要求。 具可调箝位元电压的输入涌浪抑制器，负责控制N通道MOSFET的闸极，以避免元件遭受高于100V之输入电压瞬变，并提供涌浪电流控制、过流保护和输出断接功能。内建的理想二极体控制器，可驱动另一个N通道MOSFET，以实现输入电压反向保护和电压维持(Holdup)或峰值检测。LTC3897非常适合汽车、工业和医疗系统，在此类系统中，需要升压DC/DC转换器以在小型解决方案尺寸中，高效率地提供大功率。例如，其可配置为从汽车电池(12V)以高达97%的效率调节24V/10A输出。该元件可透过Burst Mode模式操作时的55µA低静态电流，进一步延长电池工作寿命，并在轻负载时将功耗降至*低。其可操作于4.5V至65V的输入电压范围，峰值为75V。该元件可调节高达60V的输出电压，而强大的内建可调型5V至1

技术路线图指导 做强中国功率半导体

如果说中央处理器（CPU）是一台计算机的心脏，功率半导体就是电机的心脏，它可以实现对电能的高效产生、传输、转换、存储和控制。我国发布《中国制造2025》，勾勒出未来十年产业转型升级的整体方向与发展规划，在此过程中，功率半导体发挥的作用不可替代。然而，与集成电路产业相似，我国功率半导体产业的发展水平与******也存在着巨大差距。人们常拿我国每年集成电路进口额与石油进行比较，其实如果按比例计算，我国功率半导体的进口替代能力可能更弱。随着“节能减排”、“开发绿色新能源”成为我国长期发展的基本国策，通过“互联网+”推进信息化与工业化深度融合成为既定任务，加快发展功率半导体产业已经成为当务之急。针对我国当前功率半导体产业发展状况以及2016年~2020年以功率半导体为核心的电力电子产业发展重点，中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟、中国IGBT技术**与产业联盟、中国电器工业协会电力电子分会、北京电力电子学会共同发布《电力电子器件产业发展蓝皮书》（以下简称《蓝皮书》）。《蓝皮书》指出，电力电子器件产业主要是核心的电力电子芯片和封装的生产，但也离不开半导体和电子材料、关键零部件、制造设备、检测设备

门极驱动器为SiC-MOSFET模块提供**保护

凌力尔特推出同步升压控制器

凌力尔特(Linear)日前推出 H等级版本的LTC3786，该元件为一款同步升压 DC/DC控制器，可保证于接面温度高达 150°C 的操作。该控制器采用N通道 MOSFET取代升压二极体，以提高效率并降低功耗。该控制器可从 12V 输入以高达98%的效率产生 24V/5A 输出，因此非常适于汽车、工业和医疗应用。 LTC3786启动时，可操作于4.5V至38V的输入电压范围，启动后则保持低至2.5V 操作，并可调节高达60V的输出电压。在备用模式下，其 55µA低静态电流，有助于延长电池供电型应用的运作时间。强大的1.2Ω，内建N 通道MOSFET闸极驱动器，能够快速转换大MOSFET闸极，从而将转换损耗降至*低，并允许高达10A输出电流。该元件提供可调的周期对周期限流保护功能，可运用感测电阻或监视电感(DCR)两端的压降，来进行电流感测。在输入电压可超过稳定输出电压的应用中，该控制器能保持同步MOSFET连续导通，以便输出电压，并以*小功率损耗追随输入电压。且其具有75kHz至850kHz的可锁相频率、或50kHz至900kHz的可选固定频率。

具扩频功能的 60V 同步 4 开关降压-升压型控制器

元器件交易网讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出同步降压-升压型 DC/DC 控制器 LT8390，该器件可在输入电压高于、低于和等于输出电压时调节输出电压和输入或输出电流。其 4V 至 60V 输入电压和 0V 至 60V 输出电压范围非常适合汽车、工业、电信甚至电池供电系统中的稳压器、电池和超级电容充电器应用。LT8390 的 4 开关降压-升压型控制器与 4 个外部 N 沟道 MOSFET 相结合，能够以高达 98% 的效率提供 10W 至超过 400W 的功率。其降压-升压能力非常适合汽车等应用，因为在这类应用中，输入电压可能在停/启、冷车发动和负载突降情况下显著变化。降压、降压-升压和升压运行模式之间的转换是无缝的，从而即使当电源电压有很大变化时也可以提供很稳定的输出。LT8390 采用 28 引线 4mm x 5mm QFN 或耐热性能增强型 TSSOP 封装，可构成占板面积非常紧凑的解决方案。LT8390 运用专有的峰值降压、峰值升压电流模式控制方法，这种方法运用单电感器电流检测电阻器提供降压、升压和降压-升压区之间的无缝

