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1.紫光与厦门国资成立160亿联合发展基金；
3月9日，厦门市国资委与紫光集团有限公司共同签署设立160亿的“厦门国资紫光联合发展基金”合作框架协议，正式宣布双方启动“资源共享、优势互补、互惠互利”的合作，助力厦门国资国企产业转型升级。市委常委、副市长林文生出席签约仪式。
根据框架协议内容，厦门市国资委将组织厦门国企，联合市财政资金，与紫光集团共同组建金额为160亿元的“厦门国资紫光联合发展基金”，将充分利用各种政策，搭建大基金平台，并依托清华大学和厦门国企的背景与资源，吸引新兴产业落户厦门，以优化厦门国有资产配置，举全市之力培育一批符合厦门产业发展方向、有核心竞争力、有发展前景、有资本价值、有自主**能力、代表先进水平的标杆企业，在推动国企改革的同时加快形成厦门支柱产业和新兴产业的新利润增长点。
该基金的设立，将有利于**分类监管投资模式，推动国有资本与社会资本对接，优化资源配置，加快国企转型发展，为厦门产业转型升级发挥更大的作用。
2.高通哭！Intel传夺苹果基带肥单 台积电代工、6月大扩产；
市场去
barron`s.com报导，摩根士丹利分析师James Faucette 9日发表研究报告指出，进行供应链调查后发现，英特尔(Intel Corp.)的确有望下单要求台积电(2330)拉高新产品的产能，预估6月就会开始投产，且增产规模应该相当高、今(2016)年底单季出货量*多将扩增至1,000-1,500万颗。
Faucette并表示，这对高通虽是利空消息，但影响其实有限，因为苹果使用的英特尔晶片数量应不多，估计单季1,000-1,500万颗的订单转给英特尔后，高通的单季每股盈余可能仅会减少0.03-0.06美元。
另外，英特尔过去5、6年将数十亿美元砸入行动市场，现在终于有望赢得大单，但奇怪的是，英特尔在相关领域的投资规模近来却日益萎缩。由于手机、平板电脑的成长都开始趋缓，其中平板的成长性还远低于2-3年前的预期，Faucette认为就算英特尔现在取得苹果大单，恐怕还是难以打平过去对行动市场的投资，在这样的状况下，英特尔投资行动市场的意愿可能降低，争取到更多苹果订单的难度也会增加。
Mac Rumors 3月4日报导，里昂证券分析师Srini Pajjuri估计，英特尔应该会取得苹果3-4成的iPhone 7 LTE数据机晶片订单，其余订单交给高通处理。由于英特尔的7360 LTE数据机晶片的效能优异，下行、上行速度分别达450 Mbps、100 Mbps，优于iPhone 6s内建的MDM9635高通晶片组的300 Mbps、50 Mbps，估计iPhone 7用户以LTE网路浏览网路、下载应用程式、观赏线上影片时，都能享受更加快速的服务。
VentureBeat去年10月曾引述未具名消息人士报导，英特尔已指派一千名(甚至更多)员工，为2016年版的iPhone量身打造其备受赞赏的7360 LTE数据机晶片。假如一切顺利，那么英特尔除了为iPhone供应数据机晶片外，还会替苹果代工*新的系统单晶片(SoC)。
消息还爆料，苹果*终希望创造一颗整合Ax处理器与LTE数据机晶片的SoC，大幅改善运算速度与电源管理效能，而这款由苹果设计的SoC将冠上该公司的品牌标签，并向英特尔取得LTE数据机晶片**。英特尔则会接下代工任务、以14奈米制程技术打造这颗晶片。英特尔之所以需要组成千人大军，也是因为之后可能会取得更多与 iPhone有关的业务。精实新闻
3.日矽案 金管会：3/17截止 若无正当理由 1年内不得再收购；
针对日月光(2311-TW)公开收购矽品(2325-TW)，由于公平会还须召开两场公听会，本案恐无法在*后期限完成而破局，对此，金管会今(10) 日表示，根据规定，日月光收购矽品*后截止日为3月17日，除非有正当理由，否则日月光1年内不得再对矽品公开收购。所谓“正当理由”，如公平会核准了，日月光就可以再向金管会送件。
立法院经济委员会昨日通过临时提案，要求公平会应在4月15日前，针对日月光与矽品结合案办理两场公听会。由于距离日月光公开收购矽品到期日3月17日仅剩约一周，一旦公平会无法赶在3月17日前完成两场公听会，日月光与矽品结合案恐告吹。本案成功要件，除了日月光收购足够股票，还必须要获得公平会之核准。
对此，金管会表示，日月光公开收购矽品，已向金管会已经延长过1次，*后截止日就是3月17日，到期不会再延长，除非有正当理由，否则日月光1年内不得再对矽品公开收购。所谓“正当理由”，如公平会核准了，日月光就可以重新提起收购案，再向金管会送件。钜亨网
4.联发科新技术 攻双镜头；
联发科（2454）昨（10）日宣布，将在高阶手机晶片系列“曦力”（helio）上，**导入**的Imagiq图像讯号处理器（ISP）技术，能充份发挥双主镜头优势，满足未来智慧行动装置对多媒体功能愈来愈高的要求，抢食双镜头应用商机。
