TI超小型FemtoFET™MOSFET支持*低导通电阻

PowerIntegrations的高频率双管正激IC可大幅降低

SiliconLabs参考设计帮助开发人员在5分钟内转动电机

11月12日消息，高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Labs（芯科实验室有限公司）今日宣布推出无刷直流（BLDC）电机控制参考设计，它特别针对采用Silicon Labs C8051F85x/6x微控制器（MCU）的BLDC应用而设计，具有使用就绪的完整硬件和软件开发包。Silicon Labs的全新参考设计提供了完整的系统级解决方案，可有效加速嵌入式开发，适用于各种电机控制应用，包括遥控直升机、电动玩具车、电子调速器、个人电脑和电风扇、电动工具（例如切割器、电动剪刀、割草机、螺钉枪和装订器）以及小家电（例如搅拌器、研磨机、电动牙刷和真空吸尘器）等。 随着嵌入式系统设计的复杂性不断增加，开发进度日益紧凑，如何减少开发时间成为电机控制应用中选择MCU的一个关键因素。基于C8051F85x/6x MCU的电机控制参考设计提供了具有成本效益的硬件和量产品质的固件，便于在成本敏感的BLDC应用中进行快速评估和开发，从而大大减轻开发人员的工作难度。此外，电机控制图形用户界面（GUI）在控制和理解BLDC电机操作时可为开发人员带来极大的灵活性和易用性，并且可量产可修改的电机控制源代码

低成本无刷电机开发尽在一手掌握：德州仪器推出

TI C2000™ InstaSPIN-FOC™ LaunchPad 与 DRV8301 电机驱动器 BoosterPack 助力实现便捷、高效、低成本的高性能无传感器磁场定向控制 (FOC) 电机设计日前，德州仪器 (TI) 宣布推出*新 C2000™ InstaSPIN-FOC™(磁场定向控制)LaunchPad 与 DRV8301 电机驱动器 BoosterPack 插件模块，可创建功能齐全的无传感器电机控制系统，为普及型低成本 TI MCU LaunchPad 评估套件产业环境注入了新血。传统无传感器电机控制开发非常复杂，因为存在成本、时间以及实际应用约束，不适合大多数开发人员。TI InstaSPIN-FOC 技术在片上 ROM 中嵌入了重要软件传感器算法，不仅可为不同层次的设计人员简化系统复杂性，同时还可通过在短短几分钟内识别、调节和有效控制任意类型的 3 相位同步或异步电机，缩短设计时间。*新 C2000 InstaSPIN-FOC LaunchPad 在板载 Piccolo™ F28027F MCU 中包含 InstaSPIN-FOC 技术，可显着降低电机控制开发的门槛

低成本无刷电机开发尽在一手掌握

11月13日消息，日前，德州仪器 (TI) 宣布推出*新 C2000™ InstaSPIN-FOC™（磁场定向控制）LaunchPad 与 DRV8301 电机驱动器 BoosterPack 插件模块，可创建功能齐全的无传感器电机控制系统，为普及型低成本 TI MCU LaunchPad 评估套件产业环境注入了新血。传统无传感器电机控制开发非常复杂，因为存在成本、时间以及实际应用约束，不适合大多数开发人员。TI InstaSPIN-FOC 技术在片上 ROM 中嵌入了重要软件传感器算法，不仅可为不同层次的设计人员简化系统复杂性，同时还可通过在短短几分钟内识别、调节和有效控制任意类型的 3 相位同步或异步电机，缩短设计时间。*新 C2000 InstaSPIN-FOC LaunchPad 在板载 Piccolo™ F28027F MCU 中包含 InstaSPIN-FOC 技术，可显着降低电机控制开发的门槛。 全功能完整电机套件 今日同步发售的还有兼容型 DRV8301 电机驱动器 BoosterPack 插件模块，其可创建低电压、中等电流的稳健电机控制解决方案，该方案不仅可随时用于开发

