全新英飞凌功率MOSFET系列使电动工具更紧凑耐用

英飞凌扩展StrongIRFET™ Power MOSFET产品系列，推出同时满足紧凑和耐用要求的解决方案。新推出的逻辑电平 StrongIRFET™ 器件可以直接由单片机驱动，节省空间和降低成本。此外，StrongIRFET™十分坚固耐用，帮助延长电子产品的使用寿命。经过实验证明StrongIRFET系列器件能够*大限度提高电动工具的能效。这次逻辑电平StrongIRFET产品的扩展又使得英飞凌能够满足市场对于无需独立驱动器的产品的需求。新推出的器件的栅源驱动电压降至4.5 V，在很多应用中这为直接连接MOSFET与单片机创造了可能性。英飞凌电源管理及多元化市场事业部产品市场总监Stéphane Ernoux 表示：“逻辑电平StrongIRFET系列具有两大决定性优势：降低多种应用中电子设计的复杂性;表现出****的坚固耐用性。”新器件保留了StrongIRFET系列的典型性能特色：低导通电阻(如下IRL7472L1TRPBF，典型值只有0.52 mΩ和*大值是0.97 mΩ)降低导通损失;高载流能力提高功率容量以及耐用硅晶片，所有这些特性共同提升了系统高可靠性。规格

e络盟新增五款业内**的威世Super 12系列**产品

安森美半导体新一代同步整流驱动控制器NCP4305 显著实现更高能效

Cree推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台

SiC市场***Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且**于 900V超结Si基MOSFET技术，扩大了终端系统的功率范围，在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on)，大大减小了热管理系统的尺寸，很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的**空间，方便实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源设计方案。这也是新一代电力转换系统与硅成本平价的解决方案。图 基于900V SiC MOSFET平台的C3M0065090J世强代理的C3M0065090J，是该平台的主导产品，其额定工作电压/电流分别为900V/32A;在25°C条件下，可以实现*低至65 mΩ的额定导通电阻，在更高温度(Tj=150°C)工作时，导通电阻Rds(ON)也只有90mΩ，减少了系统的冷却需求。另外，该产品不仅拥有业界标准的TO247-3/TO220-3封装，

安森美半导体助力汽车朝电气化及智能化发展

随着汽车发展的电气化和智能化趋势，使燃油经济性及降低排放、主动**及自动驾驶、车联网和LED照明等成为当前汽车行业关注焦点，这对半导体业带来更多发展机会的同时也提出了更多的挑战。混合电动汽车 安森美半导体用于汽车倒车影像的方案还包括2MHz开关电源(SMPS)如NCV890201MWTXG和NCV898031D1R2G、低压降稳压器(LDO)如NCV8703和NCV8705、开关MOSFET如NVTFS5116PL(u8FL)和BVSS84L(SOT23)、数字晶体管如SDTC1xxEE、CAN收发器如NCV7356和NCV7341、图像处理器如AP0100AT、视频信号处理器如LC749000、EEPROM如CAV25256(SPI)和CAV24C256(I2C)、逻辑产品如NL17SZxx及ESD等等。智能无源传感器主要用于检测座椅及感测液位。安森美半导体的智能无源传感器方案采用**、超高频RFID传感器标签，含一个称为Magnus的智能传感器IC，及一个可印制的天线以支持无线感测温度、湿度、压力和距离，全都无需外接电源。在座椅检测应用方面，该方案结合人体检测元素及标准体重检测提供

