Vishay车规产品将在2018 Automotive World日本展上悉数亮相

　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在1月17-19日日本东京有明国际展览中心举行的2018 Automotive World上，Vishay的车规产品将悉数亮相。Vishay的展位在东5号馆E47-40，以“Think Automotive，Think Vishay”为主题，展示各种车规产品，包括满足和超过AEC认证的电容器、电阻器、电感器、二极管、功率MOSFET和光电子产品。在2018 Automotive World日本展上，Vishay将展示其汽车级和通过AEC认证的器件，这些器件可用于自动驾驶、信息娱乐系统、导航、音响、DC/DC转换器、电动助力转向(EPS)和电机驱动、电池管理、LED前大灯单元、燃油直喷控制、发动机冷却和油泵控制。Vishay的汽车级器件在工程技术和制造工艺上精益求精，目标是零缺陷，超过AEC认证标准。通过AEC认证的Vishay产品包括众多分立半导体和无源元件，为了能提供良好的耐高温性能、小封装、超薄、长期可靠性和强大的设计能力，这些产品都进行了优化。Vishay展台将进行众多现场演示，一些汽车级和通过AEC认证的器件

Allegro推出支持ISO 26262/ASIL-D的新型汽车控制单元电源管理IC

Allegro MicroSystems，LLC宣布推出一款新型电源管理IC ARG82800，它集成有一个降压或降压/升压预稳压器、四个LDO和四个浮栅驱动器 。预稳压器通过采用降压或降压/升压拓扑架构，能够将汽车电池电压高效率地转换为严格控制的中间电压，并具有控制、诊断和保护等功能。Allegro的ARG82800器件主要面向汽车市场，其终端应用包括电动助力转向系统 和先进制动系统(ABS)等。ARG82800的预稳压器输出能够提供一个3.3V或5.0V可选的350mA线性稳压器，一个5V/100mA线性稳压器和两个120mA保护线性稳压器，可用于跟踪VUC输出。ARG82800设计用于为微处理器、传感器和CAN收发器供电，是汽车发动机盖下各种应用的理想选择。ARG82800器件独立的浮栅驱动器能够通过SPI控制N沟道MOSFET，这些MOSFET在大电流电机应用中可配置为相或电池的隔离器件，所集成的电荷泵允许驱动器输出在整个电源范围内以高相电压转换率使功率MOSFET保持导通状态。开启ARG82800输入的方式包括逻辑电平(ENB)和高压按键开关启动(ENBAT)两种，它还可以通

涨价效应发酵，将带动MOS/DRAM芯片厂商业绩走高

集微网消息，2017年全球半导体产业上游的涨价风潮，从硅晶圆一路吹到MOSFET芯片、利基型DRAM芯片、LCD驱动IC及MCU，芯片供应商为反应成本上扬而陆续调涨芯片价格，然因晶圆代工交期有8~12周的时间落差，必须等到新的晶圆量产出厂，才能反应到公司营收、毛利率及获利表现。 2018年第1季虽适逢传统淡季，但台系MOSFET、利基型DRAM芯片业者自结1月营收纷逆势走扬，主要就是芯片价格调涨效应，面对2017年下半相关芯片价格陆续上调，不少业内人士乐观看待2018年上半营运表现。MOSFET芯片价格持续上扬据IHS数据显示，2016年MOSFET芯片市场总规模为205亿美元，2017年预计将增长到220亿美元。MOSFET芯片可广泛应用于消费类电子、电动汽车以及IIoT等领域，杭州士兰微董事长陈向东在接受集微网采访时表示，MOSFET芯片缺货的原因主要是由于应用端市场起来了，但产能放量还没跟上，目前缺货主要还是受智能终端的应用影响，短时间内缺货行情难以缓解。据台系MOSFET芯片供应商指出，由于外商仍主导MOSFET芯片价格走势，台系IC设计公司宁可先抢市占率，不敢轻易跟涨芯片报价

部份关键设备停产 8英寸晶圆代工价格逐季调涨

受到关键设备陆续停产，加上二手设备市场供不应求，且难以完整兜出完整生产线，今年8英寸晶圆代工产能全年吃紧已难避免。加上今年硅晶圆价格看涨，多数上游IC设计厂或IDM厂对8英寸晶圆代工价格逐季调涨已有高度共识，法人看好世界先进受惠*大。 世界先进去年产能利用率几乎维持满载投片，但受到新台币兑美元汇率升值影响，全年合并营收年减3.6％达249.10亿元，归属母公司税后净利年18.7％达45.05亿元，每股净利2.75元，符合市场预期。但由世界先进去年季度营运来看，可看到毛利率及获利表现在下半年明显好转情况，主要是产品组合改变，毛利率较高的电源管理IC占营收比重拉升，如去年第四季电源管理IC占比已达54％。法人预期今年电源管理IC营收占比过半将成常态，有助于毛利率的回升。世界先进目前MOSFET接单维持强劲，新增LED驱动IC客户，加上IDM厂的电源管理IC委外订单维持**，目前高压制程及BCD制程等产能均满载，元月合并营收21.30亿元较去年同期成长8.0％。法人表示，8英寸晶圆代工产能全年吃紧，加上硅晶圆价格看涨，世界先进与客户协商后已小幅调涨**季晶圆代工价格，由于产能全年供不应求，价