德州仪器推出业界首款浮动开关架构转变离线LED驱动器设计

日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款浮动开关架构，其可简化灯具、射灯以及固定装置的离线 LED 线性驱动器。该 AC 开关矩阵技术支持 TI TPS92411 浮点 MOSFET 开关，是一种不使用磁性组件也可产生低纹波 LED 驱动电流的**方案。该架构能与原有墙式调光器、高功率因数以及低总谐波失真 (THD)实现**兼容。反向、降压及升压转换器是当前 LED 灯具中的通用开关模式电源 (SMPS) 拓扑。这些电路在高频率下工作，需要电感组件将电源 AC 电流转换为驱动 LED 所需的 DC 恒流。用于电源传输的电感器与变压器在选择上比较复杂，常常需要昂贵的定制组件。此外，还需要使用包含 4 至 10 个无源组件的电磁干扰 (EMI) 滤波器防止 SMPS 电路损坏其它电子设备。如需进行相位调光，可能还需要多次设计迭代来优化调光器兼容性和防止 LED 闪烁。TI TPS92411 的浮动开关架构能够应对这些挑战，无需用于电源传输的各种电感组件，不仅可节省成本与空间，而且还可简化设计。TPS92411 归属 TI LED 驱动器产品系列，该系列包括 TPS92075、LM3447

TI浮动开关架构转变离线LED驱动器设计

11月11日消息，日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款浮动开关架构，其可简化灯具、射灯以及固定装置的离线 LED 线性驱动器。该 AC 开关矩阵技术支持 TI TPS92411 浮点 MOSFET 开关，是一种不使用磁性组件也可产生低纹波 LED 驱动电流的**方案。该架构能与原有墙式调光器、高功率因数以及低总谐波失真 (THD)实现**兼容。如欲了解更多详情，订购样片与评估板，敬请访问：www.ti.com.cn/tps92411-pr-cn。 反向、降压及升压转换器是当前 LED 灯具中的通用开关模式电源 (SMPS) 拓扑。这些电路在高频率下工作，需要电感组件将电源 AC 电流转换为驱动 LED 所需的 DC 恒流。用于电源传输的电感器与变压器在选择上比较复杂，常常需要昂贵的定制组件。此外，还需要使用包含 4 至 10 个无源组件的电磁干扰 (EMI) 滤波器防止 SMPS 电路损坏其它电子设备。如需进行相位调光，可能还需要多次设计迭代来优化调光器兼容性和防止 LED 闪烁。 TI TPS92411 的浮动开关架构能够应对这些挑战，无需用于电源传输的各种电感组件，不仅可节省

德州仪器超小型FemtoFET™MOSFET支持*低

德州仪器超小型FemtoFET™MOSFET支持*低导通电阻

RS推出40V新型车用COOLiRFET

 全球**的电子与维修产品**服务分销商Electrocomponents plc(LSE:ECM)旗下的贸易品牌RS Components(RS)宣布，全球功率管理技术领导厂商International Rectifier(IR)的全新车用COOLiRFET™系列业已到货。这些新型器件的导通电阻堪称同类产品之标杆，适合内燃机(ICE)和微型混合动力汽车平台上的电动助力转向(EPS)、制动系统及其他重载应用。本系列共有22种新型40伏N沟道产品，均达到AEC-Q101标准，并采用IR经过实践检验的12.7代沟道技术以及D2Pak-7P、D2Pak、DPak、TO-262、IPAK和TO-220封装，实现超低导通电阻。AUIRFS8409-7P型场效应管采用D2Pak-7P基准封装，在栅源电压10伏、额定电流高达240安时提供低至0.75毫欧的导通电阻。这些新型COOLiRFET™器件传导损耗低、雪崩性能强，可提供更高的效率、功率密度和可靠性与其他先进的MOSFET系列相比，可大幅降低多种应用的运行温度。IR车用COOLiRFET™系列遵循IR的零缺陷汽车质量理念，经过动静态零件平均测试

