ThinPAK 5x6封装为适配器、消费电子和照明应用带来*小的CoolMOSTM MOSFET

5月26日，英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOSTMMOSFET无管脚SMD(表面贴装)封装：ThinPAK 5x6。移动设备充电器、超高清电视和LED灯具都必须满足许多相互矛盾的要求。消费者希望买到外形小巧但性能优越的产品。因此，制造商需要结构紧凑、散热良好和经济高效的半导体解决方案。而这些空间限制可以通过缩减板载组件的尺寸和重量加以解决。据Strategy Analytics 2014年预测，全球智能手机市场在2013-2018年间预计每年将增长9.4%。对于充电器而言，更小、更快、更高效的解决方案已成为一个明显趋势。ThinPAK 5x6封装的高度只有1mm、占板面积5mm x 6mm，体积相比传统SMD封装(如DPAK)缩小80%。这样，制造商就能灵活地设计更小巧的充电器。ThinPAK封装的寄生参数非常低——譬如源极电感比传统DPAK封装小，可以降低所有负载条件下的栅极振荡，并使MOSFET开关时电压过冲比传统SMD封装降低40%，这可以改进设备和系统的稳定性与易用性。ThinPAK 5x6封装为工程师的PCB设计提供了更多灵活性和更好的开关性能，这不仅可以使功率转换更

e络盟为亚太区电子产品制造新增1000余种分立器件

e络盟日前宣布新增来自飞兆半导体、NXP、安森美半导体 及威世等行业**供应商的1000多种适用于电子产品设计与制造的*重要的高性能晶体管、 MOSFET及二极管，以进一步扩展其带卷分立器件产品系列。该新增系列产品面向电子产品制造与设计，可与各种现代化传输带送料贴片机兼容，从而保障高效生产。用户可通过e络盟这个平台非常方便地查看、比较、购买所需产品，并享受全新量产优惠价格，获得更大价值。e络盟现不仅可提供1万种整卷无源元件，还可提供CEM及OEM厂商不可或缺的1000余种分立器件，从而用于网络与数据通信、消费电子、电源及工业应用等领域，其中包括：飞兆半导体 – 单P沟道PowerTrench® MOSFET，具备低导通阻抗，专为各种超便携式应用的充电及负载开关而设计。NXP – 可快速切换的N沟道增强型场效应管(FET)系列，采用Trench MOS工艺塑料封装安森美半导体 – 高压开关二极管系列，符合AEC−Q101认证标准及PPAP规定。威世 – 表面贴装肖特基整流器，专为需求低正向压降及超小封装的应用而设计，从而节省PCB空间。e络盟亚太区产品营销总监Marc Grange表示：

英飞凌推出CoolMOS MOSFET无管脚SMD封装：ThinPAK 5x6

保护敏感电子组件，抵御高压瞬态

DC/DC转换器空间受限的解决方案

半导体技术的进步缔造更智能、更纤薄的电源

基于HV9910宽电压的自适应温度高亮度频闪灯

意法半导体开发出更小、更耐用的650V和800VMOSFET

用于车载USB供电的NCV8852

UPS电源的数字化之路

功率MOSFET及IGBT的问世为UPS开拓出一条光辉灿烂之路，使UPS技术步入崭新的时代——全数字化时代。首先，UPS 的输入部分取消了用于与市电隔离的工频变压器或为降压用的自耦变压器，而采用SPWM技术实现整流高频化(AC/DC)。一方面减少直流侧滤波器尺寸，改善直流侧调节性能，提高市电电压允许变化范围;另一方面在控制技术中采用数字信号处理器DSP(DigitalSignalProcessor)控制，使输入电流正弦化，并与市电电压同相，从而实现UPS高输入功率因数(PF≈1)，消除对市电的谐波“污染”，达到环保目的，大幅度减少无功损耗，明显降低了运行成本。其次，取消了UPS逆变器中的工频变压器，用高频变压器来实现UPS与市电的隔离，而UPS的输出级采用SPWM变换方式(不用变压器直接逆变)输出工频电压。逆变器中的功率MOSFET或IGBT工作频率在20kHz以上，因此输出滤波器小而简单，而且输出的正弦波非常光滑。对于UPS内部的蓄电池组采取高频变换降压方式(DC/DC)充电，当市电停电，UPS转换为由蓄电池给逆变器供电时亦采取高频变换降压方式(DC/DC)实现。在逆变器控制电路中采