CISSOID推出高集成的隔离式栅极驱动器HADES v2

CISSOID公司推出高度集成的隔离式栅极驱动器

Vishay 发布其2015年“Super 12”特色产品

Fairchild推出符合汽车标准的SuperFET II MOSFET和高压整流器

Fairchild 正在满足车辆制造商和零配件供应商的**需求，其新的SuperFET II MOSFET和高压整流器产品系列有助于打造更清洁、更智能的车辆，是额定功率不断提高的车载充电器和DC-DC转换器(用于混合动力、插电式混合动力和全电动车辆)的理想选择。Fairchild混合与电动车辆部门经理Fabio Necco表示：“插电式混合动力和电动车辆制造商的重要目标之一是保持车载电池充电器和DC-DC转换器尽量轻便小巧，同时提高功率等级。 凭借新SuperFET II MOSFET和高压整流器的广泛产品组合，Fairchild帮助制造商将这些元件的效率、功率密度和可靠性*大化，这也是缩小产品尺寸和重量的关键，当然，也与电动车辆开发的环境、经济和能源优势相一致。”Fairchild的AEC-Q101级650V SuperFET II MOSFET产品系列包括9款器件和丰富的可选封装，包括业内较低的41 mOhm RDS(on)，可帮助客户降低开关和导通损耗。650V SuperFET II MOSFET产品系列非常适合混合动力和插电式电动车辆，因为其导通电阻小和**的开关性能可实现高

英飞凌推出OptiMOS 5 25V和30V产品家族，能效高达95%以上

2015年3月24日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。同时，英飞凌还发布了名为Power Block的新型功率模组和集成式功率模组DrMOS 5x5。加上驱动器和数字控制器产品，英飞凌为服务器、电脑、数据通信和电信设备等提供了完备的系统解决方案。在云计算、物联网和社交媒体等大趋势的推动下，现代社会对数据处理能力的需求与日俱增。伴随而来的，是能耗大幅增加，这继而要求提高功率转换系统的能效。新近推出的OptiMOS 25V和30V产品重新定义了业内解决方案的性能标杆，在整个负载范围内，其能效比上一代产品提高了1%左右，在典型的服务器电源设计中，其峰值效率高达95%以上。这样的性能提升得益于诸多因素，如开关损耗（Qswitch）比上一代的OptiMOS技术降低了50%。举例来说，对于一颗全年不间断工作的130W服务器CPU而言，采用新的OptiMOS 25V，可节约用电26.3度。按一个大型机房平均拥有5万台服务器计算，每年总共可以

Vishay新款20V MOSFET提高便携式电子产品功率密度和可靠性

Diodes推出两款同步整流器APR3415及APR34330

Diodes 推出两款同步整流器APR3415及APR34330，满足市场对提高便携式充电器集成度和效率的要求。新器件把驱动电路与内部MOSFET结合，从而提供功耗较低的实惠型整流解决方案，并减少外部元件数量。它们的目标应用包括手机与无线电话的适配器和充电器、ADSL调制调解器、MP3播放器，以及其它便携式消费性产品和家用电器。APR3415及APR34330为同步整流转换器，适合应用在断续传导模式下工作的5V输出电压。它们的同步整流功能可降低副边侧的功耗;而对MOSFET漏源极电压的感测能力就使设计能用较少外部元件优化驱动信号 。其内部N通道MOSFET在低栅极电荷、低导通电阻、快速开关和反向恢复时间方面作出了优化，有效加快回应副边侧电压，还能改善原边侧控制系统的瞬态性能。采用标准SO-8封装的APR3415为要求输出电流高达2A而设计，以带散热焊盘SO-8EP封装供应的APR34330则针对要求输出电流高达1.5A而设计。两款器件都具有其它厂商同类型产品很少提供的过压保护及VCC欠压闭锁功能。这些功能不但确保系统**可靠，还可使器件适用於备用和辅助电源等更广泛的应用范畴。APR34

Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175° C，适合超高功率密度应用

Vishay推出新款20V N沟道MOSFET，延长便携式应用电池工作时间

东芝携强大产品阵容亮相慕尼黑上海电子展

日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，东芝携其强势产品和**技术参加了于2015年3月17日至19日在上海新国际博览中心举办的2015慕尼黑电子展。并于3月18日在展会同期举办新闻发布会，推出促进人类智慧生活的四大应用*新解决方案：Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延续“智社会 人为本”的企业理念，致力于打造放心、**、舒适的社会。发布会上，东芝半导体&存储产品公司技术营销部总经理兼技术营销总监吉本健先生、东芝电子亚洲有限公司副董事长野村尚司先生、以及东芝电子(中国)有限公司副总经理高桥俊和先生共同出席，向业内阐述东芝半导体在中国市场的发展情况和战略规划，及东芝电子*新产品技术和*新业务重点。东芝本次推出的展品分为四大应用领域：“Energy & Life”(包括分立器件、白光LED LETERASTM、监控摄像头、功率MOSFET、光触媒技术“光蓓净”、电机驱动等)、“Automotive”(包括汽车电动后视镜控制、水泵/燃油泵控制、汽车仪表显示控制

