小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界*小型低导通电阻 MOSFET。该*新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻。
三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA) 封装，与芯片级封装 (CSP) 相比，其可将板积空间锐减 40%。CSD17381F4 与 CSD25481F4 支持不足 100 毫欧的导通电阻，比目前市场上类似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超过 4000V 的人体模型 (HVM) 静电放电 (ESD) 保护。
FemtoFET MOSFET 归属 TI NexFET 功率 MOSFET 产品系列，该系列还包括适用于手机等便携式应用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大电流低压降 (LDO) 线性稳压器以及 TPS65090 前端电源管理单元 (PMU) 等各种系列的电源管理产品，可为手持应用节省板级空间，降低功耗。
FemtoFET MOSFET 系列的主要特性与优势
· 不足 100 毫欧的导通电阻比类似器件低 70%，可节省电源，延长电池使用寿命;
· FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封装比标准 CSP 小 40%;
· 1.5A 至 3.1A 的持续漏极电流值与当前市场类似尺寸器件相比，可提供超过 2 倍的性能。
供货情况
FemtoFET MOSFET 器件现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商进行订购。
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