麦瑞半导体推出新型85V半桥MOSFET驱动器

一种小功率金卤灯用电子镇流器的设计方案

1 引言高强度气体放电灯，如汞灯、高压钠灯和金属卤化物灯，在室外照明中已获得了广泛的应用。这类灯功率大，发热量大，所用的镇流器和触发器，通常都和灯管分开安装。但对于功率小，发热量低，亮度足够强，且需要镇流器、触发器同灯管尽量靠近安装的应用场合，现行的大功率高强度气体放电灯及其所用的镇流器就难以满足此项要求。本文介绍一种小功率(35W左右)金卤灯用电子镇流器的设计方案，其采用有源功率因数校正技术使功率因数接近于1.这大大减小了镇流器中同线路功率因数有关的损耗。该电子镇流器工作频率为44kHz左右，用小型低耗的变压器构成一种独特的起动电路,可产生6000V的脉冲电压，足以点亮金卤灯。由于整个镇流器线路简单，工作效率高，可安装得紧凑些同金卤灯构成一体。2 系统设计原理框图图1为该电子镇流器的原理框图。来自电网的220V/50Hz交流电经过整流和功率因数校正后，变成300V左右的直流电压，经过DC/AC高频变换器产生44kHz左右的高频电压输出，同时该直流电压还供给起动电路，它为金卤灯及镇流阻抗提供约6000V的起动脉冲电压。从DC/AC变换电路输出的44kHz高频电压接到金卤灯的管脚1,而从

基于控制器FAN7387的荧光灯与HID灯镇流器

基于UC3825的低压大电流开关电源

1 开关电源的设计开关电源的基本结构主要由7部分组成： 输入整流滤波电路、高频开关变换器电路、整流输出电路、控制电路、保护电路、辅助电源以及显示电路。1.1 主电路该设计的主电路拓扑结构如图1 所示， 输入市网220 V 电压， 通过RC 滤波及整流桥整流、全桥逆变、高频变压器、输出整流以实现AC /DC /AC /DC 的变换过程， *终得到所需要的15 V直流稳压电源。1.1.1 输入滤波整流( AC /DC)低电压大电流的开关电源对高频干扰信号以及上电瞬间的浪涌电流十分敏感， 为了保证电路稳定工作， 消除来自电网的各种干扰， 输入的220 V 市电首先经RC滤波电路， 对尖峰电压进行抑制。高频滤波后的电压经整流电路整流， 得到直流电压。桥式整流电路后面的滤波电容具有充放电作用， 滤除整流后的交流成分。1.1.2 高频开关变换器( DC /AC)它是开关电源的重要部分， 逆变电路采用全桥变换， 由4个IGBT开关管组成桥的四臂， 每个IGBT并联1个高速功率二极管， 其钳位作用以减小开关管由导通转换为截止时， 变压器产生的电压尖峰， 以保护开关管不被击穿。IGBT, 绝缘栅双极型晶

Vishay推出具有业内*低RDS(on)的P沟道MOSFET

如何使用氮化镓第四章：在高频降压转换器的氮化镓

新手初次设计反激电源式电源？手把手教你步骤

准备在初次设计电源之前，应确保电源所采用的印刷电路板符合Power Integrations器件数据手册中指定的布局指南。如果在实验用面包板或原始样板上搭建设计的电路，会引入很多寄生元件，这样会影响电源的正常工作。而且，许多实验用面包板都无法承载开关电源所产生的电流水平，并可能因而受损。此外，在这些电路板上非常难以控制爬电距离和电气间隙。所需设备在本课程中，您将用到以下设备：1.一个隔离式交流电源供应器或一个自耦变压器2.一个瓦特表3.至少四个数字万用表，其中两个具有高精度电流量程4.一个带有高压探针的示波器5.一个电流探针6.还有您的实际负载术语本文将频繁使用的两个术语是“稳压”和“自动重启动”。当电源处于稳压状态时，控制器持续接收反馈，所有输出电压均保持稳定不变，并处于指定的容差限值内。自动重启动是Power Integrations器件中内置的一种保护模式。处于稳压状态的输出自动重启动在工作期间，如果所消耗的功率大于电源所能提供的功率限值，或者在启动后，电源的输出电压在指定的时间内不能达到稳压，Power Integrations器件将进入自动重启动保护模式。这种设计通过限制电源