Diodes微型场效应晶体管节省40%空间

Diodes为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管，以及30V额定值的P通道器件，产品全都采用了DFN0606微型封装。每个器件的电路板占位面积仅0.6mm x 0.6mm，比一般采用DFN1006 (SOT883) 封装的MOSFET小40%，是下一代可穿戴科技产品、平板电脑及智能手机的理想之选。DMN2990UFZ (20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ (30V nMOS通道) 和 DMP32D9UFZ (30V pMOS通道) 能够提供与大多数大型封装器件相同甚至更佳的电气性能。新产品旨���尽量降低导通电阻，并同时维持**的开关性能。此外，器件的典型阈值电压低於1V，这种低开启电压适合单电池工作模式。全新微型MOSFET非常适合进行高效率功率管理，还可作为通用介面及简单的模拟开关。这些DFN0606封装器件的功耗达到300mW，使电路功率密度得以提升。

盘点：2014年IC封装测试行业大事件

2014年，对芯片封装测试行业来说，也是不同寻常的一年，下面就让我们盘点总结一下2014年那些跟IC封装测试有关的事儿。一、技术现状国集成电路封装测试产业虽然发展迅速，但与我国对集成电路的巨大需求相差甚远，封装能力和技术严重不足，目前国内企业整体技术水平为国际90年代初中期水平，主要IC封装企业的IC封装大多数还处于中低档水平，大部分集成电路封装企业生产的封装产品仍以PDIP、TO、SOP、QFP、QFN、DFN、等中低端产品为主。虽然已经开始先进技术研发，但与国际先进企业存在较大差距。在**封装技术，尤其是倒装(FlipChip)封装技术，我国刚刚起步，尚未形成大批量生产能力。二、**技术研发及方向从技术发展趋势来看，由于半导体市场对于封装在小尺寸、高频率、高散热、低成本、短交货期等方面的要求越来越严，从而推动了新的封装技术的开发。例如球栅阵列封装(BGA)、芯片倒装焊(Flipchip)、堆叠多芯片技术、系统级封装(SiP)、芯片级封装(CSP)、多芯片组件(MCM)等高密度封装形式将快速发展，高速器件接口、可靠性筛选方法、高效率和低成本的测试技术将逐步普及。随着封装产品的多样化和

Vishay新款 20V MOSFET可显著提高便携式电子产品的功率密度和可靠性

凌力尔特推出高效率开关浪涌抑制器 LTC7860

凌力尔特推出高效率开关浪涌抑制器 LTC7860，该器件具过压和过流保护，适合高可用性系统。在正常操作时，LTC7860 持续接通一个外部 P 沟道 MOSFET ，以极低的传导损耗把输入电压传递至输出。在输入过压情况下，LTC7860 通过控制该外部 MOSFET 以充当一个高效率开关 DC/DC 稳压器，从而通过限制输出电压和电流来保护关键的下游组件。LTC7860 基于我们广受欢迎的线性浪涌抑制器 (比如：LTC4363) 而建立，提供了高效率开关保护以扩展输出电流能力并降低瞬变及故障期间的功耗损耗。在长的电感性电源总线中，当负载电流突然变化时会发生电源电压浪涌。在汽车应用中，存储在交流发电机电感中的能量将使这种情况进一步加重，并在抛载期间引起更高和持续时间更长的电压浪涌。浪涌抑制器的功率处理能力受限于保护器件中的功率损耗。在线性浪涌抑制器中，功率能力由传输 MOSFET 的大小决定，而在开关浪涌抑制器中，功率能力则取决于转换效率。与线性解决方案相比，开关浪涌抑制器的功率损耗较低，因此其能够在较长的输入电压浪涌时间和较高的输出电流条件下运作。LTC7860 具有一个 3.5V 至

Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET系列提供*低的导通电阻和多种可选封装

插旗数位电源市场　电源芯片商火力全开

Diodes芯片级双向MOSFET节省空间 有效提高锂电池容量

凌力尔特推出 140V 输入、高效率降压型转换器LTC7138

凌力尔特推出 140V 输入、高效率降压型转换器 LTC7138，该器件提供高达 400mA 连续输出电流。LTC7138 在 4V 至 140V 输入电压范围内工作，从而非常适合电信、工业、航空电子和汽车等多种应用。LTC7138 采用可编程迟滞模式设计，以在宽输出电流范围内优化效率。该器件采用一个内部 1.8Ω 功率 MOSFET 以实现可靠和高效率运行。用户可编程输出电流限制可按照特定应用的要求，在 100mA 至 400mA 范围内设定输出电流。LTC7138 可设定为 1.8V、3.3V 或 5V 固定输出电压，或者采用一个电阻器分压器在 0.8V 至 VIN 范围内设定输出。LTC7138 的耐热增强型 MSOP 封装提供高压输入需要的额外引脚间隔。其 MSOP 和仅 4 个纤巧外部组件相结合，可为多种应用构成占板面积非常紧凑的解决方案。LTC7138 在无负载时仅吸取 12µA 电流，同时保持输出电压稳定，从而非常适合始终保持接通的电池供电型应用。由于转换器固有的稳定性，所以无需外部补偿，因此简化了设计，并*大限度地减小了解决方案占板面积。此外，该器件的功能还包括精准的

意法半导体推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管

意法半导体推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与**的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一，并始终致力于技术的研发与升级。这次推出的1200VSCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290mΩ的通态电阻(RDS(ON))及高达200°C的*大工作结温等诸多特性优势;其高度稳定的关断电能(Eoff)和栅电荷(Qg)可使开关性能在整个工作温度范围内表现始终如一。*终的低导通损耗和开关损耗配合超低泄漏电流，将有助于简化热管理设计，并*大限度地提高可靠性。除更低的电能损耗外，意法半导体的碳化硅MOSFET的开关频率也同样出色，较同等级的硅绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高出三倍，这让设计人员能够使用更小的外部元器件，进而降低产品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高温性可大幅度简化电源模块、电动汽车等应用的散热系统 (cooling-system) 设计。SCT

意法半导体(ST)扩大碳化硅MOSFET产品系列

为更多应用带来宽带隙技术优势2月11日消息，意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与**的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。 意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一，并始终致力于技术的研发与升级。这次推出的1200V SCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290mΩ的通态电阻 (RDS(ON)) 及高达200°C的*大工作结温等诸多特性优势；其高度稳定的关断电能 (Eoff) 和栅电荷 (Qg) 可使开关性能在整个工作温度范围内表现始终如一。*终的低导通损耗和开关损耗配合超低泄漏电流，将有助于简化热管理设计，并*大限度地提高可靠性。 除更低的电能损耗外，意法半导体的碳化硅MOSFET的开关频率也同样出色，较同等级的硅绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高出三倍，这让设计人员能够使用更小的外部元器件，进而降低产品尺

IR推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET

Diodes推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8

Diodes公司(Diodes Incorporated)推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在**改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基(Schottky)阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供*低的关断电压阈值。器件的电压少于-3mV，加上±2mV的紧密容差，可在轻载的情况下改善系统的稳定性及提高效率。此外，这款控制器可灌入5A的电流，确保并联OR'ing MOSFET能够尽快放电，并且做到600ns的快速关断时间，以防止反向电流及在共轨系统上的电压降。在典型的12V配置内，器件的静态电流设定为400µA以下，待机功耗则少于5mW。Diodes公司的ZXGD3108N8 OR'ing MOSFET控制器采用SO-8封装。