三相正弦波逆变器瞬态的共同导通问题设计方案

适用于LED灯泡和T8灯管驱动器LYTSwitch-0全方位评

如何使用氮化镓：增强型氮化镓晶体管的电学特性

罗姆上半财年营业利润同比增长近3倍

罗姆2013财年上半年（4～9月）的累计销售额同比增长11.4％，为1679.79亿日元，营业利润同比增长291.2％，为103.38亿日元。**财季（7～9月）的销售额同比增长15.1％，为879.7亿日元，营业利润同比增长559.8％，为84.79亿日元，增长率超过了**季度。“LSI”业务上半财年的销售额同比增长8.1％，为791.51亿日元。营业利润同比改善约76亿日元，为盈利40.48亿日元。不但平板电脑用电源IC业绩出色，智能手机用传感器IC和接口IC的销售也保持坚挺。面向汽车相关市场的产品方面，系统电源IC、LED驱动IC及接口IC等得到大量采用。但针对数码相机、功能手机和个人电脑的产品销售低迷。“半导体元件”业务上半财年的销售额同比增长15.9％，为589.52亿日元，营业利润同比增长6.8％，为58.14亿日元。面向汽车、商用设备、个人电脑、家电的功率MOSFET、小信号双极晶体管以及肖特基势垒二极管等业绩出色。另外，SiC器件和模块在汽车相关市场、光伏发电系统及空调等领域的采用增加。受全球经济慢慢扩大以及日元贬值等的影像，罗姆上调了2013财年全年（2013年4月～

罗姆2013上半财年营业利润同比增近3倍

罗姆2013财年上半年（4～9月）的累计销售额同比增长11.4％，为1679.79亿日元，营业利润同比增长291.2％，为103.38亿日元。**财季（7～9月）的销售额同比增长15.1％，为879.7亿日元，营业利润同比增长559.8％，为84.79亿日元，增长率超过了**季度。“LSI”业务上半财年的销售额同比增长8.1％，为791.51亿日元。营业利润同比改善约76亿日元，为盈利40.48亿日元。不但平板电脑用电源IC业绩出色，智能手机用传感器IC和接口IC的销售也保持坚挺。面向汽车相关市场的产品方面，系统电源IC、LED驱动IC及接口IC等得到大量采用。但针对数码相机、功能手机和个人电脑的产品销售低迷。“半导体元件”业务上半财年的销售额同比增长15.9％，为589.52亿日元，营业利润同比增长6.8％，为58.14亿日元。面向汽车、商用设备、个人电脑、家电的功率MOSFET、小信号双极晶体管以及肖特基势垒二极管等业绩出色。另外，SiC器件和模块在汽车相关市场、光伏发电系统及空调等领域的采用增加。受全球经济慢慢扩大以及日元贬值等的影像，罗姆上调了2013财年全年（2013年4月～

Linear推出电流模式双输出同步降压型DC/DC控制

恩智浦推出首款采用1.1-mm²无铅塑料封装的3A晶体管

恩智浦推出首款采用1.1-mm²无铅塑料封装的3

一种ARM控制的逆变器的设计方案

1.系统总体方案1.1 总体设计框图如图1 所示， 逆变器系统由升压电路、逆变电路、控制电路和反馈电路组成。低压直流电源DC12V经过升压电路升压、整流和滤波后得到约DC170V高压直流电，然后经全桥逆变电路DC/AC转换和LC滤波器滤波后得到AC110V的正弦交流电。逆变器以ARM控制器为控制核心，输出电压和电流的反馈信号经反馈电路处理后进入ARM处理器的片内AD,经AD转换和数字PI运算后，生成相应的SPWM脉冲信号，改变SPWM的调制比就能改变输出电压的大小，从而完成整个逆变器的闭环控制。1.2 SPWM方案选择1.2.1 PWM电源芯片方案采用普通的P W M电源控制芯片，如SG3525,TL494,KA7500等，此类芯片的优点是能够直接的产生脉宽调制信号，但是它缺点是波形线性不好，而且振荡发生器是依赖充放电电路而产生波形，当要PWM芯片产生SPWM信号需要附加额外很多电路。1.2.2 CPU软件方案采用CPU产生SPWM脉冲，如单片机、ARM或DSP等，此种方法的优点是脉宽可以通过软件的方式来调节，不仅精度较高，而且外围电路也很简单便宜。终上所述，选择STM32F107(A