答疑解惑盘点在开关电源设计中的经典问答题

如何为开关电源电路选择合适的元器件和参数?很多未使用过开关电源设计的工程师会对它产生一定的畏惧心理，比如担心开关电源的干扰问题，PCB layout问题，元器件的参数和类型选择问题等。其实只要了解了，使用开关电源设计还是非常方便的。一个开关电源一般包含有开关电源控制器和输出两部分，有些��制器会将MOSFET集成到芯片中去，这样使用就更简单了，也简化了PCB设计，但是设计的灵活性就减少了一些。开关控制器基本上就是一个闭环的反馈控制系统，所以一般都会有一个反馈输出电压的采样电路以及反馈环的控制电路。因此这部分的设计在于保证**的采样电路，还有来控制反馈深度，因为如果反馈环响应过慢的话，对瞬态响应能力是会有很大影响。输出部分设计包含了输出电容，输出电感以及MOSFET等等，这些器件的选择基本上就是要满足性能和成本的平衡，比如高的开关频率就可以使用小的电感值(意味着小的封装和便宜的成本)，但是高的开关频率会增加干扰和对MOSFET的开关损耗，从而效率降低。低的开关频率带来的结果则是相反的。对于输出电容的ESR和MOSFET的Rds_on参数选择也是非常关键的，小的ESR可以减小输出纹波，但是电

节能减排核心技术将获扶持功率半导体发展现良机

据大陆半导体行业协会相关人士透露，有关促进积体电路发展的纲要性档案已草拟完毕，预计**季发布。上证报获悉，政策扶持重点将主要集中于积体电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业，功率半导体将迎来重要战略机遇期和黄金发展期。功率半导体是节能减排的关键技术和基础技术，被大量应用于消费类电子、新能源汽车、太阳能发电、风电、工业控制和国防装备。据矢野经济研究所统计，未来7年间，全球功率半导体销售额的复合成长率三倍于整个半导体行业3%的营收增速。半导体功率器件的产品门类非常广，主要包括功率MOS晶体管（Power MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、快恢复二极管（FRD），以及尚未得到大规模应用的采用SiC和GaN的新一代功率半导体。从大陆情况来看，随着全球空调、节能电机等电子产品产能向大陆国内转移，功率半导体的需求也成倍的增加，仅IGBT产品的需求规模已超过100亿元(人民币,下同)，成为全球*大的功率半导体器件消费市场。但现状是，IGBT器件仍然严重依赖于国外公司，国产产品市场占有率不足10%。面对这种状况，大陆半导体企业关于IGBT的项目纷纷获得政府补助，去年12月2日

关于开关电源设计中的经典问答题

如何为开关电源电路选择合适的元器件和参数？很多未使用过开关电源设计的工程师会对它产生一定的畏惧心理，比如担心开关电源的干扰问题，PCB layout问题，元器件的参数和类型选择问题等。其实只要了解了，使用开关电源设计还是非常方便的。一个开关电源一般包含有开关电源控制器和输出两部分，有些控制器会将MOSFET集成到芯片中去，这样使用就更简单了，也简化了PCB设计，但是设计的灵活性就减少了一些。开关控制器基本上就是一个闭环的反馈控制系统，所以一般都会有一个反馈输出电压的采样电路以及反馈环的控制电路。因此这部分的设计在于保证**的采样电路，还有来控制反馈深度，因为如果反馈环响应过慢的话，对瞬态响应能力是会有很大影响。输出部分设计包含了输出电容，输出电感以及MOSFET等等，这些器件的选择基本上就是要满足性能和成本的平衡，比如高的开关频率就可以使用小的电感值（意味着小的封装和便宜的成本），但是高的开关频率会增加干扰和对MOSFET的开关损耗，从而效率降低。低的开关频率带来的结果则是相反的。对于输出电容的ESR和MOSFET的Rds_on参数选择也是非常关键的，小的ESR可以减小输出纹波，但是电

高效的以太网供电解决方案降低了总体成本

IEEE 802.3at 规范定义的以太网供电 (PoE) 是通过一条 CAT-5 以太网电缆**地传输应用数据和电源的方法。由于它支持灵活地在任何地方安装设备，没有在附近提供交流电源的限制，也不需要电工进行安装，因此，它得到了广泛应用。*初的 IEEE 802.3af PoE 规范限制了供电至受电设备 (PD) 的功率只有 13W，这也就限制了设备的应用范围，例如 IP 电话和基本安防摄像机等。在 2009 年，IEEE 802.3at 规范将支持的功率增大到 25.5W。但是，这还是无法满足功率要求越来越高的 PoE 应用需求，例如，微微蜂窝基站、无线接入点、LED 标牌和加热云台变焦 (PTZ) 室外摄像机等。在 2011 年，凌力尔特公司发布了新的专有标准 LTPoE++™，将 PoE 和 PoE+ 规范扩展到 90W 供电，同时还维持与 IEEE PoE 标准 100% 的兼容。它支持四种不同的功率等级 (38.7W、52.7W、70W、90W)，可以根据应用要求来调整电源供电。LTPoE++ 供电设备 (PSE) 采用了更智能的PSE隔离体系结构，以减少元器件数量，尽量少使