德州仪器推出NexFET N沟道功率MOSFET实现业界*低电阻

英飞凌推出RGB LED照明/直流马达控制扩充板

英飞凌(Infineon)针对Arduino设计社群推出两款扩充板--RGB LED照明扩充板/直流马达控制扩充板。 据了解，两款扩充板均相容于Arduino Uno R3，并可使用内建XMC1000系列32位元微控制器(MCU)的启动套件。Arduino专用RGB LED照明扩充板采用XMC1202 微控制器，透过亮度色彩控制单元(BCCU)进行LED照明控制；适用于Arduino的高电流直流马达控制扩充板内含NovalithIC整合式半桥驱动器--BTN8982TA。该RGB LED照明扩充板可采用不同的LED照明引擎，确保快速建构原型、降低评估成本；提供三个独立的输出通道、不闪烁的多色LED控制；并供应高品质色彩需要的一切要件，例如全调光控制，以及在所有调光等级下均不闪烁的光线，还有低耗能；更采用周边单元来进行LED的调光及色彩控制，亦即所谓的亮度及色彩控制单元。Arduino专用直流马达控制扩充板则可简化半桥和全桥式马达控制应用的测试，加速直流马达控制设计的原型建构；还可驱动两个双单向直流马达，或一个双向直流马达；在同一封装内整合三个积体电路(IC)：两个功率晶片(一个P通道高

TI推出NexFET™ N沟道功率MOSFET 可实现业界*低电阻

1月22日消息，日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界*低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。如需获取更多信息、样片或参考设计，敬请访问：www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。 CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率，同时在计算机服务器和电信应用中确保**的运作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的*大导通电阻，而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的*大导通电阻。请下载阅读一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计，来进一步进行了解。 TI 的新型 CSD1757

如何使LED灯泡可调光

IR新推出两款40V车用COOLiRFET™ 功率MOSFET 产品

国际整流器推出两款40V车用COOLiRFET™ 功率MOSFET 产品——AUIRFN8459和AUIRFN8458，为需要小体积、大电流的汽车应用，比如泵电机控制、车身控制等提供基准导通电阻(Rds(on))。在采用IR*先进的COOLiRFET™ 40V 沟道技术的车用5x6mm双PQFN功率MOSFET产品系列中，AUIRFN8459和AUIRFN8458是*先推出的两款产品。AUIRFN8459实现了基准性能，即每通道5.9mΩ的超低导通电阻，可承载50A大电流。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“与传统的DPAK (TO-252) 封装相比，IR的AUIRFN8459和AUIRFN8458 40V 5x6mm双PQFN COOLiRFET™器件的体积减小了50%以上，具有超低封装电阻、电感值和基准导通电阻，十分适合要求高效率、高功率密度和节省空间的传统12V汽车应用，比如电机控制应用。”与SO-8封装相比，新型5x6mm双PQFN COOLiRFET™器件提供到电路板的低导热路径和更高的导热性能，具有更高的效率和功率密度，以及更低的整体系统成本。所有 IR 车用 MOSFET

MOSFET选择策略详解

在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件，而IGBT则不一定。MOSFET是多数载流子器件，因而是高频应用的理想选择。将直流电转换为交流电的逆变器，可以在超声频率下工作以避免音频噪声。相比IGBT，MOSFET还具有高抗雪崩能力。在选择MOSFET时，工作频率是一个重要因素。相比同等MOSFET，IGBT具有较低的箝位能力。在IGBT和MOSFET之间选择时，必须考虑逆变器输入的直流总线电压、功率定额、功率拓扑和工作频率。IGBT通常用于200V及以上的应用，而MOSFET可以用于从20V到1000V的应用。虽然飞兆半导体公司拥有300V的IGBT，但MOSFET的开关频率却比IGBT高出许多。较新型的MOSFET具有更低的传导损耗和开关损耗，在直到600V的中等电压应用中正在取代IGBT.设计替代性能源电力系统、UPS、开关电源(SMPS)和其他工业系统的工程师正不断设法改进这些系统的轻载和满载效率、功率密度

IR推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列

国际整流器推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器 (LEV) 、直流电机驱动器、锂离子电池组保护、热插拔及开关电源 (SMPS) 二次侧同步整流等应用。全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配备可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on)) 、极高的载流能力、软体二极管，以及有助于提高抗噪性的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都完全通过业界*高雪崩电流级别的雪崩测试，能够为要求严格的工业应用提供*坚固耐用的解决方案。新组件都采用穿孔式封装。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR 的75V StrongIRFET器件系列具有超低导通电阻，而且完全通过严格的行业级雪崩测试，以确保产品坚固耐用。新组件提供基准性能MOSFET以供选择，旨在为工业市场作出优化。”规格采用穿孔式封装的75V StrongIRFET