数字供电和模拟供电

数字供电和常见的模拟供电不同，前者采用了数字PWM，体积更小的整合了数字MOSFET和DRIVER的芯片，以及体积更小的数字排感，搭配多个MLCC;而模拟供电不同，采用传统的PWM芯片，每相搭配2-4个体积比较大的MOSFET，每相搭配一个独立的电感，而且会搭配容量比较大的电容。所以从外观上，我们很容易分辨数字供电和模拟供电。可看出影驰这款显卡采用了数字PWM VT1165MF，体积非常小、整合MOSFET和DRIVER的CSP封装VOLTERRA公司的VT1195SF MULTIPHASE电源芯片，以及CPL-4-50数字排感和MLCC，显然这是典型的数字供电。不过数字供电的意义不仅仅在于“体积”，更在于性能。数字供电采用的PWM IC显卡采用的PWM芯片为VT1165MF，在NVIDIA旗舰显卡上很常见，可以轻松搞定数百瓦功耗的**显卡。通过VT1165MF组成的数字供电，转换效率远高于模拟供电普遍保持的70-80%，而达到了90%.不仅仅如此，由它组成的数字供电还更为**，GPU电压峰值幅度仅140mV，而模拟供电GPU电压峰值幅度却有300mV.更**的供电有利于保证GPU稳定

SiC功率半导体元件的“真命天子”沟道MOSFET即将实用化

“高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET”（电装解说员）。 在2013年10月举办的“CEATEC JAPAN 2013”上，电装展示了SiC的相关技术（图1）。其中包括了两大“惊喜”。一是电装宣布SiC功率元件将在2015年实用化。在此之前，SiC功率元件的成果虽然频繁出现在学会和展会等场合，但大家对于实用化的时间表都讳莫如深。二是名为“沟道型”的新一代SiC MOSFET的实用化。作为功率半导体材料，SiC与一般的Si相比，能够制造出损耗更低的功率元件。相关研发十分活跃，市面上已经出现了SiC材料的二极管和晶体管等产品。 但过去投产的SiC MOSFET，是在元件表面设置栅极的“平面型”，在栅极部分挖沟的沟道型尚未投产。沟道型的导通电阻能够缩小到平面型的几分之一。因此能够进一步降低损耗。 降低导通电阻还有助于压缩SiC MOSFET的成本。因为达到相同的载流量，沟道型的芯片面积要小于平面型。也就是说，1枚SiC基板可以制造出更多的芯片，从而压缩成本。 图1：电装即将把沟道型SiC MOSFET投入实用电装在“CE

晶体管技术取得突破单PN结的新型基础电子器件诞生

众所周知，晶体管要分成多种类型。其中，MOSFET作为基础器件由于其优越性能得到了广泛的应用。但是目前使用的场效应管存在两个被学术界称为PN结的结构。正常工作时源极和衬底间的PN结始终处于正向导通状态，所以在一般情况下，场效应管的源极和衬底是连接在一起的，由此源极和衬底间的PN结并没有在电路中起作用。据相关研究人员介绍，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为单PN结的新型基础电子器件。他们据此提出了一项**申请，制造一种只有一个PN结的场效应管，能够完全取代现有结构的场效应管、简化场效应管的结构、降低成本并提高集成度。相关研究人员表示，“单PN结场效应管只需改变相应设计，完全能够在现有标准的CMOS生产线上成功制造出来，希望能够有设计和制造伙伴与我们进行对接，尽快向产业化推进。”