保护数据以保护世界不受坏人破坏

台二线封测厂营运展望渐入佳境 车用电子NOR Flash需求热络

2017年台系半导体封测产业呈现营运逐季升温趋势，封测业者表示，在*大宗的移动通讯应用领域，由于iPhone新品姗姗来迟，加上台系IC设计大厂联发科等调整战略，以及整合面板触控IC(TDDI IC)等新品第4季量能才大增，能够守稳功率元件如MOSFET、PM IC、车用MCU、NOR Flash、DRAM、MEMS传感器、CMOS传感器的二线封测厂如欣铨、捷敏、华东、矽格、逸昌、菱生等，营运表现相对于一线业者更为突出，而台积电旗下精材、鸿海旗下讯芯，则是市场看好未来营运具有转机的潜力业者。半导体业者表示，专业IC测试厂欣铨在购并RF IC测试厂全智科后，综效已逐步显现，同时欣铨耕耘车用电子不遗余力，目前手握全球IDM大厂不少的测试订单，包括日本瑞萨电子、欧系德仪、英飞凌等，在车用电子领域斩获亮眼。由于先进驾驶辅助系统(ADAS)及未来自驾车需要更多的车用感测元件，车用MCU需求也同步看增，欣铨第3季营收已突破新台币20亿元，市场推估前3季获利可望追上2016年全年水准。不过，欣铨发言体系并不对财务预测做出评论。NOR Flash市况受到任天堂Switch可望大追单，加上OLED面板手机

意法600V智能功率模块导入新封装

意法半导体(ST)新推出的SLLIMM-nano智能功率模块(Intelligent Power Module, IPM)导入新封装类型，并整合更多组件，加快300W以下低功率马达驱动器研发，简化组装过程。 3A和5A模块内建*先进的600V超结接面MOSFET，*大限度的提升空气压缩机、风扇、泵等设备的效能。 各种直列针脚或Z形针脚封装有助于优化空间使用率，并确保所需的针脚间距。 内部开孔结构可使用安装容易且平价的散热器。 此外，分别的发射极开路输出设计，可简化PCB板单路或三路分流电阻(Shunt)电流监视走线。每个IPM模块都包含由六颗MOSFET组成的三相半桥和一个高压栅极驱动芯片。 新增功能有助于简化保护电路和防错电路设计，包括一个用于检测电流之未使用的运算放大器、用于高速错误保护电路的比较器，以及用于监视温度之可选NTC(负温度系数)热敏电阻，亦整合一个升压二极管，以降低物料列表(Bill of Material, BOM)的成本，简化电路板之设计。 智能关断电路可保护功率开关组件，欠低压锁附保护(Under-Voltage Lockout, UVLO)，则可预防低Vcc或

MOS芯片缺货潮后年有望缓解  国内8寸产线将持续受益

集微网(文/邓文标)以MLCC为代表的被动元件在进入第三季度后，受产能供需吃紧影响，价格大涨，部分物料涨幅甚至超过10倍。而与被动元件市场相似的MOSFET芯片也出现缺货潮，导致价格上涨，即便是在溢价20%的基础上新增订单，供应商仍难交出货来。更严重的是，MOSFET芯片市场缺货潮短期内将难以缓解，保守估计到2019年局面才能改观。 据IHS数据显示，2016年MOSFET芯片市场总规模为205亿美元，2017年预计将增长到220亿美元。MOSFET芯片可广泛应用于消费类电子、电动汽车以及IIoT等领域，杭州士兰微董事长陈向东在接受集微网采访时表示，MOSFET芯片缺货的原因主要是由于应用端市场起来，比如手机快充、无线充电芯片，以及锂电池管理芯片等，基本上就是说各个应用面提升，加重了缺货的行情，目前缺货主要还是受智能终端的应用影响，低压的MOSFET芯片缺货比较严重。应用层面提升加速MOS芯片缺货潮进入三季度后，移动终端市场开始加速放量，尤其是在iPhone8系列的带动下，包括新增的无线充电正成为国内手机和配件厂商导入的新应用，加之应用层面快速提升和工厂产能限制，对上游MOS原厂带来不

华天实际控制人增加董事长肖胜利之子肖智成

1.华天实际控制人增加董事长肖胜利之子肖智成；2.士兰微前三季度净利同比增长123%，8英寸产线即将放量；3.上海贝岭前三季度净利润同比增长290.82%，预计全年大幅增长；4.为保证关键原材料供应，扬杰科技拟7200万元控股成都青洋 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！复制 laoyaoic 微信公共号搜索添加关注。1.华天实际控制人增加董事长肖胜利之子肖智成；集微网消息，10月30日晚华天科技发布公告称，公司实际控制人成员增加一人，为华天电子集团增资扩股后认购875万股、占16.44%的自然人肖智成。自此肖胜利、刘建军、张玉明、宋勇、常文瑛、周永寿、薛延童、陈建军、崔卫兵、杨前进、乔少华、张兴安与肖智成等13人作为一致行动人，共同拥有公司控股股东华天电子集团的控制权，为公司的实际控制人。公告称，华天电子集团2017年增资扩股前，肖智成未持有华天电子集团股份。本次实际控制人个别成员变动除新增肖智成为实际控制人成员以外，实际控制人其他成员未发生变化。公司表示，此次变动不违反《公司法》、《合同法》等法律、法规和规范性文件的规定，不

快速 60V 保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力

加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） 和马萨诸塞州诺伍德 （NORWOOD， MA） – 2017 年 7 月 13 日 – 亚德诺半导体 （Analog Devices， Inc.，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology CorporaTIon） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003，该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。其内部充电泵**增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容 MOSFET，因此非常适合高频开关和静态开关应用。LTC7003 在 3.5V 至 60V （65V ***大值） 输入电源范围内运行，具 3.5V 至 15V 驱动器电源范围。该器件通过监视外部检测电阻器两端的电压来检测过流情况，这个电阻器与外部 MOSFET 开关的漏极串联。当 LTC7003 检测到开关电流已经超过预设值时，就确定一个故障标记，开关则关断一段时间，关断时间长短由一个外部

