Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供**性能

Diodes 40V车用MOSFET适用于电机控制应用

重庆12英寸MOSFET功率半导体项目即将开工

3月30日美国AOS重庆12英寸MOSFET功率半导体项目启动。 美国AOS公司12英寸功率半导体芯片制造及封测基地项目落户重庆水土园区，总投资7亿美元。该项目将于本月30号举行开工活动。 美国AOS半导体股份有限公司，于2000年在美国加州成立总部，其**且完整的功率型金属氧化层场效晶体管(Power MOSFET)，提供所有信息科技产业制造者生产更加质量、更具优势成本与效率之产品。为了提供客户更好之服务，目前于台湾与中国大陆亦拥有分支据点。 我们也在合作的晶圆代工厂配置了本公司专有的芯片处理和包装技术，以配合设计和生产先进的功率半导体产品。这样，以我们丰富的知识和经验，提高了亚微米晶圆代工厂的制造能力，使高性能产品得以进入市场。AOS’s的目标为客户提供*佳的产品和服务，并成为**的功率半导体器供货商。为实现此目标，我们已经建立了一个很好的技术平台，其中包括***的晶圆厂和封装厂。

Diodes推出LED驱动器AL1697 适用于15W的LED灯

继LED驱动器AL1696之后，Diodes公司新推出LED驱动器AL1697，适合多种TRIAC可调光LED照明应用。该器件提供了使用单级前沿和后沿可控硅调光器兼容性，高功率因数的调光与NEMASSL-6调光曲线符合，提供*佳的线路和负载调节电路。这个集成的MOSFET省去了一个辅助绕组，可减少外围物料成本及元件数量，从而降低材料成本。这款驱动器适用于高达15W的LED灯。Diodes新款TRIAC可控硅调光LED驱动器AL1697旨在为230VAC和120VAC替换灯调光器提供优异的兼容性。AL1697是一款高精度，高效率，降压-升压LED驱动器拓扑，电流检测精度高，电压和负载调节设计灵活。该设计支持非隔离(降压-升压)操作，以解决不同灯具的隔离要求。在边界导通模式操作实现更高的转换效率，同时还降低了开关噪声，简化EMI设计。该器件具有130μA的低工作电流及170μA的启动电流。AL1697提供2A/600V、4A/650V两款MOSFET选择。该器件还配备标准的内部保护功能，如输出短路，过温，欠压锁定，前沿消隐和逐周期过流保护。同时还具有增强的**性和可靠性过电压/输出开和热折

LAPIS开发出锂电池二次保护LSI“ML5232”

ROHM集团旗下的LAPISSemiconductor公司（蓝碧石半导体）开发出业界*多的支持14节串联电池、支持电压高达80V的锂离子电池二次保护LSI“ML5232”，本产品非常有助于实现电动自行车、蓄电系统、UPS等锂离子电池系统的功能**。近年来，能量密度较高的锂离子电池的应用激增，这就要求锂离子电池必须符合保障人身财产**的功能**标准，并具有更高的可靠性。此外，虽然锂离子电池必须采取应对过充电和过放电的措施，但随着应用范围扩大，社会要求其确保更高的可靠性，作为以防万一的对策，使用二次保护LSI的应用日益增加。一直以来，蓝碧石半导体一直致力于电池监控LSI的开发，为了满足这些社会需求，开始扩充二次保护注2LSI的产品阵容。二次保护LSI是指在锂离子电池监控系统中搭载的电池监控LSI端的系统发生故障无法工作时发挥保护作用，预防锂离子电池事故。此次开发的“ML5232”，*多可检测14节串联电池，与传统的适用于4节串联的二次保护LSI相比，零部件数量显著减少，并实现了电路的简化。以往为实现锂离子电池的二次保护，需要多个二次保护LSI及其外围电路，而如今这些仅需一枚“ML5232”

Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下 开关功率MOSFET与IGBT

Vishay发布2016年“Super 12”明星精选产品

集微网2016 年 3 月9 日消息 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）公布了2016年的“Super 12”特色产品。每年，Vishay都会挑出12款半导体器件和无源元件，这些器件采用新的和改进后的技术，能够显著提高终端产品和系统性能。Vishay的Super 12明星精选产品代表了公司在半导体和无源器件领域的**水平，让人能够从中管窥Vishay宽泛的产品组合。 2016年的Super 12明星精选产品如下：Vishay T58系列vPolyTan™固钽表面贴装片式电容器—T58系列采用聚合物钽技术和Vishay的高效MicroTan®封装，实现了业内*好的容量-电压等级，有6个模塑外形—包括小尺寸M0(1608-10)外形的47μF-6.3V产品，BB(3528-20)尺寸的220μF-10V和330μF-6.3V产品—具有更高的容积效率，可用于手持式消费电子产品。Vishay Semiconductors VEML6075 UVA和UVB光传感器—VEML6075采用小尺寸2.0mm x 1.25mm x 1.0mm