在短期营运面部分，联发科前二月营收为345.68亿元，代表3月营收只要落在179亿至228.32亿元之间，即可达成本季营收财测目标。虽然联发科本身的四合一晶片缺货，但因大陆对中低阶手机需求热，法人认为，该公司将可轻松达成本季财测目标。
联发科**副总暨技术长周渔君表示，智慧手机正在从硬体和参数竞赛进入到比拚内容和体验的阶段，内容和体验很大程度上要靠多媒体技术来实现，因此多媒体将成为未来智慧手机决胜市场的关键。
就联发科观察，摄影和省电是智慧手机使用者*在乎的两大要求，镜头更是行动终端从外界捕捉和生成内容的重要介面，Imagiq集多项先进技术于一身，能够帮助镜头捕捉和产生**的图像和影片内容，颠覆智慧手机的拍摄体验。
联发科指出，自曦力P20和X20起，曦力系列高阶产品都将应用Imagiq ISP。经济日报
5.三星14nm LPE FinFET电晶体揭密；
作者：Kevin Gibb，TechInsights产品线经理
三星(Samsung)即将量产用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，这项消息持续引发一些产业媒体的关注。三星**代14nm LPP制程为目前用于其Exynos 7 SoC与苹果(Apple) A9 SoC的**代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了进一步的更新。
业界目前共有三座代工厂有能力制造这种鳍式场效电晶体(FinFET)：英特尔(Intel)、三星和台积电(TSMC)。TechInsights曾经在去年五月剖析用于Exynos 7420 SoC的三星14nm LPE制程，当时在讨论这项用于制造电晶体的制程技术时仍有所限制。而今，在几乎过了一年后，大家已经开始讨论三星的升级版14nm LPP FinFET制程了。
然而，预计要到今年春季末取得三星的Exynos 8890 SoC或高通(Qualcomm)的Snapdragon 820 SoC样本后，才可能完全掌握这项制程技术的细节。不过，我们可以进一步揭密用于Exynos 7420 SoC的更多14 nm LPE制程技术细节，同时也有助于预期下一代LPP制程的新进展。
我们从观察典型三星14 nm LPE FinFET电晶体的SEM侧视图开始(图1)。电晶体通道如同矽鳍片(Si Fin)般地形成，而非由图片的左下角向右上方生长。这些鳍片被埋在电介质下方而无法直接看到，因此，我们以箭号指示其方向。金属闸就位于正交方向，覆盖在整个鳍片的两侧与顶部。在闸电极的任一侧可看到较大的源极与汲极(S/D)触点。
图1：三星14 nm LPE FinFET电晶体的侧视SEM图
也许从另一张三星FinFET电晶体的平面图(图2)中能更清楚的看到闸极与鳍片的布局。四片矽鳍以垂直的方向排列在水平方向的金属闸极正下方。这两种电晶体结构周围都围绕着一个阱触环，用于隔离其与晶片上的其他电路部份。
该鳍片间距约有49nm，必须采用双重图案制程来制造。在此提供了两种选择：英特尔所使用的‘双微影蚀刻’(LELE)，或是‘自对准双微影图案法’(SADP)。我们认为三星采用了LELE制程为鳍片制图，但*后还需要额外使用光罩与微影制程，才能中断电晶体的两端。
图2：三星14nm FinFET电晶体的平面图
图3是Exynos 7420所使用的典型NMOS电晶体之TEM横截面图，而且我们还注意到闸极长度经测量约有30nm，这跟所宣称的14 nm制程节点差距颇多，而在表1中所整理的英特尔和台积电的情况也是一样的。稍后我们将进一步讨论这个问题。
电晶体闸极使用替代性闸极制程制造，包括沈积牺牲层(通常为多晶矽)、图案化与蚀刻，形成大约30个较宽的条形(stripe)区域。这些条形区域可定义出电晶体闸极长度。
图3：三星Exynos 7420的NMOS电晶体横截面图
接着，侧壁间隔层(SWS)沿着闸极侧面形成，并且用于作为掘入蚀刻定义及随后的外延生长——为NMOS电晶体(eSi)生长矽，以及为PMOS电晶体生长矽锗(eSiGe)等。在完全形成源极/汲极后，以氧化物填充腔室，接着再进行化学机械研磨(CMP)制程。
PMOS源极/汲极区域的SiGe具有围绕矽鳍的较大晶格常数，因而在PMOS电晶体上产生压缩应变，从而提高其驱动电流。大量掺杂的SiGe与NMOS eSi源极/汲极也包覆在鳍片两侧，为钨填充的触点提供较大的接触贴片，从而为电晶体实现更低的接触电阻��
图4：三星14nm节点的PMOS电晶体管
在此移除该牺牲层闸极，并以其闸电介质与金属填充该闸极。图5显示金属填充的NMOS与PMOS电晶体，两个闸极就位于隔离区域的正上方。这些电晶体共用一个通用的氧化铪(HfO)/氧化物高k闸极电介层堆叠。高密度的HfO随电晶体边缘外围绕的暗带衬托而清楚显现。闸极氧化层则环衬在HfO的表面之外。