高效高可靠性LED驱动设计心得技巧分享

近日，小编采访了LED驱动电路设计方面的**达人DougBailey，他总结了设计工作中需要注意的问题和亲身设计心得，为大家分享总结如下：一、不要使用双极型功率器件DougBailey指出由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件，这样会严重影响电路的可靠性，因为随着LED驱动电路板温度的提升，双极型器件的有效工作范围会迅速缩小，这样会导致器件在温度上升时故障从而影响 LED灯具的可靠性，正确的做法是要选用MOSFET器件，MOSFET器件的使用寿命要远远长于双极型器件。二、尽量不要使用电解电容LED驱动电路中到底要不要使用电解电容？目前有支持者也有反对者，支持者认为如果可以将电路板温度控制好，依次达成延长电解电容寿命的目的，例如选用105度寿命为8000小时的高温电解电容，根据通行的电解电容寿命估算公式“温度每降低10度，寿命增加一倍”，那么它在95度环境下工作寿命为 16000小时，在85度环境下工作寿命为32000小时，在75度环境下工作寿命为64000小时，假如实际工作温度更低，那么寿命会更长！由此看来，

Vishay新款VRPower DrMOS尺寸更小且更高效

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸、散热增强型PowerPAK® MLP 5mm x 5mm的31pin封装的VRPower®集成DrMOS新品---SiC620。Vishay Siliconix SiC620输出电流超过60A，尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%，但效率更高出3%，*高可达95%。这些器件封装的寄生参数比离散方案小，使开关频率可以达到1.5MHz，能有效提高功率密度，降低总体方案成本。该器件包含的**和低边TrenchFET® Gen IV N沟道低导通阻抗的MOSFET，先进的MOSFET驱动IC，以及自举的肖特基势垒二极管，全部集成在小尺寸25mm2面积内。SiC620的驱动IC兼容各种PWM控制器，支持5V和3.3V的三态PWM逻辑。SiC620家族完全符合DrMOS 4.0标准，针对笔记本电脑、服务器、游戏机、图形卡、交换机和存储系统，以及其他采用CPU的高功率系统中的高功率、多相降压稳压器，以及大电流的非隔离负载点模块。Buck变换器在12V输入时是**的，输入电压可以从4.5V到16V的范围，PWM传

以移相全桥为主电路的软开关电源设计全解

数字电源缘何“失宠”？

数字电源的兴起随着半导体工艺技术的不断升级,电路板上的元器件运行速度更快、体积更小,而且还要求更多、更低的供电电压和更大的供电电流;*终系统的功能不断增加,平均售价却不断下降.此外,用户对电源的故障修复时间、电源运行状态的感知与控制的要求越来越高,电源设计人员不再满足于实时监控电流、电压、温度,还提出了诊断电源供应情况、灵活设定每个输出电压参数的要求.这些需求已是今日的模拟解决方案难以满足的.因此,作为电源管理发展的新思路的数字电源应运而生, 其目标就是将电源转换与电源管理架构用数字方法集成到单芯片中,实现智能、高效的转换与控制及通信。目前新型数字电源控制器和功率级设计拥有许多**特性，如：冗余AC或DC电源、工作范围内超过90% 的高工作效率、故障容限设计、诊断与自动测量记录传导。人们通常把数字电源解决方案视为一些应用的未来电源，如：无线基站、高速数据语音、视频网络、可再生能源应用等等。数字电源的市场规模和增长率Darnell Group *新的一份报告显示：数字电源IC市场在未来五年内销售额将一跃达到近 8 亿美元。《数字电源新兴市场：组件、转换器以及系统级商机》**版报告调研了包

