意法半导体(STMicroelectronics，ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP) wide creepage封装的功率电晶体，其中包括采用防电弧封装的首款1500V超接面MOSFET。
电视和PC等常用的电器采开放式电源，容易聚集尘土和粉尘，导致功率电晶体引脚之间产生高压电弧放电现象，TO-220FP wide creepage封装是这类应用功率电晶体的理想选择。
在使用2.54mm引脚间隔的常规封装时，需要铸封、引线成形、套管或密封等特殊制程，这款新封装将引脚间距扩大至4.25mm，让电源厂商能够满足现行**标准，将客户端的电源故障率降至*低，生产时无需使用额外的防电弧加工制程，从而简化了制造过程，提高了生产效率。
在提供优异的防电弧功能的同时，TO-220FP wide creepage亦保留深受市场好评且出色的电子特性。此外，相似的外观尺寸还可以简化组装问题，确保符合现有组装流程。
TO-220FP wide creepage封装是意法半导体与其韩国知名电源厂商SoluM的合作开发成果。SoluM正在使用这款优异封装，进行开发稳健性和成本效益高于竞品的电源解决方案。
意法半导体TO-220FP wide creepage功率电晶体目前进入量产准备阶段，并导入全球主要电视制造商的新产品中。新系列产品包括四款完全符合认证的600V低导通电阻RDS (ON) MDmesh M2系列MOSFET，额定电流从8A至34A。1500V STFH12N150K5和1200V STFH12N120K5 MDmesh K5系列产品预计将于2016年第三季度取得相关认证。
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