重点开发中国市场 AOS万国半导体创造绿色未来

功率半导体器件是实现对电能高效产生、传输、转换、存储和控制，提高能源利用效率，推动国民经济可持续发展的基础。近年来，“节能减排”、“开发绿色新能源”成为中国长期发展的基本国策。在国家绿色能源产业发展的推动下，功率半导体成为建设节约型社会、促进国民经济发展、践行**驱动发展战略的重要支撑技术之一。然而，目前中国功率半导体行业的整体技术水准相对落后。2016年美国AOS万国半导体非常重视在中国市场的发展，在重庆投资建设12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地，引发业内广泛关注。日前AOS也邀请到国际知名的IGBT发明人B.Jayant Baliga及行业知名专家与行业大客户举办了一场以IGBT/IPM/GaN为主题的技术交流会，到场客户超过200人。借此，《中国电子报》采访了AOS创始人、董事长兼执行长张复兴博士，介绍AOS重庆生产基地的建设进度，以及面向中国市场的发展策略。看好绿色经济大力投资中国市场2016年3月30日开工建设的重庆万国半导体生产基地，让更多国内电子信息领域的人们认识到了AOS万国半导体——这家总部位于美国，专业从事功率半导体MOSFET、Power IC以及IGB

ADI 具快速 60V保护的高压侧 N 通道 MOSFET 驱动器

亚德诺半导体旗下的凌力尔特 ? 内部充电泵提供 100% 工作週期能力? 1Ω 下拉、2.2Ω 上拉实现快速导通和关断时间? 快速 35ns 传播延迟? 短路保护? 自动重启计时器? 开漏故障标记? 可调导通和关断转换速率? 闸极驱动器电源範围为 3.5V 至 15V? 可调电流限制? 电流监视器输出? 可调输入欠压和过压锁住? 低关机电流：1μA? CMOS 相容型输入本文所提供之报价仅供预算使用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及匯率不同而有所差异。

台积电新厂用电超越整个东台湾,3nm美国设厂的重要考量

OptiMOS线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大**工作区

英飞凌科技股份公司推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大**工作区。这就解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题。OptiMOS线性场效应晶体管可在增强模式MOSFET的饱和区工作。OptiMOS线性场效应晶体管*适合电信和电池管理系统(BMS)中常见的热插拔、电子熔断器和保护应用。耐用的线性模式操作和更高的脉冲电流都有助于实现较低传导损耗、更快启动和更短的停机时间。通过限制较高的励磁涌流，OptiMOS线性场效应晶体管可在发生短路的情况下防止负载损坏。供货OptiMOS线性场效应晶体管现可供货，有三个电压等级：100 V、150 V和200 V。它们可采用D2PAK或D2PAK 7pin封装。这些行业标准封装兼容简易替换元件。

ADI 旗下凌力尔特推出高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001

快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力

加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） 和马萨诸塞州诺伍德 （NORWOOD， MA） – 2017 年 7 月 6 日 – 亚德诺半导体 （Analog Devices， Inc.，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology CorporaTIon） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行。其内部充电泵**增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够保持无限期接通。LTC7001 强大的 1Ω 栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET，因此很适合高频开关和静态开关应用。LTC7001 用来接收以地为基准的低压数字输入信号，并快速驱动一个漏极电压可能在 0V 至 135V （***大值为 150V） 之间的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7001 在 3.5V 至 15V 的驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁。当驱动一个 1000pF 负载时，快速 13ns 上升和下降时间*大限度降低了开关损耗。其他特

盈方微控股股东全部持股遭冻结；

1.盈方微控股股东全部持股遭冻结；2.顺络电子完成对深圳信柏结构陶瓷100%股权收购；3.徐州举办院所半导体技术及先进材料专题推介会；4.四川力推电子信息产业，预计2020年主营收入达1.3万亿元；5.扬杰科技：IDM模式助推功率半导体器件龙头持续稳定增长 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.盈方微控股股东全部持股遭冻结；集微网消息，7月7日晚间，盈方微电子股份有限公司发布关于控股股东股份被司**候冻结的公告。公告表示，盈方微电子获悉近日公司控股股东上海盈方微电子技术有限公司所持有的公司股份211,692,576股被上海市**中级人民法院予以司**候冻结，冻结期限自2017年7月6日至2019年7月5日。截至目前，盈方微电子持有公司股份211,692,576股，占公司总股本25.92%。本次盈方微电子所持公司股份被司**候冻结事项不会对公司的生产经营造成影响，但其冻结股份若被司法处置，可能导致公司实际控制权发生变更。公司已及时通过致函、致电等方式督促盈方微电子尽快核查本次

IDM模式助推功率半导体器件龙头持续稳定增长

扬杰科技发布2017年半年度业绩预告，预计盈利1.32亿元—1.42亿元，较上年同期增长35%-45%。IDM模式助推功率半导体器件龙头企业持续稳定发展：公司全产业链布局，集研发、生产、销售于一体，采用“扬杰+MCC”营销战略，巩固**地位，IDM模式铸就高壁垒。产品包括芯片、二极管、整流桥和功率模块等，公司下游涵盖电源管理、汽车电子、照明、光伏、智能电网、白色家电等众多领域。受益于光伏行业的逐步回暖以及汽车电子、轨道交通和电力电网的产业景气。公司内生与外延兼顾，技术与渠道并举。纵观全球的半导体产业，fabless主要集中在遵循摩尔定律的标准化数字逻辑芯片。而功率管、整流器等分立器件则是IDM模式，公司的IDM模式由产品需求决定，是符合发展规律的。产线迭代+工艺积累，募投项目实现产品升级：整流二极管-MOSFET-IGBT在结构和技术上有一定的继承性，故在制造工艺上相互间也有一定的借鉴意义，公司先在传统优势整流二极管上积累经验，逐步推进至MOSFET和IGBT，战略规划由4英寸、6英寸过渡到8英寸，稳扎稳打积累经验。从4英寸-6英寸-8英寸产线的迭代，到二极管-MOSFET-IGBT工