意法提升车用40V MOSFET杂讯表现和效能

意法半导体(ST)发布两款40V车用等级MOSFET。新产品采用该公司*新的STripFET F7制造技术，开关性能优异、效能出色、杂讯辐射极低，且抗干扰能力强。新产品*大输出电流达120A，主要应用包括高电流的动力总成、车身或底盘和**系统，同时优异的开关特性使其适用于马达驱动装置，例如，电动助力转向系统(Electric Power Steering, EPS)。 该公司的STripFET系列，采用DeepGATE技术，达到降低晶片单位面积导通电阻和RDS(on)×栅电荷(Qg)值，在采用相同的功率元件封装条件提供更高的效能。高雪崩耐受度特点是此新产品另一大亮点。透过降低体效应二极体的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr)，STripFET F7增强切换性能和大幅提升产品效能，另外软性反向恢复可大幅降低静电干扰 (electromagnetic interference, EMI)，从而放宽对滤波元件的要求。此外，优化此装置的容值，使元件抗干扰性获得改善，缓解对缓冲电路的需求，栅极磁滞电压校调，使元件具有良好的抗干扰功能，而无需专用栅极驱动器。在马达驱动等电桥拓朴中，二极体

无畏氮化镓角逐**率市场　碳化硅功率元件/模组商机涌现

有鉴于全球环保意识抬头，碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)两种功率转换材料备受瞩目。其中，碳化矽掌握早期开发优势，其功率模组在再生能源与车用电子领域，商机已纷纷涌现。而主要锁定低功率市场的氮化镓，则将缓步进军**率市场。 可以弥补天然能源不足缺口的再生能源设备，为聚焦于**率、高功率应用的碳化矽创造大量需求。另一方面，近期丰田汽车(Toyota)在电动车中导入碳化矽(SiC)元件的测试结果也已出炉，其在改善能源效率、缩小电源控制系统(PCU)尺寸上的效果，明显胜过矽元件。 图1　Toyota碳化矽测试用车台达电技术长暨总经理张育铭表示，以前电力电子的厂商其实不多，不过近期随着碳化矽、氮化镓的半导体元件越来越多，这部分的市场是值得期待的。另外，若以功率设备来看，传统的火力发电、核能发电所用的电力电子比较少，不过新兴再生能源就不同了，风力电发电中的电力转换器扮演相当重要的角色，而太阳能发电的光伏逆变器(PV Inverter)，所占比重也很重。 并购Wolfspeed　英飞凌强化碳化矽事业 主要受益于碳化矽技术的领域除了再生能源，还有车用电子。在此趋势的推波助澜下，功率半导体供应领导厂商英

Fairchild发布具有**效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，今天推出了其SuperFET III系列，用于650V N沟道MOSFET，这是该公司新一代的MOSFET，可满足*新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。SuperFET III MOSFET系列兼具**可靠性、低EMI、**效率和优异热性能，是高性能应用的理想之选。**性能之外，该系列还提供了广泛的封装选择，赋予了产品设计者更大的灵活性，特别是对于尺寸受限的设计。Fairchild高功率工业事业部副总裁兼总经理赵进表示：「无论我们的客户身处何种行业，他们都始终追求大幅提高其每一代新产品的效率、性能和可靠性，同时努力加快新产品上市的步伐。在设计新型SuperFET III MOSFET以帮助客户实现其关键产品目标的同时，我们还确保这些器件能够降低BOM成本、减小电路板空间并简化产品设计。」SuperFET III技术具有所有便捷驱动型超结 MOSFET的*低Rdson，因此具有**效率。这要归功于先进的电荷平衡技术，与其前代SuperFET II产品相比，在同样的封装尺寸内，该技术将

功率半导体市场板块挪移再现

台积市值冲4.8万亿新高；日本半导体设备订单大增30%；

用于能源技术的低电感定制式电力电阻

集中发电技术正在经历一场革新。传统发电厂（如燃煤、燃气及核能发电厂）逐渐被可再生、分散化的解决方案（如风力、太阳能或生物质发电厂）取代。后一类电厂通常遵循相同的原理，亦即使用可再生能源（太阳能、风力和生物质）并通过一个或更多的转变过程产生直流或交流电压或电流。由于能源生产者是分散的，所以越来越多的电能不再馈入高压电力系统，而是馈入中压和低压电力系统。因此，未来将越来越需要采用储能器件的智能电力系统管理，以多变的方式满足峰值负载需求。这些发电厂的核心组件是能够以同步方式和合适的质量将产生的电能提供给电力系统或消费者的电力转换器。这些发电厂不仅会向各个组件提出极端要求，而且它���还必须在艰苦环境条件下达到约20年之久的使用寿命。近年来，电力转换器的发展重点已转向更高功率密度和半导体的更高开关频率。**个发展使得改进性价比成为可能，因为能够在保持系统成本几乎不变的同时增加输出功率。**个发展增加了系统效率，因为由于开关频率的增加，系统损耗随之降低。图1：电力转换器的概念电路图电力转换器从电路图中的输入侧（左）移动到消费侧（右），有一个用于限制充电电流的电阻（RI），用于保护电容抗干扰。通电后，

