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**半浮栅晶体管问世 中国集成电路技术新突破
2013年8月9日出版的*新一期《科学》杂志（Science）刊发了复旦大学微电子学院张卫团队*新科研论文，该团队提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor）。这是我国科学家在该**学术期刊上发表的**篇微电子器件领域的原创性成果。
据悉，当代集成电路科技的发展主要是基于摩尔定律，该定律是由英特尔公司创始人之一戈登?摩尔提出的：芯片上的晶体管特征尺寸在不断地缩小，使得芯片上的晶体管数量每隔18个月便会增加一倍。
目前，集成电路的量产技术已发展到了22纳米技术节点，尽管我国在自主知识产权集成电路技术上取得了长足进步，但集成电路的核心技术基本上依然由国外公司拥有。我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管（SFGT）作为一种新型的微电子基础器件，它的成功研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。
新型晶体管可在三大领域应用 拥有巨大的潜在市场
作为一种新型的基础器件，半浮栅晶体管（SFGT）可应用于不同的集成电路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即静态随机存储器。SRAM是一种具有高速静态存取功能的存储器，多应用于中央处理器(CPU)内的高速缓存，对处理器性能起到决定性的作用。传统SRAM需用6个MOSFET晶体管才能构成一个存储单元，集成度较低，占用面积大。半浮栅晶体管则可以单个晶体管构成一个存储单元，存储速度接近由6个晶体管构成的SRAM存储单元。因此，由半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM单元面积更小，密度相比传统SRAM大约可提高10倍。显然如果在同等工艺尺寸下，半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM具有高密度和低功耗的明显优势。
其次，半浮栅晶体管（SFGT）还可以应用于DRAM领域。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存储器，广泛应用于计算机内存。其基本单元由1T1C构成，也就是一个晶体管加一个电容的结构。由于其电容需要保持一定电荷量来有效地存储信息，无法像MOSFET那样持续缩小尺寸。业界通常通过挖“深槽”等手段制造特殊结构的电容来缩小其占用的面积，但随着存储密度提升，电容加工的技术难度和成本大幅度提高。因此，业界一直在寻找可以用于制造DRAM的无电容器件技术，而半浮栅晶体管（SFGT）构成的DRAM无需电容器便可实现传统DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，读写速度更快。
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