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1 2017年09月03日 星期日2017年半导体市场资本支出再创历史新高,同比增2成
集微网 (0)集微网报道(丹阳/编译),IC Insights预测,继今年上半年半导体资本支出大幅增长后,全年半导体资本支出预期上调至809亿美元,比去年同期增长20%,且高于预期资本支出53亿美元,堪称历史*高。 图1如图1所示,2017年为资本支出贡献*大的为晶圆代工厂(28%)和闪存(24%)。随着2016年第三季度以来DRAM价格的飙升,DRAM制造商将再次加大在这一领域的支出。预计到2017年,DRAM / SRAM的增长将达到53%,有望成为今年资本支出增长的*大百分比。经分析,大部分资本支出仍在升级技术方面,但DRAM生产商SK Hynix分析称,不单单投入在技术升级,更花费在产能提高上。 即使是今年支出激增,2017年闪存(190亿美元)的资本支出仍将远远高于DRAM / SRAM(130亿美元)。IC Insights认为,2017年闪存的所有支出都将用于3D NAND工艺技术改良,包括三星电子在韩国平泽掀起的3D NAND热浪。 总体而言,预计在2016年强劲增长23%之后,闪存的资本支出将在2017年实现33%的增长。然而,历史先例表明,资本支出的激增通常会导致产能过剩和定价疲
OSRAM收购VCSEL供应商Vixar 强化光学识别技术
CTIMES (0)欧司朗(OSRAM)宣布,收购美国企业Vixar Inc.,进一步加强其在半导体光学**防护技术领域的优势。透过收购Vixar之后,将增加其在VCSEL(垂直腔面发射激光器)方面的专业技术。 Vixar是VCSEL技术的先行者,该公司的创始人早在九十年代末就已经**将VCSEL技术引入数据通讯市场,更在2005年,于美国明尼苏达州普利茅斯创立致力于传感应用的Vixar公司。此项收购预计将在夏季完成,届时Vixcar旗下20名员工将全部并入欧司朗集团。欧司朗执行长Olaf Berlien表示:“收购Vixar将进一步加强欧司朗的专业技术能力,特别是在快速成长的**技术领域。”欧司朗目前专注于在红外光学半导体的技术,并成功为指纹感测,虹膜扫瞄,2D面部识别等**应用提供光学解决方案。收购Vixar之后,欧司朗将掌握更多包括超精密3D面部识别等**技术。这些技术不但能用于解锁智能手机和消费类电子设备,还能应用于需要****控制的工业领域。
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2 2017年05月18日 星期四过去十年半导体公司资本支出超十亿美元俱乐部变迁
新电子 (0)自2008年金融海啸以来,半导体产业对产能的投资均相对保守,使得资本支出(CAPEX)超过10亿美元的半导体公司家数从2007年的16家大幅缩水,甚至一度只剩下3家公司的资本支出超过10亿美元。 但随着市场需求回稳,半导体业者对未来的展望又开始乐观起来,并逐渐开始进行扩产。 据IC Insights预估,2017年全球半导体产业中,将有15家公司的资本支出超过10亿美元,其中成长*明显的次领域别是内存,包含DRAM、SRAM与NAND Flash。 2017年DRAM/SRAM的投资成长幅度*大,将达31%;NAND Flash的资本支出则仍将维持在**,以继续推动3D NAND Flash量产顺利进行。 2016年NAND Flash的资本支出高达146亿美元,远比DRAM的85亿美元来得高。汽车电子的需求发酵,也使得英飞凌(Infineon)、瑞萨(Renesas)、意法(ST)等车用芯片一线供货商加码进行产能投资,因而挤进资本支出十亿美元俱乐部。 其中,瑞萨将在2017年创下自成立以来首度资本支出超过十亿美元的纪录。
意法新款微控制器整合数字滤波器