意法半导体推出贴装智能低功耗模块

本报讯 7月7日，意法半导体SLLIMM-nano系列IPM产品新增五款节省空间的贴装智能功率模块，提供IGBT或MOSFET输出选择，用于电机内置驱动器或其它的空间受限的驱动器，输出功率范围从低功率到*高100W。新模块的导通能效和开关能效都很高，特别是在*高20kHz硬开关电路内表现更为出色。通过管理开关电压和电流上升率，内部栅驱动电路能够将电磁辐射抑制到*低。高散热效率封装提升产品的可靠性，支持无散热器设计，同时2.7mm爬电距离和2.0mm电气间隙确保在紧凑的双列直插SMD封装内实现**隔离。模块引脚配置重新优化设计，可简化电路板布局。多种家电和工业设备都能从意法半导体的新IPM模块的小尺寸、高能效、高可靠性、**性和低噪声中获益。除集成栅驱动电路和500V MOSFET或600V IGBT/续流二极管阵列外，其它特性还包括一个备用运放和一个比较器，让设计人员开发**电流检测和过流保护功能时只需用极少的外部元器件。块模内置高速检错智能关断、互锁保护和欠压锁保护等**功能，内部自举二极管简化模块栅极控制电路的电源设计。新SLLIMM-nano功率模块的工程样片即日上市，2017年

先导工艺研发中心:16nm已做完,7nm和5nm正在布局

7月有三家半导体公司新股上市，猜猜都有谁？

集微网消息，据路透社发布的《中国已公布新股发行上市日程表》中显示，7月即将有三家半导体公司新股上市，他们是国科微电子、富满电子和睿能科技。 湖南国科微电子股份有限公司(简称“国科微电子”在证监会网站披露招股书，拟在深交所创业板公开发行不超过 2794.12 万股，公开发行的股份占发行后的比例不低于 25%，募集资金 6.74 亿元，扣除发行费用后，拟投资于新一代广播电视系列芯片研发及产业化项目、智能视频监控芯片研发及产业化项目、高性能存储芯片研发及产业化项目以及补充流动资金。资料显示，国科微电子主营业务为广播电视系列芯片和智能监控系列芯片的研发和销售。2014-2016年，公司营业收入分别为1.81亿元、3.67亿元、4.89亿元，同期净利润分别为3439.15万元、3721.52万元、4952.34万元。招股书显示，国科微电子实际控制人向平直接持有6.05%的股份，通过湘嘉投资、芯途投资、微湖投资间接持股34.56%，共计持股40.61%。此外，国家集成电路基金直接持有国科微电子21.05%的股份。公开资料显示，国科微电子主营业务为广播电视系列芯片和智能监控系列芯片的研发和销售。公司

富满电子登陆创业板 台资企业在特区一切从“芯”出发

中证网讯（记者 张晓琪)7月5日，主营消费电子芯片的富满电子成功登陆创业板，在集成电路类上市公司中又添一重磅企业。 招股书显示，富满电子主营业务收入主要来源于电源管理类芯片、LED控制及驱动类芯片和MOSFET类芯片产品。产品结构中，公司电源管理类芯片销售金额占比*大，2016年电源管理芯片销量7.11亿颗，销售额1.01亿元。此次公司公开发行募资逾2亿元，将主要用于扩产LED控制及驱动芯片、电源管理芯片两大类产品，预期项目达产后将有效缓解公司产能，每年将新增营收约2.3亿元。作为一家有台资背景的公司，自2001年成立以来，富满电子一直专注于集成电路领域，并在该领域积累了大量的技术，推出400多种IC产品，获得42项**技术，在消费性产品电源管理类、LED控制及驱动类、MOSFET类的产品拥有较高知名度。从产业链的角度来看，公司是国内少有同时具备IC设计、封装、测试再到生产的企业，一体化竞争优势非常明显。富满电子2016年营收达3.2亿，净利逾3800万元，综合毛利率为28.32%，今年一季度，公司实现营收8476.32万元，净利润为823.28万元，分别同比增48.87%、94.51

富满电子今天登陆深交所创业板

本网讯 7月5日，集成电路行业电源管理类芯片、LED控制及驱动类芯片等细分领域的**企业--深圳市富满电子集团股份有限公司将在深交所创业板挂牌上市。公司股票代码为300671，股票简称：富满电子。富满电子**公开发行新股2，535万股，占发行后总股本的比例25.01%，发行价格为8.11元/股。 富满电子成立于2001年11月5日，注册资本7，600万元，经营范围为集成电路、IC、三极管的设计、研发、生产经营、批发、进出口及相关配套业务；从事货物及技术进出口业务。公司是由集晶（香港）、同诚智信、天裕兴、晶远国际、晶宝腾、富满宏泰、富满成长、博汇源、鼎鸿信添利、诚信创投、信利康、七阳投资作为发起人，以发行人前身富满有限截至2014年7月31日经审计的净资产187，762，016.74元，折合为公司股份7600万股作为出资整体变更设立的股份有限公司。公司是集成电路（IntegratedCircuit，简称“IC”）设计企业，主要从事高性能模拟及数模混合集成电路的设计研发、封装、测试和销售。依托公司的技术研发、业务模式、快速服务和人才储备等优势，富满电子已成为集成电路行业电源管理类芯片、LE

罗姆推出业界*快trr性能的“R60xxMNx系列”

＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM的高速trr※1型600V超级结MOSFETPrestoMOS※产品群又新增“R60xxMNx系列”，非常适用于要求低功耗化的白色家电及工业设备等的电机驱动。PrestoMOS是拥有业界*快trr性能的功率MOSFET，以业界*小的开关损耗著称。因使搭载变频器的白色家电的功耗更低而获得高度好评。罗姆推出业界*快trr性能的“R60xxMNx系列”此次开发的“R60xxMNx系列”通过优化ROHM独有的芯片结构，在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基础上，还成功地使Ron※2和Qg※3显著降低。由此，在变频空调等电机驱动的应用中，轻负载时的功率损耗与以往的IGBT相比，降低约56%，节能效果非常明显。不仅如此，“R60xxMNx系列”利用ROHM多年积累的模拟技术优势，还实现了超强的短路耐受能力，减轻了因电路误动作等导致的异常发热带来的破坏风险，有助于提高应用的可靠性。本系列产品已于2016年12月份开始以月产10万个规模投入量产，前期工序的生产基地为ROHMApolloCo.,Ltd.（日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHMSemic

下一代同步整流控制技术增强电源运行参数

在当今的高性能的电源系统设计中，确保可靠性至关重要，因此高效的功能必须可以处理潜在的问题。同步整流电流反向就是这样一个问题。这发生在电容电流(寄生效应引起的)导致MOSFET在轻负载的情况下被过早激活时–然后反向电流从输出电容流回同步整流器。这不仅导致系统能效受到严重影响，还可能会导致运行故障。为了防止这种情况的发生，必须在系统处于轻载条件时采取措施增加延迟。自适应死区时间控制机制可以弥补寄生电感的存在，从而减轻体二极管导通的**影响。通过这种方法，可以调整同步整流器关断点，以保持一个恒定的死区时间，而不受当时输出负载的影响。从而持续保持高能效和对相应的热管理规定更少的要求(由于散热的减少)。得益于专有的自适应死区时间控制算法，安森美半导体的FAN6248双MOSFET驱动器控制器IC，能够充分解决上述挑战。同时，它可以帮助工程师*大化电源能效，并使系统尽可能紧凑、简单和具性价比。该器件优化用于现代LLC谐振转换器拓扑结构，*大限度地减少同步整流MOSFET的体二极管传导。它通过使用一个独特的控制方法，消除了电流反向的隐患，还可以避免同步整流误触发。通过两个感测输入，可以准确地确定MO

增加设计资源投入 威世加速融入中国市场

关于威世科技Vishay Intertechnology，Inc.（威世科技）是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的*大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、**、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品**、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界**者。Vishay定位于为驱动新型产品市场发展提供元器件，如在互联、移动和可持续能源方面的应用。通过研发、工程、质量规划和销售激励，Vishay源源不断地生产**元件，使设计工程师能够开发新的终端产品。《中国制造2025》提出以信息化与工业化深度融合为主线，重点发展十大领域，包括新一代信息技术、**数控机床和机器人、航空航天装备、海洋工程装备及高技术船舶、先进轨道交通装备、节能与新能源汽车等。作为全球*大的分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源器件（电阻器、电感器、电容器）制造商之一，中国制造2025的深入实施，将为威世科技（Vishay，以

多芯片集成终于在隔离型DC-DC转换器中实现

72V固定比例DC/DC控制器无需功率电感提供超过500W 功率

亚德诺半导体(Analog Devices, Inc.，简称 ADI)旗下的凌力尔特(Linear Technology Corporation)日前推出大功率固定比例充电泵 DC/DC 控制器 LTC7820，该元件在非隔离式中间匯流排转换器中无需功率电感，因此可将电路尺寸缩减达 50%，并提供高达 4000W/in3 的功率密度。LTC7820 在分压器、倍增器或反相器配置中能以高达 99% 的效率驱动外部 MOSFET。其开路固定工作週期非常适合配电、资通讯、电讯、高阶运算和工业系统中的非隔离式中间匯流排应用。LTC7820 可操作于 6V 至 72V (80V ***大值) 的输入电压範围，并能产生数十安培的输出电流，这取决于转换器拓扑和外部元件的选择。该元件可配置为从高达 72V 的输入电压实现一个 2:1 的降压比。两个 LTC7820 IC 可级联以实现 4:1 的降压比。如需实现更高的降压比 (比如 6:1)，则建议採用 Dickson 转换器拓扑，其非常适合 54V 输入至 9V 输出转换，且仅需单一 LTC7820。另外，LTC7820 还可配置为从高达 36V 的

推动中国集成电路技术砥砺前行

扩增全碳化硅功率模块阵容 协助高功率应用程序

近年SiC由于节能效果**，广为汽车或工具机等所采用，并可望有更大功率的产品阵容。 而为了***活用SiC产品所具有的独特高速开关性能，在类似功率模块产品等额定电流大的产品方面，尤其需要研发新封装以抑制开关时突波电压﹙surge voltage﹚的影响。 半导体制造商ROHM于2012年3月率先开始量产由全碳化硅构成内建型功率半导体组件的全SiC功率模块。 之后陆续推出高达1200V、300A额定电流的产品，广为各种不同领域所采用。 本次使用新研究封装在IGBT模块市场中成功扩增涵盖100A到600A等主要额定电流范围的全SiC模块阵容，可望进一步扩大需求。ROHM针对工具机用电源、太阳能发电功率调节器﹙Power Conditioner﹚或UPS等变频器﹙inverter﹚、转换器﹙converter﹚业已研发出1200V 400A、600A额定的全碳化硅﹙Full SiC﹚功率模块BSM400D12P3G002、BSM600D12P3G001。本产品藉由**研发模块内部构造及散热设计的优化封装达到额定600A，因此可进一步探讨工具机用大容量电源等更高功率应用程序。 而且，由于开关损