安森美推出两款新的具备丰富功能的汽车级电源管理

安森美半导体推出两款新的具备丰富功能的汽车级电源管理IC

安森美半导体推出两款通过AEC认证的集成电路(IC)。这两款IC具有宽输入电压范围及宽广工作温度范围，极适合于汽车动力系统及车厢内应用。NCV8876非同步升压控制器工作输入电压范围为2伏(V)至44 V，带有自动唤醒及关闭功能，其设计用于为汽车启动-停止条件期间提供*小输出电压，以应付汽车电池电压突降。当供电电压下降至低于7.2 V时，NCV8876启动；一旦此电压降至低于6.8 V，升压工作启动，NCV8876驱动外部N沟道MOSFET。此器件在休眠模式下仅消耗11微安(µA)的静态电流，故将功耗降至*低。NCV8876提供多种保护功能，包括逐周期限流、过热关闭(阈值为170 ⁰C)及断续模式过流保护。它的峰值电流模式控制及内置斜坡补偿确保器件在完整电压范围内的稳定性。这也确保它在电流故障条件下受到保护，即在超过电流极限时，在开关周期的剩余时间内关闭电源开关。NCV896532 2.1兆赫兹(MHz)开关频率双通道降压DC-DC降压转换器旨在用于集成于当今汽车中的复杂驾驶辅助系统。它的两个通道都可外部调节(范围为0.9 V至3.3 V)，能提供达1,600 mA的电流。同步整流功能

高速面阵CCDKAI-01050功率驱动电路的设计方案

此CCD功率驱动电路的难点包括40 MHz高速水平转移和复位时钟驱动、三电平阶梯波形垂直转移时钟V1和高压脉冲电子快门信号驱动设计。利用高速时钟驱动器ISL55110和钳位电路实现了高速水平转移时钟的驱动;利用两个高速MOSFET驱动器组合的方案，实现了三电平阶梯波形垂直转移时钟V1的驱动;利用两个互补高速三极管轮流开关工作实现了高压脉冲电子快门信号的驱动。对部分重点电路进行了仿真验证，并通过测试验证了本方案所设计的驱动电路满足高帧频面阵CCD KAI-01050的各项驱动要求。0 引言电荷耦合器件(CCD)是一种光电转换式图像传感器，它将光信号直接转换成电信号。由于CCD 具有集成度高、低功耗、低噪声、测量精度高、寿命长等诸多优点，因此，在精密测量、非接触无损检测、文件扫描与航空遥感等领域中得到了广泛的应用。CCD的功率驱动是CCD 应用的关键技术之一，只有驱动脉冲的相位和电压幅值满足CCD 的要求，CCD 才能正常的完成光电转换功能，输出满足应用需求的信号。时序极为严格的多路驱动信号是CCD正常工作的条件，由于CCD 是容性负载，因此设计具有一定带负载能力驱动信号成了CCD相机系统

精准监控电流/电压数位电源管理需求看涨

数位电源系统管理技术将成为提高半导体元件能源使用效率的重要关键。过往工程师在开发电子元件时若须调整元件电源效率，往往须大费周章调整电路板，因此业界提出数位电源系统管理(DigitalPowerSystemManagement,PSM)技术，协助元件开发商在短时间内以数位介面监测、修改元件参数(Parameter)，以提高元件能源使用效率。凌力尔特微型模组电源产品行销经理AfshinOdabaee指出，数位电源管理技术将有助于资料中心厂商精准监控电力使用情形，不仅可节省额外电费，更可以避免电力系统失效时所产生的巨大损失。凌力尔特(LinearTechnology)μModule电源产品行销经理AfshinOdabaee表示，伺服器从元件、电路板至系统整体的耗电变化已成为资料中心可靠度的重要指标，不过，要减少整体电力消耗则须精准观察每个层级的用电量。数位电源系统管理技术能透过数位汇流排(DigitalBus)提供设计人员重要的电源相关数据，包括负载电流、输入电流、输出电压、运算电力消耗、整体效率以及其他电源管理参数等。Odabaee进一步指出，与传统负载点(PointofLoad,POL)