新电子 (0)意法半导体(ST)开始量产的 STM32L45x 超低功耗微控制器(MCU),支持简单易用且价格亲民 的 STM32Cube 开发生态系统。 STM32L451 、 STM32L452 和 STM32L462 产品 线 , 整 合 Sigma-Delta 调 节 器 (Sigma-Delta Modulators, DFSDM)用数字滤波器,可在一款价格亲民的微控制器上,展现高阶音频功能,例 如噪声抑制或声音定位。 高达 512 KB 芯片上闪存和 160KB SRAM,为代码和数据提供 足够的存储空间。此系列微控制器另整合了真随机数生成器,让智能型装置等注重**应用的开发变得更加容 易。 STM32L462 还进一步强化**装置的开发支持,其整合一个 AES-256 加密算法加速 s 器。其他功能还包括智能模拟外部周边,例如 12 位 5Msample/s ADC、内部基准电压电路和超低 功耗比较器,以及数个定时器、一个马达控制频道、一个温度传感器和一个电容传感接口。 STM32L452 另提供一个无需外部晶体的 USB2.0 控制器。开发生态系统包括 STM32CubeMX 初始化
万物互联步伐越来越近!紫光展锐多款物联网芯片蓄势待发
集微网 (0)集微网消息,据市场研究公司 IDC 预测,2020 年全球物联网连接数量将接近 300 亿;物联网市场规模预期在 2020 年前将以每年 16.9% 的速度增长,全球物联网市场到 2020 年将增长至 1.7 万亿美元。显然,物联网将是一个非常巨大的市场,同时也成为了众多厂商的必争之地。 不同于智能手机等移动终端设备,物联网市场对于移动性、数据传输速度的要求都相对较低,所以之前应用在物联网市场的主要还是 2G/3G 网络。不过很快,两种窄带 LTE 技术标准,eMTC 以及 NB-IoT 将成为物联网应用新的主流技术标准。NB-IoT 和 eMTC 作为物联网领域*具潜力的两项技术,可适用于智能家居、共享单车、物流追踪、智能抄表、智慧楼宇、智能穿戴、广域物联、工业物联等典型应用场景。2016年6月,NB-IoT 技术协议已获得 3GPP 无线接入网(RAN)技术规范组会议通过;同年3月,3GPP 也正式宣布了 eMTC 相关标准,并已经在 R13 版本中发布。目前国内的三大运营商在积极部署 NB-IoT 的同时,也均在力推 eMTC。除此之外,各大物联网芯片厂商也在积极抢占巨大的物联网
美高森美新型FPGA纳入Intrinsic ID SRAM-PUF技术
新电子 (0)美高森美(Microsemi)与Intrinsic ID宣布,美高森美的新型可程序设计逻辑器件(FPGA)PolarFire,已纳入Intrinsic ID的静态随机存取内存(SRAM)物理****功能(SRAM PUF)。 QUIDDIKEY-FLEX是**的高**性密钥产生和储存机制,可提供建基于SRAM PUF的先进**功能。 美高森美副总裁兼业务部经理Bruce Weyer表示,该公司PolarFire FPGA与Intrinsic ID合作来实现其QUIDDIKEY-FLEX SRAM-PUF,将有助于进一步满足日益增长的FPGA客户群日益提升的**需求。 PolarFire FPGA为这些具有挑战性的广泛应用提供了一个坚固、**的基础。SRAM PUF硬件是PolarFire FPGA**功能的主要元素,可凭借提供IP保密和防止复制及逆向工程来保护客户的知识产权(IP)。 PolarFire FPGA非常适合作为客户系统的信任根,利用QUIDDIKEY-FLEX的硬件固有密钥,为设备和系统提供关键的信任锚。 PUF也可用来保护新的**NVM(sNVM)服务,FPGA客户可选
全球晶圆代工大厂投入MRAM研发
DIGITIMES (0)全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取记忆体(MRAM)作为嵌入式储存解决方案,可望改变下一代储存技术的游戏规则。 据Semi Engineering网站报导,GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供ST-MRAM或STT-MRAM,取代NOR Flash,此举代表市场的巨大转变,因为到目前为止,只有Everspin已经为各种应用提供MRAM,例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(Write Cache)等。STT-MRAM的下一个大好机会就是嵌入式记忆体IP市场,NOR Flash是传统嵌入式记忆体,随着制程从40nm进展到28nm,NOR Flash已经出现各种各样的问题,因此,这些代工厂的支持可以将STT-MRAM转变为先进节点的替代技术。GlobalFoundries嵌入式记忆体副总裁Dave Eggleston表示,嵌入式快闪记忆体将继续作为资料保存技术主流,特别是汽车和**应用领域,嵌入式快闪记忆体将会有很长的使用寿命,但没有扩展空间,当达到28nm制程以上时���嵌入式快