SuperFET III MOSFET满足耐用与可靠要求

Fairchild推出其SuperFET III 650V N通道MOSFET系列。新一代MOSFET能够满足*新的电信、伺服器、电动汽车(EV)充电器及光伏产品对于更高功率密度、系统效率及出色的可靠性方面的要求。 SuperFET III MOSFET系列兼具同类*佳的可靠性、低EMI、出色的效率以及**的热效能，使其成为高效能应用的理想选择。除了出色的效能特性，其广泛的封装选择更是锦上添花，赋予产品设计者更大的灵活性，对于尺寸受限的设计尤其如此。在任何驱动简易的超接面MOSFET中，SuperFET III技术均可实现*低Rdson，同时提供同类*佳效率。该产品能够实现这一优势是因为它采用了先进的电荷平衡技术，相较其SuperFET II前代产品，在封装尺寸相同的情况下，Rdson可降低44%。SuperFET III系列具有**的耐用性及可靠性，其中的关键因素在于其同类*佳的体二极体以及优于其*相近竞争产品三倍的单脉冲崩溃能量(EAS)效能。650V SuperFET III系列在关断期间具有较低的峰值汲源极电压，在低温运行时可增强系统可靠性，因为相较于室温，在接面温度为-25℃

安森美半导体的降压调整器NCP323X：全集成、大电流、宽输入、高能效

碳化硅电力电子器件的发展现状分析

1 SiC二极管实现产业化SiC电力电子器件中，SiC二极管*先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管（SBD）和JBS结构二极管。目前，SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。SiC肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。做为单子器件，它的工作过程中没有电荷储存，因此它的反向恢复电流仅由它的耗尽层结电容造成，其反向恢复电荷以及其反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重要的是，和它匹配的开关管的开通损耗也可以得到大幅度减少，因此提高电路的开关频率。另外，它几乎没有正向恢复电压，因而能够立即导通，不存在双极型器件的开通延时现象。在常温下，其正态导通压降和Si超快恢复器件基本相同，但是由于SiC 肖特基二极管的导通电阻具有正温度系数，这将有利于将多个SiC肖特基二极管并联。在二极管单芯片面积和电流受限的情况下，这可以大幅度提高SiC肖特基二极管的容量，使它在较大容

蚀刻时间/缺陷率呈正函数关系　SiC晶圆表面处理时间要抓紧

碳化矽(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性*近几年显着改进，这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化矽(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性，在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。尽管商用4H–SiC单晶圆片的结晶完整性*近几年显着改进，但这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。 经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。表面缺陷严重影响SiC元件品质与矽元件相比，碳化矽的能带隙更宽，本征载流子浓度更低，且在更高的温度条件下仍能保持半导体特性，因此，采用碳化矽材料制成的元件，能在比矽元件更高的工作温度运作。碳化矽的高电击穿场强和高热导率，结合高工作温度，让碳化矽元件取得极高的功率密度和能效。 如今，碳化矽晶圆品质和元件制造制程显着改进，各大半导体厂商纷纷展示了高压碳化矽解决方案，其性能远超过矽萧特基势垒二极体(SBD)和场效应电晶体(FET)，其中包括阻断电压接近19kV的PiN整流管；击穿

常闭型金刚石半导体，试制成功确认动作

日本金泽大学2016年8月19日宣布，通过与产业技术综合研究所、电装等的共同研究，制作出了采用金刚石半导体的反转层沟道MOSFET，并成功对其进行了工作验证。将来，通过为汽车、新干线、飞机、机器人、人造卫星、火箭、输配电系统等导入使用金刚石半导体的功率元件，将有望为节能低碳化社会作出贡献。 碳的单元素半导体——金刚石半导体具有导热率（硅的14倍）及绝缘击穿电场（硅的100倍）高的特点，尤其在需要大电压和大电流的领域，这种半导体更有助于实现节能化。反转层沟道MOSFET是降低功耗不可或缺的电压控制元件，具备关闭时电流不会通过的常闭特性，可靠性较高，已在硅半导体中广泛普及。但是，金刚石半导体却因为工艺难度较高而存在课题，那就是很难形成良好的MOS构造，这是反转层沟道MOSFET的基本构造。此次，研究人员通过独有的微波等离子体增强化学气相沉积技术，成功提高了n型金刚石半导体的品质，并提高了湿退火氧化膜及金刚石界面的品质。采用这些技术，制作出了反转层沟道金刚石MOSFET，并成功验证了其工作情况。对采用上述方法制作的MOSFET进行工作验证的结果显示，未施加栅极电压时，栅极电流及漏极电流均在检