业内*小VishayTrenchFETP沟道GenIII功率MOSFET

2013 年 12 月5 日，VishayIntertechnology, Inc宣布，推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。VishaySiliconix Si8851EDB是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下分别具有8.0mΩ和11.0mΩ的极低导通电阻。Si8851EDB把P沟道Gen III技术与MICRO FOOT的无封装CSP技术，以及30pin设计和引脚布局结合在一起，在给定的面积内提供了尽可能低的导通电阻。与*接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，Si8851EDB的高度薄50%，在4.5V栅极驱动下的导通电阻几乎只有一半，单位封装尺寸的导通电阻低37%。Si8851EDB的导通电阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOSFET，外形尺寸小56%，单位封装尺寸的导通电阻低30%以上。当前推出的器件高度只有0.4mm，适和在平板电脑、智能手机

基于UCC28600的准谐振反激式开关电源的设计方案

AMAT全方位强化功率半导体生产设备业务

美国应用材料公司（Applied Materials，AMAT）瞄准近年来需求高涨的功率半导体及MEMS器件市场，将强化200mm晶圆生产设备相关业务，将来还打算支持功率半导体领域的300mm晶圆及SiC/GaN的生产。 AMAT的主力业务归根结底还是300mm晶圆相关设备，但该公司“也一直在致力于200mm设备的业务”（AMAT元件及系统部门全球服务总监田中丰）。除了销售新的200mm设备之外，*近该公司还在开展对客户拥有的200mm设备进行升级（改造）的服务，使这些设备能够制造功率半导体及MEMS。该公司表示，其中尤其值得期待的是功率半导体领域。 作为200mm设备的新市场，功率半导体及MEMS器件领域值得期待。IGBT的构造。要求实施厚膜外延及深沟道等工序。制造Si-IGBT及超结MOSFET等功率半导体时，必须要使用厚膜的硅外延成膜设备、厚膜的铝溅射（PVD）设备以及深蚀刻设备等。而且，要想以低成本制造功率半导体，改善处理能力也很有必要。 超结MOSFET的构造。除厚膜外延及深蚀刻外，还需实施填充沟道的间隙填充外延等工序。?? 瞄准功率半导体及MEMS器件领域的举措田中介绍称，

设计更简易、多选择性的逆变稳压器电路方案

Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET

日前，Vishay宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载应用，把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm x 6mm封装里，比使用分立MOSFET的方案节省空间，低边MOSFET的*大导通电阻低至6.4mΩ。今天发布的这些MOSFET是业内首批通过汽车级认证的采用非对称封装的双芯片MOSFET，为降低传导损耗，增大了低边MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高温下工作，具有车内任何位置的应用所需的耐用性和可靠性。器件尤其适用于车载通信娱乐系统，例如收音机和GPS系统。SQJ940EP和SQJ942EP使设计者能够选用不同的导通电阻值。在10V电压下，SQJ940EP的沟道2低边MOSFET的*大导通电阻为6.4mΩ，沟道1高边MOSFET的导通电阻为16mΩ。与双芯片对称方案相比，SQJ940EP的低边导通电阻低31%，而尺寸同样小巧。SQJ942EP在