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3 2017年02月14日 星期二恩智浦为便携式设备推出基于ARM Cortex-M4和业内*大嵌入式SRAM内存的微控制器
华强电子网 (0)恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出基于ARM Cortex-M4的新型Kinetis K27/K28微控制器(MCU)系列,以满足便携式显示应用领域日益增长的需求。*新的150 MHz Kinetis MCU可在电池供电应用中实现出色集成,与当前MCU相比,其嵌入式SRAM内存容量增加4倍,且提供2MB闪存。大容量内存、更高的集成能力,以及更低的系统功耗,使得此款MCU具有更长的电池寿命,且支持更丰富的图形,从而在多种应用中实现用户体验的优化。恩智浦**副总裁兼微控制器业务线总经理Geoff Lees表示:“采用恩智浦的新型Kinetis K27/K28 MCU之后,嵌入式设计师能够超越原先的集成限制,打造出更具竞争力的产品,从而*大程度发挥设备价值。我们的新型高性能微控制器,支持更好的用户界面和**定制应用,同时能够延长电池使用寿命,这些特点对于实现让客户生产的物联网设备、智能家居产品、可穿戴设备和工业便携设备在市场中脱颖而出这一目标起着至关重要的作用。”1MB嵌入式SRAM内存将使得系统能耗更低,图形缓冲区容量更大,从而实现高能效和高性能。用
台积电、三星发展7nm各有盘算
DIGITIMES (0)为证明自己在全球晶圆代工的**地位,三星电子(Samsung Electronics)与台积电不约而同在2017国际固态电路大会(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)发表了各自*新的制程技术,然而2家厂商透露了相当不同的7奈米制程发展方向。 根据EE Times报导,台积电赢得了苹果(Apple) iPhone SoC大部分的订单后,积极于2017年投入了10奈米晶片的量产推进,并预计于2018年开始提升7奈米晶片的产量,以应付iPhone 8(暂订)的需求。另一方面,没有了苹果订单的压力,三星不需急于投入7奈米制程,而是打算借由极紫外光显影技术(EUV)展现晶圆代工实力。SRAM被视为是推动下一代节点技术的关键。台积电在ISSCC上展示的7奈米制程256 Mb SRAM测试晶片,存储单元(bit-cell)面积仅有0.027平方公厘,是2017年进入风险生产的SRAM当中,体积*小的。其SRAM巨集将使用7层金属层,晶粒总面积为42平方公厘,比台积电的16奈米版本小了0.34倍。更重要的是,台积电表示其以7奈米制程打
定了!历经一年多的朗德万斯售案敲锤落定,木林森赢得“美人归”
高工LED (0)欧司朗将朗德万斯出售给中国财团的交易已于2017年3月3日完成并生效。在此之前,双方均已得到所有相关监管部门的批准。本次交易的*终金额约为 5 亿欧元。欧司朗还将收到买方团队就未来几年内使用其商标权而支付的高达 1 亿欧元的**许可款项。此前,欧司朗董事会对普通照明灯具业务战略决策进行了深度评估,一致通过了朗德万斯出售案的决议。欧司朗照明公司 (OSRAM Licht AG) **执行官Dr. Olaf Berlien 表示:“此次交易的顺利完成是欧司朗战略转型的一个重要里程碑。作为高科技企业,我们将会以更为强劲的势头投入到更具吸引力的未来增长市场。”另外,借着此次交易,欧司朗与木林森达成战略合作意向,木林森将从欧司朗马来西亚居林新工厂采购LED芯片。不得不说,“森朗恋”终成正果实属不易,截至目前,此次收购案已经持续了长达1年多的时间。今天,高工LED就带大家一起回顾一下,这一竞购历程。木林森竞购历程回顾2015年11月6日木林森宣布,董事会同意公司参与竞购 OSRAM Licht AG(欧司朗)部分照明业务资产。2016年5月16日木林森召开**届董事会**十七次会议,会议审议并通过