罗姆推出安装面积仅3.3mm见方的车用MOSFET

罗姆于2016年9月13日推出了汽车用MOSFET“AG009DGQ3”，采用安装面积仅3.3mm×3.3mm的HSMT8AG封装，安装高度为0.8mm。与该公司原产品相比，安装面积削减了约64％。新产品符合汽车用分立半导体芯片的质量标准“AEC-Q101”，主要用于发动机ECU（电子控制单元）等用途。 罗姆介绍说，汽车用MOSFET为了保证质量，一般都采用安装面积为5mm×6mm的封装，尤其是要求高可靠性的发动机ECU用途，5mm×6mm被视为小型化的极限。此次通过改良MOSFET芯片技术和封装技术，在确保可靠性的同时实现了小型化。另外，为了提高在印刷电路板上安装时的可靠性，采取了两个措施。一是采用该公司自主开发的端子结构，通过扩大端子宽度提高了接合强度。二是在栅极端子的中央部实施电镀处理，提高了焊料润湿性，将造成栅极端子脱落的焊接裂纹的发生几率降到了原来的一半以下。此次的新产品为n沟道型，耐压为+40V，*大漏电流为±30A。导通电阻在栅-源间电压为+10V时为8.0mΩ（*大值），+4.5V时为10.0mΩ（*大值）。总栅极电荷为32nC（标称值），封装容许损耗为75W，保存温度

意法半导体推出新款超结MOSFET

原标题：意法半导体推出新款超结MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 宽爬电间距封装功率晶体管 集微网消息，中国，2016年8月16日——横跨多重电子应用领域、全球**的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出���系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘，导致功率晶体管引脚之间产生高压电弧放电现象，TO-220FP宽爬电间距封装是这类应用功率晶体管的理想选择。在使用2.54mm引脚间隔的常规封装时，需要铸封、引线成形、套管或密封等特殊工艺，这款新封装将引脚间距扩至4.25mm，让电源厂商能够满足现行**标准，将现场电源故障率降至*低，而无需使用这些附加的防电弧工艺，从而简化了制造过程，提高了生产效率。在提供优异的防电弧功能的同时，TO-220FP爬电还保留了深受市场欢迎的TO-220FP的出色电特性。此外，相似的外观尺寸还可以简化安装问题，确保符合现有安

ST推出*小马达驱动器简化连网装置

横跨多重电子应用领域、全球**的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出新系列低功耗微型马达驱动器，让搭载精密电池的设备变得更小、更便于携带，且续航时间更长。马达是可携式医疗注射泵和驱动器、个人健身设备、可携式POS机、迷你机器人、**监控设备、精密工具、可携式印表机等电子设备的核心元件，马达控制需要大量与电子工程相关的实际研发知识技能。在符合尺寸和功率预算的需求下，于单晶片上结合逻辑和功率元件，是产品设计人员所面临的*大挑战之一。意法半导体新系列的微型单晶片马达驱动器整合了低功耗、小尺寸、高性能等功能，并符合*严格的可携式和穿戴装置的技术需求。意法半导体新型马达驱动器将会促进以电池供电的连网装置之广泛应用。意法半导体新款产品尺寸仅3mm x 3mm，乃世界上*小的单晶片马达驱动器，协助产品设计人员提供快速、轻巧而友善的**产品至目标市场。新款驱动器可节省电池电量，运转电压*低只要1.8V，其支援省电设计，待机电流不到80nA，为业内*低，可满足马达于非运转时的零功耗需求。此外，此款驱动器另提供1.3Arms的马达电流，可用于各种应用，包括机器人定位