SiC、GaN功率半导体市场规模快速成长 2020年破10亿美元

随着混合动力车、电动车、电源供应装置与太阳能电力转换器(Photovoltaic Inverter)等市场需求不断上扬，预估全球碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)功率半导体市场将由2015年的2.1亿美元，先上扬为2020年的10亿美元以上，然后于2025年飙升至37亿美元。 由于碳化矽具有轻量、极硬、耐高温且耐腐蚀等特性，除了被广泛应用在一般工业机械元件外，也被应用在高温、高压、高频、高功率及光电等电子元件领域中。虽然碳化矽萧特基二极体(Schottky diodes)产品上市已超过10年，但近几年碳化矽金氧半场效应电晶体(MOSFET)、接面场效电晶体(JFET)与双极性接面电晶体(BJT)等产品才开始上市。除了现有的碳化矽MOSFET供应业者外，预计未来1年，还会有更多业者加入市场。由于更多业者家加入竞争，以及在售价上能与传统MOSFET竞争的900伏特碳化矽MOSFET产品上市，碳化矽功率半导体产品平均售价已于2015年开始出现下滑。IHS功率半导体**分析师Richard Eden表示，随着售价的下滑，市场将会加快接纳碳化矽功率半导体产品的步伐。至于氮化镓，该材料原先被用为如

凌力尔特发表新款50A/双组25A µModule稳压器

凌力尔特(Linear Technology)日前发表双组25A或单一50A输出降压µModule稳压器--LTM4650，于小型的耐热增强型塑料封装具备内建的屏蔽电感、MOSFET和双组DC -DC稳压器IC。该元件采用16mm x 16mm x 5.01mm BGA封装，具备**的内建散热片，散热片连接至MOSFET和电感，可快速地将热从封装内部转移到顶端，而散热片的表面则暴露在空气中。散热可透过气流、或气流及外部散热片之贴附的组合而改善。当无外部散热片时，该产品可于71°C的环境温度以200LFM气流从12VIN至0.9VOUT提供50A，或在77°C时气流为400LFM。 新款产品的精准电流模式架构允许四个元件进行多相电流共享，提供高达200A至负载，如ASIC、FPGA及微控制器，其DC-DC转换效率可透过该公司的DC-DC稳压器IC而提升，具有较强的闸极驱动器和低损耗的MOSFET。可于5VIN、 1.8VOUT提供50A及92%的效率，于12VIN、1.0VOUT则为86%。此外，透过差动远端感测放大器补偿因电路板布线阻抗的压降，该产品可于输出、负载及温度范围保证±1.5

设计开关模式电源关键参数的五大简单步骤

揭秘：快充并没有看上去的那么简单

这些厂商的无线充电IC你都知道吗？

Silicon Labs闸极驱动器推动高速电源系统发展

芯科实验室(Silicon Labs)推出新型隔离闸极驱动器系列产品，满足*新电源系统的关键需求。新型Si827x ISOdriver系列产品基于Silicon Labs的数位隔离技术，提供闸极驱动器市场中*高的抗杂讯能力。其共模瞬变抗杂讯能力(CMTI)使Si827x驱动器非常适用于具备快速开关和潜在杂讯的电源系统。目标应用包括伺服器、电脑和基地台电源、太阳能逆变器和微型逆变器、D类放大器、马达控制器、电动/混合动力汽车(EV/HEV)的充电器等。 对于电源设计人员而言，*重要的电源指标是单位体积功率(W/mm3)。为了尽量提高功率密度，许多设计人员为其调变设计方案选择更快的开关频率。电源系统使用高功率半导体开关，例如基于矽晶的MOSFET和基于新型氮化镓(GaN)和碳化矽(SiC)的MOSFET，需要高电流隔离的驱动器以控制开关。快速开关提升了系统效率，但也产生了更高的瞬态杂讯，可能引起讯号丢失或者由于闭锁(latch-up)而产生的**性损害。Si827x闸极驱动器对高速开关引起的瞬态杂讯提供了优异的抗杂讯能力，可有效保护电源系统。Si827x闸极驱动器提供领导业界的抗杂讯性能(

凌力尔特发表50A或双组25A μModule稳压器

凌力尔特(Linear Technology Corporation)日前发表双组25A或单一50A输出降压μModule稳压器LTM4650，于小型的耐热增强型塑料封装具备内建的屏蔽电感、MOSFET和双组DC/DC稳压器IC。 该元件采用16mm x 16mm x 5.01mm BGA封装，具备**的内建散热片。散热片连接至MOSFET和电感，可快速地将热从封装内部转移到顶端，而散热片的表面则暴露在空气中。散热可透过气流、或气流及外部散热片之贴附的组合而改善。当无外部散热片时，LTM4650可于71℃的环境温度以200LFM气流从12VIN 至 0.9VOUT提供50A，或在77℃时气流为400LFM。LTM4650的精准电流模式架构允许四个元件进行多相电流共享，提供高达200A至负载，如ASIC、FPGA及微控制器。 DC/ DC转换效率可透过凌力尔特的DC/DC稳压器IC而提升，其具有强大的闸极驱动器和低损耗的MOSFET。可于5VIN、 1.8VOUT提供50A及92%的效率，于 12VIN、1.0VOUT则为86%。透过差动远端感测放大器补偿因电路板布线阻抗的压降， LTM

ST推出减少了反向恢复电荷和反向恢复时间的650V耐压MOSFET

意法半导体2016年3月3日推出了采用超结（SJ）结构的n沟道型功率MOSFET的新产品系列“MDmesh DM2”（英文发布资料）。支持的耐压范围为+400～650V。特点是，通过改进体二极管减少了反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr）、降低了导通电阻。据介绍，新产品的导通电阻比该公司原产品降低约20％。由于具备这些特点，将其用于电源电路时可以提高转换效率。作为*适合的电源拓扑，可用于全桥结构的移相式零电压开关（ZVS）电路。具体用途为个人电脑、通信及网络设备、工业设备和消费类产品等的电源装置。 新系列有耐压、*大漏电流和封装等不同的39种产品。耐压分+400V、+500V、+600V、+650V四种，*大漏电流范围为12～67A。封装有D2PAK、TO-220EP、TO-220AB、TO-247四种。耐压为+600V、*大漏电流为12A、采用D2PAK封装的“STB18N60DM2”的特性如下：导通电阻为0.295Ω（*大值），总栅极电荷为20nC（标称值），输入电容为800pF（标称值），输出电容为40pF（标称值），反馈电容为1.33pF（标称值），反向恢复电荷（Qrr