先进的同步整流控制器提供同类*佳的简化设计、可靠性和高能效

推动高能效**的安森美半导体(ON Semiconductor)，推出了先进的同步整流(SR)控制器优化用于LLC谐振转换器拓扑结构。FAN6248需用的额外元件*少，提供高能效，简化热管理，提升整体系统可靠性，和简化LLC电源的设计。FAN6248是用于现代高性能电源单元(PSU)的一个理想方案，这些应用要求在一个小的空间提供高可靠性和能效。典型应用包括服务器和台式电脑、游戏机、大屏LCD TV和OLED TV、网络、电信和LED照明。该器件采用先进混合的SR控制法，结合瞬时漏电压检测与以前的开关周期信息。单独的100 V额定值检测输入准确地检测到两个SR MOSFET两端的漏源电压，支持次级绕组中的任何不对称或**耦合。FAN6248采用这种先进的控制法，防止电流反向和避免由于电容电流尖峰误触发SR，提供高度可靠的工作。在控制器内的反击穿控制增强PSU的可靠性和防止同时导通两个SR MOSFET的潜在破坏性。FAN6248和仅两个外部电阻及MOSFET成就一个支持达800 W的简单LLC转换器。尤其在嘈杂的环境中，添加两个电容器进一步增强系统的稳定性。FAN6248在宽范围的功率等

Power Integrations推出紧凑、高效的SCALE-iDriver IC产品系列

中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的***(纳斯达克股票代号：POWI)今天推出SCALE-iDriver?系列电磁隔离的单通道门极驱动IC的扩展产品。新器件支持耐压为1700 V以内的IGBT，通常适用于400 VAC至690 VAC的应用。它们也适用于*新的三电平拓扑光伏逆变器，以及采用1500 V新直流母线标准的光伏阵列。扩展后的1700 V SCALE-iDriver产品系列允许OEM厂商在各类解决方案中使用相同的高度集成、**可靠的驱动器方案。1700 V SCALE-iDriver IC可用来驱动IGBT和MOSFET，它将Power Integrations**的FluxLink?磁感双向通信技术与其SCALE?功率器件驱动器技术**结合。FluxLink技术可省去可靠性相对较低的光电器件和相关补偿电路，从而增强系统运行的可靠性，同时降低系统的复杂度;SCALE技术将所有关键的门极驱动器功能集成到ASIC中，可在简化设计的同时减小尺寸和增强可靠性。**的eSOP封装具有超过9.5 mm爬电距离，并且CTI(相对漏电起痕指数)为600，可确保实现更大的工作

意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管

IEEE 802.3bt PD 控制器效率高达 99%

Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性，适用于移动设备和消费电子

Diodes同类*佳有源OR’ing MOSFET控制器支持高达±400V的电源

集微网消息，德克萨斯州普莱诺 - 2017年4月18日 – Diodes公司推出的ZXGD3112N7有源OR'ing MOSFET控制器，扩展了对具有高达±400V的轨电压的冗余电源系统的支持能力；该器件创建于在以前的40V和200V器件中所采用的成功设计。低关断阈值电压使RDS(on)非常低的MOSFET能作为理想二极管工作，从而可提供高效率的电源系统，非常适合于电信系统、数据中心和服务器（其中需要将两个或更多的电源线或（OR’ing）起来一起提供冗余）中的目标应用。 鉴于采用更高的系统电压来提高配电效率的趋势，ZXGD3112N7还有助于提高系统可靠性，其原因是与肖特基阻塞二极管的替代方案相比，将其与低RDS(on)的MOSFET结合使用，可实现在更低温度下工作。除了可提高系统效率之外，其ZXGD3112N7具有**的关断阈值电压和400V的额定电压（其值是竞争对手的OR’ing控制器的四倍），在整个负载范围内，效率、可靠性和稳定性都非常出色。ZXGD3112N7采用SO-7封装供货，1000片批量售价为1.50美元/片。更多信息，请访问www.diodes.com。关于Diod

凌力尔特 SEPIC 控制器可操作于 175°C 高温环境

凌力尔特(Linear)日前宣布推出宽广输入范围、电流模式、升压、反驰或 SEPIC 控制器 LTC1871X，该组件可驱动 N 信道功率 MOSFET，并只需极少外部组件。 LTC1871X 适用于低 至**率应用，透过利用功率 MOSFET 的导通电阻无需电流感测电阻，因此可将效率提升 到*高。 LTC1871X 之设计并针对高达 175°C 的高温环境而优化。 此组件的电气参数在高达 175°C 时 100%经过测试，在–40°C 至 175°C 的整个温度范围内具备 ±2%的 VREF 的准确度。 LTC1871X 可弹性地用于升压、SEPIC 或反驰拓扑，非常适合井下钻 孔应用中常见的多种电池供电应用。该组件的突发模式(Burst Mode)运作，提供低静态电流，适合需延长电池寿命的应用。 特定的 Cu/Ni/Au 接合焊盘镀层，可确保在高温环境中实现长使用寿命，同时纤巧的 MSOP-10 封 装，更提供了接脚占位精小的解决方案。此组件性能概要，如在 175°C 时 100%经过测试、在–40°C 至 175°C 范围内，提供±2%基准精 度、高效率(无需感测电阻)、宽广输入

华虹宏力：顺应绿色制造，强化功率半导体工艺平台

功率半导体器件在移动通信、消费电子、开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车、智能电网等领域发挥着越来越重要的作用，是降低功耗、提高效率的关键核心器件。如果说中央处理器（CPU）是计算机的心脏，那么功率半导体就是电机的心脏。我国发布《中国制造2025》勾勒出未来十年工业转型升级的发展方向，功率半导体在其中发挥的作用不可替代。日前，全球**的8英寸纯晶圆代工厂华虹宏力宣布，公司的功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。同时，在第五届中国电子信息博览会（CITE2017）上，华虹宏力的“600V-1200V场截止型IGBT芯片制造工艺技术”获得“2017CITE**产品与应用金奖”，显示出华虹宏力在功率器件领域的技术优势。功率器件平台累计出货500万片中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟发布《电力电子器件产业发展蓝皮书》，“十二五”以来，我国电力电子器件市场在全球市场中所占份额越来越大，已成为全球*大的大功率电力电子器件需求市场。我国市场的增长速度明显高于全球水平，年增长率近20%。然而，中国功率半导体产业的实力却与急速扩张的需求不符，主要供应商集中在美国、日本和欧洲。我国宽禁带电力电