TSMC称10nm已进入量产 **代7nm芯片良率达76%
超能网 (0)在三星宣布10nm、7nm节点之外会推出8nm、6nm优化版工艺之后,TSMC日前也公布了该公司的一些工艺进展情况,10nm工艺已经进入量产阶段,没多少秘密可说了,但是未来的7nm节点看点就多了。TSMC表示**代7nm工艺制造出的256Mbit SRAM芯片良率已达76%,ARM公司据说正在使用新的设计制造4GHz ARM处理器了此外,TSMC的7nm也会发展多代产品,但是增强版7nm工艺才会使用EUV工艺,**代并不会。 TSMC、三星以及Intel都会量产10nm工艺,不过10nm工艺主要优势是低功耗,而且从TSMC和三星的进度来看,他们的10nm工艺过渡意味浓厚,2018年就会被7nm工艺接力取代了,而7nm被公认为是高性能工艺,影响会比10nm工艺深远得多,也是各大晶圆厂争夺的重点,跳过10nm工艺的GlobalFoundries及大陆的中芯国际都会投入7nm之争中。根据TSMC*近公布的一些数据,汇总下他们在7nm节点的一些进展和动向:·TSMC此前说他们的7nm工艺良率“健康”,这次又给出了具体的证据,7nm生产的256Mbit SRAM芯片良率达到了76%,这个良率确实
超低功耗MCU使系统级功耗节省10倍并支持物联网应用中的浮点运算
华强电子网 (0)Analog Devices, Inc. (ADI),今天宣布推出一款超低功耗微控制器单元(MCU),用于满足迅速增长的嵌入式**算法需求,并且当其用在物联网(IoT)边缘节点时,消耗的系统功耗极低。ADuCM4050 MCU包含一个ARM?Cortex?-M4内核,并带有浮点单元、扩展SRAM和嵌入式闪存,支持本地化决策,确保只有*重要的数据才被发送到云端。这款新MCU采用SensorStrobeTM技术,当ADI公司的传感器和RF器件还在收集数据时,它可以保持低功耗状态。这使得ADuCM4050 MCU能节省10倍以上的系统级功耗,因此电池使用时间或充电间隔时间会更长。为在恶劣环境中工作,它还加入了一些重要的增强功能。查看产品页面、下载数据手册、申请样片和订购评估板:http://www.analog.com/pr170316/ADuCM4050了解ADI公司的超低功耗微控制器产品系列:http://www.analog.com/pr170316/ultra-low-power-microcontrollers通过在线技术支持社区EngineerZone?联系工程师和ADI产品专家
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4 2016年12月22日 星期四意法半导体STM32F4基本型产品线提升功能整合度和灵活性
意法半导体 (0)横跨多重电子应用领域、全球**的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)新增两条新微控制器产品线,提升STM32F4基本型产品线高阶产品之效能、功能整合度和设计灵活性,满足高性能嵌入式设计的技术需求。这些STM32*新微控制器的工作温度高达125°C1,瞄準始终运作的感测器和通用工业设备,为STM32F1应用提供一个稳健、可靠且高成本效益的系统升级方案2。STM32F413和加密功能增强版的STM32F423,整合*高1.5MB的快闪记忆体和320KB的SRAM。这两款产品在STM32F4基本型产品线中配备*为突出,其丰富的音讯功能包括串列音讯介面(Serial Audio Interface,SAI),增强型语音採集介面集成多通道数位 Sigma-Delta调製滤波器(Digital Filter for Sigma-Delta Modulators,DFSDM),可实现低功耗声音定位和波束成形。新产品亦整合丰富的外设介面,包括两个12位元数位类比转换器(Digital-Analog Converters,DAC)、多达10个UART介面和3个CAN
木林森收购欧司朗旗下朗德万斯后,要做哪些事?