安森美在汽车重点市场方案与策略

随着汽车发展的电气化和智能化趋势，使燃油经济性及降低排放、主动**及自动驾驶、车联网和LED照明等成为当前汽车行业关注焦点，这对半导体业带来更多发展机会的同时也提出了更多的挑战。混合电动汽车（HEV）/电动汽车（EV）推动每辆车的汽车动力系统的半导体成分增高约5倍。先进驾驶辅助系统（ADAS）、便利及信息娱乐系统，以及占全球汽车销售比例50%以上的新兴市场，推动全球汽车半导体市场同比增长9%以上。汽车中的半导体成分据市场调研机构Databeans的数据，平均每辆汽车的半导体产品成本达350美元。汽车中含半导体成分的应用如图1所示。图1. 汽车半导体成分汽车重点市场方案与策略安森美半导体作为全球**的十大高能效汽车硅方案供应商之一，汽车电子发展势头强劲，营收比几年前有近300%的增长，尤其在汽车图像传感器领域及AFS领域的市占一直维持****，将继续针对汽车市场发展趋势提供**的产品阵容及方案，持续推动汽车**。汽车电气化随着政府及消费者对汽车燃油效率、节能、降低污染、加强环保提出日益严苛的要求，各种新能源汽车如HEV/EV/PHEV等得以大力发展。安森美半导体提供场截止型IGBT、高能

Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装 有效节省占位面积

东芝推出导通电阻仅0.6mΩ的40V耐压功率MOSFET

东芝2016年1月29日推出了导通电阻仅0.6mΩ（栅极-源极间电压为＋10V时的标称值）的＋40V耐压的功率MOSFET“TKR74F04PB”。该公司介绍称，“该产品实现了业内***别的导通电阻”。该产品属于n沟道产品，适用于车用DC-DC转换器、电动助力转向器（EPS）等使用的大容量电动机的驱动电路和半导体继电器。 新产品采用低电阻封装TO-220SM（W），MOSFET芯片是利用该公司*新的、也就是第9代沟槽式MOS工艺——“U-MOS IX-H系列”制造的，从而实现了低导通电阻。由于导通电阻低，因此不仅可以降低DC-DC转换器等的导通损失，还能降低开关噪声。连续（DC）时的*大漏电流为250A，栅极漏电流为±1μA（*大值），栅极的阈值电压*小值为＋2.0V，*大值为＋3.0V。总栅极电荷为227nC（标称值）。输入电容为14200pF（标称值），反馈电容为1300pF（标称值），输出电容为9100pF（标称值）。已开始量产，但价格未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）

Vishay 推出的新款VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案

Vishay 推出的新款VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案，大幅提升了功率密度和效率 这些器件节省空间，连续电流为30A和40A，采用4.5mm x 3.5mm和5mm x 5mm PowerPAK®封装，适用于移动计算平台宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 2 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为满足下一代笔记本电脑、超便携笔记本和桌面PC对大电流、高效率和高功率密度的性能需求，推出5款新的VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632，可用于多相POL稳压器。Vishay Siliconix 的这五款器件在热增强的4.5mm x 3.5mm PowerPAK® MLP4535-22L和5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装内，组合了功率MOSFET、先进的MOSFET栅极驱动IC和自举肖特基二极管，占位面积比使用分立器件的方案小45%。器件的高功率密度使其非常适合使用Intel®的Sky

Silicon Labs隔离驱动器推动高速电源传输系统发展

中国，北京-2016年3月2日-Silicon Labs（芯科科技有限公司，NASDAQ：SLAB）推出新型隔离驱动器系列产品，满足了*前沿的电源系统的关键需求。基于Silicon Labs备受肯定的数字隔离技术，新型Si827x ISOdriver系列产品提供了隔离驱动器市场中*高抗扰能力。这一业界**的共模瞬变抑制能力（CMTI）使得Si827x驱动器非常适用于具有快速开关和潜在噪声的电源系统。目标应用包括服务器、计算机和基站的电源、太阳能逆变器和微型逆变器、D类放大器、马达控制器、电动/混合动力汽车（EV/HEV）的充电器等。 获取有关Silicon Labs Si827x ISOdriver系列产品的价格、供货、开发工具、数据手册等详细信息，请浏览网站：www.silabs.com/ISOdriver。对于电源设计人员来说，*重要的电源指标是单位体积功率（W/mm3）。为了*大限度地提高功率密度，许多设计人员为他们的设计方案选择更快的开关频率。电源系统使用高功率半导体开关，例如基于硅的MOSFET和基于新型氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的MOSFET，需要高电流隔离的驱动器