Diodes 推出两款高频闸极驱动 IC

Diodes 推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 IC，专门设计用于驱动半桥组态 下的两部外接 N 沟道 MOSFET。 50V 的额定值可满足各种马达驱动需求，特别是无 刷直流(BLDC)马达，这类马达越来越常用在电池供电的应用上，像是无人机、风 扇、***，以及包括电钻、手持吸尘器和搅拌器等无线电动工具。 两款高频闸极驱动 IC 驱动器采用逻辑准位输入(2.5V 起)，可直接由 3.3V MCU 控 制，输出步进*高到 VCC供电(8V 至 14V)，确保 MOSFET 获得完整强化，降低传导 损耗。 这些驱动器具备 1.8A 源极电流和 2.5A 汲极电流，可将拥有极低导通电阻 RDS(ON)的 MOSFET(包括 Diodes 的 DMT4002LPS)切换时间缩到*短，提升整体系统效 率。两款闸极驱动器整合自举式二极管，可减少使用组件数量，并采用小巧的 3mm× 3mm DFN3030 封装，极适合空间与重量均受限的应用。 DGD0506 半桥仅需单一输 入，可将 MCU GPIO 脚位数减到*少，并可设定盲时为 70ns 至 420ns，提供设计上 的

恩智浦推出全球*小集成微控制器和MOSFET前置驱动器单芯片SoC

恩智浦半导体于2017年3月9日宣布推出全球*小的单芯片SoC解决方案 ——MC9S08SUx微控制器（MCU）系列，该超高压解决方案集成了18V至5V 低压差线性稳压器（LDO）和MOSFET前置驱动器，适合无人机、机器人、电动工具、健康保健以及其他低端无刷直流电机控制 （BLDC）应用。这一强大的的8位MC9S08SUx微控制器系列进一步拓展了恩智浦的S08 MCU产品线，提供4.5V~18V电源电压工作范围，不仅物料（BOM）成本更低，集成度更高，而且性能和可靠性更加出色。目前，市场上越来越多的客户希望以单个MCU取代多器件解决方案，从而降低成本和缩小系统尺寸，同时为空间受限的应用简化集成和布局布线，这一全新的SoC产品应运而生。恩智浦**副总裁、微控制器业务总经理Geoff Lees表示：“市场趋势是采用集成解决方案以缩小系统尺寸和降低成本，恩智浦在这方面一直处于行业**地位，是目前**用一块芯片把微控制器和MOSFET前置驱动器集成到一个仅有4x4x0.65mm大小的产品供应商，这也使得印刷电路板的尺寸可以缩小一半。过去，为了满足BLDC电机控制应用的需求，我们不得不使用多个

新能源车“接棒”驱动功率半导体市场新引擎

赛迪顾问发布的数据显示，受电子信息制造业生产增速总体加快的影响，2016年我国功率器件市场规模持续扩大，达到1496.1亿元，同比增长7.2%，增速较2015年有所回升。然而，观察下游应用市场的拉动效力，2017年以手机和移动通信基站为代表的通信类整机产品产量将有所回调，相关功率器件产品市场规模增速将有所放缓，而工业控制类产品仍将保持稳定、消费电子穿戴设备等产品尚未形成爆发式增长，计算机产品快速下滑……在此情况下，汽车电子市场对于功率半导体拉力的重要性就不断凸显出来，成为2017年中国功率器件市场增长的关键因素。中国功率半导体行业2017年初即取得良好开局：在收购恩智浦公司RFPower部门后，建广资产又以27.5亿美元收购了恩智浦公司标准产品部门，该部门主要产品之一是功率半导体MOSFET产品线。未来，中国功率半导体企业应当抓住国家大力推进新能源汽车的良好契机，加快推动行业的进一步发展。新能源车驱动功率半导体成长功率半导体的应用领域已逐渐从传统的工业控制和4C领域，向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场迈进。作为仅次于大规模集成电路的另一大分支，功率半导体运行于弱电控制与强

国内半导体行业7大榜单发布

ST同级**的900V MOSFET管提升反激式转换器的输出功率

华虹半导体功率器件平台累计出货量突破500万片晶圆

华虹半导体有限公司今天宣布，公司功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。其中，得益于市场对超级结MOSFET(“金氧半场效晶体管”)和IGBT(“绝缘栅双极型晶体管”)的强劲需求，华虹半导体独特且具竞争力的垂直沟槽型Super JunctionMOSFET(“SJNFET”)以及场截止型IGBT累计出货量分别超过了200,000片和30,000片晶圆，并保持快速增长趋势。功率半导体器件在移动通讯、消费电子、开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车、智能电网等领域发挥着越来越重要的作用，是降低功耗、提高效率的关键核心器件。华虹半导体拥有十五年的功率器件稳定量产经验，是全球**、同时亦是*大的功率器件200mm晶圆代工厂。凭籍持续的研发和**，公司以**竞争力的功率半导体技术，为客户提供从低压到高压的完整解决方案，同时不断向更**、更广阔应用的高密度大功率器件方向深耕，延续其“全球功率器件***”的战略布局。目前，公司已推出第三代SJNFET工艺平台，技术参数达业界**水平，可为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。公司的场截止型IGBT技术参