TI推出业界*低静态电流的700V转换开关

日前，德州仪器 (TI) 宣布推出支持小于100uA、 业界*低静态电流的 700V 转换开关，其功耗是现有解决方案的一半，这进一步壮大了 TI 面向离线 AC/DC 设计的高电压电源解决方案阵营。该 UCC28880 控制器高度集成 700V 功率 MOSFET 和高电压电流电源，可帮助输出电流高达 100mA 的常通电非隔离式电源系统提升整体能源效率，且充分满足智能电表、家庭自动化设备以及大型家用电器等应用需求。TI 高电压电源解决方案产品部**技术官 Dave Freeman 指出：“全球数以亿计的智能电表通过不断消耗电网电源来测量能源使用情况并反馈给公共事业单位。虽然这些电表耗电量相对较小，而且其所耗电量也不向用户收取费用，但将为这些设备供电所需的能源量进行累加发现，*大限度降低该能耗也非常必要。TI *新高电压电源解决方案等*新电源转换技术将有助于*大限度的降低智能电表的能耗。”UCC28880 高电压转换开关不仅可降低系统成本，*小化电源整体尺寸，同时还可保持高效率与高系统性能。设计人员无需增加额外的半导体组件，即可使用该转换开关构建降压、升降压以及反向等不同转换器拓扑。U

凌力尔特发布主边同步正向控制器 LT8310

凌力尔特推出主边同步正向控制器 LT8310。该器件在 6V 至 100V 的输入电压范围内工作，面向功率高达 200W 的应用，并为副边同步整流提供一个驱动信号以改善效率。该器件无需使用光耦合器就可提供 ±8% 的输出电压调节。当使用光耦合器时，可实现 ±1.5% 的调节。可编程伏-秒箝位提供了变压器复位保护以防止饱和并保护 MOSFET。这一功能优化了变压器和 MOSFET，从而减小了解决方案尺寸。LT8310 计算在开环应用中产生恒定 VOUT 所需的占空比，因此简化了设计。在闭环应用中，如果光耦合器路径开路，LT8310 就限制VOUT *高值。其他特点包括可编程过流保护、可调输入欠压和过压闭锁以及内置过热停机。LT8310 在 100kHz 至 500kHz 可编程开关频率范围内工作，并可同步至一个外部时钟，从而允许使用多种输出电感值和多种尺寸的变压器。LT8310 采用 TSSOP-20 封装，并去掉了几个引脚以提供高压间隔。LT8310 E 级和 I 级版本在 –40°C 至 125°C 的结温范围内工作。LT8310 H 级版本保证工作在 –40°C 至 150°C 工

Vishay发布新款3A同步降压稳压器SiP12116

ST推出业界*小8通道超声波发生器STHV800

凌力尔特推出 H 级和 MP 级版本开关稳压控制器LTC3853

凌力尔特推出 H 级和 MP 级版本 LTC3853，该器件是一款三输出同步降压型开关稳压控制器。LTC3853 在 4.5V 至 24V 输入电压范围内工作，每相可产生高达 20A 的输出电流，输出电压范围为 0.8V 至 13.5V，效率高达 95%。这些 H 级和 MP 级版本分别保证工作在 –40ºC 至 150ºC 和 –55ºC 至 150ºC 的工作结温范围。LTC3853 具备强大的 1.1Ω 内置 MOSFET 栅极驱动器。恒定频率电流模式架构允许使用 250kHz 至 750kHz 可选固定或同步频率。通过使三个输出级以 120º 异相工作可*大限度地降低功率耗散和电源噪声。通过测量输出电感器 (DCR) 两端的压降或者通过采用一个可选检测电阻器，可完成输出电流检测。折返电流在短路和过载情况下限制 MOSFET 热散。此外，LTC3853 具可调软启动或跟踪。可选突发模式 (Burst Mode®) 工作、脉冲跳跃或连续电感器电流模式是用户可控制的，以优化轻负载效率。LTC3853 具** 0.8V 基准，在 –55ºC 至 150ºC 工作温度范围内准确度为 ±1