电源管理芯片厂商谁主沉浮？

东芝扩充新一代N通道MOSFET系列

东芝半导体与储存产品公司研发推出新一代N通道MOSFET 30V及60V系列，皆以U-MOS IX-H沟槽式半导体制程为基础设计，此设计已被使用于降低导通电阻，在各种不同载量下带来*佳效率；同时也可降低输出电容。适用于通信设备、伺服器和Data center及网通产品的电源供应器；*新的制程技术，将有助于提高电源的效率。 以U-MOS IX-H沟槽式制程为基础，进而发展双面散热各式规格的高效能小型化封装，东芝欧洲分部已开始对原使用低压MOSFET 40V的客户推广30V与60V的新封装产品。在DSOP封装的散热效率上有显着改善；目前双面散热全系列皆可在台湾区提供样品测试。东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。在VGS为10V时，30V MOSFET的*大导通电阻仅0.6mΩ，Coss的标准值是2160pF。60V产品提供的导通电阻及Coss的标准值：1.3mΩ及960pF。这可确保加强在既

2016快速充电器设计趋势及*新恒功率高效率充电方案

看电源管理芯片领域 谁是领军者！

电源管理芯片，是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片。主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出。接下来列举一些国内外知名的电源管理芯片厂商，通过以下对比可以看出这些厂商芯片的特点和优势所在。随着物联网、可穿戴设备等热潮的来临，电源管理芯片厂商谁主沉浮?关键词：电源芯片微芯电源管理安森美电源管理芯片，是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片。主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出。接下来列举一些国内外知名的电源管理芯片厂商，通过以下对比可以看出这些厂商芯片的特点和优势所在。随着物联网、可穿戴设备等热潮的来临，电源管理芯片厂商谁主沉浮?美国微芯与TI、Zilker Labs等公司类似，Microchip也是数字电源的鼓吹者和先行者。Microchip电源管理系列产品包括线性稳压器、开关稳压器、PWM控制器、电荷泵、电压基准、CPU/系统监视器、电压检测器、DC-DC转换器、功率MOSFET、驱动器等。美国微芯科技公司推出的****款数字增强型电源模拟控制器MC

Transphorm公司凭什么吸引富士通去做代理？

“助攻”电源设计：900V SiC MOSFET导通电阻**低！

全球SiC**者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其*新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源（spm）、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。世强代理的该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围，能满足不断演变的新型应用市场中的设计挑战，更高直流母线电压也同样适用。在25°C条件下，C3M0065090J拥有目前市面上*低的65mΩ的额定导通电阻；当温度高至150°C时，也可保证导通电阻只有90mΩ，这能有效降低功率损耗，并缩减热管理系统的尺寸。从而进一步减少电源设计者们的**限制，有助于实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源方案。图： CREE业界首款900V MOSEFET C3M0065090JC3M0065090J不仅提高了系统效率，还增加了功率密度以及开关频率，能够提供

意法半导体为车载电源小型化推出超结功率MOSFET

意法半导体于2015年12月15日发布了面向车载电源小型化用途的超结（Super Junction）型功率MOSFET（英文发布资料）。其中运用了该公司独有的“MDmesh DM2”技术。准备了耐压范围为+400～650V的多款产品。均为n沟道品，封装采用D2PAK、TO-220及TO-247。符合车载分立半导体产品的质量标准“AEC-Q101”。该公司称，“+400V耐压品和+500V耐压品符合AEC-Q101标准尚属业界**。+600V耐压品和+650V耐压品的性能超过其他竞争公司的产品”。 另外，还在一枚芯片上与SJ型功率MOSFET一起，集成了快恢复二极管。采用TO-247封装的+650V耐压品“STB50N65DM2AG”的特性如下：连续时的*大漏电流为38A；导通电阻在栅-源间电压为+10V时仅0.87mΩ（*大值）；总栅极电荷为70nC（标称值）；输入电容为3200pF（标称值）；输出电容为130pF（标称值）；反馈电容为3pF（标称值）；栅极电阻为4Ω（标称值）；反向恢复时间（Trr）为150ns（源-漏极间电流为38A时的标称值），反向恢复电荷（Qrr）为0.96μC

ST针对汽车市场推出新系列高电压N通道功率MOSFET

ST针对汽车市场推出新系列高电压N通道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体*先进、内建快速恢复二极体的 MDmesh DM2超接面制程，崩溃电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。400V 和500V两款新产品是市场上同级产品中首获AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞品。全系列产品专为汽车应用所设计，内部整合高速本体二极体(fast body diode)、恢复软度系数更高的换向行为(commutation behaviour)和背对背闸极源极齐纳(gate-source zener)二极体保护功能，是全桥零电压开关拓扑的理想选择。意法半导体的新功率MOSFET是汽车市场上Trr(反向恢复时间)/Qrr(反向恢复电荷)比和恢复软度系数表现*好的功率MOSFET，同时也拥有*出色的高电流关机能源(Eoff)，有助于提升汽车电源能效。此外，内部高速本体二极体的性能表现亦十分出色，有助于降低EMI电磁干扰，让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波元件。MDmesh DM2技

低功耗锂电池管理系统设计方案

大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET

大联大品佳推出基于Infineon智能车用电机驱动芯片电机方案

原标题：大联大品佳集团推出基于Infineon第三代智能车用电机驱动芯片的电机控制器解决方案 2015年12月10日，致力于亚太地区市场的**半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于Infineon第三代智能车用电机驱动芯片TLE987x和TLE986x系列的车载电机控制器解决方案。图示1-大联大品佳代理的Infineon的TLE987x和TLE986x系列 随着科技的不断进步，汽车中集成的电子控制电机数量与日俱增。据IHS预测，到2017年这个数字将增至29亿，相当于平均复合年增长率（CAGR）达到5.7%。每辆汽车将有大约30台电子控制电机。而车载电机数量快速增长的*主要诱因在于电子控制电机凭借其显而易见的优势正在逐步取代传统的机械电机，以实现有助于提高能效、降低二氧化碳排放、**驾驶等**汽车架构。这些架构主要基于分布式、机电一体化电机控制解决方案，例如HVAC鼓风机、发动机散热风扇、水泵和油泵、电动车窗、前后雨刮器等等。大联大品佳此次推出的车载电机控制器解决方案是基于Infineon的TLE987x和TLE986x实现的，这两个系列均采用了ARM Cortex