一种高频推挽DC-DC变换器设计方案

汽车启动/停止系统电源方案

为了限制油耗，一些汽车制造商在其新一代车型中应用了“启动/停止”(Start/Stop)功能。当汽车停下来时，这些**的新系统关闭发动机;而当驾驶人的脚从刹车踏板移向油门踏板时，就自动重新启动发动机。这就帮助降低市区驾车及停停走走式的交通繁忙期时的油耗。但这样的系统为汽车电子带来了一些独特的工程挑战，因为当发动机重新启动时，电池电压可能降到6.0 V甚至更低。此外，典型电子模块包含反极性二极管，用以在汽车跳接启动(jump started)而跳接线缆反向的事件中保护电子电路。二极管导致电池电压又下降0.7 V，使下游电路的电压仅为5.3 V或更低。由于许多模块仍要求5 V供电，此时电源就没有足够的余量来恰当工作。一种解决途径是采用升压电源。升压电源接受较低的输入电压，并在输出端产生较高的电压。目前供应商正在电子模块的前端使用某种类型的升压电源，使其能够在由启动/停止系统导致的压降条件下恰当工作。下文将审视设计人员可用于这些启动/停止系统的不同方案，包括低压降(LDO)稳压器、电池反向保护方案，以及各种升压选择。就像大多数工程问题一样，解决问题的方法也是多种多样。如果电池电压在输入端仅降

科技改变人类展望电子行业热门前沿技术

本土电源管理市场再添新军美盛华致力打造“闪亮中国芯”

       日前，深圳市美盛华微电子科技有限公司在深圳举办“国产模拟IC应用与发展趋势论坛暨美盛华新品发布会”，研讨会上，深圳市电子商会会长程一木、上海润欣科技股份有限公司商务总监范立青、深圳市高芯照明技术有限公司总经理文茂强等专家出席发表了行业演讲，与参会嘉宾共同深入探讨了模拟设计技术与应用发展趋势，同时美盛华展示了*新的USB接口保护IC QT21XX、LED驱动IC QT501和QT1315等系列新品。观众参与热烈，TCL、康佳、德赛、宝利达、聚电电子等公司的代表出席参加了此次会议。 美盛华微电子**运营总监何浩然在开场演讲中表示，作为庞源集团下属子公司的美盛华虽然刚成立不久，但是公司的设计人员有超过30年的模拟和数字信号设计经验，通过整合市场资源，美盛华可以为客户提供**的芯片解决方案。他同时指出，目前国内IC产业虽然有研发人员成本相对较低、配套产业链相对完善和成熟等优势，但是同时也面临着本土**IC设计人才匮乏、研发人员的经验和知识面深度不够、本土生产线不具备******等诸多挑战。何浩然认为解决问题的办法在于利用不同的商业模式，因为商业模式的**比纯工艺上的突破难度要低一

一种高效小型化的开关电源设计方案

1 引言开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关晶体管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源。从上世纪90年代以来开关电源相继进入各种电子、电器设备领域，计算机、程控交换机、通讯、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源。随着电源技术的发展，低电压，大电流的开关电源因其技术含量高，应用广，越来越受到人们重视。在开关电源中，正激和反激式有着电路拓扑简单，输入输出电气隔离等优点，广泛应用于中小功率电源变换场合。跟反激式相比，正激式变换器变压器铜损较低，同时，正激式电路副边纹波电压电流衰减比反激式明显，因此，一般认为正激式变换器适用在低压，大电流，功率较大的场合。2 系统总体框图一种高效小型化的开关电源设计的系统总体框图如图1所示。图1：系统总体框图输入的市电经净化滤波后整流成300V左右的直流电压加到半桥电路的MOS管上。控制电路由*常用SG3525芯片组成。控制电路通过高压部件反馈绕组检测输出电压的变化量，产生激励脉冲去驱动功率MOS场效应管，实现稳压输出。3 电源设计的基本技术3.1有源钳位技术正激DC/DC变换器其固有缺点是功率晶体管截止期间高频变压器必须磁

Microchip推出三相无刷直流配套器件

IR推出高度紧凑的10AAUIR08152S栅级驱动IC

大联大世平集团推出基于Fairchild和NXP产品的针对

一种推挽逆变车载开关电源电路设计方案

VishayP沟道GenIIIMOSFET具有业内*低导通电阻

如何使用氮化镓：氮化镓场效应晶体管(eGaNFET）的

基于UC3875的全桥软开关直流电源设计方案

0 引言PWM是英文“Pulse Width Modulation”的缩写，简称脉宽调制，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。本文介绍了一台采用移相谐振控制芯片UC3875作为控制核心设计，开关频率为70kHz、输出功率1.2kW、主电路为移相全桥ZVZCS PWM软开关模式的直流开关电源设计方案。并应用PSpice软件进行了仿真，实验结果与仿真结果基本符合。1 系统设计主电路分析在设计制作的1.2kW(480V/2.5A)的软开关电源中，其主电路为全桥变换器结构，四只开关管均为MOSFET(1000V/24A)，采用移相ZVZCSPWM控制，即超前臂开关管实现ZVS、滞后臂开关管实现ZCS,电路结构简图如图1,VT1~VT4是全桥变换器的四只MOSFET开关管，VD1、VD2分别是超前臂开关管VT1、VT2的反并超快恢复二极管，C1、C2分别是为了实现VTl、VT2的ZVS设置的高频电容，VD3、VD4是反向电流阻断二极管，以实现滞后臂VT3、VT4的ZCS,Llk为变压器漏感，Cb为阻断电容，T为主变