ST高压转换器让智能家居和工业用电源实现超低功耗

中国，2016年7月27日 —— 横跨多重电子应用领域、全球**的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）近日推出一款高压功率转换器VIPER01，设计人员利用这款芯片能够研制超功耗、设计简单且高成本效益的5V输出电压开关电源(SMPS)。为家电、楼宇自动化、电机控制、 工业自动化和消费电子产品的低功耗电源专门设计，新产品VIPER01可直接使用整流电源，集成PWM (Pulse-Width Modulation，脉宽调制)电流式控制800V耐雪崩功率MOSFET和多种保护电路。考虑到该硬件的物联网属性——需要长时间联接互联网或局域网，这款功率转换器芯片还提供辅助电源选项，为物联网硬件的微控制器提供电源。 新器件属于VIPerPlusTM 系列高压转换器，现在是**代产品，采用了意法半导体独有的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)制造工艺。BCD制造工艺可单片集成高性能PWM控制器和高压逻辑电平控制式晶体管、保护电路和诊断电路，对功率晶体管的稳健性和可靠性影响不大。因为功耗极低，在轻载条件下自动切至脉冲频率调制模式，V

led驱动电路的作用与拓扑结构

LED是一种由过剩能量引发的光子发射，当在led两端加上正向电压时，半导体内的少数载流子和多数载流子发生复合反应。采用不同的led材料可以制作出不同颜色的有色光，简称发光二极体。随着我们对led进一步深入的研究，led光效能得到进一步提高，而相应生产成本也逐步降低。1.LED性能优点和白炽灯的相比较，LED在性能上具有很多优点。LED灯炮寿命可长达100,000小时，正常使用下使用寿命甚至可以超过人的寿命。除了具有超长使用寿命外，LED同时具有省电的优势。一般的LED头灯可以提供几十小时甚至一百小时以上的持续照明，比起白炽灯区区几个小时的照明来讲就好似长明灯一般。超级省电又闪亮的LED产品受到众多户外爱好者的青睐2.LED驱动电路作用与萤光灯的电子镇流器不同，LED驱动电路的主要功能是将交流电压转换为恒流电源，并同时完成与LED的电压和电流的匹配。LED驱动电路在输入电压和环境温度等因素发生变动的情况下*好能控制LED电流的大小。否则，LED的光输出将随输入电压和温度等因素变化而变化，并且，若LED电流失控，LED 长期工作在大电流下将影响LED的可靠性和寿命，并有可能失效。3.低功率

安森美半导体推出**封装技术

随着汽车功能电子化趋势的不断增强，汽车内的电子元件越来越多，应用环境日益严苛，汽车设计工程师需要考虑空间和性能等多方面因素，功率MOSFET是提供低功耗和更小尺寸的理想器件，被广泛用于许多汽车应用，如防抱死制动系统 （ABS）的油压阀控制、电动窗和LED照明的电机控制、气囊、暖通空调（HVAC）系统、动力总成应用、电子动力转向和信息娱乐系统等等。为推进MOSFET实现更高能效，安森美半导体开发出微间距沟槽技术、夹焊技术和**行业的、**的ATPAK封装技术。微间距沟槽技术通过减小门极单元间距，提供更高单元密度及微结构，从而实现较低导通电阻，以提高能效，降低功耗。夹焊技术则大大提升电流处理能力，并提供直接从裸片顶部析出热量的热路径。ATPAK封装不但增加功率密度，还提高电流处理能力，提升散热性。（马 月）

TI推出业内电阻*低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

2016年7月14日，北京讯德州仪器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内*低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装，其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。如需了解更多信息与样品，敬请访问www.ti.com.cn/CSD18541F5-pr-cn。CSD18541F5金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)保持典型的54-mΩ导通电阻(Rdson)，其设计与优化的目的是取代空间受限的工业负载开关应用中的标准小信号MOSFET。这种微型连接盘网格阵列(LGA)封装的焊盘间距为0.5-mm，易于安装。请阅读博客文章了解更多信息：“借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的工业元件占位面积”。CSD18541F5是TI FemtoFET MOSFETs中NexFET™技术方案组合的新成员，拥有高电压及生产友好型占位面积。请下载设计综述，了解有关LGA封装的详细信息。CSD18541F5主要特点和优势10-V栅源 (VGS)的

AOS推出快速充电器用60V耐压MOSFET

美国Alpha and Omega Semiconductor公司（简称AOS）2016年5月31日推出了8款用于便携式电子产品快速充电器的+60V耐压MOSFET（英文发布资料）。新产品为n沟道型，还可用作反激式转换器的同步整流用MOSFET。采用AOS自主开发的“沟槽型功率AlphaSGT技术”制造。 AOS公司介绍称，“目前，便携终端用充电器都要求提高输出功率。业界通过提高输出电压和增加输出电流的方法应对”。此次的MOSFET面向后者——以低电压大电流充电的方法进行了优化。也就是说，削减了栅极驱动电压较低时的导通电阻。新产品各型号的导通电阻（栅-源间电压为+4.5V时）只有6.3m～13.5mΩ（*大值）。封装有8端子SOP、DFN5×6、DFN3×3三种。8款产品的特性如下：“AO4268”为8端子SOP封装品，导通电阻为6.5mΩ（栅-源间电压为+4.5V时的*大值，下同），输入电容为2500pF，输出电容为670pF，反馈电容为65pF；“AO6262E”为8端子SOP封装品，导通电阻为8.5mΩ，输入电容为1650pF，输出电容为520pF，反馈电容为52pF；“AO62