ROHM 600V耐压高效风扇电机驱动器“BM620xFS”

全球知名半导体制造商ROHM开发出高耐压风扇电机驱动器“BM620xFS系列”，用于实现未来在全球市场拥有巨大需求的家用空调等家电产品的变频化。本产品的累积销售业绩已达5000万个以上。将在技术力量方面获得高度好评的ROHM电机控制器内置于搭载ROHM**的600V耐压PrestoMOS*1的驱动器中，并采用一体化封装。利用多年积累的模拟设计技术与封装技术对产品进行了优化，*大限度地发挥出元器件具备的*高性能，可极其简单且高效地实现家用空调等家电产品的变频化。本产品系列共有6种产品，控制器的通电类型有120度、150度、180度三种，驱动器的输出电流有1.5A、2.5A两种，可满足广泛的市场需求。不仅如此，这6种产品均为相同的小型表面贴装封装（同等功能产品中为业界*小级别）、相同的引脚配置，可进一步节省电机PCB板的空间并可实现通用设计，因此，还非常有助于缩短扩充配套产品系列时的开发时间并将降低成本。本产品已开始出售样品（样品价格：500日元～/个，不含税），预计2015年12月将达到月产50万个的规模。前期工序的生产基地为ROHM滨松株式会社（日本滨松市）及ROHMApolloCo.

业界**！ROHM 600V耐压高效风扇电机驱动器“BM620xFS”阵容齐全

全球知名半导体制造商ROHM开发出高耐压风扇电机驱动器“BM620xFS 系列”，用于实现未来在全球市场拥有巨大需求的家用空调等家电产品的变频化。本产品的累积销售业绩已达5000万个以上。将在技术力量方面获得高度好评的ROHM电机控制器内置于搭载ROHM**的600V耐压PrestoMOS*1的驱动器中， 并采用一体化封装。利用多年积累的模拟设计技术与封装技术对产品进行了优化，*大限度地发挥出元器件具备的*高性能，可极其简单且高效地实现家用空调等家电产品的变频化。本产品系列共有6种产品，控制器的通电类型有120度、150度、180度三种，驱动器的输出电流有1.5A、2.5A两种，可满足广泛的市场需求。不仅如此，这6种产品均为相同的小型表面贴装封装（同等功能产品中为业界*小级别）、相同的引脚配置，可进一步节省电机PCB板的空间并可实现通用设计，因此，还非常有助于缩短扩充配套 产品系列时的开发时间并将降低成本。本产品已开始出售样品（样品价格：500日元～/个，不含税），预计2015年12月将达到月产50万个的规模。前期工序的生产基地为ROHM滨松株式会社（日本滨松市）及ROHM Apoll

Diodes DFN2020封装P通道MOSFET 降低负载开关损耗

晶丰设计BP3319MB BP2329A BP3105

5-7瓦 隔离 BP3133A/BP3135 90~264VAC 0.5 5-7*1W 85% 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本隔离 BP3315 90~264VAC 0.9 5-7*1W 85% 原边反馈APFC；内置高压功率MOSFET； 温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证8-12瓦 隔离 BP3125 90~264VAC 0.5 8-12*1W 87% 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本隔离 BP3135D 90~264VAC 0.5 8-12*1W 87% 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本隔离 BP3316D 90~264VAC 0.9 8-12*1W 87% 原边反馈APFC；内置高压功率MOSFET； 温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证12-15瓦 隔离 BP3136D 90~264VAC 0.5 12-15*1W 87% 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本12-18瓦 隔离 BP3116 90~264VAC 0.5 12-18*1W 87% 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本隔

英飞凌2EDN EiceDRIVER™ MOSFET驱动器树立可靠性和低功耗新标准

英飞凌近日推出适用于开关电源的PFC、LLC和同步整流级的全新2EDN7524 EiceDRIVER™驱动器芯片。这一芯片家族是英飞凌**利用其广博的专业知识和**的市场地位提供的专用MOSFET驱动器。立足于现有EiceDRIVER家族进行改进的2EDN产品线，是连接控制IC与MOSFET(比如CoolMOS C7)以及GaN(氮化镓)开关装置的重要环节。2EDN MOSFET驱动器芯片可实现更高的系统效率、**的功率密度以及一致的系统可靠性。2EDN EiceDRIVER IC采用行业标准的8管脚封装，拥有两个独立的非隔离式低边通道，每个通道可支持5 A的峰值拉灌电流。两个通道都能实现典型值5 ns的上升和下降时间，而1 ns的通道间延时匹配允许双通道并联使用，使总驱动电流增加一倍。虽然电流增大，但输出级的通态电阻(RDS(ON))非常低，这可*大限度降低驱动器芯片的功耗——即便使用非常小的栅极电阻、或者不用任何外部栅极电阻。驱动器芯片能承受信号输入和使能端高达-10 VDC的电压，所以它能有效应对接地反弹，提高系统可靠性。供货情况支持4V欠压锁定(UVLO)、采用DSO封装的2E