采用ST F7 LV MOSFET技术的单片肖特基二极管:提高应用性能

摘要 –当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时，体漏二极管的特性以及品质因数将变得非常重要。当需要Qrr 数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V ST “F7”功率MOSFET管确保能效和换向性能更加出色。I.前言在同步整流和电桥结构中，RDSon 和 Qg 两个参数并不是对功率MOSFET管的**要求，实际上，本征体漏二极管的动态特性对MOSFET整体性能影响很大。体漏二极管的正向压降（VF，diode）影响开关管在续流期间（开关管处于关断状态，电流从源极经本征二极管流至漏极）的功率损耗 ; 反向恢复电荷 （Qrr） 不仅影响开关管在反向恢复过程的损耗，还影响开关性能。MOSFET 管的尖峰电压随着Qrr升高而升高。因此，VFD 和Qrr较低的二极管，例如，肖特基二极管，有助于提高开关管的总体性能，在电桥拓扑或用作同步整流管应用中，当开关频率很高且二极管长时间导通时，提升性能的效果特别明显。本文将在开关电源和电机控制环境中评估内置肖特基二极管的新60 V ST MOSFET管的性能，并对比标准器件，重点论述新产品的优势。II.MOSFET本征体

如何实现更高的系统效率——**部分：高速栅极驱动器

华虹宏力精彩亮相SEMICON China 2017

新能源车成功率半导体市场新契机

如果说中央处理器（CPU）是一台计算机的心脏，功率半导体就是一部电机的心脏，是整个系统实现对电能高效产生、传输、转换、存储和控制的关键。在“十三五”期间，随着我国产业转型升级战略的推进，加快功率半导体产业发展与技术水平提高已经是当务之急。为此，本报推出“做强另一颗芯”——中国功率半导体产业发展系列报道。赛迪顾问发布的数据显示，受电子信息制造业生产增速总体加快的影响，2016年我国功率器件市场规模持续扩大，达到1496.1亿元，同比增长7.2%，增速较2015年有所回升。然而，观察下游应用市场的拉动效力，2017年以手机和移动通信基站为代表的通信类整机产品产量将有所回调，相关功率器件产品市场规模增速将有所放缓，而工业控制类产品仍将保持稳定、消费电子穿戴设备等产品尚未形成爆发式增长，计算机产品快速下滑……在此情况下，汽车电子市场对于功率半导体拉力的重要性就不断凸显出来，成为2017年中国功率器件市场增长的关键因素。中国功率半导体行业2017年初即取得良好开局：在收购恩智浦公司RF Power部门后，建广资产又以27.5亿美元收购了恩智浦公司标准产品部门，该部门主要产品之一是功率半导体MOS

恩智浦推出超高压单芯片解决方案

恩智浦半导体(NXP)近日宣布推出单芯片解决方案MC9S08SUx微控制器(MCU)系列，此超高压解决方案，整合18V至5V低压差线性稳压器和MOSFET前置驱动器，适合无人机、机器人、电动工具、直流风扇、医疗保健以及其他低端无刷直流电机控制应用。 恩智浦**副总裁暨微控制器产品业务总经理Geoff Lees表示，市场趋势偏好能缩小系统尺寸和节省成本的整合解决方案，恩智浦能够提供，整合微控制器和MOSFET前置驱动器的4×4×0.65mm单芯片产品，并缩小一半的印刷电路板尺寸。Geoff Lees进步一指出，过往为了满足BLDC电机控制应用的需求，不得不使用多个组件，导致产品往往成本高且尺寸过大，该公司一直致力为市场推出新型微控制器以应对这些独特的挑战，此新款微控制器系列产品，进一步证明了该公司的努力。此款8位微控制器系列，进一步扩充了该公司旗下S08微控制器产品系列，采用4.5V至18V的电源电压，不仅降低物料成本，整合度更高，而且性能和可靠性更加出色。 目前，市场上越来越多客户希望，以单个微控制器取代多组件解决方案，进而降低成本和缩小系统尺寸，亦为空间受限的应用简化整合和布局，而这

Allegro发布**代汽车级三相隔离器MOSFET驱动器IC

ST高达100W的智能功率模块提升功能集成度、能效和灵活性

意法推出100W马达驱动智慧功率模组

意法半导体(ST)扩大其SLLIMM nano系列马达驱动智慧功率模组(Intelligent Power Module,IPM)产品阵容。除了可使整体尺寸*小化和设计复杂性降至*低的多种可选封装外，新产品亦整合了更多实用功能和更高效能之*新500V MOSFET。新IPM模组的额定输出电流为1A或2A，目标应用瞄準*高功率100W的马达驱动器市场，例如，冰箱压缩机、洗衣机或洗碗机的马达、排水泵、迴圈水泵、风扇马达，和其他工作频率小于20Khz，且硬切换电路系统的马达驱动器。新产品*高工作温度可达150°C，并可在恶劣工作环境中运作。此模组整合一个叁相MOSFET电桥、栅驱动器HVIC和额外的实用功能，包括一个閒置运算放大器和比较器，其用于过流保护和电流测量功能，并内建其他**功能，包括互锁功能，可防止直通电流烧毁电桥MOSFET、错误状态的输出通知、关断输入电源和智慧关断功能。另内建热敏电阻系列可作选择，这有助于简化过热保护电路设计。除了齿形针脚封装外，新系列产品还提供直插式封装，让设计人员能更灵活地简化电路板设计，并在马达和其他空间受限的应用中，达到*大限度地缩减控制器的尺寸。这些

开关电源EMI辐射超标整改方案

作为工作于开关状态的能量转换装置，开关电源的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大；干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印刷线路板（PCB）走线通常采用手工布线，具有更大的随意性，这增加了PCB分布参数的提取和近场干扰估计的难度。具体各个频率点超标解决方案如下：1MHz以内：以差模干扰为主1.增大X电容量；2.添加差模电感；3.小功率电源可采用PI型滤波器处理（建议靠近变压器的电解电容可选用较大些）。1M-5MHz：差模共模混合，采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决；5MHz：以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的，在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减（diudiu2006）;对于 25--30MHZ不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，*少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器。1M-5MHZ：差模共模混合，采用

双向电子断路器针对电流和电压故障提供**保护