德州仪器推出业界*高电流的40-A, 16-VIN转换器

2016年6月7日，北京讯---德州仪器（TI）近日推出业界**带有真差分远程电压感测功能的40-A, 16-VIN同步降压DC/DC转换器。SWIFT TPS548D22降压转换器带有一个小尺寸PowerStack™封装和集成金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），可在空间受限的应用中驱动专用集成电路（ASIC）和数字信号处理器（DSP）。与德州仪器的WEBENCH® Power Designer工具一起使用时，TPS548D22可让工程师获得其功率密集型有线和无线通讯；企业和云计算；及数据储存系统设计以加快上市速度。如需了解更多信息并获得样品和评估模块，敬请访问：www.ti.com.cn/tps548d22-pr-cnTPS548D22 DC/DC转换器采用D-CAP3™控制模式拓扑结构，在不同温度下具有0.5%的基准电压精度和真差分远程电压感测功能，可以满足深亚微米处理器的电压要求。阅读题为“在高电流、负载点应用中使用转换器”的博文。TPS548D22的主要特性和优势·集成2.9/1.2毫欧的高/低侧RDS(ON)功率MOSFET，可以增加功率密度和系统可靠性·真差分远程

京大和罗姆试制出全球首款双向SiC MOSFET

日本京都大学和罗姆的研发小组试制出了耐压3kV、导通电阻20mΩcm2的双向SiC MOSFET，已在“ISPSD 2016”上发布。据称，这是全球**实现这种MOSFET。 该双向SiC MOSFET主要由两个区域构成，分别是主动区和终接区。主动区作为SiC MOSFET工作。该区域的SiC外延层的厚度为42μm。在n+型SiC基板上使外延层生长，然后利用机械研磨方法去除该基板，在该层直接安装漏电极。研发人员使试制品在1kV、3A（电流密度为70A/cm2）下工作，与在相同条件下工作的相同耐压、相同导通电阻的SiC MOSFET比较了损耗。双向SiC MOSFET打开时的损耗和关闭时的损耗都与普通的SiC MOSFET相同，但导通损耗减小了35％。（记者：根津 祯）

TI推出1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

德州仪器(TI)推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内*低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装，其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。CSD18541F5金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)保持典型的54-mΩ导通电阻(Rdson)，其设计与优化的目的是取代空间受限的工业负载开关应用中的标准小信号MOSFET。这种微型连接盘网格阵列(LGA)封装的焊盘间距为0.5-mm，易于安装。请阅读博客文章了解更多信息：“借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的工业元件占位面积”。CSD18541F5是TI FemtoFET MOSFETs中NexFET?技术方案组合的新成员，拥有高电压及生产友好型占位面积。请下载设计综述，了解有关LGA封装的详细信息。CSD18541F5主要特点和优势·10-V栅源 (VGS)的超低54-mΩ Rdson比传统60-V负载开关减小90%，使功耗得以降低。·超小型1.53-mm x 0.77-mm x

Diode高功率因数降压型LED驱动器满足各地改装灯要求

Diode宣布推出通用AC输入LED驱动器--AL1676，其设计可满足或超越各地针对非调光改装LED灯泡(Retrofit LED Bulb)和灯管照明的功率因数法规要求，并提供具高效率和低物料清单(BOM)成本的设计。这款整合式MOSFET的多种选项可实现300V至650V的汲极电压(Drain Voltage)和1A至4A的汲极电流，适合大多数3W至18W灯泡的要求。 新产品采用单级降压转换器拓扑，使用恒定导通时间控制，以实现高功率因数运作；简单的闭环演算法可确保此一器件可提供**的恒定LED输出电流，从而实现良好的线性和负载调整率的要求。临界导通模式中的运作简化EMI/EMC设计的需求，同时能够检测关断时间，从而消除辅助线圈，有助于器件达到极低的BOM数目和成本。另外，该元件具有欠压和过压、过热关断和过热降电流(Thermal fold-back)等多种保护功能，从而让LED灯泡在遭遇高环境温度情况时提高系统的可靠性。高度的整合再加上小型5mm × 6mm的SO-7封装，可实现紧凑的尺寸解决方案；通过利用不同MOSFET选项，能够在不同功率的灯泡重新使用相同的PCB引脚设计。D