具 PMBus 数字接口的 36A 单输出或 18A 双输出

上海先进与西安龙腾新能源签署功率器件框架合作协议

上海先进与西安龙腾新能源日前签署功率器件框架合作协议。按照协议，双方发挥各自优势，在功率器件研制生产领域进行广泛深入的长期战略合作，为中国制造转化为中国创造做出贡献。上海先进负责**工作的周卫平副总裁、西安龙腾徐西昌董事长代表双方企业签署功率器件框架合作协议。 上海先进董事长陈建明、董事朱健和副总裁周卫平率团，对位于西安出口加工区的西安龙腾新能源科技发展有限公司进行了实地考察，参观了西安龙腾科研中心、装配车间、实验室，陈建明董事长与西安龙腾徐西昌董事长认真探讨了合作事宜。经过双方友好协商，在西安龙腾新能源双方签署了“功率器件框架合作协议”。西安龙腾新能源科技发展有限公司成立于 2009 年，是一家以世界先进功率半导体技术为基础，拥有自主知识产权，紧密结合国内市场的高新技术企业。公司总部坐落于西安出口加工区，由一批在半导体、电力电子、新能源等相关行业的**从业人员创立。公司研发工程技术力量雄厚，拥有一支经验丰富的专业化技术团队。公司将技术**视为企业发展的核心竞争力，建有国内**水准的研发中心及试验室。公司在功率半导体器件及电源应用领域已申请 45 项**。公司专注于超结 MOSFET

英飞凌推出新驱动IC并荣获SESAMES奖

英飞凌(Infineon)推出适用于PFC、LLC及切换式电源供应器同步整流器的全新2EDN7524 EiceDRIVER驱动IC系列。英飞凌运用其专业知识，首度推出MOSFET专用型驱动器，2EDN驱动IC系列强化既有的EiceDRIVER系列产品，能做为控制IC与MOSFET(例如CoolMOS C7及GaN等切换装置)间的重要连接，更 可达到提高系统效率、优异的功率密度，以及系统耐用性等目的。 此外，该公司于法国巴黎举办的Cartes Secure Connexions展会中，展示了从行动支付到物联网(IoT)等超越智慧卡应用的**防护解决方案，并且荣获“SESAMES奖”中两个类别的奖项。2EDN EiceDRIVER IC采用业界标准的8pin封装，并具备两个独立、非隔离的低压侧驱动级，各驱动级皆可提供5A驱动汲取峰值电流。两驱动电路以5ns典型上升和下降时间运作，而优异的1ns驱动延迟匹配可以实现同步切换配置，进而将总驱动电流提升一倍。输出级具有相当低的RDS(ON)，在未使用或使用小型外部闸极电阻时即使在大电流驱动条件下，均能有效降低驱动器的功率消耗。驱动器IC在控制和E

如何运用数字I/O来保护继电器

以**为基础，打造高效电机王国

据国际能源机构IEA调查表示：全球45%的电能是电机所消耗的。在中国，这个比例更是高达54%。这一数据表明了电机的使用是多么广泛，同时也说明了开发和使高效电机的重要性！在当今竞争激烈、瞬息万变的环境中，仅仅只是提高电机的高效性已经无法适应社会潮流，所有电机控制应用都要求人们不断寻找新的方式来提高能效、移动性和**性。鉴于此，电子发烧友诚邀德州仪器模拟产品业务发展经理信本伟先生共同探讨电机驱动与控制系统。德州仪器模拟产品业务发展经理信本伟先生打通电机市场，高效、**、智能、稳定是关键作为工业控制**芯片方案厂商，德州仪器的电机驱动产品一直以来都尤其注重电机驱动和控制系统的**性和效率，也一直致力于提高控制算法的性能。首先在效率方面，TI的产品通常会选择**的驱动端的MOS，对于小电流的电机驱动产品TI通常集成MOSFET并且优化RDSON，同时也持续通过降低静态电流来减小电机不运转时的功耗。除此之外，信本伟先生指出，在工业领域，片上保护是TI一直强调的重点。像DRV系列电机驱动产品全都集成了完整的片上保护机制，包括过流、过热、短路、欠压等等，并且在*新的直流无刷驱动产品DRV10983(

实时功率GaN波形监视

简介功率氮化镓器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于那些想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术，由于其相对于硅材料所具有的优势，这项技术用于蜂窝基站和数款**/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中，我们将比较GaN FET与硅FET二者的退化机制，并讨论波形监视的必要性。使用寿命预测指标功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。*知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以及某些会随时间影响到*终产品性能的退化机制很重要。联合电子设备工程委员会 （JEDEC） 针对硅器件的认证标准经证明是产品使用寿命的很好预测指标，不过目前还没有针对GaN的同等标准。要使用全新的技术来减轻风险，比较谨慎的做法是看一看特定的用例，以及新技术在应用方面的环境限制，并且建立能够针对环境变化进行应力测试和监视的原型机。对于大量原型机的实时监视会提出一些有意思的挑战，特别是在GaN器件电压接近

Diodes车用MOSFET为汽车电子控制单元提供 电池反向保护

“智车芝‘芯’，驾驭未来” ---东芝车载半导体产品登陆ELEXCON2015

ST超接面功率MOSFET实现**的电源应用

意法半导体(STMicroelectronics，ST)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能*大化，同时提升工作稳健性及**系数。MDmesh K5产品是首款拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极(drain-to-source)崩溃电压(breakdown voltage)的电晶体，并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中。 新产品锁定电脑伺服器及工业自动化市场。伺服器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是让伺服器*大幅度减少断电停机时间的关键因素，焊接、工厂自动化等工业应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高，超接面MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的*佳选择。意法半导体的MDmesh K5功率MOSFET系列将此项技术提升至一个全新的水准，单位面积导通电组(Rds(on)) 和闸极电荷量(Qg)均创市场*低，并拥有*佳的FoM (品质因素) 。新产品是目前主流电源拓扑的理想选择，包括标准准谐振(quasi-resonant)与主动式箝位返驰转换器以及LLC 半桥式转换器，均要求宽输入电压、高能效(高达9