一款2KW高频开关电源电路的设计方案

德州仪器推出业界首款支持动态温度补偿电感器电流传感的模拟DC/DC控制器

IR高电流负载点集成式稳压器IR3847SupIRBuck荣获

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，该公司的 IR3847 SupIRBuck 高电流负载点集成式稳压器荣获《今日电子》杂志两项大奖。IR3847获得《今日电子》杂志颁发的“2013年度Top-10电源产品奖”。《今日电子》的编辑和专家组根据以下标准选出*佳电源产品：在技术或应用方面取得显著进步、具有开创性的设计以及性价比显著提高。IR3847同时还荣获《今日电子》颁发的“技术突破奖”。IR3847将采用纤巧5x6 mm封装的IR第三代SupIRBuck系列的额定电流扩大至25A。由于IR3847使用的新款热增强型封装采用了铜夹技术和多项专有的**控制器技术，所以该器件不需要散热片即可在25A下工作，其电路板尺寸也比其它集成式解决方案减少了20%，比采用控制器和功率MOSFET的分立式解决方案减少了70%，使一套完整的25A电源解决方案可以在168mm2 大小的电路板中实现。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“我们非常高兴能够凭借IR3847 SupIRBuck集成式稳压器获得《今日电子》深具影响力的两个大奖。IR3847不仅满足了客户对基

意法半导体推出*新双极功率晶体管媲美MOSFET的能���

意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器（DC-DC converters）转换解决方案。3STL2540是一个-40V/-5A PNP结晶体管，在完全饱和状态时，*大压降是200mV，基极电流仅为10mA。等效导通电阻仅为90mΩ，接近同等级超级逻辑电平MOSFET的性能。3STL2540的核心技术是意法半导体的先进的双金属层平面基岛工艺，在0.2到10V的宽输出电压下，温度在-30°C到150°C范围内，连续高电流增益 (consistently high current gain，hFE)至少保持在100，创下业内这类器件*低的导通损耗记录。高热效率封装PowerFLAT™仅0.6mm高，封装面积为2mm x 2mm，在*小的印刷电路板内实现高性能功率电路。3STL2540现已量产。

ST推出双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑

IR推出AUIRF8736M2车用DirectFET2功率MOSFET提

浅析影响DC-DC转换器效率的主要因素

怎样做好LED照明设计

一、LED的出现打破了传统光源的设计方法与思路，目前有两种*新的设计理念。1.情景照明:是2008年由飞利浦提出的情景照明，以环境的需求来设计灯具.情景照明以场所为出发点，旨在营造一种漂亮、绚丽的光照环境，去烘托场景效果，使人感觉到有场景氛围。2.情调照明：是2009年由凯西欧提出的情调照明，以人的需求来设计灯具。情调照明是以人情感为出发点，从人的角度去创造一种意境般的光照环境。情调照明与情景照明有所不同，情调照明是动态的，可以满足人的精神需求的照明方式，使人感到有情调;而情景照明是静态的，它只能强调场景光照的需求，而不能表达人的情绪，从某种意义上说，情调照明涵盖情景照明。情调照明包含四个方面：一是环保节能，二是健康，三是智能化，四是人性化。二、要想做好LED照明设计关键要在以下几个方面努力了。1、 不要使用双极型功率器件Doug Bailey指出由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件，这样会严重影响电路的可靠性，因为随着LED驱动电路板温度的提升，双极型器件的有效工作范围会迅速缩小，这样会导致器件在温度上升

Vishay的Si7655DNMOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖

恩智浦业界首款高频率、低峰值性能MOSFET

       恩智浦半导体(NXP)近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平台,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术。NextPowerS3是业界首款能够提供高频率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或类似肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，而且这种MOSFET没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3 30V的产品适合于各种应用，包括用于通信和云端计算机所需要的高效率电源、高性能便携式计算机电源和电池供电式电机控制，如可充电电动工具。 *近几年的趋势是研发高频应用的MOSFET，努力降低开关损耗并提高开关模式电源(SMPS)设计的效率。然而，更高的开关速度会产生更高开关节点电压尖峰、耦合栅极毛刺等问题，并且会带来电压击穿、影响EMI和可靠性等潜在问题。一种广泛使用的解决方案是将肖特基二极管和类似肖特基二极管集成在MOSFET结构中。然而，肖特基二极管产生高漏电流（特别是在高温环境下），会影响效率、电池寿命和制造过程中的次品鉴别能力，但是恩智浦的NextPowerS3系列产品结合带软恢复功能的超快速开关性能，解决了所