Littelfuse将展示“保护，控制，传感”市场应用解决方案

原标题：Littelfuse将在2016年PCIM Europe展会上展示“保护，控制，传感”市场应用解决方案 中国，北京，2016年5月12日讯 - Littelfuse公司作为全球电路保护领域的**企业，将出席2016年5月10-12日在德国纽伦堡举行的2016年PCIM Europe展。该展会是展示电力电子领域*新发展的****盛会之一。 本次展会上，公司将在7-140展台（7厅）展示两个全新的电源半导体系列：碳化硅（SiC）肖特基二极管和硅IGBT技术。“今年，能够展示电源半导体策略，Littelfuse深感振奋。 我们将继续投资和发展产品组合，为市场带来出色的功能。”Littelfuse**副总裁、半导体产品总经理兼**技术官Ian Highly表示。 “Littelfuse能够将电力电子系统的典型要素——保护、控制、传感，集成到一个系统中。 没有其他任何技术供应商能够以同等的水平协调并集成电力系统的关键要素。”他补充道。展台演示展台内将使用5kW降压转换器（如结构图中所示，额定输入电压为675V，额定输出电压为350V）， 演示Monolith SiC MOSFET技术的功

ST新的MOSFET晶体管技术/封装解决方案重新定义功率能效

中国，2016年5月11日 —— 横跨多重电子应用领域、全球**的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）*新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。 全世界的人都在获取、保存、分享大量的电子书、视频、相片和音乐文件，数据使用量连续快速增长，运行云计算技术的服务器集群、互联互通的电信网络、数据用户终端设备的耗电量也随之越来越高，人们对这些设备能耗*小化的需求越来越多。为应对这一挑战，意法半导体整合*先进的功率晶体结构和尺寸紧凑且高热效率的PowerFLAT 8x8 HV封装技术，推出世界上功率密度*好的 功率晶体管解决方案。意法半导体的新系列功率晶体管产品包括集成快速恢复二极管、击穿电压650V的各种超结 功率MOSFET。包括低栅电荷量、低输入电容、低输入电阻、内部二极管的快速恢复、极低的恢复电荷量(Qrr)、极短的恢复时间(Trr)和业内*好的软开关性能 在内的技术参数让新产品**于竞争对手。意法半导体的新MDmeshTM DM2 功

英飞凌1200V SiC MOSFET增进功率转换效率

英飞凌(Infineon)宣布推出SiC(碳化矽)MOSFET技术，让产品设计达到较佳的功率密度和效能水平。该公司的CoolSiC MOSFET在提升效率与频率上，提供更高的灵活度，协助功率转换配置的开发人员达到节省空间和重量、减少冷却需求、提升可靠性并缩减系统成本。 SiC MOSFET功能的功率转换配置运作时所使用的切换频率，可达现今所使用之三倍或更高，其带来的好处能减少磁性元件和系统外壳制造材料中的铜与铝含量，有助于制造出更小及更轻的系统，以减少运输需求，也更容易安装。功率转换应用的设计人员更能创造出节能的新解决方案，并在全新范畴中运用效能、效率和系统弹性。新款1200V SiC MOSFET经过优化能兼顾可靠性和效能。其运作时的动态损耗比 1200V Si IGBT降低了一个数量级，可从根本上更为优化的系统，应用包括：光电逆变器、不断电系统(UPS)或充电器/储存系统等，而之后也将延伸至工业马达应用。该公司也同时推出采用SiC MOSFET技术的1200V Easy1B半桥式与升压器模组，由于结合PressFIT连线与良好的散热介面、极低的离散电感与坚固设计，因此每个模组皆提供

华虹半导体Super Junction工艺平台累计出货量突破10万片

集微网讯，全球**的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司（「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」，股份代号：1347.HK）今日宣布，其先进的Super Junction（超级结结构）MOSFET（「SJNFET」）工艺平台累计出货量**突破10万片，得益于市场对超级结MOSFET的强劲需求。该平台自2011年量产以来，通过与客户在设计优化、系统解决方案及市场渗透等方面的携手努力，出货量逐年递增。 绿色发展是中国政府「十三五」规划*具特色的发展理念之一，将成为推动经济持续增长的新动力。高效节能绿色产品的普及将促进绿色能源技术更广泛的应用。作为开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车和智能电网等电源系统的核心器件，功率半导体是降低功耗、提高效率的关键。华虹半导体拥有独特的、富有竞争力的的沟槽型SJNFET工艺平台，可以支持500V至900V不同电压等级的产品生产。其中先进的**代SJNFET技术已实现量产，器件性能达��业界**水平。具有更低导通电阻和更小芯片面积的**代优化版SJNFET工艺平台研发成功，现已面向客户开放。超级结结构打破了传统MOSFET器件导通