基于PWM芯片UC3842的医疗开关电源设计方案

飞兆半导体推出集成式智能功率级(SPS)模块

在电路板尺寸不断缩小的新一代服务器和电信系统供电应用中，提高效率和功率密度是设计人员面临的重大挑战。为了应对挑战，飞兆半导体研发了智能功率级(SPS)模块系列——下一代超紧凑的集成了MOSFET和功率驱动器的解决方案。该系列采用飞兆在DrMOS方面的专业技术，为高性能计算和电信系统中的同步降压DC-DC转换器等应用提供高效率、高功率密度和高开关频率性能。这款完整的功率模块采用集成式解决方案，针对驱动器和MOSFET动态性能、总杂散电感和功率MOSFET的RDS(ON)进行了优化。智能功率模块采用飞兆的高性能PowerTrench® MOSFET技术，可以减少振铃，并在大多数降压转换器应用中无需再使用缓冲电路。SPS系列产品为设计人员提供热监控、可编程热关断、过零检测(ZCD)电路和灾难性故障检测功能。热监控(TMON)可**报告模块温度，允许设计人员移除负温度系数(NTC)电路，从而缩小PCB空间，减少元器件数，并降低总物料成本(BOM)。可编程热关断(P_THDN)具有可调节阈值，允许设计人员设置过温保护(OTP)点，满足系统要求。ZCD电路自动检测负电感电流，允许模块进入二极管仿真

罗姆WPCQi规格无线充电接收用控制IC上市

ROHM开发出适合智慧型手机和适合携带型数位机器的无线充电接收用控制IC--BD57011GWL。BD57011GWL是ROHM无线充电控制器IC的先驱，该IC无线充电规格备受全球关注的无线充电联盟(Wireless Power Consortium, WPC)*新Qi规格Low Power Ver1.1开发。BD57011GWL以单片达成低发热特性，与以往的产品比较，能够降低充电温升大约75%，同时兼具减少安装面积和低发热特性。它还装载业界首度的位差检测功能，能够检测位差时充电效率的降低，提升充电效率。BD57011GWL采用*先进的BiC-DMOS制程技术，将MOSFET导通电阻降至**，单晶低发热，小封装及低发热兼俱，与传统的的产品相比，能降低约75%的充电温升；BD57011GWL终端设备充电时、若未设置在充电器的中心，充电效率将明显降低。位差检测功能此时会发出警告，能提升充电效率。*新的WPC Qi规格Low Power Ver1.1，为2012年4月制定的无线充电国际标

飞兆半导体集成式智能功率级(SPS)模块具有更高的功

在电路板尺寸不断缩小的新一代服务器和电信系统供电应用中，提高效率和功率密度是设计人员面临的重大挑战。为了应对挑战，飞兆半导体研发了智能功率级(SPS)模块系列——下一代超紧凑的集成了MOSFET和功率驱动器的解决方案。该系列采用飞兆在DrMOS方面的专业技术，为高性能计算和电信系统中的同步降压DC-DC转换器等应用提供高效率、高功率密度和高开关频率性能。这款完整的功率模块采用集成式解决方案，针对驱动器和MOSFET动态性能、总杂散电感和功率MOSFET的RDS(ON)进行了优化。智能功率模块采用飞兆的高性能PowerTrench® MOSFET技术，可以减少振铃，并在大多数降压转换器应用中无需再使用缓冲电路。SPS系列产品为设计人员提供热监控、可编程热关断、过零检测(ZCD)电路和灾难性故障检测功能。热监控(TMON)可**报告模块温度，允许设计人员移除负温度系数(NTC)电路，从而缩小PCB空间，减少元器件数，并降低总物料成本(BOM)。可编程热关断(P_THDN)具有可调节阈值，允许设计人员设置过温保护(OTP)点，满足系统要求。ZCD电路自动检测负��感电流，允许模块进入二极管仿真

基于飞思卡尔单片机的两轮车控制系统设计

利用阻抗跟踪TM电量计改善电池备用系统的LiFePO4电