麦瑞半导体推出85V半桥MOSFET驱动器具有业内*宽可编程栅极驱动电压范围

麦瑞半导体公司日前推出了85V半桥MOSFET驱动器MIC4604。MIC4604具有集成的85V阴极负载二极管和业内*宽广的可编程栅极驱动电压范围（5.5V至16V）等特点。这些特点使其成为业内*严格的电池驱动电机应用（包括电动工具和直流/交流逆变器）的理想解决方案。MIC4604采用SOIC封装，现在已经批量供货，千片订量的起步价为0.69美元/片。麦瑞半导体高性能线性和电源解决方案部营销副总裁Brian Hedayati表示：“MIC4604是业内首批半桥MOSFET驱动器之一，是专为满足多种多样的应用设计的，如电机、不间断电源（UPS）及其他通用电源等。MIC4604可提供*宽广的MOSFET栅极-源极电压范围（5.5V至16V），使我们的客户能够优化栅极驱动电压并获得*佳的系统功率效率。”举例来说，在电池供电的电机驱动应用中，不需要将电压提升至超过其他解决方案的典型*小栅极驱动电压9V；MIC4604可在低至5.5V的电源电压下工作。此外，85V工作电压能提供充足的余裕，可承受电机驱动及电源应用中出现的电压尖峰，这些特点使MIC4604成为高低压应用的理想解决方案。MIC46

Vishay联袂中国电源学会举办电源专题研讨会

2013 年 10 月14 日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将与中国电源学会合作于10月16日举办电源专题研讨会，该研讨会内容涵盖功率MOSFET、电源模块、光电器件和二极管，同期还将有多位业内专家出席并做宣讲。研讨会将在中国武汉的长江大酒店召开。Vishay亚太区事业发展部总监杨益彰先生将参加题为“ZVS和ZVC，针对5kW至100kW大功率设计与应用”的分组讨论；Vishay光电子部门产品应用经理陆骁先生将讨论应用于**领域的高性能光学隔离器件；Vishay Siliconix助理产品应用经理徐荣先生将介绍Vishay的MOSFET和IC等产品及其应用；Vishay二极管部门亚洲区市场部**技术工程师魏武先生将介绍Vishay的二极管器件及其应用。研讨会精选的业内专家还有武汉大学教授查晓明先生、中国电源学会邵革良先生、华中科技大学教授段善旭先生等。与会者可在每场宣讲结束时提问或在以下网站提前提交问题：http://meeting.21dianyuan.com/wuhan。

高通AP拟整合Rx芯片TI无线充���霸主地位恐不保

德州仪器(TI)无线充电晶片霸主地位正遭受应用处理器厂商(AP)威胁。随着高通(Qualcomm)先后宣布加入无线充电联盟(WPC)与电力事业联盟(PMA)后，该公司将无线充电接收器(Rx)整合至处理器的企图心已愈来愈明显，一旦相关产品推出，势将对德州仪器在无线充电晶片的市占率造成不小冲击。  致伸技术平台**经理丘宏伟表示，未来处理器业者将接收器整合后，势必将造成无线充电晶片市占率排名重新**。致伸技术平台**经理丘宏伟表示，从高通目前一次跨足三大无线充电标准阵营的动作，即可看出该公司亟欲掌握每一个标准联盟的*新动态，藉此观察不同标准规格的市场发展走向，以利未来该选择何种标准进行元件整合，并透过此一布局大举挥军无线充电市场，同时争食德州仪器无线充电接收器市场。  据了解，现阶段由于德州仪器的无线充电解决方案整合度较高，因此有近六成的市占率，其余四成则由飞思卡尔、IDT与日系晶片商分食，但未来若高通将接收器整合至应用处理器后，则无线充电接收器市占率势必将重新**，而德州仪器的市场**地位也将面临极大的挑战。  事实上，无线充电接收器是由微控制器(MCU)、电源控制演算法与金属氧化物半导