Diodes全新100V MOSFET优化以太网供电应用

基于三次函数的电磁导航智能小车设计

数字/模拟电源难选择？看看大佬都怎么说

意法半导体推出耐压1500V的超结功率MOSFET

意法半导体于2015年10月20日发布了采用超结（Super-Junction，简称SJ）构造的+1500V耐压的功率MOSFET“MDmesh K5系列”（英文发布资料）。该公司称，“这是+1500V耐压的超结功率MOSFET**实现实用化”。新产品的特点是，单位面积的导通电阻和总栅极电荷均为业界*低。因此，导通电阻与栅极电荷的乘积，也就是FOM（品质因数）为业界*高。 新产品主要用于服务器、焊接机、工厂自动化设备等配备的开关电源（AC-DC转换器）等。据称支持多种电源电路拓扑，例如准谐振转换器、采用有源钳位电路的反激式转换器、LLC共振型半桥接转换器等。支持的输出电力范围约为75～230W。转换效率*大为96％。意法半导体首先推出了该系列的2款产品，分别是*大漏电流为7A的“STW12N150K5”和*大漏电流为14A的“STW21N150K5”，均为n沟道产品。STW12N150K5的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为1.9Ω（*大值），总栅极电荷为47nC（标称值），输入电容为1360pF（标称值），输出电容为80pF（标称值），反馈电容为0.7pF（标称值），栅极电阻为3Ω

凌力尔特推出新款能源监视Hot Swap控制器

凌力尔特(Linear Technology)日前发表具备双组MOSFET驱动器的能源监测热插拔(Hot Swap)控制器--LTC4282，可致能100A和更高电流的电路板设计。该控制器透过控制外部N通道MOSFET缓慢上电电容，避免产生火花，连接器损坏和系统故障，确保从运作中的2.9V～33V背板的**电路板插拔。 高电流热插拔电路板采用并联的MOSFET，以减少电压降，但所有这些MOSFET都需要大量的**区(SOA)以穿越过流故障。透过控制两个匹配的电流限制路径，该产品减半每个路径的SOA的要求，以减少在高电流应用(>50A)中的MOSFET成本。而进一步的成本节约来自分阶段启动的配置，其中一个路径采用低SOA MOSFET，另一条路径则采用低RDS(ON) MOSFET。在电路板电源闸极上，新产品的±0.7%精度ADC(类比数位转换器)会透过一个I2C/SMBus数位介面报告板上电压、电流、功率及能耗。在过电流条件下，该控制器会返折其2%精准电流限制，针对可调节的超时时间保持恒定的MOSFET的功耗。数位配置的电流限制允许当负载变化时的动态调整，并简化对于低值感测电阻的选择。

具能量监视功能的热插拔控制器 可用来实现 100A 的电路设计

固态超高频碳化硅感应加热电源

■我有技术所属领域：新能源与节能单位名称：保定四方三伊电气有限公司成果简介：相比目前固态感应加热电源使用的硅MOSFET，碳化硅功率器件具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优点，且门极驱动功率小，在高温、高频和大功率场合应用有明显优势；碳化硅功率器件在电力电子产品中的应用已成为当今的研究热点，其优良的特性使固态感应加热电源的工作频率得到大幅度提升。研发频率高于1MHz的固态超高频碳化硅感应加热电源，使固态感应加热电源的工作频率范围大幅度提高，可满足半导体区熔加热、精密金属器件热处理等**领域的应用，且能耗更小，效率更高，基本实现零污染排放。成果**性：采用碳化硅MOSFET器件实现超高频碳化硅MOSFET逆变功率单元，每个单元功率为50KW，多个功率单元可并联组成大功率设备；固态碳化硅超高频设备工作频率在1MHz以上，大功率输出，可满足精密热处理行业使用要求；固态碳化硅超高频设备采用智能数字化逆变控制技术，使用先进的DSP+FPGA处理器架构，满足对超高频设备的控制要求；依托该科技成果申请实用新型**一项，**名称：一种高频逆变功率单元；申请发明**一项，**名称：一种高频逆变功率单元和

Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能

性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

TI推出业内速度*快的600V栅极驱动器

2015年10月16日，北京讯近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度*快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。UCC27714高侧、低侧驱动器具有4A源电流和4A灌电流的处理能力，能够将组件占板面积减少50%，从而可在应用于服务器、电信和不间断电源等工业设计所使用的高频、离线AC/DC电源中实现更高的功率密度。UCC27714提供90纳秒 （ns） 的传播延迟，这比现有的硅解决方案传播延迟速度低40%，并可在-40C至125C温度范围内，对*高125ns的传播延迟速度进行严密控制。在同样的温度范围内可实现20ns的通道到通道延迟匹配。此器件无需大体积栅极驱动变压器，从而大大节省了高频开关模式电力电子器件内的电路板空间。UCC27714的主要特点和优势：l 更小的占板面积生成*高功率密度解决方案：UCC27714将次级侧可控电源内的栅极驱动器组件占板面积减少了50%。l 先进的噪声耐受能力：开关节点引脚上-6V负电压的处理能力产生出对于噪声的耐受能力，几乎不会在电子系统中发生任何故障。l MOSFET具有