高工LED (0)木林森(002745,SZ)参与收购德国欧司朗(OSRAM)的普通照明业务,自消息传出就备受LED行业关注,尽管*初出现延期,但之后的进展却比想象中的顺利。德国欧司朗(OSRAM)公司发言人11日表示,美国外资投资委员会(CFIUS)已批准欧司朗向中资财团出售其照明业务。在今年1月份的时候,德国经济部就已经对此亮出绿灯,这桩收购目前只待中国监管部门*终批准即可完成,意味着始于去年七月、涉资逾4亿欧元的“朗德万斯”(Ledvance)中资并购“长跑”进入大直路,料*快于2017年财政年度完成。2月12日,木林森执行总经理林纪良向媒体对外确认了上述消息,本次收购接下来将履行正常的审查程序,接受外管局的审查。预计将于2017年完成本次海外收购,未来木林森将更偏重欧司朗的品牌作用。木林森作为全球*大规模LED生产企业之一,是义乌市国有资本运营中心为浙江省义乌市人民政府批准,授权管理、经营国有资产的全民所有制企业。IDG资本于1992年开始在中国进行风险投资,是*早进入中国的外资投资基金。林纪良回应,从企业本身的收购而言,木林森参与收购的是欧司朗的普通照明业务,并不涉及国家**、高新技术等问题,
意法STM32微控制器提升功能整合度
新电子 (0)意法(ST)新增两条新微控制器产品线,提升STM32F4基本型产品线高阶产品之效能、功能整合度和设计灵活性,满足高性能嵌入式设计的技术需求。这些STM32*新微控制器的工作温度高达125°C,瞄准始终运作的感测器和通用工业设备,为STM32F1应用提供一个稳健、可靠且高成本效益的系统升级方案。 STM32F413和加密功能增强版的STM32F423,整合*高1.5MB的快闪记忆体和320KB的SRAM。这两款产品在STM32F4基本型产品线中配备*为突出,其丰富的音讯功能包括串列音讯介面(Serial Audio Interface, SAI),增强型语音采集介面集成多通道数位Sigma-Delta调制滤波器(Digital Filter for Sigma-Delta Modulators, DFSDM),可实现低功耗声音定位和波束成形。新产品亦整合丰富的外设介面,包括两个12位元数位类比转换器(Digital-Analog Converters, DAC)、多达10个UART介面和3个CAN 2.0B Active介面。加密增强版STM32F423还增加一个硬体真实乱数产生器(Tr
新一代STT-MRAM容量达Gb水准
DIGITIMES (0)被视为次世代存储器技术之一的自旋力矩传输存储器(STT-MRAM),在2016年12月举办的国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公开了若干突破性研究成果,*值得注意的是推出了容量超过1Gb的产品,以及将STT-MRAM嵌入CMOS逻辑芯片的技术实证。 MRAM算是次世代非挥发性存储器科技中出现较早的一种,其记忆单元以磁隧结(MTJ)组成,由于占用体积大与耗电量高,*大容量约16Mb,仅适用于若干特殊需求;MTJ水平排列的iSTT-MRAM虽然成功缩小化,记忆密度还是偏低,*大容量仅256Mb。直到较新的pSTT-MRAM出现,MTJ改用垂直排列,才能进一步扩大记忆密度,韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)与东芝(Toshiba)从2011年起合作,到2016年成功推出目前容量*大的STT-MRAM,记忆容量达4Gb,虽然详细数据并未公布,不过报导推算记忆密度与DRAM相当。不过,存储器技术要求的不只有记忆容量与密度,使用寿命与容错能力等数据也很重要,GlobalFoundries与Everspin Tec
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5 2016年10月27日 星期四新存储器家族拥有无限耐久性
eettaiwan (0)Microchip Technology推出拥有无限耐久性、断电时保障资料储存**的全新低成本、低风险储存解决方案。 Microchip Technology推出拥有无限耐久性、断电时保障资料储存**的全新低成本、低风险储存解决方案。新的I2C EERAM记忆体系列是简易使用的非挥发性SRAM记忆体产品,适用于需要连续或即时记录、更新或监测资料的各种应用,比如电表计量、汽车和工业等领域的应用。EERAM是一个独立的SRAM记忆体,同时在这同一个单个晶片上还包含了EEPROM影子备份,有助于在系统断电时自动保留SRAM记忆体中的内容。EERAM提供对阵列的即时随机写入功能,且无写入周期的延迟。I2C EERAM 系列记忆体的容量为4 Kb和16 Kb,包含标准8接脚 SOIC、TSSOP和PDIP等多种封装规格。EERAM系列的工作电压有3.0V和5.0V两个选择,提供工规和车规的应用温度范围内(-40~85°C及 -40~125°C)工作,同时也提供汽车等级的储存解决方案。新型EERAM元件成功的在单个晶片上整合了两种成熟、可靠的储存技术EEPROM和SRAM,是一款稳健、可靠的资料解
兆易**即将与ISSI整并 成国产DRAM新担当?