HfO的内面则环衬着NMOS与PMOS功函数金属层，用于设定电晶体的阈值电压，这些金属分别拥有不同的组成。
闸极填充部份也有一点不同。从图中可看到NMOS电晶体的内层部份衬着氧化钛(TiN)，再以钨(W)填充，但PMOS电晶体则不然。闸极长度较短的 PMOS电晶体并未使用钨填充，原因在于TiN封闭闸极顶部，无法再为其填充钨；而这也导致靠近底部的部份形成真空。在闸极长度较长的PMOS电晶体由于 TiN未封闭闸极顶部，因而会再度出现钨填充。
图5：虚拟NMOS和PMOS电晶体
我们在前面曾经提到三星的FinFET电晶体较所描述的制程节点长度更长，但并不是只有三星如此。包括英特尔与台积电所支援的FinFET闸极长度也比其制程节点更长(如表1)。事实上，以微影尺寸的方式来看，与其所宣称的制程节点也不尽相同。这究竟是怎么一回事？
表1：三星、英特尔与台积电的电晶体尺寸比较
图 6提供了一个线索。透过图6分别描绘出针对几个先进逻辑元件所测得的实体层闸极长度、制造商所宣称的制程节点，以及电晶体的接触闸间距。电晶体以 130nm节点进行制造时，较大的闸极长度更接近制程节点。但从110nm到65nm，闸极长度微缩的速度较制程节点更快速，也比制程节点更短。至于45 nm及其更小的制程，闸极长度的微缩速率则减缓。
我们还为相同的元件绘制出接触闸间距，这一间距长度是制程节点的3.3倍，而且所有的制程节点在这一点上都是一样的。我们还发现*小的金属间距也可扩展到大约3倍的制程节点。
我们经常使用接触闸间距和6T SRAM单元面积来代表制程节点；但这导致了一个问题：所谓的16nm或14nm制程节点真的是这样的节点尺寸吗？例如，三星的鳍片间距、闸极长度、接触闸间距以及6T SRAM单元面积，都比英特尔的14nm更大，其6T SRAM单元面积也比台积电的16nm SRAM更大。那么，它究竟是不是真的14nm制程？
我们之中有一名工程师认为，鳍片间距*接近于制程节点，就像我们在DRAM中看到的主动间距以及在NAND快闪记忆体中的STI间距一样。我们在表1中列出了英特尔、三星与台积电16/14nm元件的1/3鳍间距，这看起来的确更能代表制程节点。
图6：电晶体闸极长度、接触闸间距与制程节点的比较
那么，我们应该可期待三星新一代的LPP制程有些什么变化？三星在*近的新闻发布中提到LPP制程将可提高15%的电晶体开关速度，同时降低15%的功耗。这些都是透过增加电晶体的鳍片高度以及增强应变工程而实现的。而我则预期还会有一点点的制程微缩，从而使其电晶体尺寸与6T SRAM单元面积更接近于英特尔的14nm制程节点。
而今，我们正满心期待尽快从Apple与三星的下一代智慧型手机中取得Exynos 8 SoC或Snapdragon 820 SoC，好让我们一窥**代14nm LPP制程节点的变化。
编译：Susan Hong
(参考原文：Samsung’s 14 nm LPE FinFET Transistors，by Kevin Gibb)eettaiwan
6.2016年全球半导体销售额再次以负增长开局
美国半导体工业协会（SIA）的发布资料显示，2016年1月全球半导体销售额为268.8亿美元（3个月的移动平均），环比减少2.7％，同比减少5.8％。
世界及各地区半导体销售额月度（3个月的移动平均值）走势（数据提供：SIA及WSTS，制图：《日经电子》） （点击放大）
全球半导体销售额月度（3个月的移动平均值）及同比走势 SIA和WSTS的数据。 （点击放大）
这是2012年以来时隔4年，1月份全球销售额再次出现同比负增长。2012年1月处在从2011年6月持续到2012年10月的同比减少状态中，2012年全年的全球销售额同比减少2.7％。
2012 年1月的全球半导体销售额同比减少8.8％，此次的跌幅为5.8％，比2012年要小。不过，此次同比减少的状态是从2015年7月开始的，2016年全年销售额能否实现同比增长还无法预测。另外，WSTS的*新市场预测结果显示，2016年全年全球半导体销售额将同比增长1.4％。
上面已提到，此次的业绩低迷并不是从2016年1月突然开始的，而是逐渐恶化的结果。上月（2015年12月）全球5个地区的半导体销售额全都环比减少，中国以外的其他4个地区都同比减少。2016年1月，这种状态仍在继续。引人注目的是美洲市场的低迷。2015年12月美洲市场同比减少14.6％，成为4个地区中***个跌幅超过10％的地区。2016年1月也是如此，在4个地区中跌幅**超过10％。并且，2016年1月同比减少16.9％，比上月恶化 2.3个百分点。（记者：小岛 郁太郎） 技术在线
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