IR推出车用大电流双低侧驱动IC AUIRB24427S

IR推出车用大电流双低侧驱动IC AUIRB24427S，适合混合动力电动汽车 (HEV) 、电动车 (EV) 和大功率工业转换器中的开关电源 (SMPS) 应用。AUIRB24427S在整个温度范围内为每个通道提供超过6A的高输出电流，用于驱动采用拈和分立封装的大尺寸IGBT和MOSFET的栅极。由于该器件在开/关模式中的输出阻抗极低，功耗也非常低，因而可以在严苛环境和高温环境中操作，比如在混合动力电动汽车的电源级作为初级侧或次级侧驱动器。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“AUIRB24427S采用简便的PSOIC-8N封装，具有超低功耗的特点，可有效驱动用于大功率开关电源的大尺寸IGBT和MOSFET，与市场上现有的分立式解决方案相比，可提供更为小巧、简便而坚固的解决方案。”AUIRB24427S 可用于耐热增强型PSOIC-8N封装，与标准的DIL SMD封装相比，它能提供更高的热耗散性能，便于在更高的环境温度里操作。另外，轨到轨输出级在高侧使用P沟道MOSFET时，可以实现内部低压差以减少功耗。在环境温度为125℃时，AUIRB24427S 的*大源极/汲极输出电阻可以达到65

宜普电源转换公司推出高性能氮化镓功率晶体管

氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界**的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及**的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能，例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广阔应用。全新氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及相关开发板· 更低导通电阻(RDS(on))由于全新氮化镓场效应晶体管系列可降低一半导通电阻，因此可支持大电流、高功率密度应用。· 进一步改善品质因数(FOM)与前代器件相比，由于*新一代氮化镓场效应晶体管把硬开关FOM降低一半，因此在高频功率转换应用可进一步提高开关性能。· 扩展电压范围由于可受惠于采用氮化镓场效应晶体管的应用扩展至30 V的应用，因此可支持更多应用包括更高功率的直流-直流转换器、负载点转换器以及隔离型电源供电、电脑及伺服器内的同步整流

英飞凌针对高效率伺服器与资料通讯系统推出DrBlade 2功率级产品

英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布推出 DrBlade 2 整合式功率级(power stage)产品，结合两个功率 MOSFET 和一个 DC/DC 驱动 IC，同时将电流与温度感测器整合至体积精巧的封装内，有助于伺服器和资料通讯应用工程师处理高功率密度需求并缩短设计周期。这种突破性的功率封装采用电气及层压制程，能够大幅缩小封装体积、降低封装电阻及电感，同时亦降低热阻。 英飞凌还推出以 DrBlade 2 功率级与英飞凌第四代数位控制器 IC 为基础的完整高效能 DC/DC 稳压解决方案。英飞凌低压功率转换部门**协理 Richard Kuncic 表示：「英飞凌采用 DrBlade 2 的系统解决方案在所有负载条件之下均能达到*高效率，为伺服器和资料通讯应用提供快速且有效的功率管理设计。我们很荣幸 DrBlade 2 已获领导业界的功率设计人员青睐，应用在其*新的设计之中。」整合式功率级采用体积精巧、高效率和散热性佳的 MOSFET，以及英飞凌*新的驱动器技术。 DrBlade 2 具有高准确度的电流和温度感测保护功能，可提升系统的耐用性及更佳的稳定性。功

[原创]Linear高性能模拟器件创造更高价值

近期，Linear（凌力尔特）公司推出了几款模拟器件，其中包括面向汽车和工业应用的同步降压型开关稳压器LT8620和10A的超级电容器充电器和备份控制器LTC3350。这两款产品突出的性能和应用优势值得关注。65V、2.2MHz同步降压型开关稳压器IQ仅为2.5µA新式汽车和商用车辆电源管理IC要求具有更高的性能，随着此类应用功率需求的不断攀升，电源转换解���方案的可用空间日益缩小，因而需要更高的功率密度。此外，这些开关稳压器所要求的电气性能标准也变得越来越严苛。对于安保、导航、**和环境控制等常常需要始终保持接通的应用，极小的静态电流相当重要，以便在车辆长时间停泊时不消耗电池的电量。Linear推出了2A、65V输入同步降压型开关稳压器LT8620。该器件的同步整流提供高达95%的效率，其在突发模式(Burst Mode)工作时，可在无负载情况下保持静态电流低于 2.5µA，这使其非常适于汽车应用中的“始终保持接通”系统，因为这些系统需要延长电池的工作寿命。LT8620的3.4V~65V输入电压范围使其非常适合汽车及工业应用，该器件的内部高效率开关可在电压低至0.97V时提供高达2A的

Linear 推出同步升压型 DC/DC 控制器 LTC3769

安美森半导体推出三款新的电流模式固定频率开关稳压器