MaximIntegrated推出超高效率60V、2.5ADC-DC稳压器

Maxim Integrated推出同步整流DC-DC降压转换器MAX17503，能够在较宽的工业电压范围内提供更高效率。MAX17503内置两个MOSFET开关，无需使用外部肖特基二极管，与其它工业应用高压DC-DC转换器相比，热耗降低50%，具有更高效率。器件输入电压范围为4.5V至60V，输出电流可达2.5A。MAX17503可节省50%的占用空间，元件数量减少75%。工业设备通过摆脱散热器或风扇而日趋小型化，此外系统设计人员也在不断争取足够的设计裕量，以应对输入瞬态电压，满足**标准的要求。MAX17503具有超宽输入电压范围，可显著降低热耗、提高可靠性。在负载变化范围较大的应用中，设计人员可以通过脉冲频率调制(PFM)提高轻载下的效率。MAX17503专为工业控制和自动化应用设计，理想用于工业过程控制、电机控制、电网及楼宇自动化应用中的可编程逻辑控制器(PLC)、过程变量变送器(PVT)、数控机床(CNC)和分布式I/O模块。主要优势·         高效率：与主流的非同步方案相比，热耗降低50%·         高可靠设计：工作在高达60V输入电压，确保设计能够承受恶劣

飞兆PowerSupplyWebDesigner增添功率链分立式器件功率损耗和效率分析工具

飞兆半导体公司*近将Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在线设计和模拟工具，可在一分钟内提供完整的设计–进一步强化，引入传动系分立式（MOSFET/IGBT/整流器）器件功率损耗和效率分析工具。这些新模型可根据输入和输出条件用于100 W至3 kW的设计，为设计人员提供功率因数校正(PFC)、相移全桥加次级端同步整流(PSFB+SR)功率链分立式器件分析，以及与这些拓扑相关的器件组合矩阵。根据用户指定的电气和机械规格，新模型可提供分立式功率半导体、变压器和电感设计值以及物料成本(BOM)的*佳组合。它还可以提供仪表盘视图，指示转换器系统和器件功率损耗、器件结温以及整个工作条件范围内的进一步组件微调。关于PSW模型，使用这些工具的设计人员能够接受默认的推荐值，或花些时间优化重要的细节以满足独特的设计需要。设计人员可以快速、准确地估计设计性能，并随时改进设计选择。这些工具还允许他们花时间执行详细的模拟分析，检验自己的设计及硬件原型能否顺利运行。功率链分立式模型由相移全桥和次级端同步整流(PSFB+SR)模型和功率因数校正(PFC)模型组成。它们是简单易用、

宜普公司扩大其产品系列推出全新150V功率晶体管

宜普电源转换公司2013年9月宣布推出增强型氮化镓功率晶体管系列产品中的*新成员- EPC2018。EPC2018 晶体管为5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件，其*大RDS(on)为25 mΩ，在栅极电压为 5 V。它可以实现更高性能，因为它具备超高开关频率、非常低的RDS(on)、超低QG以及具备超小型封装占板面积。与先进硅功率MOSFET器件相比，虽然导通电阻相同，EPC2018 器件具备超小型封装占板面积及在开关性能方面比硅功率MOSFET器件高出很多倍。受惠于氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器及许多需要纳秒开关速度的电路等应用。宜普公司创办人及**执行官Alex Lidow 称“EPC2018 器件进一步替我们氮化镓场效应晶体管系列产品开拓新天地。在功率转换应用中，它提供低电阻、低输出电容、快速开关及因器件没有反向恢复而可减少开关损耗。在D类音频放大器应用中，它则可以提高效率及改善音质。”EPC2018器件在一千批量时的单价为6.54美元

MaximIntegrated推出超高效率、高可靠性60V、2.5ADC-DC稳压器

Linear推出具数字接口的双输出13AμModule稳压器