科技新报 (0)中国发展半导体在存储始终无法取得突破性进展,现在有关厂商团队都积极动起来,近来相关整并、建厂消息一桩接一桩。早前曾报导过,中国NOR Flash厂商兆易**(Gigadevice)可能与武岳峰等中国基金所收购的美国DRAM厂ISSI合并,从9月中停牌迄今的兆易**19日再发出持续停牌公告,并正式揭露了即将与ISSI整并的消息!19 日上海交易所上市的兆易**再发停牌公告,以正在筹划重大事项为由,即日起将持续停牌,今年9 月中开始兆易**即以重大资产重组为由停牌多时,此次,兆易**也正式揭露了原因,且攸关中国存储产业的大布局。兆易**公告中指出,公司拟收购北京闪胜投资公司,北京闪胜主要拥有先前以中国私募基金武岳峰为首所收购的美DRAM 厂商ISSI(IntegratedSilicon Solution)股份,兆易**若与ISSI 合并,加上现有的NOR Flash 技术,将成为Flash 与DRAM 兼备的综合型存储厂商。ISSI 主要设计与销售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM 等集成电路产品,主要应用于汽车、工业、医疗、网路、行动通讯、电子消费产品。ISSI为少数中资收购海外半
台积电发布全新7纳米制程技术 与英特尔竞逐摩尔定律进程
集微网 (0)集微网消息,据海外媒体报道,即使近年摩尔定律(Moore’s Law)进展速度趋缓,但全球各家芯片制造商仍持续开发新一代制程技术。在12月3~7日于美国举行的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上,台积电宣布以其*新版3D FinFET电晶体,可用于生产更新一代智能手机及其他移动装置处理器的**全新7纳米制程技术,借此正式加入全球7纳米制程技术竞争战场,并彰显其较英特尔(Intel)更快的制程技术进展,显示晶圆代工厂具备的技术优势。 根据科技网站ZD Net及EETimes报导,台积电为了展示7纳米制程技术,在会议中介绍一款由7纳米制程生产的全功能256MB SRAM测试芯片,据称该芯片存储器细胞(Memory Cell)尺寸仅0.027平方微米,可提供相较于现有16纳米FinFET制程高达4成的性能速度提升,以及高达65%的功耗节省。台积电7纳米制程技术采用当前的193纳米浸润式微影技术(Immersion Lithography),与三星、GlobalFoundries以及IBM等竞争业者宣布的7纳米制程技术,是采用新型态极紫外光微影技术(EUV)有所差异。有鉴于EUV技术至少要等
兆易**加入美光科技Xccela™ 规格联盟
集微网 (0)集微网消息,美国爱达荷州博伊西,2016 年 12 月 15 日——美光科技有限公司今日宣布创立面向半导体和电子公司的 Xccela™ 规格联盟 (Xccela™ Consortium)。该联盟的宗旨是推动 Xccela Bus 接口成为适用于易失性和非易失性存储器以及其他类型集成电路的新型数字互联和数据通信总线的开放式标准。为了更好地凸显应用通过使用这种总线及受支持设备可获得的性能提升,美光科技将之前发布的 XTRMFlash™ 和 XTRMBus™ 重新命名为Xccela™ Flash 和 Xccela™ Bus。 美光科技 (Micron Technology)、华邦电子 (Winbond Electronics)、兆易** (GigaDevice Semiconductor) 和 爱普科技 (AP Memory Technology) 是该联盟的创始成员,他们将与其他成员公司合作,推动整个行业将一系列符合 Xccela Bus 标准的存储器、控制器、ASIC、SoC 和其他设备加速推入市场。随着智能手机的问世,人们已经习惯了现代电子设备带来的图形用户界面、“随开即用”的响应能力
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6 2016年08月31日 星期三深耕本土面向国际 灵动MCU三连发
华强电子网 (0)8月23日,上海灵动微电子股份有限公司2016年秋季新品发布会取得圆满成功,众多MCU领域的知名厂商代表、专业人士以及国内30多家知名门户与科技媒体现场云集,一起见证本土企业灵动历年来的快速发展以及强大产业链,此外针对不同领域灵动发布了三款不同的新品。深耕本土 为中国MCU作**推动活动一开始,主持人电子**网CEO张国斌就国内MCU市场做了相应介绍,他表示随着物联网和智能硬件的快速发展,32位MCU的需求呈现快速上升趋势。据相关数据统计,2015年全球MCU出货量255亿颗,比2014年提升了12.4%。张国斌告诉记者,虽然今年全球的经济相对低迷,但是MCU的需求仍然有望增长20%左右,预计2016年全球MCU市场出货量将突破300亿颗大关。并且,32位的MCU市场未来几年会保持30%左右的高速增长!在此市场红利下,国内厂商抓住此次机遇,纷纷加入32位MCU阵营,灵动微电子就是其中一家。灵动董事长兼CEO吴忠洁博士在详细介绍了灵动微电子多年来的发展历程后提出,灵动作为一家本土的MCU公司,希望能紧密结合国内的发展环境,能够一起推动本土MCU发展。他强调,灵动微电子的特色也正在于立足本