中国集成电路三条12寸生产线三月底三地同时开工

又是一股熟悉的味道——“大快干上”——中国集成电路产业三条12寸生产线三月底三地同时开工。 我国每年进口的芯片中有1/4是存储芯片，产业需求存在巨大缺口。国家集成电路产业投资基金股份有限公司（大基金）总经理丁文武表示，大基金今年的重点之一就是支持存储器发展。存储已经成为中国集成电路产业的投资新宠。据悉，武汉新芯存储器基地项目、江苏淮安德科玛图像传感器IDM项目、重庆AOS（alpha&omega)的12寸MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）功率半导体项目均将于3月份启动，而紫光集团在存储上的“野心”更是有目共睹。·3月24日紫光已制定一项规模为300亿美元的投资计划；·3月27日德科玛图像传感器IDM在江苏淮安启动；·3月28日武汉新芯二期存储器项目启动；·3月30日美国AOS重庆12英寸MOSFET功率半导体项目启动。武汉存储器基地落户武汉东湖新技术开发区，项目启动仪式将于28日举行。该基地由大基金、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资建设，项目总投资将达240亿美元；目前方案显示，产品方向为3D NAND，项目的

快捷推出新一代PowerTrench MOSFET

快捷(Fairchild)近期宣布推出*新一代100V N通道功率MOSFET产品中的旗舰型元件--FDMS86181。该产品是Fairchild首款新一代PowerTrench MOSFET元件，在电源供应器、马达驱动及其他需要100V MOSFET应用，提高效率、降低其电压振铃并减少电磁干扰(EMI)。 Fairchild iFET事业部副总裁兼总经理Suman Narayan表示，该公司的新款100V N-通道场效电晶体是 PowerTrench MOSFET 基础上的一个重大进步，从效率到可靠性，几乎在效能的各个方面都具备明显优势。新一代产品主要优势在于其将Rdson减少了40%以减少传导损失，将闸极电荷降至较低而减少开关损失。 该产品较低的Qrr几乎消除了振铃导致的电压过冲，从而能够减少或去掉产品设计中的缓冲电路，并降低电磁干扰 (EMI)。同时，此一独特优势允许设计者同时减小产品尺寸和降低物料(BOM)成本。Fairchild网址：www.fairchildsemi.com

具有扩频功能的 60V、同步、四开关降压-升压型 LED 驱动器

凌力尔特新款同步四组开关升降压LED驱动器具备展频

凌力尔特(Linear Technology)日前发表同步升降压DC-DC LED控制器--LT8391，可从输入电压高于、低于和等于输出电压调节LED电流。其输出电压可被设定于0V至60V，能驱动广泛的单串LED。该产品内部四组开关升降压控制器结合四个外部N通道MOSFET，可提供10W至超过LED 100W的功率。 该元件的升降压功能使其适合于如汽车等应用，因其输入电压可于停/启、冷启动和负载突降的情况下剧烈改变；同时，于降压之间的转换、直通和升压操作模式均为无缝式，即使供电电压的广泛变化仍能提供良好稳定的输出。新产品同时可透过外部高压侧PMOS开关提供内部(128：1)和外部(2000：1)的LED电流PWM调光。此一元件具备28接脚4mm x 5mm QFN或散热加强型TSSOP封装，提供精小的解决方案。此外，该产品采用四组外部N通道MOSFET，提供高达100W的连续LED功率，效率达98%，以及±3%的LED电流精度可确保稳定的亮度。**的峰值降压、峰值升压电流模式控制方案提供了可调和可同步化的150kHz到650kHz定频操作或内部展频操作，以达到低EMI。其他功能还包括

凌力尔特DC/DC控制器可保持输出稳压

凌力尔特(Linear Technology)推出双组输出(升压+降压)、低静态电流同步DC/DC控制器LTC7813。当级联时，其独立的升压及降压控制器可从高于、低于或等于输出电压的输入电压调节输出电压，并可在冷启动和负载突降的情况下保持输出稳压。 LTC7813与传统单一电感升降压稳压器不同的是级联升压+降压解决方案提供了快速的瞬变响应，并具备连续、无脉动的输入和输出电流，可大幅降低涟波电压和电磁干扰(EMI)，因此非常适用于汽车、工业和高功率电池供电系统。LTC7813可在启动时操作于4.5~60V的输入电压，并可于启动后维持低至2.2V输入操作。升压转换器可产生高达60V的输出电压，降压转换器可产生0.8~60V的输出电压，全系统效率高达98%。此外，该元件可针对Pass-Through或Wire Mode模式配置，透过同步升压MOSFET连续开启，及降压转换器的99%工作周期运作，使输入电压可透过*小的压降传送至输出。LTC7813可配置为Burst Mode操作，当降压通道开启时，在休眠模式下静态电流可降至29微安培(两个通道开启时为34微安培)，此为保持电池续航力非常实用