ST MDmesh M2系列的N－沟道功率MOSFETs再增添新成员

ST MDmesh™ M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员，新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内*高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果尤为显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严格的能效目标要求。新款600V MDmesh M2 EP产品整合意法半导体经过市场检验的条形布局 ·针对轻负载条件优化电容曲线 ·针对软件开关优化Vth和Rg参数·稳健的本体二极管 MDmesh M2 EP系列瞄准需要高能效的电源应用，提供多种封装选择(PowerFLAT 5x6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP, TO-247)，所有产品均已量产。

英飞凌新MOSFET 实现更轻巧/耐用电器产品

英飞凌(Infineon)近期扩增StrongIRFET Power MOSFET系列产品，使DIY工具，如无线电钻与电锯等，同时具备便利与耐用性。新产品可由微控制器直接驱动，降低空间受限应用的复杂程度，此外还兼具较高的耐用性，提高电子装置的使用寿命。 英飞凌电源管理及多元电子事业处产品行销协理Stephane Ernoux表示，该产品可降低各种应用的电子设计复杂性，并具有较高的坚固耐用性。新产品可达到较高的能源效率，且透过新推出的逻辑位准延伸产品，使该产品不再需要独立的驱动器，能满足市场需求。此外，该产品在逻辑位准的变化之下，可将闸极源极电压降低至4.5伏特(V)，因此可在许多应用中直接连接微控制器至MOSFET。而新产品仍具备StrongIRFET系列的高效能特性，其低导通电阻可降低传导损耗，高载流能力可提升功率能力，而耐用的矽晶片则提供高系统可靠性。英飞凌网址：www.infineon.com

Fairchild新款MOSFET可提高功率密度改善系统效率

快捷半导体宣布推出新款中电压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)，采用 Dual Cool 8mm×8mm封装。尺寸较小的新产品针对体积大的D2-PAK封装提供较佳的替代品，且功率密度提高，并透过封装上下方的气流实现更佳的冷却效果。 Fairchild产品行销总监Mike Speed表示，新款MOSFET提供较佳的效能、功率密度和效率，其封装尺寸为D2-PAK装置的一半，可确保制造商开发更高效的产品，同时降低成本和提高可靠性。制造商可透过新款MOSFET提高直流(DC)马达的效率，同时降低成本，同时具有较小尺寸、外形更薄、重量减轻93%，适用于重量敏感型应用，如无人机和航空模型等。该产品封装的切换速度加快、EMI减少、功率密度提高、寄生损失降低；并使用源极夹片而非焊线，可降低寄生损失，确保大脉冲电流的源极电感比D2-PAK装置降低63%。此外，由于湿气在储存过程中常常导致元件分层剥落(Delamination)，新推出的MOSFET耐湿性高，因此也更易储存、装运和搬运；并拥有较佳的MSL(湿度敏感)，无需使用D2-PAK装置的保护封装即可防潮。快捷网址：www.fairchild

恩智浦半导体推出采用小型WLCSP封装的12V耐压功率MOSFET

恩智浦半导体于2015年9月7日推出了采用小型WLCSP（Wafer Level Chip Size Package）封装的12V耐压的功率MOSFET（英文发布资料）。备有4款n沟道产品和2款p沟道产品，合计投放了6款产品。封装有2种类型，一种是外形尺寸为0.78mm×0.78mm×0.35mm的4端子WLCSP，另一种是外形尺寸为0.98mm×0.48mm×0.35mm的6端子WLCSP。主要用于智能手机等的负载开关、二次电池用保护开关、LED驱动电路等。 n沟道产品有4端子、6端子各两款产品。4端子WLCSP封装品为“PMCM440VNE”和“PMCM4401VNE”。前者的*大漏电流为5A（连续时），导通电阻为57mΩ（漏极-源极间电压为+4.5V时的标称值），总栅极电荷为5.5nC（标称值）；后者的*大漏电流为6A（连续时），导通电阻为36mΩ（漏极-源极间电压为+4.5V时的标称值），总栅极电荷为6nC（标称值）。6端子WLCSP封装品为“PMCM650VNE”和“PMCM6501VNE”，前者的*大漏电流为8.4A（连续时），导通电阻为21mΩ（漏极-源极间电压为+4.5

意法半导体推出降低了导通电阻的60V耐压功率MOSFET

意法半导体于2015年9月7日发布了降低了导通电阻的＋60V耐压的功率MOSFET“STripFET F7 MOSFET系列”。该系列属于n沟道型，不仅降低了导通电阻，还降低了输入输出电容和栅极电荷量。该公司介绍称，“导通电阻与栅极电荷量的乘积——FOM（品质因数）极好”。另外，体二极管的反向恢复电荷很小，因此适合高速开关工作。不仅适用于通信设备、服务器、台式电脑、工业设备的DC-DC转换器，还适用于光伏发电用微型逆变器等。 该系列是采用沟道结构的功率MOSFET。意法半导体推出了封装不同的多款产品。准备的封装有PowerFLAT 5×6、PowerFLAT 3.3×3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、2-laed H2PAK及6-lead H2PAK。 采用PowerFLAT 5×6封装的“STL90N6F7”的特性如下：*大漏电流在连续时为90A，脉冲时为360A；栅极的阈值电压*小值为＋2V，*大值为＋4V；栅极-源极间电压为＋10V时，导通电阻为5.4mΩ（*大值）；总栅极电荷为25nC（标称值）；输入电容为1600pF（标称值），输出电容为880pF（标称值），反馈电